JPS6224439A - 光信号検出回路 - Google Patents
光信号検出回路Info
- Publication number
- JPS6224439A JPS6224439A JP60165550A JP16555085A JPS6224439A JP S6224439 A JPS6224439 A JP S6224439A JP 60165550 A JP60165550 A JP 60165550A JP 16555085 A JP16555085 A JP 16555085A JP S6224439 A JPS6224439 A JP S6224439A
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- Japan
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- circuit
- resonant
- inductance
- frequency characteristic
- signal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分身〕
この発明は例えば光学式記録再生装置環ＶＣ用いられる
光信号検出回路に関するものである。
光信号検出回路に関するものである。
第７図は、例えばｒ ｐＲｏｃＥｇＤ工ＮＧＳ ’Ｏｆ
ＳＰ工Ｅ−Ｔｈｅ工ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｘ ５ｏ
ｃｉｅｔｙ ｆｏｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ｋｎｇｌｎｅｅ
ｒｉｎｇ、 Ｖｏｌｕｍｅ ４２１ Ｊ １６８ページ
に記載されている従来の光信号検出回路であり、＋８Ｌ
＋は実際の回路図、（ｂ；は（ｉＬｌの等価回路図であ
る。第７において、ｌｌ＋！／ｉバイアス電圧端子、＋
２１ｉバイアス電圧端子（１］より逆バイアス電圧を印
加され、入射光量に応じて電流を発生する７オトダイオ
ード、（３１けフォトダイオード（２）で得られた信号
電流ｉ！會倍信号電圧、に変換するための負荷抵抗、１
４）は負荷抵抗（３１により変換された信’ｒ ｔ Ｂ
Ｅ ｖ ｔ ｋ増幅する増幅器、１６）は増幅器＋４１
で増幅された信号電圧ｖ！！出力するための出力端子で
ある。＋６１ ｒｉフォトダイオード（２１の等両回路
であり、フォトダイオード（２）で生じる電流源（７）
、フォトダイオード（２）の内部抵抗（８）、フォトダ
イオード＋２１の内部接合容量（９）で表わされる。こ
こで内部抵抗（８）。
ＳＰ工Ｅ−Ｔｈｅ工ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｘ ５ｏ
ｃｉｅｔｙ ｆｏｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ｋｎｇｌｎｅｅ
ｒｉｎｇ、 Ｖｏｌｕｍｅ ４２１ Ｊ １６８ページ
に記載されている従来の光信号検出回路であり、＋８Ｌ
＋は実際の回路図、（ｂ；は（ｉＬｌの等価回路図であ
る。第７において、ｌｌ＋！／ｉバイアス電圧端子、＋
２１ｉバイアス電圧端子（１］より逆バイアス電圧を印
加され、入射光量に応じて電流を発生する７オトダイオ
ード、（３１けフォトダイオード（２）で得られた信号
電流ｉ！會倍信号電圧、に変換するための負荷抵抗、１
４）は負荷抵抗（３１により変換された信’ｒ ｔ Ｂ
Ｅ ｖ ｔ ｋ増幅する増幅器、１６）は増幅器＋４１
で増幅された信号電圧ｖ！！出力するための出力端子で
ある。＋６１ ｒｉフォトダイオード（２１の等両回路
であり、フォトダイオード（２）で生じる電流源（７）
、フォトダイオード（２）の内部抵抗（８）、フォトダ
イオード＋２１の内部接合容量（９）で表わされる。こ
こで内部抵抗（８）。
内部接合容量（９）には、増幅器（４）の入力端子まで
電気配線による抵抗成分も含んでいる０次に動作につい
て説明する。
電気配線による抵抗成分も含んでいる０次に動作につい
て説明する。
バイアス電圧端子Ｉｌｌよシ逆バイアス電圧を印加され
たフォトダイオード（２）ハ入射する光信号の光強度に
応じた信号電流ｉｔヲ発生する。この信号’Ｉｔ流１に
は、負荷抵抗（３）により電流電圧変換され、信号電圧
ｖ１に変換される。この信号電圧ｖ１は増幅器（４）に
より増幅され、出力端子−６１より出力される。
たフォトダイオード（２）ハ入射する光信号の光強度に
応じた信号電流ｉｔヲ発生する。この信号’Ｉｔ流１に
は、負荷抵抗（３）により電流電圧変換され、信号電圧
ｖ１に変換される。この信号電圧ｖ１は増幅器（４）に
より増幅され、出力端子−６１より出力される。
この際、増幅器（４１０入力端に、内部抵抗（８）と負
荷抵抗（３１の抵抗取分と、内部接合容量（９）の容量
成分があるため、増幅器が充分に広帯域であるならば、
その同波数の特性は、この入力端の抵抗成分と容量成分
によシ第８図のようになる０この図において、縦軸は利
得、横軸は周波数をあられし、 図中ｆｏ −ｆｏ−…西 の点で、ここでＣは内部接合容量の容量成分。
荷抵抗（３１の抵抗取分と、内部接合容量（９）の容量
成分があるため、増幅器が充分に広帯域であるならば、
その同波数の特性は、この入力端の抵抗成分と容量成分
によシ第８図のようになる０この図において、縦軸は利
得、横軸は周波数をあられし、 図中ｆｏ −ｆｏ−…西 の点で、ここでＣは内部接合容量の容量成分。
Ｒは内部抵抗と負荷抵抗の抵抗成分金あられ丁。
従来の光信号検出回路は以上の様に構成されているので
、同波数帯域が広帯域であるため、信号同波数帯域が限
られて込る場合や特定の周波数帯域に同波数スペクトル
が集中している場合、雑音帯域が増加し、Ｓ／Ｎ比の低
下を及ぼす等の問題点があった。
、同波数帯域が広帯域であるため、信号同波数帯域が限
られて込る場合や特定の周波数帯域に同波数スペクトル
が集中している場合、雑音帯域が増加し、Ｓ／Ｎ比の低
下を及ぼす等の問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、光信号検出回路に入力された主たる信号につい
て必要なだけの同波数帯域を得ることができ、雑音帯域
の減少、ＳＡ比の向上を図ること全目的としたものであ
る。
もので、光信号検出回路に入力された主たる信号につい
て必要なだけの同波数帯域を得ることができ、雑音帯域
の減少、ＳＡ比の向上を図ること全目的としたものであ
る。
この発明に係る光信号検出回路は、入射光量に応じて電
気量を生じる容量性を持つ要素と、この要素に接続され
この要素と共に所定の周波数で共振する共振回路全形成
するインダクタンスと、このインダクタンスに直列又は
並列に接続されて、外部制御可能である可変抵抗と、共
振回路の出力周波数を検出し、この出力に応じて可変抵
抗の抵抗値を制御することにより、共振周波数特性を変
化せしめる共振周波数特性制御回路とを備えたものであ
る。
気量を生じる容量性を持つ要素と、この要素に接続され
この要素と共に所定の周波数で共振する共振回路全形成
するインダクタンスと、このインダクタンスに直列又は
並列に接続されて、外部制御可能である可変抵抗と、共
振回路の出力周波数を検出し、この出力に応じて可変抵
抗の抵抗値を制御することにより、共振周波数特性を変
化せしめる共振周波数特性制御回路とを備えたものであ
る。
この発明における光信号検出回路は、容量性の要素とイ
ンダクタンスにより形成される共振回路の共振同波数特
性の制御を、共振周波数特性制御回路の出力に心して、
可変抵抗の抵抗値を外部制御することによシ行なう。
ンダクタンスにより形成される共振回路の共振同波数特
性の制御を、共振周波数特性制御回路の出力に心して、
可変抵抗の抵抗値を外部制御することによシ行なう。
以下、この発明の一実施例上図について説明する・第１
図はこの発明の一実施例を示す光信号検出回路の回路図
であり、第２図＃−を第１図の回路内の共振回路部Ｘの
等画回路図である。図中…〜１５１ 、１７１〜（９）
は、上記従来のものと全く同一のものである。（１０）
は入射光量に応じて電気量を生じる容量性をもつフォト
ダイオード（２）と接続され、フォトダイオード（２）
と共に所定の同波数で共振する共振回路Ｘを形成するイ
ンダクタンスであるコイル（以下コイルと称す） 、
（ＩＩ）μコイル（１０）に直列に接続され外部制御可
能な可変抵抗の働きをする可変抵抗相等回路（ここでは
トランジスタ（１匂と抵抗の接続よりなる）、θ（至）
に増幅器＋４１の出力周波数を検出し、この出力に応じ
てトランジスタθ乃に流れるコレクタ電流全制御するこ
とによシ共振回路Ｘの共振周波数特性を変化させる共振
同波数特性制御回路である。
図はこの発明の一実施例を示す光信号検出回路の回路図
であり、第２図＃−を第１図の回路内の共振回路部Ｘの
等画回路図である。図中…〜１５１ 、１７１〜（９）
は、上記従来のものと全く同一のものである。（１０）
は入射光量に応じて電気量を生じる容量性をもつフォト
ダイオード（２）と接続され、フォトダイオード（２）
と共に所定の同波数で共振する共振回路Ｘを形成するイ
ンダクタンスであるコイル（以下コイルと称す） 、
（ＩＩ）μコイル（１０）に直列に接続され外部制御可
能な可変抵抗の働きをする可変抵抗相等回路（ここでは
トランジスタ（１匂と抵抗の接続よりなる）、θ（至）
に増幅器＋４１の出力周波数を検出し、この出力に応じ
てトランジスタθ乃に流れるコレクタ電流全制御するこ
とによシ共振回路Ｘの共振周波数特性を変化させる共振
同波数特性制御回路である。
第８図は共振周波数特性制御回路（１３）全含む第１図
２部の詳細説明である。（１４１は増幅器（４１よシ出
力された出力信号電圧より、ここでげ振幅変調度を検波
するための検波器、（１５１は検波器ａ４で検波された
信号のうち、あらかじめきめられた信号帯域の周波数し
か通さないローパスフィルタ、０υはローパスフィルタ
ａ６１２通過した同波数信号をトランジスタ（１匂に入
力する際、トランジスタ（＋２）のリニアな特性の領域
で作動させるためのバイアス・ゲイン調整回路である。
２部の詳細説明である。（１４１は増幅器（４１よシ出
力された出力信号電圧より、ここでげ振幅変調度を検波
するための検波器、（１５１は検波器ａ４で検波された
信号のうち、あらかじめきめられた信号帯域の周波数し
か通さないローパスフィルタ、０υはローパスフィルタ
ａ６１２通過した同波数信号をトランジスタ（１匂に入
力する際、トランジスタ（＋２）のリニアな特性の領域
で作動させるためのバイアス・ゲイン調整回路である。
第４図はｒル８図ａ、ｂ、ｃでの信号の状態を示した図
である。縦軸は電圧で、横軸は時間をあられ丁◎次に動
作について説明する。
である。縦軸は電圧で、横軸は時間をあられ丁◎次に動
作について説明する。
逆バイアス電圧を印加したフォトダイオード（２）は、
入射ＴＳ量に応じて電流１１を発生する。この信号電流
Ｌｌ’ｌ−負荷抵抗（３１、コイル（１０）、トランジ
スタθ乃と抵抗で作られた外部制御司能な可変抵抗相等
回路（ｌｌ）ｉ／（：よシミ流電正変換される。
入射ＴＳ量に応じて電流１１を発生する。この信号電流
Ｌｌ’ｌ−負荷抵抗（３１、コイル（１０）、トランジ
スタθ乃と抵抗で作られた外部制御司能な可変抵抗相等
回路（ｌｌ）ｉ／（：よシミ流電正変換される。
この際、フォトダイオード（２）の内部接合容量（９）
とコイル（ＩＯ）があるため、増幅器（４）が充分に広
く平担な特性を持つとすると、その同波数特性は共振特
性金持ち外部から入力される同波数によって変換される
電圧の利得が異なってくる。
とコイル（ＩＯ）があるため、増幅器（４）が充分に広
く平担な特性を持つとすると、その同波数特性は共振特
性金持ち外部から入力される同波数によって変換される
電圧の利得が異なってくる。
この共振周波数（一番利得の高い点） ｆＯはであられ
される。Ｌｉコイル（１０１のインダクタンス、Ｃはフ
ォトダイオード（２）の内部接合容量（９）をあられ丁
０この特性を示した１例が第５図Ｐである。横軸は同波
数、縦軸は利得をあられす。
される。Ｌｉコイル（１０１のインダクタンス、Ｃはフ
ォトダイオード（２）の内部接合容量（９）をあられ丁
０この特性を示した１例が第５図Ｐである。横軸は同波
数、縦軸は利得をあられす。
電流電圧変換され、増幅器（４）で増幅された出力が第
５図て示されるハからｆｔの同波数成分を付している振
幅変調された信号（第４図（ａ））である時、この信号
は出力端子（５）よシ出力されるのと同時に検波回路０
４１で検波されて信号ｆｂ＋となりローパスフィルタａ
０で搬送波が除去されて（０）のように復調される。こ
の復調された信号をバイアス・ゲイン調整回路（１Ｇに
よって調整しに後、用変抵抗柑等回路（１１）に入力す
ると、その抵抗は小さくなり（トランジスタ（１２）の
ペース電圧を大さくする）その帖果、共振回路の共振１
間波数特性は第５図Ｑのようになり、信号局波数帯域、
／Ｉからｆｔに必じた幅の共振１４波数特性に１１飢さ
れる。逆に信号局波数帯域が広がると可変抵抗を１等回
路（Ｉｌｌの抵抗値が大きくなり、（トランジスタ（１
匂のペース電圧が小さくなる）共振同波数特性Ｈｐのよ
うな平担な形状となる。
５図て示されるハからｆｔの同波数成分を付している振
幅変調された信号（第４図（ａ））である時、この信号
は出力端子（５）よシ出力されるのと同時に検波回路０
４１で検波されて信号ｆｂ＋となりローパスフィルタａ
０で搬送波が除去されて（０）のように復調される。こ
の復調された信号をバイアス・ゲイン調整回路（１Ｇに
よって調整しに後、用変抵抗柑等回路（１１）に入力す
ると、その抵抗は小さくなり（トランジスタ（１２）の
ペース電圧を大さくする）その帖果、共振回路の共振１
間波数特性は第５図Ｑのようになり、信号局波数帯域、
／Ｉからｆｔに必じた幅の共振１４波数特性に１１飢さ
れる。逆に信号局波数帯域が広がると可変抵抗を１等回
路（Ｉｌｌの抵抗値が大きくなり、（トランジスタ（１
匂のペース電圧が小さくなる）共振同波数特性Ｈｐのよ
うな平担な形状となる。
以上の実施例ではコイル（１０）と可変抵抗や１等回路
（１１）は直列に接続されているが、必要な特性を得る
ために＄６図に示すように並列に接続してもよい。また
可変抵抗柑等回！６（１１）にトランジスタ（１２）と
抵抗の接続と用いたが、トランジスタθ乃の代わりに電
界効果トランジスタ（ＦＫＴ）ｉ用いてもよい。
（１１）は直列に接続されているが、必要な特性を得る
ために＄６図に示すように並列に接続してもよい。また
可変抵抗柑等回！６（１１）にトランジスタ（１２）と
抵抗の接続と用いたが、トランジスタθ乃の代わりに電
界効果トランジスタ（ＦＫＴ）ｉ用いてもよい。
また上記実施例ではＡＭ変調された入力信号についてだ
け説明したが、入力信号内の同波数成分を検出すること
ができれば、共振同波数特性の範囲内において同様な動
作を実現しつる。
け説明したが、入力信号内の同波数成分を検出すること
ができれば、共振同波数特性の範囲内において同様な動
作を実現しつる。
以上の様に、この発明によれば、信号量波数成分に追従
した共振周波数特性金持つように構成された光信号検出
回路であるので、信号灰分全損うことなく、必要でかつ
最小限の１波数帯域と、高Ｂ７Ｎ比を得られる効果があ
る。
した共振周波数特性金持つように構成された光信号検出
回路であるので、信号灰分全損うことなく、必要でかつ
最小限の１波数帯域と、高Ｂ７Ｎ比を得られる効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路図、第２図は第
１図の共振回路部の等価回路、第８は共振同波数特性制
御回路の詳細説明図、第４図は第８図の各構成回路の出
力信号図、第５図は共振同波数特性図、第６図はこの発
明の他の実施例を示す回路図、第７図ｒｉ従来の光信号
検出回路、第８図は従来の光信号検出回路の周波数特性
図である。 図において１２１は入射先遣に応じて這気量全生じる容
量性’ｔ ＋’！’つ要素、ｔｌｏｌはインダクタンス
、（１１）は＝ｆ変低抵抗（（３）は共振同波数特性制
御回路である。 な卦、各図中同一符号ぼ同一−またに相当部分？示す。
１図の共振回路部の等価回路、第８は共振同波数特性制
御回路の詳細説明図、第４図は第８図の各構成回路の出
力信号図、第５図は共振同波数特性図、第６図はこの発
明の他の実施例を示す回路図、第７図ｒｉ従来の光信号
検出回路、第８図は従来の光信号検出回路の周波数特性
図である。 図において１２１は入射先遣に応じて這気量全生じる容
量性’ｔ ＋’！’つ要素、ｔｌｏｌはインダクタンス
、（１１）は＝ｆ変低抵抗（（３）は共振同波数特性制
御回路である。 な卦、各図中同一符号ぼ同一−またに相当部分？示す。
Claims (2)
- （１）入射光量に応じて電気量を生じる容量性を持つ要
素と、上記要素に接続され、この要素と共に所定の周波
数で共振する共振回路を形成するインダクタンスと、こ
のインダクタンスに直列又は並列に接続され外部制御可
能な可変抵抗と、上記共振回路の出力周波数を検出し、
上記出力に応じて上記可変抵抗の抵抗値を制御すること
により、上記共振回路の共振周波数特性を変化せしめる
共振周波数特性制御回路とを備えたことを特徴とする光
信号検出回路。 - （２）共振周波数特性制御回路は、検出回路とローパス
フィルタとバイアス、ゲイン調整回路とから構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光信
号検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165550A JPS6224439A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光信号検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165550A JPS6224439A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光信号検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224439A true JPS6224439A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15814498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60165550A Pending JPS6224439A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光信号検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224439A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01271918A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 光ピックアップ用光検知器付前置増幅器 |
| JPH0287047A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| CN102739192A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-17 | 辉芒微电子（深圳）有限公司 | 一种模拟压电传感器的电路 |
-
1985
- 1985-07-24 JP JP60165550A patent/JPS6224439A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01271918A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 光ピックアップ用光検知器付前置増幅器 |
| JPH0287047A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| CN102739192A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-17 | 辉芒微电子（深圳）有限公司 | 一种模拟压电传感器的电路 |
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