JPS62235386A - 研磨剤 - Google Patents
研磨剤Info
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- JPS62235386A JPS62235386A JP61058843A JP5884386A JPS62235386A JP S62235386 A JPS62235386 A JP S62235386A JP 61058843 A JP61058843 A JP 61058843A JP 5884386 A JP5884386 A JP 5884386A JP S62235386 A JPS62235386 A JP S62235386A
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- Pending
Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は研磨剤に関し、さらに詳しくは、アルミニウム
合金基材上に下地めっき層および磁性金属層をこの順序
で形成した磁気記録媒体において、精密な表面性状が要
求される下地めっき層を施した基盤の表面研磨に好適な
研磨剤に関する。
合金基材上に下地めっき層および磁性金属層をこの順序
で形成した磁気記録媒体において、精密な表面性状が要
求される下地めっき層を施した基盤の表面研磨に好適な
研磨剤に関する。
[従来技術1
磁性金属層形成後の磁気記録媒体の性能は、下地めっき
基盤を研磨した際、基盤表面に研磨摩耗粉付着等の汚れ
が残存すると、磁性金属層形成時、11^/nIArW
、4t7)h+−す、−ロII^IffA>−A−M+
h−1尋−トJ/!?。
基盤を研磨した際、基盤表面に研磨摩耗粉付着等の汚れ
が残存すると、磁性金属層形成時、11^/nIArW
、4t7)h+−す、−ロII^IffA>−A−M+
h−1尋−トJ/!?。
なわれ、モノュレーシジンエラー、エキストラエラー、
ミッシングエラー等が起り磁気特性が不均一になる。
ミッシングエラー等が起り磁気特性が不均一になる。
そのため、下地めっき基盤の研磨面の性状は、できる限
り清浄なことが望まれる。
り清浄なことが望まれる。
そして、下地めっき基盤の研磨技術としては、一般に、
(1)クロスによる研磨。
(2)テープによる研磨。
(3)上記(1)(2>の組合せによる研磨。
等が主として用いられている。
しかして、下地めっき基盤のクロスによる研磨は、磁性
媒体を形成するための萌工程として、めっき表面の粗さ
を調整する方法として実用化されている。
媒体を形成するための萌工程として、めっき表面の粗さ
を調整する方法として実用化されている。
このクロスによる研磨に用いる研磨剤は、通常、研磨装
置および被研磨材の腐蝕防止のため、或いは、アルミナ
の分散性を良くするために、Il+−14〜10の範囲
に調整し、さらに、潤滑性の向」ニナ3よび表面張力を
小さくするためにノニオン系界面活性剤やノニルフェノ
ール系脂肪酸エステル等の有機物を添加した水系分散媒
に、平均粒径0.5〜3μ−開度の99.99AI□0
3微粉末を分散させたものが用いられている。
置および被研磨材の腐蝕防止のため、或いは、アルミナ
の分散性を良くするために、Il+−14〜10の範囲
に調整し、さらに、潤滑性の向」ニナ3よび表面張力を
小さくするためにノニオン系界面活性剤やノニルフェノ
ール系脂肪酸エステル等の有機物を添加した水系分散媒
に、平均粒径0.5〜3μ−開度の99.99AI□0
3微粉末を分散させたものが用いられている。
しかし、このような研磨剤を使用して下地めっき基盤を
研磨した場合、次のような問題点があった。
研磨した場合、次のような問題点があった。
(1)研磨速度は比較的大きいが、研磨の際に発生する
研磨摩耗粉が被研磨材表面に付着するが、この研磨摩耗
粉の付着は相当に強固なため、その後の手洗い洗浄では
容易に除去できない。
研磨摩耗粉が被研磨材表面に付着するが、この研磨摩耗
粉の付着は相当に強固なため、その後の手洗い洗浄では
容易に除去できない。
(2)付着した研磨摩耗粉を除去するために界面活性剤
を使用し、2段研磨を行なうと可成り除去できるが完全
ではない。
を使用し、2段研磨を行なうと可成り除去できるが完全
ではない。
(3)当然、研磨、清浄時間が艮くなり、生産性が悪く
なる。
なる。
(4)研磨用微粉末として、コロイダルシリカ基のもの
を用いると、研磨摩耗粉の付着はなく、表面粗度も小さ
くなるが、研磨速度が非常に遅い。
を用いると、研磨摩耗粉の付着はなく、表面粗度も小さ
くなるが、研磨速度が非常に遅い。
[発明が解決しようとする問題点1
本発明は上記に説明したような、従来使用されてきてい
る下地めっき基盤の研磨剤の問題点に鑑みなされたもの
で、本発明者の鋭意研究を行なった結果、研磨速度が速
く、研磨摩耗粉等の付着がない清浄な下地めっき基盤を
得ることができる磁気記録媒体用として用いる下地めっ
き基盤をクロスによる研磨を行なうための研磨剤を開発
したのである。
る下地めっき基盤の研磨剤の問題点に鑑みなされたもの
で、本発明者の鋭意研究を行なった結果、研磨速度が速
く、研磨摩耗粉等の付着がない清浄な下地めっき基盤を
得ることができる磁気記録媒体用として用いる下地めっ
き基盤をクロスによる研磨を行なうための研磨剤を開発
したのである。
[問題点を解決するための手段1
本発明に係る研磨剤の特徴とするところは、平均粒径0
,5〜5μ論のアルミナ微粉末を1〜20wt%分散さ
せた水系分散媒に、コロイダルシリカ微粉末を1〜20
w L%分散させたことにある。
,5〜5μ論のアルミナ微粉末を1〜20wt%分散さ
せた水系分散媒に、コロイダルシリカ微粉末を1〜20
w L%分散させたことにある。
本発明に係る研磨剤について以下詳細に説明する。
本発明に係る研磨剤において使用されるアルミナ微粉末
について説明する。
について説明する。
通常は破砕法で製造され、研磨用としては研磨速度を上
げるために、一般に粒径の大きいものが使用されている
。そのため、被研磨材表面を削る量は大きくて研磨効果
はあるが、1回の研磨量ゲ大きいので研磨摩耗粉の発生
量が多く、研磨中水系分散媒液のみによる洗い流しだけ
では摩耗粉を完全に洗い流すことはできず、研磨クロス
表面における残存量が多くなる。また、アルミナ微粉末
は研磨中の圧力により破砕され易く、形状が角ぼった形
となり、被研磨材に押込まれ易くなり、或いは、化学的
にもNiとA1は吸着し易い性質がある。
げるために、一般に粒径の大きいものが使用されている
。そのため、被研磨材表面を削る量は大きくて研磨効果
はあるが、1回の研磨量ゲ大きいので研磨摩耗粉の発生
量が多く、研磨中水系分散媒液のみによる洗い流しだけ
では摩耗粉を完全に洗い流すことはできず、研磨クロス
表面における残存量が多くなる。また、アルミナ微粉末
は研磨中の圧力により破砕され易く、形状が角ぼった形
となり、被研磨材に押込まれ易くなり、或いは、化学的
にもNiとA1は吸着し易い性質がある。
従って、研磨剤中のアルミナ微粉末は平均粒径を0.5
〜5μmにする必要があり、粒径が0,5μm未満では
表面粗度は良好となるが、研磨速度が非常に遅くなり、
所定の研磨量を得るのに時間がかかり効率が悪X1また
、5μmを越えると研磨速度は速くなり、所定の研磨量
を得るのには短時間で行なえるが、表面粗度が粗くなる
ので実用的でない。よって、アルミナ微粉末の平均粒径
は0.5−・5μmとする。
〜5μmにする必要があり、粒径が0,5μm未満では
表面粗度は良好となるが、研磨速度が非常に遅くなり、
所定の研磨量を得るのに時間がかかり効率が悪X1また
、5μmを越えると研磨速度は速くなり、所定の研磨量
を得るのには短時間で行なえるが、表面粗度が粗くなる
ので実用的でない。よって、アルミナ微粉末の平均粒径
は0.5−・5μmとする。
このアルミナ微粉末の分散濃度は、分散の安定性等から
1〜20w 1%とする。
1〜20w 1%とする。
本発明に係る研磨剤で使用されるコロイダルシリカにつ
いて説明する。
いて説明する。
このコロイダルシリカは一般に粒状であり、かつ、非常
に微細であるため、1回の研磨量は少なく研磨速度は遅
いが、研磨中の圧力によっても破砕されず、被研磨材表
面に押込まれ難く、洗い流し易い。
に微細であるため、1回の研磨量は少なく研磨速度は遅
いが、研磨中の圧力によっても破砕されず、被研磨材表
面に押込まれ難く、洗い流し易い。
しかして、アルミナ微粉末が分散している水系分散媒に
コロイダルシリカ微粉末を分散させることにより、研磨
中に発生した摩耗粉はコロイダルシリカ微粉末の潤滑効
果により摩擦抵抗が小さくなる。そのため、研磨摩耗粉
の被研磨材表面への付着防止効果があり、良好な表面の
下地めっき基盤が得られる。
コロイダルシリカ微粉末を分散させることにより、研磨
中に発生した摩耗粉はコロイダルシリカ微粉末の潤滑効
果により摩擦抵抗が小さくなる。そのため、研磨摩耗粉
の被研磨材表面への付着防止効果があり、良好な表面の
下地めっき基盤が得られる。
そして、コロイダルシリカ微粉末は分散濃度が1wt%
未満では潤滑効果がなく、摩耗粉の付着防止効果がなく
、また、分散濃度が20w 1%を越えると潤滑効果は
良くなり、研磨摩耗粉の付着防止には効果があるが、研
磨速度が遅く、表面粗度も小さくなる。よって、コロイ
ダルシリカ微粉末は1〜20w 1%とする。
未満では潤滑効果がなく、摩耗粉の付着防止効果がなく
、また、分散濃度が20w 1%を越えると潤滑効果は
良くなり、研磨摩耗粉の付着防止には効果があるが、研
磨速度が遅く、表面粗度も小さくなる。よって、コロイ
ダルシリカ微粉末は1〜20w 1%とする。
[実 施 例1
本発明に係る研磨剤の実施例を説明する。
実施例
fjI、1表に示す組成の研磨剤を調整した。なお、研
磨剤の調整に当っては水系分散媒に有機物を含有させて
おらず、また、研磨中に研磨剤のアルミナ微粉末および
コロイグルシリ力微粉末の分散状態を一定に保持してお
くために、スターラーによる撹拌を行なった。
磨剤の調整に当っては水系分散媒に有機物を含有させて
おらず、また、研磨中に研磨剤のアルミナ微粉末および
コロイグルシリ力微粉末の分散状態を一定に保持してお
くために、スターラーによる撹拌を行なった。
く研磨条件〉
下地めっき基盤寸法
130IIIIIlφ X40龍φ Xl、9を枚数
5枚、1バツチ 研磨機 両面同時研磨機 クロス スェードタイプ仕上げ用クロス なお、研磨中に研磨状態を一定に保持するため、研磨剤
の補給量、研磨圧力は一定にして行なった。
5枚、1バツチ 研磨機 両面同時研磨機 クロス スェードタイプ仕上げ用クロス なお、研磨中に研磨状態を一定に保持するため、研磨剤
の補給量、研磨圧力は一定にして行なった。
このような研磨条件で得られた下地めっき基盤表面への
研磨摩耗粉の付着性は、研磨後、顕微鏡により400倍
の倍率で面出920点観察して発生傾向を調査した。
研磨摩耗粉の付着性は、研磨後、顕微鏡により400倍
の倍率で面出920点観察して発生傾向を調査した。
また、表面粗度、研磨量についても、夫々、第1度肝に
よる粗さ測定、天秤による重量測定を行ない傾向を調査
した。
よる粗さ測定、天秤による重量測定を行ない傾向を調査
した。
これらの結果を第1表に示す。
第1表において使用した研磨剤のアルミナ微粉末の分散
濃度は5wt%であるが、15wt%でも同様の結果が
得られた。
濃度は5wt%であるが、15wt%でも同様の結果が
得られた。
[発明の効果1
以上説明したように、本発明に係る研磨剤は上記の構成
であるから、 (1)研磨時の研磨摩耗粉の被研磨材表面に付着するの
が防止される。
であるから、 (1)研磨時の研磨摩耗粉の被研磨材表面に付着するの
が防止される。
(2)研磨時間、研磨工程を短縮することができる。
(3)研磨後の洗浄が容易になる。
等の効果を有しており、めっきサブストレートを得る研
磨剤として極めて優れたものである。
磨剤として極めて優れたものである。
Claims (1)
- 平均粒径0.5〜5μmのアルミナ微粉末を1〜20w
t%分散させた水系分散媒に、コロイダルシリカ微粉末
を1〜20wt%分散させたことを特徴とする研磨剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61058843A JPS62235386A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 研磨剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61058843A JPS62235386A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 研磨剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62235386A true JPS62235386A (ja) | 1987-10-15 |
Family
ID=13095936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61058843A Pending JPS62235386A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 研磨剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62235386A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005105068A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd | ラッピングスラリー及びウェーハの加工方法 |
KR100572138B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2006-04-19 | 데구사 아게 | 화학적 기계적 평탄화용 수성 분산물, 이의 제조방법 및 당해 분산물을 사용한 화학적 기계적 평탄화 방법 |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61058843A patent/JPS62235386A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100572138B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2006-04-19 | 데구사 아게 | 화학적 기계적 평탄화용 수성 분산물, 이의 제조방법 및 당해 분산물을 사용한 화학적 기계적 평탄화 방법 |
JP2005105068A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd | ラッピングスラリー及びウェーハの加工方法 |
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