JPS62229822A - 砒化ガリウム層の気相成長方法 - Google Patents
砒化ガリウム層の気相成長方法Info
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- JPS62229822A JPS62229822A JP7072386A JP7072386A JPS62229822A JP S62229822 A JPS62229822 A JP S62229822A JP 7072386 A JP7072386 A JP 7072386A JP 7072386 A JP7072386 A JP 7072386A JP S62229822 A JPS62229822 A JP S62229822A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は有機金践熱分解気相成長法(MetalOrg
anic Chemical Vapor Depos
ition :以下MO−CVD法と略称する)Kよる
砒化ガリウム層の気相成長方法に関する。
anic Chemical Vapor Depos
ition :以下MO−CVD法と略称する)Kよる
砒化ガリウム層の気相成長方法に関する。
(従来の技術)
マイクロ波領域で動作する低雑音の電界効果形トランジ
スタに対する高性能化への要望は益益強まり、最近では
周波数12GHzにおける雑音指数が1 dB以下の高
性能電界効果形トランジスタを実用化すべく開発が活発
に進められている0 上記特性を得るためにウェハとしては第3図に示すよ5
に、半絶縁性G a A s基板11上に不純物をドー
プせずに形成した正孔濃度あるいは電子濃度が1014
/c!IL3以下のGaAs層12を積層する。又この
G a A s層12上Kn形で電子濃度が1018/
cIIL3であり、アルミニウムの組成比が30チのア
ルミニウムガリウム砒素(A IGaAs)層13を3
0OA積層する。さらにこのAJGaAs層13上にオ
ーム性電極形成のためのn形で電子濃度が1018/儂
3のG a A s層14を積層させたウェハを用いて
高性能の電界効果形トランジスタな作る試みが進められ
ている。
スタに対する高性能化への要望は益益強まり、最近では
周波数12GHzにおける雑音指数が1 dB以下の高
性能電界効果形トランジスタを実用化すべく開発が活発
に進められている0 上記特性を得るためにウェハとしては第3図に示すよ5
に、半絶縁性G a A s基板11上に不純物をドー
プせずに形成した正孔濃度あるいは電子濃度が1014
/c!IL3以下のGaAs層12を積層する。又この
G a A s層12上Kn形で電子濃度が1018/
cIIL3であり、アルミニウムの組成比が30チのア
ルミニウムガリウム砒素(A IGaAs)層13を3
0OA積層する。さらにこのAJGaAs層13上にオ
ーム性電極形成のためのn形で電子濃度が1018/儂
3のG a A s層14を積層させたウェハを用いて
高性能の電界効果形トランジスタな作る試みが進められ
ている。
このウェハの特徴は不純物を含むn形AJGaAs層】
3とG a A s層12との接合界面に溜まり込むキ
ャリアを利用することにより高電子製置でかつ不純物散
乱の影響を受けにくく、高移動度が得られることである
。したがって上arc構造のウェハを用いて電界効果形
トランジスタを作るならば、移動度の向上に見合って低
雑音化が期待できる0なお第3図に示した構造のウエノ
〜はキャリアを供給するAlGaAs層13のみに1s
択的に不純物をドープし、GaAs層12にはドーピン
グを行なわないことから選択ドーグ構造ウェハと称され
る0その選択ドープ構造ウェハの特徴である高移動度の
ウェハを作成するKは、■キャリアが溜まり込むGaA
s層】2の不純物量を極力減らして高純度にすること、
■nn形JGaAs層13のk1組成や厚さ、電子濃度
を正確に制御すること、■n形AlGaAs層13とG
a A s層との結晶界面でのAI原子の組成急峻性
を極力急峻にすることが重要である。
3とG a A s層12との接合界面に溜まり込むキ
ャリアを利用することにより高電子製置でかつ不純物散
乱の影響を受けにくく、高移動度が得られることである
。したがって上arc構造のウェハを用いて電界効果形
トランジスタを作るならば、移動度の向上に見合って低
雑音化が期待できる0なお第3図に示した構造のウエノ
〜はキャリアを供給するAlGaAs層13のみに1s
択的に不純物をドープし、GaAs層12にはドーピン
グを行なわないことから選択ドーグ構造ウェハと称され
る0その選択ドープ構造ウェハの特徴である高移動度の
ウェハを作成するKは、■キャリアが溜まり込むGaA
s層】2の不純物量を極力減らして高純度にすること、
■nn形JGaAs層13のk1組成や厚さ、電子濃度
を正確に制御すること、■n形AlGaAs層13とG
a A s層との結晶界面でのAI原子の組成急峻性
を極力急峻にすることが重要である。
ところでこのように界面の組成変化を急峻にし、膜厚や
組成の制御性を扁めるために、従来のMO−CVD法を
用いた気相成長装置においては、配管接続部分や開閉弁
での余分な空間を極力減らすという装置上の工夫や結晶
成長速度をできるだけ下げたり、GaAs基板】1上を
通過する原料ガス(ここでいう原料ガスとは反応器内に
送り込むすべてのガスを指す。)の流速を上げて、ガス
置換を迅速に行う等の方法が用いられてきた。したがっ
てMO−CVD法を用いて高移動にの選択ドープ構造の
ウェハを形成する場合には、高純度が必要とされている
@記GaAs層12の成長も低結晶成長速度、^ガス流
速という条件下で行なう必要がある。
組成の制御性を扁めるために、従来のMO−CVD法を
用いた気相成長装置においては、配管接続部分や開閉弁
での余分な空間を極力減らすという装置上の工夫や結晶
成長速度をできるだけ下げたり、GaAs基板】1上を
通過する原料ガス(ここでいう原料ガスとは反応器内に
送り込むすべてのガスを指す。)の流速を上げて、ガス
置換を迅速に行う等の方法が用いられてきた。したがっ
てMO−CVD法を用いて高移動にの選択ドープ構造の
ウェハを形成する場合には、高純度が必要とされている
@記GaAs層12の成長も低結晶成長速度、^ガス流
速という条件下で行なう必要がある。
上記の条件の下で選択ドーグ構造のウェハにおける各層
間の組成急峻性を数原子層以下に抑えるためには、MO
−CVD成長における実用的な結晶成長速度の下限が2
〜3A/Sであることが必要である。又ガス流速に関し
ては、原料ガス導入口から入ったガスがGaAs基板1
1 上で均一に広がるには経験的にガス導入口とG
a A s基板】1との距離が10cut以上必要で
あることから、ガスを1秒以内に切換えるにはガス流速
を少なくとも10cWL/S以上にすることが必要であ
る。しかし結晶成長速度を2OA/S以上にすると、組
成急峻性が劣化する。又ガス流速を上げすぎると、反応
容器内で原料ガスを基板上に一様に広げることが困Ji
iKなってくるので、結晶成長膜厚のウェハ内の均一性
が悪化してくる。通常の配管系において用いられる1/
4インチステンレスチューブ内を流れて反応容器内に導
入された原料ガスを反応容器内で直径2インチ以上の面
積にわたってガスの流れを乱さないように広げるにはガ
ス流速として50α/Sが限匿であり、これ以上ガス流
速を上げると上記膜厚の均一性が急速に悪化する0そこ
で本発明者は組成急峻性をできるだけ良好に保ち、しか
も膜厚の均一性もそこなわれないように配慮し、ガス流
速を35Cm/S、成長速度を3A/SとしてGaAs
層を成長させた0このG a A s成長層の77Kに
おける移動度を測定したところ、同一の反応系を用いて
低ガス流速(3cm/S)、高成長速度(30A/S)
の条件下で形成したGaAs層の移動度約I X 10
5z/V−8K対して約1/3の3.5 X 1 o4
crn2/V・Sという低い値しか得られなかった。
間の組成急峻性を数原子層以下に抑えるためには、MO
−CVD成長における実用的な結晶成長速度の下限が2
〜3A/Sであることが必要である。又ガス流速に関し
ては、原料ガス導入口から入ったガスがGaAs基板1
1 上で均一に広がるには経験的にガス導入口とG
a A s基板】1との距離が10cut以上必要で
あることから、ガスを1秒以内に切換えるにはガス流速
を少なくとも10cWL/S以上にすることが必要であ
る。しかし結晶成長速度を2OA/S以上にすると、組
成急峻性が劣化する。又ガス流速を上げすぎると、反応
容器内で原料ガスを基板上に一様に広げることが困Ji
iKなってくるので、結晶成長膜厚のウェハ内の均一性
が悪化してくる。通常の配管系において用いられる1/
4インチステンレスチューブ内を流れて反応容器内に導
入された原料ガスを反応容器内で直径2インチ以上の面
積にわたってガスの流れを乱さないように広げるにはガ
ス流速として50α/Sが限匿であり、これ以上ガス流
速を上げると上記膜厚の均一性が急速に悪化する0そこ
で本発明者は組成急峻性をできるだけ良好に保ち、しか
も膜厚の均一性もそこなわれないように配慮し、ガス流
速を35Cm/S、成長速度を3A/SとしてGaAs
層を成長させた0このG a A s成長層の77Kに
おける移動度を測定したところ、同一の反応系を用いて
低ガス流速(3cm/S)、高成長速度(30A/S)
の条件下で形成したGaAs層の移動度約I X 10
5z/V−8K対して約1/3の3.5 X 1 o4
crn2/V・Sという低い値しか得られなかった。
又、上記のガス流速及び成長速度の条件下で作成した選
択ドープ構造ウェハでも77Kにおける移a度を測定し
たとζろ移動度は2〜3X]O’cm/V・S と低い
値しか得られなかった。
択ドープ構造ウェハでも77Kにおける移a度を測定し
たとζろ移動度は2〜3X]O’cm/V・S と低い
値しか得られなかった。
(発明が解決しようとする問題点)
以上述べたように従来のGaAs層の気相成長方法では
、単にガス流速を増加させただけでは所望の高移動度を
有する選択ドーグ構造ウニI・を得ることはできない0
又、結晶成長速度を20A/S以上にすることで高移動
度の選択ドープ構造のウェハが得られるが、組成急峻性
の点では問題があった。したがって本発明ではこρよう
な欠点を除去し、結晶成長速度とガス流速とを最適にす
ることで、組成急峻性に潰れ、移動度の向上した選択ド
ープ構造ウェハを形成することができるGaAs層の気
相成長方法を提供することを目的とする。
、単にガス流速を増加させただけでは所望の高移動度を
有する選択ドーグ構造ウニI・を得ることはできない0
又、結晶成長速度を20A/S以上にすることで高移動
度の選択ドープ構造のウェハが得られるが、組成急峻性
の点では問題があった。したがって本発明ではこρよう
な欠点を除去し、結晶成長速度とガス流速とを最適にす
ることで、組成急峻性に潰れ、移動度の向上した選択ド
ープ構造ウェハを形成することができるGaAs層の気
相成長方法を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段と作用)本発明の砒化ガ
リウム層の気相成長方法では、原料ガス流速と砒化ガリ
ウム基板上に形成された砒化ガリウム層の電子移動度と
の関係において、原料ガス流速の増加により電子移動度
が極大値を得るような結晶成長速度を設定する。
リウム層の気相成長方法では、原料ガス流速と砒化ガリ
ウム基板上に形成された砒化ガリウム層の電子移動度と
の関係において、原料ガス流速の増加により電子移動度
が極大値を得るような結晶成長速度を設定する。
なおこの場合結晶成長速度はIOA/8以下になるよう
にする。さらにこの結晶成長速度にて電子移動度が極大
値を示す原料ガス流速により砒化ガリウム層の気相成長
を行う。
にする。さらにこの結晶成長速度にて電子移動度が極大
値を示す原料ガス流速により砒化ガリウム層の気相成長
を行う。
ところで不発明者は、結晶成長速度を種々変えて原料ガ
ス流速と電子移動度との関係を調べたが、その結果を示
したものが第1図である。
ス流速と電子移動度との関係を調べたが、その結果を示
したものが第1図である。
@1図によると結晶成長速度が3A/8及び10A/S
の場合にはガス流速の増加により電子移動度の極大値を
持つが、20A/S及び30A/Sの場合にはガス流速
の増加によシミ子移動度は単調減少して極大値は持たな
い。なお結晶成長速度が2OA/8以上の場合で砒化ガ
リウム層の気相成長を行うと組成急峻性は劣化すること
が知られ−Cいる。したがって電子移動度の極大値を得
るような結晶成長速度を設定することKより急峻性が優
れた砒化ガリウム層が形成されると思われる。又第1図
に示すように電子移動度の極大値は約1×105crI
L2/v−8であり高移動度であるので原料ガス速度を
極大値付近に設定することにより移iE!Iff:の高
い砒化ガリウム層が形成される。
の場合にはガス流速の増加により電子移動度の極大値を
持つが、20A/S及び30A/Sの場合にはガス流速
の増加によシミ子移動度は単調減少して極大値は持たな
い。なお結晶成長速度が2OA/8以上の場合で砒化ガ
リウム層の気相成長を行うと組成急峻性は劣化すること
が知られ−Cいる。したがって電子移動度の極大値を得
るような結晶成長速度を設定することKより急峻性が優
れた砒化ガリウム層が形成されると思われる。又第1図
に示すように電子移動度の極大値は約1×105crI
L2/v−8であり高移動度であるので原料ガス速度を
極大値付近に設定することにより移iE!Iff:の高
い砒化ガリウム層が形成される。
(実施例)
以下に本発明の一つの実施例を図面を谷間して説明する
。第2図に本発明の製造方法に用いた選択ドープ構造ウ
エノ・を形成するMO−CVD装置の模式図を示す。精
製装置101を遡った希釈用水素ガスは流量計106で
所定量に調節され、反応容器111に送られるol[[
族元素の有機金属化合物であシ、ガリウムの有機化合物
の一種であるトリメチルガリウム(CH1) @ Ga
を収納するバッジ】02とアルミニウムの有機化合物の
一種であるトリメチルアルミニウム(OH,) 、 A
Jを収納するバプラ103には、精製装置101から所
定量の水素ガスを流量計107゜108で調節して送り
込み、各バプラ102゜103内にて水素ガスに(CH
s )s Ga 、 (CHs)sAノ蒸気として含ま
せ、各々反応容器111に送られる。又■族元素の水素
化合物の一種である砒化水素ガス(AsH3)は高圧容
器104から流量計109で調節されて直接反応容器1
11に送られる。又n形不純物のドーピング源として用
いるモノシラン(8iH4)も同様に高圧容器105か
ら流量計110で調節されて直接反応容器111に送ら
れる0さらに各々のガスが供給される反応容器111に
は試料を載せる載置台112とこの載置台112を加熱
する高周波コイル113が設けられる。なお水素ガスの
流速を変化させることで反応容器】】1内に送り込まれ
る各原料ガスの流速が変化し、又トリメチルガリウムの
量を変えることで結晶成長速度が変化する0 上記MO−CVD装置を用いてGaAs基板上にGaA
s結晶層を堆積させる場合には、GaAs基根を載置台
112に載せA s H@と(CH3)Ga。
。第2図に本発明の製造方法に用いた選択ドープ構造ウ
エノ・を形成するMO−CVD装置の模式図を示す。精
製装置101を遡った希釈用水素ガスは流量計106で
所定量に調節され、反応容器111に送られるol[[
族元素の有機金属化合物であシ、ガリウムの有機化合物
の一種であるトリメチルガリウム(CH1) @ Ga
を収納するバッジ】02とアルミニウムの有機化合物の
一種であるトリメチルアルミニウム(OH,) 、 A
Jを収納するバプラ103には、精製装置101から所
定量の水素ガスを流量計107゜108で調節して送り
込み、各バプラ102゜103内にて水素ガスに(CH
s )s Ga 、 (CHs)sAノ蒸気として含ま
せ、各々反応容器111に送られる。又■族元素の水素
化合物の一種である砒化水素ガス(AsH3)は高圧容
器104から流量計109で調節されて直接反応容器1
11に送られる。又n形不純物のドーピング源として用
いるモノシラン(8iH4)も同様に高圧容器105か
ら流量計110で調節されて直接反応容器111に送ら
れる0さらに各々のガスが供給される反応容器111に
は試料を載せる載置台112とこの載置台112を加熱
する高周波コイル113が設けられる。なお水素ガスの
流速を変化させることで反応容器】】1内に送り込まれ
る各原料ガスの流速が変化し、又トリメチルガリウムの
量を変えることで結晶成長速度が変化する0 上記MO−CVD装置を用いてGaAs基板上にGaA
s結晶層を堆積させる場合には、GaAs基根を載置台
112に載せA s H@と(CH3)Ga。
及び水素ガスを原料ガス導入口1】4を通して反応容器
111内に送シ込み、さらに高周波コイル】】3により
反応容器】】1を加熱する工程を行う。
111内に送シ込み、さらに高周波コイル】】3により
反応容器】】1を加熱する工程を行う。
このような工程により、結晶成長速度を一定にしてガス
流速を変化させてG a A s基板上にGaAs層の
成長を行い、ガス流速とG a A s層の測定温度7
7Kに於ける移動度との関係を調べた結果、G a A
s層の移動度はガス流速に対して一定ではなく極大値
をもつ依存性を示した0すなわち第1図は成長温度64
0℃により成長したGaAs層のガス流速と移vJ度(
測定温度77K)との関係を示したものであり、結晶成
長速度を3A/Sに変化させた場合を示した図である0
第1図に示すようにG a A s rIAの結晶成長
速度を組成変化を急峻にする条件である10Å/S以下
にするとガス流速20cWL/S付近で極大値をもち、
ガス流速8cm / S以下、33c7IL/S以上で
は#動度は極大値に対して大幅に低下してしまう。これ
に対して20A/S以上ではガス流速に対して移動度は
減少し、極大値は持たない0なおこの条件では移wJ度
が] X ] 05cm2/VaS以上の高移動度が得
られるが、結晶成長速度が大きいので組成変化を急峻に
することはできない0 以上の結果からG a A s基板上にG a A s
結晶層を堆積させる場合には、結晶成長速度を10Å/
S以下とし、かつガス流速を20〜30cIIL/Sす
ることで移動度の極大値において高#動度のGaAs結
晶層を得ることができる。例えば結晶成長速度3A/S
の条件で選択ドープ構造のウェハを作成する場合、移動
度が極大値を示すガス流速である25cIIt/Sに設
定してGaAs結晶層を堆積することにより、電気的特
性が測定温度77にで移動度約1×】05crrL/S
であり、さらに電子の面密度を測定した結果I X 1
012/crlL2である高性能電界効果形トランジス
タの材料として好適な特性をもククエハが作成される。
流速を変化させてG a A s基板上にGaAs層の
成長を行い、ガス流速とG a A s層の測定温度7
7Kに於ける移動度との関係を調べた結果、G a A
s層の移動度はガス流速に対して一定ではなく極大値
をもつ依存性を示した0すなわち第1図は成長温度64
0℃により成長したGaAs層のガス流速と移vJ度(
測定温度77K)との関係を示したものであり、結晶成
長速度を3A/Sに変化させた場合を示した図である0
第1図に示すようにG a A s rIAの結晶成長
速度を組成変化を急峻にする条件である10Å/S以下
にするとガス流速20cWL/S付近で極大値をもち、
ガス流速8cm / S以下、33c7IL/S以上で
は#動度は極大値に対して大幅に低下してしまう。これ
に対して20A/S以上ではガス流速に対して移動度は
減少し、極大値は持たない0なおこの条件では移wJ度
が] X ] 05cm2/VaS以上の高移動度が得
られるが、結晶成長速度が大きいので組成変化を急峻に
することはできない0 以上の結果からG a A s基板上にG a A s
結晶層を堆積させる場合には、結晶成長速度を10Å/
S以下とし、かつガス流速を20〜30cIIL/Sす
ることで移動度の極大値において高#動度のGaAs結
晶層を得ることができる。例えば結晶成長速度3A/S
の条件で選択ドープ構造のウェハを作成する場合、移動
度が極大値を示すガス流速である25cIIt/Sに設
定してGaAs結晶層を堆積することにより、電気的特
性が測定温度77にで移動度約1×】05crrL/S
であり、さらに電子の面密度を測定した結果I X 1
012/crlL2である高性能電界効果形トランジス
タの材料として好適な特性をもククエハが作成される。
なお上記実施例において、GaAs基板を加熱する温度
として640℃に設定したが、特にこれに限定する必要
はない。又反応管形状を変えたシ、(CHs)aGa+
AsH3の流量等を変化させてG a A s層を堆積
させても、移動度が像大となるガス流速の値は変化する
が、結晶成長速度の種々の変化に応じて第1図に示した
依存性が見られる。
として640℃に設定したが、特にこれに限定する必要
はない。又反応管形状を変えたシ、(CHs)aGa+
AsH3の流量等を変化させてG a A s層を堆積
させても、移動度が像大となるガス流速の値は変化する
が、結晶成長速度の種々の変化に応じて第1図に示した
依存性が見られる。
以上述べたように本発明によれば砒化ガリウム層の砒化
ガリクム基板への気相成長を行う場合、原料ガスと砒化
ガリウム層の電子移動度との関係において、原料ガス流
速の増加により電子移動度が極大値を得るような結晶成
長速度を1OA/S以下の範囲で設定する。さらにこの
結晶成長速度にて電子移動度が極大値を示す原料ガス流
速により気相成長を行う0このような方法を行うことで
、移動度が高くかつ急峻性に優れたGaAsNiを形成
することができ、選択ドープ構造のウェハを形成するの
く好適な砒化ガリウム層の気相成長方法を提供できる。
ガリクム基板への気相成長を行う場合、原料ガスと砒化
ガリウム層の電子移動度との関係において、原料ガス流
速の増加により電子移動度が極大値を得るような結晶成
長速度を1OA/S以下の範囲で設定する。さらにこの
結晶成長速度にて電子移動度が極大値を示す原料ガス流
速により気相成長を行う0このような方法を行うことで
、移動度が高くかつ急峻性に優れたGaAsNiを形成
することができ、選択ドープ構造のウェハを形成するの
く好適な砒化ガリウム層の気相成長方法を提供できる。
第1図は本発明を示す結晶成長をパラメータとして原料
ガス流速と砒化ガリウム層の移動度との相関を示す図、
第2図は本発明に使用されるMO−CVD装置の一例を
示す模式図、第3図は選択ドープ構造の、電界効果トラ
ンジスタ用ウニへの断面図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 体 間 竹 花 喜久男 (4sン 0 /Q 20 JO40(蝕/
s)力”スミLi( メf国 第2図
ガス流速と砒化ガリウム層の移動度との相関を示す図、
第2図は本発明に使用されるMO−CVD装置の一例を
示す模式図、第3図は選択ドープ構造の、電界効果トラ
ンジスタ用ウニへの断面図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 体 間 竹 花 喜久男 (4sン 0 /Q 20 JO40(蝕/
s)力”スミLi( メf国 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 III族元素の有機金属化合物とV族元素の水素化合物と
の熱分解気相成長方法により砒化ガリウム基板上に砒化
ガリウム層を形成する砒化ガリウム層の気相成長方法に
おいて、 結晶成長速度が10Å/S以下であり、かつ原料ガス流
速の増加により形成される砒化ガリウム層の電子移動度
が極大値を得るような結晶速度を設定し、 前記極大値を示すガス流速により砒化ガリウム層を形成
することを特徴とする砒化ガリウム層の気相成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7072386A JPS62229822A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 砒化ガリウム層の気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7072386A JPS62229822A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 砒化ガリウム層の気相成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62229822A true JPS62229822A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13439755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7072386A Pending JPS62229822A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 砒化ガリウム層の気相成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62229822A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7072386A patent/JPS62229822A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
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