JPS62228482A - 低温プラズマ処理装置 - Google Patents
低温プラズマ処理装置Info
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- JPS62228482A JPS62228482A JP5118886A JP5118886A JPS62228482A JP S62228482 A JPS62228482 A JP S62228482A JP 5118886 A JP5118886 A JP 5118886A JP 5118886 A JP5118886 A JP 5118886A JP S62228482 A JPS62228482 A JP S62228482A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0042—Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマ処理装置に関するものである。
従来、この種の成膜及び表面処理装置は、プラズマを生
成するのにマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴法
を用いているので、生成プラズマのＷｉ雛度が高く、電
子温度、電子密度とも高い。
成するのにマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴法
を用いているので、生成プラズマのＷｉ雛度が高く、電
子温度、電子密度とも高い。
このため処理基板の温度を低くすることができ。
膜の膜質も緻密な膜が生成できる特徴があった。
しかし、処理基板上に薄膜を形成する場合を例にとると
、その表面における均一性、すなわち膜厚、膜質の均−
性及び再現性は、プラズマ生成室から試料室に導かれた
プラズマの諸量（電子温度。
、その表面における均一性、すなわち膜厚、膜質の均−
性及び再現性は、プラズマ生成室から試料室に導かれた
プラズマの諸量（電子温度。
電子密度）及び膜生成用反応ガスの空間的２時間的な均
一度を強く依存している。そして次に示す公知例では処
理時間内にプラズマの放電状態が変化しても、それをす
ぐ前の放電状態に戻す機能がないため、処理開始直後の
プラズマの均一性が処理終了直前では損なわれており、
結果的に基板全面にわたる膜厚、膜質の均−性及び再現
性が悪い問題があった。また、従来はこの問題を最小限
に止めるために、装置運転者が時々刻々微妙に変化する
放電状態を観測し続けなければならなかった。
一度を強く依存している。そして次に示す公知例では処
理時間内にプラズマの放電状態が変化しても、それをす
ぐ前の放電状態に戻す機能がないため、処理開始直後の
プラズマの均一性が処理終了直前では損なわれており、
結果的に基板全面にわたる膜厚、膜質の均−性及び再現
性が悪い問題があった。また、従来はこの問題を最小限
に止めるために、装置運転者が時々刻々微妙に変化する
放電状態を観測し続けなければならなかった。
第７３図にはプラズマ処理装置の従来例が示されている
。同図は電子サイクロトロン共鳴（−ＥＣＲ）ぶノ のプラズマ処理装置（成膜装置）の例（特開昭５５−１
４１７２９号公報参照）である。同図に示されているよ
うにプラズマ生成室１にマイクロ波発振器（図示せず）
からのマイクロ波２が導波管３を通して供給され、磁界
コイル４の磁界による電子のサイクロトロン運動周波数
とマイクロ波２の周波数とが一致して共鳴現象が生じ、
電子がプラズマ生成用ガス供給管５から供給されるプラ
ズマ生成用ガス６と衝突して放電させ、低温のプラズマ
７を生じる。なお同図において８は冷却水、９は石英板
、１０は真空排気である。
。同図は電子サイクロトロン共鳴（−ＥＣＲ）ぶノ のプラズマ処理装置（成膜装置）の例（特開昭５５−１
４１７２９号公報参照）である。同図に示されているよ
うにプラズマ生成室１にマイクロ波発振器（図示せず）
からのマイクロ波２が導波管３を通して供給され、磁界
コイル４の磁界による電子のサイクロトロン運動周波数
とマイクロ波２の周波数とが一致して共鳴現象が生じ、
電子がプラズマ生成用ガス供給管５から供給されるプラ
ズマ生成用ガス６と衝突して放電させ、低温のプラズマ
７を生じる。なお同図において８は冷却水、９は石英板
、１０は真空排気である。
この低温のプラズマ７は試料室１１へ拡散磁界により輸
送され、試料室１１内へ反応ガス供給管１２を通して供
給される反応ガス１３を活性化または電離して、試料台
１４の上の試料１５の表面上に薄膜を形成する。二の場
合に試料１５の表面上に堆積した薄膜の膜質、膜厚の均
一性および再現性は、堆積直前の反応ガス分子の密度お
よびエネルギーの空間的１時間的分布の均一性に支配さ
れ、仮にこの状態で一時的に空間的分布の均一性がとれ
たとしても、処理時間の経過と共に容器内表面状態の変
化、およびそれに伴う容器内空間の電磁界の変化により
、放電々離しているプラズマ諸量の分布が大幅に異って
くる。従って装置運転者はこの状態変化を常時監視し、
放電状態が変化した場合に前の放電状態に戻すため、そ
の放電状態の支配的パラメータである磁界コイル４また
はマイクロ波発振器の電流値を調整しなければならない
問題があった。また、この調整を怠ると、成Ｖ後の薄膜
の膜質および膜厚の均一性は、初期設定の放電状態から
予想されるものより大幅に異なってくる不具合があるが
、これは実験で確認されていることである。
送され、試料室１１内へ反応ガス供給管１２を通して供
給される反応ガス１３を活性化または電離して、試料台
１４の上の試料１５の表面上に薄膜を形成する。二の場
合に試料１５の表面上に堆積した薄膜の膜質、膜厚の均
一性および再現性は、堆積直前の反応ガス分子の密度お
よびエネルギーの空間的１時間的分布の均一性に支配さ
れ、仮にこの状態で一時的に空間的分布の均一性がとれ
たとしても、処理時間の経過と共に容器内表面状態の変
化、およびそれに伴う容器内空間の電磁界の変化により
、放電々離しているプラズマ諸量の分布が大幅に異って
くる。従って装置運転者はこの状態変化を常時監視し、
放電状態が変化した場合に前の放電状態に戻すため、そ
の放電状態の支配的パラメータである磁界コイル４また
はマイクロ波発振器の電流値を調整しなければならない
問題があった。また、この調整を怠ると、成Ｖ後の薄膜
の膜質および膜厚の均一性は、初期設定の放電状態から
予想されるものより大幅に異なってくる不具合があるが
、これは実験で確認されていることである。
第４図にはプラズマ成膜装置の他の従来例が示されてい
る６同図において１６は同軸伝送管、４ａはプラズマ流
の径を調整する静磁場発生コイルである。これも第３図
のそれと同様な低温プラズマ処理袋ＰｔすなわちＥＣＲ
型成膜装置（特開昭５７−７９６２１号公報参照）であ
り、前述の場合と同様な作用をするが、前述の場合と同
様な不具合を有しでいた。なおこれに関するものとして
上述の特開昭５５−１４１７２９．特開昭５７−７９６
２１号公報の他に特開昭５６−１５５５３５号公報があ
る。
る６同図において１６は同軸伝送管、４ａはプラズマ流
の径を調整する静磁場発生コイルである。これも第３図
のそれと同様な低温プラズマ処理袋ＰｔすなわちＥＣＲ
型成膜装置（特開昭５７−７９６２１号公報参照）であ
り、前述の場合と同様な作用をするが、前述の場合と同
様な不具合を有しでいた。なおこれに関するものとして
上述の特開昭５５−１４１７２９．特開昭５７−７９６
２１号公報の他に特開昭５６−１５５５３５号公報があ
る。
上記従来技術は、成膜および表面処理後の試料の膜厚、
膜質および表面処理の均一性、再現性に直接影響のある
低温プラズマ諸量の空間的分布の経時変化の点について
配慮されておらず、成膜および表面処理後の試料の膜厚
、膜質および表面処理の均一性、再現性更に装置運転上
の作業性に問題があった。
膜質および表面処理の均一性、再現性に直接影響のある
低温プラズマ諸量の空間的分布の経時変化の点について
配慮されておらず、成膜および表面処理後の試料の膜厚
、膜質および表面処理の均一性、再現性更に装置運転上
の作業性に問題があった。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、処理時間
内に放電状態を監視することなしに膜厚。
内に放電状態を監視することなしに膜厚。
膜質および表面処理が均一で、再現性のある成膜および
表面処理を行うことを可能とした低温プラズマ処理装置
を提供することを目的とするものである。
表面処理を行うことを可能とした低温プラズマ処理装置
を提供することを目的とするものである。
」二記目的は、低温プラズマの１種または複数種の放射
光スペクトルを計測し、その値と設定値との差分または
複数種の放射光スペクトルの比と設定値との差分を、低
温プラズマ諸量の空間的分布に支配的である電子サイク
ロトロン共鳴用の磁界コイルまたはマイクロ波発振器の
電流値にフィードバックすることにより達成される。
光スペクトルを計測し、その値と設定値との差分または
複数種の放射光スペクトルの比と設定値との差分を、低
温プラズマ諸量の空間的分布に支配的である電子サイク
ロトロン共鳴用の磁界コイルまたはマイクロ波発振器の
電流値にフィードバックすることにより達成される。
低温プラズマあるいはそれにより活性化または電離した
反応ガス分子の放射光スペクトルは、プラズマ状態にあ
るガス分子の密度およびエネルギー状態を反映している
。Ａ、８２種の原子が結合して成膜後の膜組成を形成す
る場合にＡの典型的線スペクトルＡ＋ とＢの典型的線
スペクトルＢ１との強度比は、膜組成および膜構造の生
成確率に強く影響することが知られている。一方、低温
プラズマ状態量の空間的分布は、電子サイクロトロン共
鳴電離面を決めるマイクロ波の強度または磁束密度の空
間的分布に支配されている。このため１種または複数種
の放射光スペクトルをフィルタまたは分光器付光センサ
ーで計測し、その値と予め実Ｍす済みの設定値との差分
、または複数種のスペクトルの比と設定値との差分を、
増幅器を通して磁界コイルまたはマイグー波発振器の電
流値にフィードバックすれば、放電状態が外部要因で変
化しても、マイクロ波の強度または磁束密度分布が補正
され、元の低温プラズマ諸量の空間的分布にすることが
でき、処理時間内の成膜条件を一定に保つことができる
。
反応ガス分子の放射光スペクトルは、プラズマ状態にあ
るガス分子の密度およびエネルギー状態を反映している
。Ａ、８２種の原子が結合して成膜後の膜組成を形成す
る場合にＡの典型的線スペクトルＡ＋ とＢの典型的線
スペクトルＢ１との強度比は、膜組成および膜構造の生
成確率に強く影響することが知られている。一方、低温
プラズマ状態量の空間的分布は、電子サイクロトロン共
鳴電離面を決めるマイクロ波の強度または磁束密度の空
間的分布に支配されている。このため１種または複数種
の放射光スペクトルをフィルタまたは分光器付光センサ
ーで計測し、その値と予め実Ｍす済みの設定値との差分
、または複数種のスペクトルの比と設定値との差分を、
増幅器を通して磁界コイルまたはマイグー波発振器の電
流値にフィードバックすれば、放電状態が外部要因で変
化しても、マイクロ波の強度または磁束密度分布が補正
され、元の低温プラズマ諸量の空間的分布にすることが
でき、処理時間内の成膜条件を一定に保つことができる
。
以下５図示した実施例に基づいて本発明を説明する。第
１図には本発明の一実施例が示されている。なお従来と
同じ部品には同じ符号を付したので説明を省略する。同
図に示されているようにマイクロ波発振器１７には第１
の電源１８が第１の電流制御器１９を介して接続され、
磁界コイル４には第２の電源１８ａが第２の電流制御器
１９ａを介して接続されている。このように構成された
低温プラズマ処理装置で本実施例では試料室１１ａに、
処理中のプラズマ７または反応ガス１３の放射光スペク
トルにより処理中のプラズマ７または反応ガス１３の放
電状態を一定に制御する制御手段を設けた。このように
することにより試料室１、１ ａに、処理中のプラズマ
７または反応ガス１３の放射光スペクトルにより処理中
のプラズマ７または反応ガス１３の放電状態を一定に制
御する制御手段が設けられるようになって、処理中のプ
ラズマ７または反応ガス１３の放電状態が一定となり、
処理時間内に放電状態を監視することなしに膜厚、膜質
および表面処理が均一で、再現性のある成膜および表面
処理を行うことを可能とした低温プラズマ処理装置を得
ることができる。
１図には本発明の一実施例が示されている。なお従来と
同じ部品には同じ符号を付したので説明を省略する。同
図に示されているようにマイクロ波発振器１７には第１
の電源１８が第１の電流制御器１９を介して接続され、
磁界コイル４には第２の電源１８ａが第２の電流制御器
１９ａを介して接続されている。このように構成された
低温プラズマ処理装置で本実施例では試料室１１ａに、
処理中のプラズマ７または反応ガス１３の放射光スペク
トルにより処理中のプラズマ７または反応ガス１３の放
電状態を一定に制御する制御手段を設けた。このように
することにより試料室１、１ ａに、処理中のプラズマ
７または反応ガス１３の放射光スペクトルにより処理中
のプラズマ７または反応ガス１３の放電状態を一定に制
御する制御手段が設けられるようになって、処理中のプ
ラズマ７または反応ガス１３の放電状態が一定となり、
処理時間内に放電状態を監視することなしに膜厚、膜質
および表面処理が均一で、再現性のある成膜および表面
処理を行うことを可能とした低温プラズマ処理装置を得
ることができる。
すなわちプラズマ７または反応ガス１３の放射光スペク
トルにより処理中のプラズマ７または反応ガス１３の放
電状態を一定に制御する制御手段を設けたが、この制御
手段を試料室１１ａに設け、水平方向の２種の放射光ス
ペクトル２０ｎ、２０ｂを測定するフィルタ付光センサ
ー２１．２２と。
トルにより処理中のプラズマ７または反応ガス１３の放
電状態を一定に制御する制御手段を設けたが、この制御
手段を試料室１１ａに設け、水平方向の２種の放射光ス
ペクトル２０ｎ、２０ｂを測定するフィルタ付光センサ
ー２１．２２と。
このフィルタ付光センサー２１．２２に接続し、測定し
た２種の放射光スペクトル２０ａ、２０ｂの比を算出す
る割算器２３と、この割算器２３と第１または第２の電
流制御器１９．１９ａとの間に接続し、割算器２３で算
出した放射光スペクトル２０ａ、２０ｂの比と予め設定
した設定値２４との差分を検出し、この検出した差分を
第１または第２の電流制御器１９．１９ａにフィードバ
ックする差動増幅器２５とで形成した。このようにする
ことにより試料表面近傍のＡ種の典型的線スペクトルで
ある放射光スペクトル２０ａとＢ種の典型的線スペ、ク
トルである放射光スペクトル２０ｂとは、フィルタ付光
センサー２１．２２で受光され、感度調整後に割算器２
３にとり込まれ１両スベク１〜ル２０ａ、２０ｂの比が
とられる。これを仮に放射率とすればこの放射率は更に
予め実測し設定しである設定値２４との差分を検出する
差動増幅器２５に伝送される。そして差動増幅器２５で
検出された両スペクトル２０ａ、２０ｂの比と設定値２
４との差分は、磁界コイル４またはマイクロ波発振器１
７に夫々電流を供給する第２または第１の電源１．８ａ
、１８の第２または第１−の屯流制御器１９ａ、１９に
フィードバックされる。
た２種の放射光スペクトル２０ａ、２０ｂの比を算出す
る割算器２３と、この割算器２３と第１または第２の電
流制御器１９．１９ａとの間に接続し、割算器２３で算
出した放射光スペクトル２０ａ、２０ｂの比と予め設定
した設定値２４との差分を検出し、この検出した差分を
第１または第２の電流制御器１９．１９ａにフィードバ
ックする差動増幅器２５とで形成した。このようにする
ことにより試料表面近傍のＡ種の典型的線スペクトルで
ある放射光スペクトル２０ａとＢ種の典型的線スペ、ク
トルである放射光スペクトル２０ｂとは、フィルタ付光
センサー２１．２２で受光され、感度調整後に割算器２
３にとり込まれ１両スベク１〜ル２０ａ、２０ｂの比が
とられる。これを仮に放射率とすればこの放射率は更に
予め実測し設定しである設定値２４との差分を検出する
差動増幅器２５に伝送される。そして差動増幅器２５で
検出された両スペクトル２０ａ、２０ｂの比と設定値２
４との差分は、磁界コイル４またはマイクロ波発振器１
７に夫々電流を供給する第２または第１の電源１．８ａ
、１８の第２または第１−の屯流制御器１９ａ、１９に
フィードバックされる。
これにより処理中のプラスｆまたは反応ガス１３の放電
状態は一定に制御されるようになる。
状態は一定に制御されるようになる。
すなわち電子サイクロトロン共鳴により電離の強く進展
する共鳴電離面は、マイクロ波の強度または磁束密度の
強度および分布に支配されるので、放射光スペクトル比
の変化分は電離面の形状および強度の変化として現ねれ
、放射光スペクトル比の設定値を保つように制御される
。この結果、放射光スペクトル比が一定であれば膜組成
が同一である事実（菅野卓雄編著、産業図書、半導体プ
ラズマプロセス技術、ＰＬ６５〜Ｐ１７８）より、装置
運転者の監視なしに膜質、膜厚とも初期の設定値２４通
りに処理可能となり、装置本体として最適条件が設定で
きれば膜質、膜厚とも均一で、再現性のある成膜が可能
となる。
する共鳴電離面は、マイクロ波の強度または磁束密度の
強度および分布に支配されるので、放射光スペクトル比
の変化分は電離面の形状および強度の変化として現ねれ
、放射光スペクトル比の設定値を保つように制御される
。この結果、放射光スペクトル比が一定であれば膜組成
が同一である事実（菅野卓雄編著、産業図書、半導体プ
ラズマプロセス技術、ＰＬ６５〜Ｐ１７８）より、装置
運転者の監視なしに膜質、膜厚とも初期の設定値２４通
りに処理可能となり、装置本体として最適条件が設定で
きれば膜質、膜厚とも均一で、再現性のある成膜が可能
となる。
このように本実施例によれば放電状態を常時監視するこ
となしに形成薄膜の膜質、膜厚および表面処理精度の均
一性、再現性を大幅に向上することができる。
となしに形成薄膜の膜質、膜厚および表面処理精度の均
一性、再現性を大幅に向上することができる。
第２図には本発明の他の実施例が示されている。
本実施例では垂直方向の２種の放射光スペクトル２０ａ
、２０ｂ、すなわち試料台１４上方の放射光スペクトル
２０ａ、２０ｂを全てフィルタ付光センサー２１．２２
に取り込むようにしたものである。この場合には試料台
１４上方の放射光スペクトル２０ａ、２０ｂが全てフィ
ルタ付光センサー２．１．２２に取り込まれるようにな
って、前述の場合よりも検出精度を向上させることがで
きる。
、２０ｂ、すなわち試料台１４上方の放射光スペクトル
２０ａ、２０ｂを全てフィルタ付光センサー２１．２２
に取り込むようにしたものである。この場合には試料台
１４上方の放射光スペクトル２０ａ、２０ｂが全てフィ
ルタ付光センサー２．１．２２に取り込まれるようにな
って、前述の場合よりも検出精度を向上させることがで
きる。
なおこれら実施例で光センサーにフィルタ付光センサー
２１．２２を使用したが、分光器付光センサーを使用し
てもよい。
２１．２２を使用したが、分光器付光センサーを使用し
てもよい。
［発明の効果〕
上述のように本発明は処理時間内に放電状態を監視する
ことなしに膜厚、膜質および表面処理が均一で、再現性
のある成膜および表面処理を行うことができるようにな
って、処理時間内に放電状態を監視することなしに膜厚
、膜質および表面処理が均一で、再現性のある成、膜お
よび表面処理を行うことを可能とした低温プラズマ処理
装置を得ることかできる。
ことなしに膜厚、膜質および表面処理が均一で、再現性
のある成膜および表面処理を行うことができるようにな
って、処理時間内に放電状態を監視することなしに膜厚
、膜質および表面処理が均一で、再現性のある成、膜お
よび表面処理を行うことを可能とした低温プラズマ処理
装置を得ることかできる。
第１図は本発明の低温プラズマ処理装置の一実施例の′
！Ａ■構成を示す線図、第２図は本発明の低温プラズマ
処理装置の他の実施例の装置構成を示す線図、第３図は
従来の低温プラズマ処理装置の装置構成を示す線図、第
４図は従来の低温プラズマ処理装置の他の例の装置構成
を示す線図である。 １・・プラズマ生成室、２・・・マイクロ波、３・・・
導波管、４・・磁界コイル、７・・・低温のプラズマ、
ｌｌａ・・試料室、１２・・・反応ガス供給管、１３・
・・反応ガス、１４・・・試料台、１５・・・試料、１
７・・・マイクロ波発揚器、】８・・第１の電源、１８
ａ・・・第２の電源、１９・・・第１の電流制御器、１
９ａ・・・第２の電流制御器、２０ａ、２０ｂ・・・放
射光スペクトル、尤。 ２１．２２・・・フィルタ付７センサー、２３・・・割
算器、２４・・・設定値、２５・・・差動増幅器。 代理人 弁理士 長崎博男−°り′ （ほか１名）′ 乎３ 呂 早 ４ 口
！Ａ■構成を示す線図、第２図は本発明の低温プラズマ
処理装置の他の実施例の装置構成を示す線図、第３図は
従来の低温プラズマ処理装置の装置構成を示す線図、第
４図は従来の低温プラズマ処理装置の他の例の装置構成
を示す線図である。 １・・プラズマ生成室、２・・・マイクロ波、３・・・
導波管、４・・磁界コイル、７・・・低温のプラズマ、
ｌｌａ・・試料室、１２・・・反応ガス供給管、１３・
・・反応ガス、１４・・・試料台、１５・・・試料、１
７・・・マイクロ波発揚器、】８・・第１の電源、１８
ａ・・・第２の電源、１９・・・第１の電流制御器、１
９ａ・・・第２の電流制御器、２０ａ、２０ｂ・・・放
射光スペクトル、尤。 ２１．２２・・・フィルタ付７センサー、２３・・・割
算器、２４・・・設定値、２５・・・差動増幅器。 代理人 弁理士 長崎博男−°り′ （ほか１名）′ 乎３ 呂 早 ４ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、低温のプラズマを発生させるプラズマ生成室と、こ
のプラズマ生成室に接続され、かつ前記プラズマを導入
する試料室とを備え、前記プラズマ生成室はその上部に
第１の電源に第１の電流制御器を介して接続されたマイ
クロ波発振器、このマイクロ波発振器からのマイクロ波
を導入する導波管、その外周に第２の電源に第２の電流
制御器を介して接続され、かつ前記マイクロ波による電
子サイクロトロン共鳴放電を発生させる磁界を発生する
磁界コイルを有し、前記試料室はその内部に試料を乗置
する試料台、その側壁に反応ガスが供給される反応ガス
供給管を有しており、前記試料室内に導入された前記反
応ガスを前記プラズマで活性化または電離して前記試料
の表面を処理する低温プラズマ処理装置において、前記
試料室に、前記処理中のプラズマまたは反応ガスの放射
光スペクトルにより前記処理中のプラズマまたは反応ガ
スの放電状態を一定に制御する制御手段を設けたことを
特徴とする低温プラズマ処理装置。 ２、前記制御手段が、前記試料室に設けられ、かつ試料
室内の前記プラズマまたは反応ガスの少なくとも一種の
放射光スペクトルを測定するフィルタ付光センサーと、
このフィルタ付光センサーと前記第１または第２の電流
制御器との間に設けられ、測定した放射光スペクトルの
値と予め設定した設定値との差分、または複数種の放射
光スペクトルの比と設定値との差分を検出し、この検出
した差分を前記第１または第２の電流制御器にフィード
バックする差動増幅器とで形成されたものである特許請
求の範囲第１項記載の低温プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051188A JPH0645896B2 (ja) | 1986-03-08 | 1986-03-08 | 低温プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051188A JPH0645896B2 (ja) | 1986-03-08 | 1986-03-08 | 低温プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62228482A true JPS62228482A (ja) | 1987-10-07 |
| JPH0645896B2 JPH0645896B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=12879890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61051188A Expired - Lifetime JPH0645896B2 (ja) | 1986-03-08 | 1986-03-08 | 低温プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645896B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205520A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Shimadzu Corp | 成膜装置 |
| JPH0390576A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Raimuzu:Kk | 金属窒化物被膜の形成法 |
| JPH088238A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 加工方法及び加工装置 |
| US7921804B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-04-12 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma generating nozzle having impedance control mechanism |
| US7976672B2 (en) | 2006-02-17 | 2011-07-12 | Saian Corporation | Plasma generation apparatus and work processing apparatus |
| US8035057B2 (en) | 2004-07-07 | 2011-10-11 | Amarante Technologies, Inc. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289869A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質炭素膜の気相合成法 |
| JPS6293382A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
-
1986
- 1986-03-08 JP JP61051188A patent/JPH0645896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289869A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質炭素膜の気相合成法 |
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| JPH0390576A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Raimuzu:Kk | 金属窒化物被膜の形成法 |
| JPH088238A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 加工方法及び加工装置 |
| US8035057B2 (en) | 2004-07-07 | 2011-10-11 | Amarante Technologies, Inc. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
| US7976672B2 (en) | 2006-02-17 | 2011-07-12 | Saian Corporation | Plasma generation apparatus and work processing apparatus |
| US7921804B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-04-12 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma generating nozzle having impedance control mechanism |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645896B2 (ja) | 1994-06-15 |
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