JPS62224021A - ランプアニ−ル装置 - Google Patents

ランプアニ−ル装置

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Publication number
JPS62224021A
JPS62224021A JP6761386A JP6761386A JPS62224021A JP S62224021 A JPS62224021 A JP S62224021A JP 6761386 A JP6761386 A JP 6761386A JP 6761386 A JP6761386 A JP 6761386A JP S62224021 A JPS62224021 A JP S62224021A
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JP
Japan
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lamp
lamps
temperature distribution
gold
improve
Prior art date
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Pending
Application number
JP6761386A
Other languages
English (en)
Inventor
Mizuo Sato
佐藤　水男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS62224021A publication Critical patent/JPS62224021A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造装置及び液晶デバイス製の装置そ
Ｑ池短時間熱処理に使用するラングアニール装置に関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来の照射ラング形状及び配列は、棒状のランプを等間
隔に並べた方法で、短時間で昇降源して熱処理を行なう
ものであった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし前述■従来技術では、温度分布が悪く。
ランプ本数が多＾ため、消費電力が多い問題点を有する
。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するものである。
その目的は、照射ラングＱ形状を変更し均一性の向上と
省電力化１：はかるも０である。
ｃ問題点を解決する比めの手段〕 本発明の照射ランプ形状は、丸型として大きな丸型０照
射ランプから内側へ小さな照射ランプを並べ、ラングハ
ウスはアルミニウムに金メッキしたものを使用した特徴
を有する。
〔実施列〕
色１図は本発明の実施列における半導体製造装置のラン
プアニール装置のハロゲンラング形状図でありて、　ｌ
ｉｊ：ランプハウス、２はハロゲンランプを丸型にした
ものである。
ランプ本数は、７本として、各々のランプをｉ！１］御
して、ランプハウスはアルミニウムに金メッキをしたも
のを使用し、熱処理される物体の前後左右の温度分布が
よくなる。
〔発明■効果〕
以と述べたように本発明によれば、従来の＠度分布デー
ターが±ｌ（１％から±３チになり又ランプ本数が１５
本から７本（５ＯＡから刀Ａ）になり、省電力ｆヒが出
来るという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
飢１図は本発明によるラングアニール装置のハロゲンラ
ンプ形状実施列を示す主決断面図１・・ランプハウス ２・・ハロゲンランプ 第２因は従来のランプアニール装置のハロゲンランプ形
状茫示す主要断面図 １・・・ランプハウス ２・命小ハロゲンラング 以　　　上 出願人　セイコーエグン／昧式会社 第１０ 箭？口

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ハロゲンランプ等の光を半導体基板等の表面に照射し、
    短時間熱処理を行なう装置等において、円形状のランプ
    を使用する事を特徴とするランプアニール装置。
JP6761386A 1986-03-26 1986-03-26 ランプアニ−ル装置 Pending JPS62224021A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63143815A (ja) * 1986-12-08 1988-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd ランプアニ−ル装置
CN107698278A (zh) * 2017-10-31 2018-02-16 湖北天宝光电科技有限公司 一种陶瓷后盖的退火方法

Cited By (3)

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