JPS62222679A - 発光ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS62222679A JPS62222679A JP61066880A JP6688086A JPS62222679A JP S62222679 A JPS62222679 A JP S62222679A JP 61066880 A JP61066880 A JP 61066880A JP 6688086 A JP6688086 A JP 6688086A JP S62222679 A JPS62222679 A JP S62222679A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１稟！度社且光正 、１
本発明は発光ダイオードの製造方法に係り、特に静電複
写機やファクシミリなどに使用されるライン光源用発光
ダイオードの製造方法に関する。
写機やファクシミリなどに使用されるライン光源用発光
ダイオードの製造方法に関する。
止天皇仮玉
均−な発光を得るため、一方（アノードまたはカソード
）側の電極に環状電極を採用した発光ダイオードを製造
する場合を例にとり、第４図（ａ）〜（ｄ）をもとに従
来の発光ダイオードの製造手順を説明する。
）側の電極に環状電極を採用した発光ダイオードを製造
する場合を例にとり、第４図（ａ）〜（ｄ）をもとに従
来の発光ダイオードの製造手順を説明する。
例えばＮ型ＧａＡｓＰのエピタキシャル層１ａを積層し
たＮ中型ＧａＡｓ基板１を用い、そのエピタキシャルＪ
ｉｉｌａの全表面に絶縁膜２を被着させ、リソグラフィ
技術で幅−３の開口窓２ａを形成する（第４図（ａ）参
照）。この開口窓２ａからエピタキシャル層１ａの表面
にＰ型不純物を固相拡散法またはイオン打込み法で導入
し、熱処理により不純物層３を形成してＰＮ接合を得る
（第４図（ｂ）参照）。そして、不純物層３の表面つま
り絶縁膜２の開口窓２ａに形成された薄膜を軽いウェッ
トエツチングにて除去する（第４図（ｃ ）参照）。
たＮ中型ＧａＡｓ基板１を用い、そのエピタキシャルＪ
ｉｉｌａの全表面に絶縁膜２を被着させ、リソグラフィ
技術で幅−３の開口窓２ａを形成する（第４図（ａ）参
照）。この開口窓２ａからエピタキシャル層１ａの表面
にＰ型不純物を固相拡散法またはイオン打込み法で導入
し、熱処理により不純物層３を形成してＰＮ接合を得る
（第４図（ｂ）参照）。そして、不純物層３の表面つま
り絶縁膜２の開口窓２ａに形成された薄膜を軽いウェッ
トエツチングにて除去する（第４図（ｃ ）参照）。
続いて、不純物層３の表面中央付近が露出する環状のＰ
側電極４を形成す名（第４図（ｄ）、第５図参照）。こ
の不純物層３の露出部分が光取出し面３ａとなるが、光
取出し面３ａの幅讐４′は開口窓２ａの幅−３と略等し
く不純物層３の幅讐４よりも狭くなっている。この後、
基板１の裏面全面にカソ−ドとなるＮ側電極（図示省略
）を形成する。
側電極４を形成す名（第４図（ｄ）、第５図参照）。こ
の不純物層３の露出部分が光取出し面３ａとなるが、光
取出し面３ａの幅讐４′は開口窓２ａの幅−３と略等し
く不純物層３の幅讐４よりも狭くなっている。この後、
基板１の裏面全面にカソ−ドとなるＮ側電極（図示省略
）を形成する。
■ ＜”しよ゛と る目 占
上述の方法によって製造した場合、熱処理時に導入した
不純物が拡散深さ応じて、横方向きに拡がった分だけ不
純物層３の幅−４が開口窓２ａの幅−３よりも広くなる
。したがって、拡がり分だけ必然的に不純物層３の外端
上が電極４で覆われることになり、光取出し面の面積が
ロスになる。
不純物が拡散深さ応じて、横方向きに拡がった分だけ不
純物層３の幅−４が開口窓２ａの幅−３よりも広くなる
。したがって、拡がり分だけ必然的に不純物層３の外端
上が電極４で覆われることになり、光取出し面の面積が
ロスになる。
また、第５図に示すように、多数個の光取出し面を近接
配置するため、環状電極の環状幅−５を小さくしなけれ
ばならないライン光用発光ダイオードでは、リソグラフ
ィ時の位置ずれや熱処理条件の変動などにより、不純物
Ｆｉ３の外端が電極４の外周からはみ出ることがある。
配置するため、環状電極の環状幅−５を小さくしなけれ
ばならないライン光用発光ダイオードでは、リソグラフ
ィ時の位置ずれや熱処理条件の変動などにより、不純物
Ｆｉ３の外端が電極４の外周からはみ出ることがある。
不純物層卯ち、ＰＮ接合面がはみ出ると、光取出し面３
ａ以外から光が漏洩するとこになり、発光時において光
取出し面の輪郭がぼやけてしまう。
ａ以外から光が漏洩するとこになり、発光時において光
取出し面の輪郭がぼやけてしまう。
この発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、電極の
遮光する部分を少なくし、製造される発光ダイオードの
光取出し効率を高めることを目的としている。
遮光する部分を少なくし、製造される発光ダイオードの
光取出し効率を高めることを目的としている。
ｒｌ 占 ンするための
本発明においては、不純物層を形成するときの熱処理時
に該不純物層がその拡散深さに応じて横波がりするから
、この横波がり分を考慮してその上に存在する絶縁膜を
除去して、不純物層の表面の露出部分が大きくなるよう
にしている。
に該不純物層がその拡散深さに応じて横波がりするから
、この横波がり分を考慮してその上に存在する絶縁膜を
除去して、不純物層の表面の露出部分が大きくなるよう
にしている。
皿
不純物層を形成したときは、横波がりにより不純物層の
拡散幅が絶縁膜の開口窓よりも大きくなるのは避けられ
ない。しかしこの横波がり分だけ絶縁膜を除去するので
、絶縁膜の開口窓が大きくなり、不純物層の表面の殆ど
が開口窓から露出して、光取出し面となる。
拡散幅が絶縁膜の開口窓よりも大きくなるのは避けられ
ない。しかしこの横波がり分だけ絶縁膜を除去するので
、絶縁膜の開口窓が大きくなり、不純物層の表面の殆ど
が開口窓から露出して、光取出し面となる。
丈見皿
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。
。
本実施例においては、Ｎ−型ＧａＡｓＰエピタキシャル
層１１を有するＮ中型ＧａＡｓよりなる半導体基板１０
を用いる。そこで、エピタキシャル層１１の全表面にＳ
ｉ３ Ｎ ４よりなる絶縁膜２０を形成する。ホトリソ
グラフィ技術で、絶縁膜２０に＠阿１の開口窓２１を形
成する（第１図（ａ ）参照）。この開口窓２１からエ
ピタキシャル層１１の表面にＰ型不純物層を導入し、熱
拡散を行い不純物層３０を形成する（第１図（ｂ）参照
）。前記熱処理時において、不純物Ｎ３０がその約７μ
ｍの拡散深さに対応して４μｍ横拡がりするために、不
純物層３０の拡散幅はＷ２となって開口窓２１の幅−１
よりも大きくなり、不純物層３０の外周部が絶縁膜２０
の下にまで延びてしまう。
層１１を有するＮ中型ＧａＡｓよりなる半導体基板１０
を用いる。そこで、エピタキシャル層１１の全表面にＳ
ｉ３ Ｎ ４よりなる絶縁膜２０を形成する。ホトリソ
グラフィ技術で、絶縁膜２０に＠阿１の開口窓２１を形
成する（第１図（ａ ）参照）。この開口窓２１からエ
ピタキシャル層１１の表面にＰ型不純物層を導入し、熱
拡散を行い不純物層３０を形成する（第１図（ｂ）参照
）。前記熱処理時において、不純物Ｎ３０がその約７μ
ｍの拡散深さに対応して４μｍ横拡がりするために、不
純物層３０の拡散幅はＷ２となって開口窓２１の幅−１
よりも大きくなり、不純物層３０の外周部が絶縁膜２０
の下にまで延びてしまう。
前記の熱処理により、開口窓２１に形成された薄膜と、
不純物層３０の横波がり分に相当する絶縁膜２０のうち
絶縁に要しない部分とをホトリソグラフィ技術で除去し
、開口窓２１の＠−１を稠１′まで大きくする（第１図
（ｃ ）参照）。これにより開口窓２１の幅Ｗｌ’が不
純物層３０の拡散幅−２と略同−寸法になるから、不純
物層３０の表面の殆ど全面が光取出し面３１となるので
ある。
不純物層３０の横波がり分に相当する絶縁膜２０のうち
絶縁に要しない部分とをホトリソグラフィ技術で除去し
、開口窓２１の＠−１を稠１′まで大きくする（第１図
（ｃ ）参照）。これにより開口窓２１の幅Ｗｌ’が不
純物層３０の拡散幅−２と略同−寸法になるから、不純
物層３０の表面の殆ど全面が光取出し面３１となるので
ある。
つぎに不純物層３０の外周を囲むように、例えばアルミ
ニウムからなる環状のＰ側電極４０を形成する（第１図
（ｄ）、第２図参照）。続いて、半導体基板１０の裏面
全面に例えばＡｕ−Ｇｅ −Ｎｉ −Ａｕの多層構造の
Ｎ側電極（図示省略）を形成する。
ニウムからなる環状のＰ側電極４０を形成する（第１図
（ｄ）、第２図参照）。続いて、半導体基板１０の裏面
全面に例えばＡｕ−Ｇｅ −Ｎｉ −Ａｕの多層構造の
Ｎ側電極（図示省略）を形成する。
このようにして製造された発光ダイオードは、その不純
物層３０の表面のほとんど全面が光取出し面３１となっ
て開口窓２１から露出するので、駆動電流を増加せずに
光取出し効率を向上できるのである。しかも、不純物層
３０がＰ側電極４０の外周よりもはみ出さないため、発
光時において従来のように環状電極４０の外周縁から光
が漏洩するとこはなくなる。
物層３０の表面のほとんど全面が光取出し面３１となっ
て開口窓２１から露出するので、駆動電流を増加せずに
光取出し効率を向上できるのである。しかも、不純物層
３０がＰ側電極４０の外周よりもはみ出さないため、発
光時において従来のように環状電極４０の外周縁から光
が漏洩するとこはなくなる。
ところで、不純物層３０を形成する際の開口窓２１の幅
Ｗｌを従来のそれの幅−３よりも小さくしておいて不純
物層３０を形成した後に開口窓２１を幅−１′まで拡大
すれば、不純物層３０自体は従来のそれよりも小さくか
つ光取出し面３１は従来と同一面積にできる。つまり、
従来と同一発光面積を有する発光ダイオードを製造して
も本発明によれば不純物層３０の拡散面積を縮小できる
ため、例えば発光ダイオードアレイなどの製造において
素子密度の向上が可能である。
Ｗｌを従来のそれの幅−３よりも小さくしておいて不純
物層３０を形成した後に開口窓２１を幅−１′まで拡大
すれば、不純物層３０自体は従来のそれよりも小さくか
つ光取出し面３１は従来と同一面積にできる。つまり、
従来と同一発光面積を有する発光ダイオードを製造して
も本発明によれば不純物層３０の拡散面積を縮小できる
ため、例えば発光ダイオードアレイなどの製造において
素子密度の向上が可能である。
なお、上記実施例ではＰ電極４０を環伏電極にしている
が、これ以外の例えば第３図に示すような所謂片側電極
であっても光取出し面の面積のロスを防げる。
が、これ以外の例えば第３図に示すような所謂片側電極
であっても光取出し面の面積のロスを防げる。
主班立洟果
本発明によれば、不純物層の表面の殆どが開口窓から露
出して光取出し面となるから、不純物層の拡散面積を従
来と同一寸法にしても光取出し面を大きくできる。した
がって駆動電流を減らすことができる。
出して光取出し面となるから、不純物層の拡散面積を従
来と同一寸法にしても光取出し面を大きくできる。した
がって駆動電流を減らすことができる。
第１図（ａ ）〜（ｄ ）は本発明の一実施例を説明す
るための工程断面図、第２図は本発明の製法により製造
された発光ダイオード素子を２個並置した状態を示す平
面図、第３図は同発光ダイオード素子におけるＰ側電極
の別のタイプを示す平面図、第４図（ａ ）〜（ｄ ’
）は従来の発光ダイオードの製造手順を示す工程断面図
、第５図は従来の発光ダイオード素子を２個並置した状
態を示す平面図である。 ２０・・・絶縁膜 ２１・・・開口窓 ３０・・・不純物層 ３１・・・光取出し面 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁理士
大 西 孝 治 ＠１図 第２図 第３図
るための工程断面図、第２図は本発明の製法により製造
された発光ダイオード素子を２個並置した状態を示す平
面図、第３図は同発光ダイオード素子におけるＰ側電極
の別のタイプを示す平面図、第４図（ａ ）〜（ｄ ’
）は従来の発光ダイオードの製造手順を示す工程断面図
、第５図は従来の発光ダイオード素子を２個並置した状
態を示す平面図である。 ２０・・・絶縁膜 ２１・・・開口窓 ３０・・・不純物層 ３１・・・光取出し面 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁理士
大 西 孝 治 ＠１図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）基板上の絶縁膜に開口窓を設け、この開口窓から
基板と逆導電型の不純物を導入し、熱処理して不純物層
を形成することでＰＮ接合を得て、次ぎに前記熱処理時
における不純物層の横広がり分に応じてその上に存在す
る前記絶縁膜を除去して前記不純物層の露出部分を大き
くすることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066880A JPS62222679A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066880A JPS62222679A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222679A true JPS62222679A (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=13328640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61066880A Pending JPS62222679A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222679A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954681A (en) * | 1988-05-31 | 1990-09-04 | Kawata Co., Ltd. | Drying and crystallizing apparatus for granules, which employs a microwave device |
| JPH0353856U (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-24 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61066880A patent/JPS62222679A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954681A (en) * | 1988-05-31 | 1990-09-04 | Kawata Co., Ltd. | Drying and crystallizing apparatus for granules, which employs a microwave device |
| JPH0353856U (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-24 |
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