JPS62239498A - Eprom writing device - Google Patents
Eprom writing deviceInfo
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- JPS62239498A JPS62239498A JP61083543A JP8354386A JPS62239498A JP S62239498 A JPS62239498 A JP S62239498A JP 61083543 A JP61083543 A JP 61083543A JP 8354386 A JP8354386 A JP 8354386A JP S62239498 A JPS62239498 A JP S62239498A
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はEPROM書込み器に関し、特に書込み用IC
ソケッ1−へ与える信号回路に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an EPROM writer, and particularly to a writing IC.
This relates to a signal circuit for supplying a signal to socket 1-.
コンピュータ装置やオフィスオートメーション機器にお
いて、ROM化が必要となった場合、価格的には、マス
タROM化を計るのが最善であろう。しかしながら設計
初期においては、設計ミスや方式変更をまぬがれる事は
困難でありマスタROM化を急ぐのは得策ではない。従
って最終的にマスタROM化に至るまでの一時期をPR
OMないしEPROMによって製品を作り十分なデバッ
グの後マスタROM化が検討されることになる。If it becomes necessary to use ROM in computer equipment or office automation equipment, it would be best to use master ROM in terms of cost. However, in the early stages of design, it is difficult to avoid design mistakes and system changes, and it is not a good idea to rush to create a master ROM. Therefore, we will promote the period leading up to the final master ROM.
A product is manufactured using OM or EPROM, and after sufficient debugging, conversion to master ROM will be considered.
EFROMはこう言う条件に非常にマツチしたものと言
える。即ち、まず第1回目に設計により製品を作りさま
ざまな評価試験を重ね製品の問題点を洗い出す。この特
使われていたROMは次の設計においては使われずに廃
棄されるのが普通であるが、EPROMの特徴として、
紫外線を照射する事により再度書込み使用が可能となり
、設計変更に容易に対応出来る。EFROM can be said to meet these conditions very well. That is, the first step is to create a product based on the design and conduct various evaluation tests to identify any problems with the product. This specially used ROM is normally discarded without being used in the next design, but as a characteristic of EPROM,
By irradiating it with ultraviolet rays, it can be rewritten and used again, making it easy to respond to design changes.
このようにEPROMをユーザ側で容易に書き込み出来
るツールがEPROM書込み器であり、次の様な特徴を
持つ。第1にマスターROM又は外部インターフェース
より読込んだ書込み情報を蓄えるためのバッファメモリ
を持っていること、第2に書込み情報を書込みEPRO
M用ICソケットに出力する機能を有すること、第3に
書込んだEPROMの内容を読出しバッファメモリにあ
る書込み情報を比較する機能を有すること等である。An EPROM writer is a tool that allows the user to easily write to an EPROM as described above, and has the following characteristics. First, it has a buffer memory for storing write information read from the master ROM or external interface, and second, it has a buffer memory for storing write information read from the master ROM or external interface.
Thirdly, it has a function to read the written contents of the EPROM and compare the written information in the buffer memory.
第3図は、従来よりあるEPROM書込み器のブッロッ
ク図である。第3図の動作方法を説明すると、ICソケ
ット1にマスターのROMをセットし、Vcoに5V(
通常の場合)を与え、σ下(チップイネーブル)端子2
に低レベル信号(固定)を与えマスターROMを読み取
り可能とする。FIG. 3 is a block diagram of a conventional EPROM writer. To explain the operation method shown in Fig. 3, set the master ROM in IC socket 1, and set Vco to 5V (
(normal case) and σ lower (chip enable) terminal 2
A low level signal (fixed) is applied to the master ROM to enable reading of the master ROM.
次に、タイミング発生回路11を働かせ、アドレス発生
回路12よりアドレス信号をICソケット1に与える。Next, the timing generation circuit 11 is activated and an address signal is applied from the address generation circuit 12 to the IC socket 1.
この時アドレス情報はアドレスカウンタ13より与えら
れ、アドレスカウンタ13はさらに書込情報蓄積バッフ
ァ14にアドレス情報を与えている。ICソケット1に
セットされているマスターROMから読み出し情報が出
力されデータI10バッファ15に蓄えられ書込情報蓄
積バッファ15の指定されたアドレスに書込まれること
になる。しかしなから、この従来よりのE’ PROM
書込器では、第4図に示すような読み出し方法のROM
、即ち面(チップイネーブル信号)はイネーブル状態固
定(ここでは低レベル)のままアドレスを切替えるだけ
で出力が出て来るタイプのROM (非同期型ROM)
にのみ適用可能である。ところが現在大容量化されたマ
スタROMはパワーを制限する等の理由により、第5図
に示すような読出し方法のROM、即ちアドレスを切替
えるだけでは出力は出す、σ百端子3にパルスクロック
を与えてアドレスをラッチさせ、そのアドレスに対応す
る出力が出て来るタイプのROM(同期型ROM)が主
流となってきた。At this time, the address information is provided by the address counter 13, and the address counter 13 further provides the address information to the write information storage buffer 14. Read information is output from the master ROM set in the IC socket 1, stored in the data I10 buffer 15, and written to a designated address in the write information storage buffer 15. However, this conventional E'PROM
The writer uses a ROM with a reading method as shown in Figure 4.
In other words, it is a type of ROM (asynchronous ROM) in which the output is output simply by changing the address while the surface (chip enable signal) remains in the enable state (low level here).
Applicable only to However, due to reasons such as limiting the power of the master ROM, which has now increased in capacity, the ROM uses the reading method shown in Figure 5, that is, it outputs only by switching the address, but it does not output by applying a pulse clock to the σ100 terminal 3. A type of ROM (synchronous ROM) that latches an address and outputs an output corresponding to that address has become mainstream.
しかしながらこの従来からあるEPROM書込み器では
マスターROMの内容をバッファメモリに読込む場合衣
の様な問題点があった。例えばマスターROMをマスタ
ROMとした場合、EPR。However, this conventional EPROM writer has some problems when reading the contents of the master ROM into the buffer memory. For example, if the master ROM is the master ROM, the EPR.
0M書込み器にマスタROMの読み取り機能が必要とな
る。一方マスタROMは普通2種のデータ読み出し型が
あり、1つは、アドレスを決定するだけで出力の現れる
、型(非同期型・・・第4図参照)と、もう1つはアド
レスを与えると共にそのアドレスをラッチさせるクロッ
ク信号が必要な型(同期型・・・第5図参照)がある。The 0M writer must have a master ROM reading function. On the other hand, master ROMs usually have two types of data readout types: one is a type in which an output appears just by determining the address (asynchronous type...see Figure 4), and the other type is a type in which an output is generated just by determining the address (see Figure 4), and the other type is a type in which the output appears when the address is determined (see Figure 4). There is a type (synchronous type...see FIG. 5) that requires a clock signal to latch the address.
これらのうち非同期型は、EPROMと一般に読取りタ
イミングが一致しており余り問題はないが同期型に相当
するEPROMはほとんどなく、従ってこのタイプのマ
スタROMを従来のEPROM書込み器では読取る事が
出来なかった。Among these, the asynchronous type generally has the same read timing as the EPROM and there is no problem, but there are almost no equivalent EPROMs to the synchronous type, and therefore this type of master ROM cannot be read with a conventional EPROM writer. Ta.
本発明の目的は、同期信号を与えるか又は固定信号を与
えるかの選択回路を設けて、同期型又は非同期型のマス
タROMのいずれでも使用できるようにしたEPROM
書込み器を提供することにある。An object of the present invention is to provide an EPROM that can be used as either a synchronous or asynchronous master ROM by providing a selection circuit for providing a synchronous signal or a fixed signal.
The purpose is to provide a writing device.
本発明EPROM書込み器の構成は、被書込みFROM
又はマスタROMをセットするICソケットと、I・リ
ガタイミングを分配するタイミング発生回路と、そのタ
イミングを受けてチップイネーブルクロックを発生する
クロック発生回路と、固定レベル力信号と前記クロ・ツ
ク発生回路の出力信号のいずれかを、選択し前記ICソ
ケットのチップイネーブル端子に供給する切替回路とを
含むことを特徴とする。The configuration of the EPROM writer of the present invention is as follows:
Alternatively, an IC socket for setting the master ROM, a timing generation circuit for distributing I/rega timing, a clock generation circuit for generating a chip enable clock in response to the timing, a fixed level power signal and the clock generation circuit. The device is characterized in that it includes a switching circuit that selects one of the output signals and supplies it to the chip enable terminal of the IC socket.
[実施例] 次に、本発明について図面を参照して説明する。[Example] Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例を示すプロ・Vり図であ
る。本図においてICソケットは被書込EPROMのソ
ケッ1−であると同時にマスターROMよりの情報を読
み取るためのソケットも兼ねている。そして本ブロック
図は特にマスターROMの読取り回路部分のみを表して
いる。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention. In this figure, the IC socket serves not only as a socket 1- for the EPROM to be written to, but also as a socket for reading information from the master ROM. This block diagram especially shows only the reading circuit portion of the master ROM.
第1図の回路は第3図の従来の回路にσ1クロック発生
回路10とσT信号切替え回路6及び切替スイッチ9を
追加した構成になっている。この回路の動作はまず非同
期型ROMの場合は切替スイッチを低レベルにして低レ
ベル固定信号が■端子2に与えられ、■クロック発生回
路10からの信号はカットし、読み出しを行う。次に同
期型ROMの場合は、切替スイッチを高レベルとし低レ
ベル固定信号はカットされCEクロック発生回路10か
らの信号がCE端子2に与えられるため、アドレス信号
をラッチさせて読み出しが可能となる。The circuit shown in FIG. 1 has a configuration in which a σ1 clock generation circuit 10, a σT signal switching circuit 6, and a changeover switch 9 are added to the conventional circuit shown in FIG. In the case of an asynchronous ROM, the operation of this circuit is as follows: first, the changeover switch is set to low level, a low level fixed signal is applied to terminal 2, the signal from clock generation circuit 10 is cut off, and reading is performed. Next, in the case of a synchronous ROM, the selector switch is set to high level, the low level fixed signal is cut off, and the signal from the CE clock generation circuit 10 is given to the CE terminal 2, so the address signal can be latched and read. .
第2図は本発明の第2の実施例のブロック図である。こ
の図においてROMのイネーブル信号端子は、CE端子
2と○E端子3の2本を考える。FIG. 2 is a block diagram of a second embodiment of the invention. In this figure, two ROM enable signal terminals, CE terminal 2 and OE terminal 3, are considered.
そしてOE端子3は固定レベル(Vccと接地レベル)
の切替回路4がつながり、一方面端子2には、信号極性
の切替回路5及びレベル又はクロックパルスの切替回路
6がつながっている。ここでクロックパルスを使うのは
、マスタROMに、非同期型(アドレスCEクロックパ
ルスにてラッチさせるタイプ)と同期型(CEは低レベ
ル(又は高レベル)固定でアドレス切替のみで出力が出
て来るタイプ)があるためである。And OE terminal 3 is fixed level (Vcc and ground level)
A switching circuit 4 is connected to the one side terminal 2, and a signal polarity switching circuit 5 and a level or clock pulse switching circuit 6 are connected to the one side terminal 2. The clock pulses used here are the asynchronous type (the type that is latched by the address CE clock pulse) and the synchronous type (the CE is fixed at a low level (or high level) and the output is output only by switching the address). This is because there is a type).
次に2種のマスタROMの例について本回路の動作を示
す。第1の例としてσ百が低レベル固定でイネーブル、
■が高レベル固定でイネーブルとなるROMの場合は、
σT信信号極性切替スイッチ音高レベル、面信号極性切
替スイッチ5を高レベル、さらにσTリレベルクロック
切替スイッチ9を低レベルとすればよい。第2の例とし
て韮が高レベル固定でイネーブル、■が負極性のパルス
クロックが必要な場合は、σT信信号極性切替スイッチ
音低レベル、σTT号極性切替スイッチ5を低レベル、
■レベル/クロック切替スイッチ9を高レベルとすれば
よい。Next, the operation of this circuit will be described for examples of two types of master ROMs. As a first example, σ100 is enabled at a fixed low level,
In the case of a ROM where ■ is enabled at a fixed high level,
The pitch level of the σT signal polarity changeover switch and the surface signal polarity changeover switch 5 may be set to high level, and the σT relevel clock changeover switch 9 may be set to low level. As a second example, if you need a pulse clock with a fixed high level and a negative polarity, set the σT signal polarity changeover switch sound to low level, set the σTT signal polarity changeover switch 5 to low level,
■The level/clock changeover switch 9 may be set to a high level.
以上説明したように本発明は、EPROM書込器におい
て、韮クロック発生回路と、C丁信号切替回路および切
替スイッチを内蔵することにより、マスターROMをE
PR,0M書込情報バッファに読み取る時、マスターR
OMが非同期型ROM、同期型ROMのいずれであって
も読み収り可能とする効果がある7As explained above, the present invention provides an EPROM writer with a built-in double clock generation circuit, a C signal switching circuit, and a changeover switch.
When reading to PR, 0M write information buffer, master R
This has the effect of making it possible to read whether the OM is an asynchronous ROM or a synchronous ROM7
第1図は本発明の第一の実施例を表わすEPROM書込
み器のブロック図、第2図は本発明の第二の実施例を表
わすEPROM書込み器のブロック図、第3図は従来の
EPROM書込み器のブロック図、第4図は、非同期型
ROMの読み出しサイクルを示すタイミング図、第5図
は、同期型ROMの読み出しサイクルを示すタイミング
図である。
性切替回路、6・・・■レベル/クロック切替回路、7
・・・面信号極性切替スイッチ、8・・・面信号極性切
替スイッチ、9・・・σ■レベル/クロック切替スイッ
チ、10・・・σTクロック発生回路、11・・・タイ
ミング発生回路、12・・・アドレス発生回路、13・
・・アドレスカウンタ、14・・・書込み情報蓄積牟2
図
第4 図
ネS 凹FIG. 1 is a block diagram of an EPROM writer representing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of an EPROM writer representing a second embodiment of the invention, and FIG. 3 is a block diagram of a conventional EPROM writer. FIG. 4 is a timing chart showing a read cycle of an asynchronous ROM, and FIG. 5 is a timing chart showing a read cycle of a synchronous ROM. gender switching circuit, 6... ■level/clock switching circuit, 7
... Plane signal polarity changeover switch, 8 ... Plane signal polarity changeover switch, 9 ... σ■ level/clock changeover switch, 10 ... σT clock generation circuit, 11 ... Timing generation circuit, 12.・Address generation circuit, 13・
...Address counter, 14...Write information storage module 2
Figure 4 Figure Ne S concave
Claims (1)
ケットと、トリガタイミングを分配するタイミング発生
回路と、そのタイミングを受けてチップイネーブルクロ
ックを発生するクロック発生回路と、固定レベル力信号
と前記クロック発生回路の出力信号のいずれかを、選択
し前記ICソケットのチップイネーブル端子に供給する
切替回路とを含むことを特徴とするEPROM書込み器
。An IC socket for setting a PROM to be written or a master ROM, a timing generation circuit for distributing trigger timing, a clock generation circuit for generating a chip enable clock in response to the timing, and a fixed level power signal and the output of the clock generation circuit. An EPROM writer comprising: a switching circuit that selects one of the signals and supplies the selected signal to a chip enable terminal of the IC socket.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61083543A JPS62239498A (en) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | Eprom writing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61083543A JPS62239498A (en) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | Eprom writing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62239498A true JPS62239498A (en) | 1987-10-20 |
Family
ID=13805422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61083543A Pending JPS62239498A (en) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | Eprom writing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62239498A (en) |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP61083543A patent/JPS62239498A/en active Pending
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