JPS62222054A - 炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方法 - Google Patents
炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
薄膜形成技術を用いて炭化珪素焼結体上に金属薄膜を形
成するに際して、炭化珪素焼結体上にチタンを主体とす
る第１の薄膜を被着形成した後、該第１の薄膜上に電気
伝導に寄与する第２の金属薄膜を被着形成し、熱処理を
施して該第１の薄膜と炭化珪素焼結体の界面を反応させ
ることにより、該第２の金属薄膜を該炭化珪素焼結体上
に強固に被着せしめる炭化珪素焼結体上への金属薄膜の
形成方法。
成するに際して、炭化珪素焼結体上にチタンを主体とす
る第１の薄膜を被着形成した後、該第１の薄膜上に電気
伝導に寄与する第２の金属薄膜を被着形成し、熱処理を
施して該第１の薄膜と炭化珪素焼結体の界面を反応させ
ることにより、該第２の金属薄膜を該炭化珪素焼結体上
に強固に被着せしめる炭化珪素焼結体上への金属薄膜の
形成方法。
本発明は炭化珪素焼結体上への金属Ｆ！ｉ膜の形成方法
に係り、特にスパッタリング法或いは蒸着法等の薄膜技
術を用いる炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方法に
関する。
に係り、特にスパッタリング法或いは蒸着法等の薄膜技
術を用いる炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方法に
関する。
炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体はアルミナ等の酸化物焼結体
に比べ大きな熱伝導性を有し、且つシリコンに近い熱膨
張率を有する特徴を持っている。
に比べ大きな熱伝導性を有し、且つシリコンに近い熱膨
張率を有する特徴を持っている。
そのため発熱量の大きい大規模ＩＣや大電力ＩＣにおい
ては、放熱効果を高めて内部半導体素子の温度上昇を抑
え、且つ熱膨張率の差により半導体チップに及ぼされる
応力を減少させて、該ＩＣの信頼性を高めるために、上
記ＳｉＣ焼結体よりなる配線基板やパッケージが用いら
れる。
ては、放熱効果を高めて内部半導体素子の温度上昇を抑
え、且つ熱膨張率の差により半導体チップに及ぼされる
応力を減少させて、該ＩＣの信頼性を高めるために、上
記ＳｉＣ焼結体よりなる配線基板やパッケージが用いら
れる。
しかしＳｉＣ焼結体よりなるパッケージや配線基板等に
おいては、通常の酸化物焼結体よりなるパッケージや配
線基板等に比べ、配線を形成する金属薄膜の被着強度が
劣るという問題があり、被着強度を向上する金属薄膜の
形成方法が要望されている。
おいては、通常の酸化物焼結体よりなるパッケージや配
線基板等に比べ、配線を形成する金属薄膜の被着強度が
劣るという問題があり、被着強度を向上する金属薄膜の
形成方法が要望されている。
ＳｉＣを主体とする焼結体基板上に配線層等の電気伝導
に寄与する金属薄膜を形成するに際しては、通常第４図
に示す模式側断面図のように、該ＳｉＣ焼結体基板５１
上に該ＳｉＣ焼結体基板５１と接着強度の高い第１の金
属薄膜５２を形成した後、該第１の金属薄膜５２上に主
として電気伝導に寄与する第２の金属薄膜５３を形成す
ることによって、該第２の金属薄膜５３の該ＳｉＣ焼結
基板５１に対する被着強度が高められ、該第２の金属薄
膜５３上に半田等で固着されるリード端子等のＳｉＣ焼
結基板５１に対する固着強度が確保される。
に寄与する金属薄膜を形成するに際しては、通常第４図
に示す模式側断面図のように、該ＳｉＣ焼結体基板５１
上に該ＳｉＣ焼結体基板５１と接着強度の高い第１の金
属薄膜５２を形成した後、該第１の金属薄膜５２上に主
として電気伝導に寄与する第２の金属薄膜５３を形成す
ることによって、該第２の金属薄膜５３の該ＳｉＣ焼結
基板５１に対する被着強度が高められ、該第２の金属薄
膜５３上に半田等で固着されるリード端子等のＳｉＣ焼
結基板５１に対する固着強度が確保される。
従来のＳｉＣ焼結体基板５１は多くは酸化ベリリウム（
Ｂｅｄ）等の酸化物を含有させることによって絶縁性の
向上が図られており、かかる酸化物を含有する従来のＳ
ｉＣ焼結基板５１においては、その上に配線層等の金属
薄膜を形成する際、該基板に直に接する第１の金属薄膜
５２に酸化物とガラス結合するクロム（Ｃｒ）等が用い
られ、その上に例えばＥ（ＣＵ）等比較的高融点の高電
導性を有する第２の金属薄膜５３を形成することによっ
て、該高電導性金属薄膜５３のＳｉＣ基板に対する接着
強度が高められていた。
Ｂｅｄ）等の酸化物を含有させることによって絶縁性の
向上が図られており、かかる酸化物を含有する従来のＳ
ｉＣ焼結基板５１においては、その上に配線層等の金属
薄膜を形成する際、該基板に直に接する第１の金属薄膜
５２に酸化物とガラス結合するクロム（Ｃｒ）等が用い
られ、その上に例えばＥ（ＣＵ）等比較的高融点の高電
導性を有する第２の金属薄膜５３を形成することによっ
て、該高電導性金属薄膜５３のＳｉＣ基板に対する接着
強度が高められていた。
然し近時、該ＳｉＣ焼結体をより高絶縁性となし、且つ
製造時の公害問題を除去するために、窒化アルミニウム
を含有させたＳｉＣ焼結体が提供されているが、このよ
うに酸化物を含有しないＳｉＣ焼結体においては、従来
のようにガラス結合を考えて選んだ第１の金属薄膜を、
主体となる第２の金属薄膜の下部に介在させても、該第
２の金属薄膜のＳｉＣ焼結体に対する被着強度は充分に
保てないという問題があった。
製造時の公害問題を除去するために、窒化アルミニウム
を含有させたＳｉＣ焼結体が提供されているが、このよ
うに酸化物を含有しないＳｉＣ焼結体においては、従来
のようにガラス結合を考えて選んだ第１の金属薄膜を、
主体となる第２の金属薄膜の下部に介在させても、該第
２の金属薄膜のＳｉＣ焼結体に対する被着強度は充分に
保てないという問題があった。
上記問題点は、炭化珪素焼結体上に、スパッタリング若
しくは蒸着法によりチタンを主体とする第１の金属薄膜
を形成する工程と、該第１の金属薄膜上に、スパッタリ
ング若しくは蒸着法により主として電気伝導に寄与する
第２の金属薄膜を形成する工程と、該第１の金属薄膜と
炭化珪素基体とを結合せしめる熱処理を行う工程とを含
む本発明による炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方
法によって解決される。
しくは蒸着法によりチタンを主体とする第１の金属薄膜
を形成する工程と、該第１の金属薄膜上に、スパッタリ
ング若しくは蒸着法により主として電気伝導に寄与する
第２の金属薄膜を形成する工程と、該第１の金属薄膜と
炭化珪素基体とを結合せしめる熱処理を行う工程とを含
む本発明による炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方
法によって解決される。
即ち本発明は、スパックリング若しくは蒸着法を用いる
ＳｉＣ焼結体上への金属薄膜の形成方法において、Ｓｉ
Ｃ焼結体及び他の金属との反応性が強いチタン若しくは
チタンを主体とする第１の金属薄膜を、主として電気伝
導に寄与する第２の金属薄膜の下部に介在せしめ、熱処
理を行うことによってＳｉＣ焼結体とチタン若しくはチ
タンを主体とする第１の金属薄膜の界面に化学複合物質
を生成せしめて該ＳｉＣ焼結体と該第１の金属薄膜の被
着強度が高められると同時に、該第１の金属薄膜と電気
伝導に寄与する第２の金属薄膜との界面にも化学複合物
質を生成させて該第１の金属薄膜と第２の金属薄膜の被
着性も高められる。
ＳｉＣ焼結体上への金属薄膜の形成方法において、Ｓｉ
Ｃ焼結体及び他の金属との反応性が強いチタン若しくは
チタンを主体とする第１の金属薄膜を、主として電気伝
導に寄与する第２の金属薄膜の下部に介在せしめ、熱処
理を行うことによってＳｉＣ焼結体とチタン若しくはチ
タンを主体とする第１の金属薄膜の界面に化学複合物質
を生成せしめて該ＳｉＣ焼結体と該第１の金属薄膜の被
着強度が高められると同時に、該第１の金属薄膜と電気
伝導に寄与する第２の金属薄膜との界面にも化学複合物
質を生成させて該第１の金属薄膜と第２の金属薄膜の被
着性も高められる。
これによって、ＳｉＣ焼結体上に極めて強固な被着強度
を有する電気伝導に寄与する金属薄膜が形成される。
を有する電気伝導に寄与する金属薄膜が形成される。
以下本発明を図示実施例により、具体的に説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す工程図、第２図は
第２の実施例を示す工程図で、第３図は金属薄膜の被着
強度試験方法を示す側断面図である。
第２の実施例を示す工程図で、第３図は金属薄膜の被着
強度試験方法を示す側断面図である。
高絶縁抵抗を有する炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体として、
現在は窒化アルミニウムを２〜４５重量％の範囲で含有
し、密度が２ 、８ ／ ｃｍ ’以上のＳｉＣ焼結体
が用いられる。
現在は窒化アルミニウムを２〜４５重量％の範囲で含有
し、密度が２ 、８ ／ ｃｍ ’以上のＳｉＣ焼結体
が用いられる。
以下に示す実施例においては窒化アルミニウムの含有率
２０重量％で密度が３．２８／ａｍ３のＳｉＣ焼結体の
厚さ１．５ ｎ程度の基板を使用した。
２０重量％で密度が３．２８／ａｍ３のＳｉＣ焼結体の
厚さ１．５ ｎ程度の基板を使用した。
第１図に工程図を示したのは、下層にチタン（Ｔｉ）薄
膜を有し上層が銅（Ｃｕ）薄膜よりなるＴｉ／Ｃｕ系金
属薄膜配線を有するＳｉＣ焼結体配線基板を形成する第
１の実施例である。
膜を有し上層が銅（Ｃｕ）薄膜よりなるＴｉ／Ｃｕ系金
属薄膜配線を有するＳｉＣ焼結体配線基板を形成する第
１の実施例である。
この場合、図に示す前処理工程１において先ず、上記Ｓ
ｉＣ焼結体基板の表面を弗酸等により表面処理して清浄
化し、通常行われるように不活性雰囲気中で１００℃程
度の温度で乾燥する。
ｉＣ焼結体基板の表面を弗酸等により表面処理して清浄
化し、通常行われるように不活性雰囲気中で１００℃程
度の温度で乾燥する。
次いでＴｉ蒸着工程２において、上記ＳｉＣ焼結体基板
１上に通常の真空蒸着法により厚さ０．１〜０゜５μｍ
程度のＴｉ７ｍ膜を形成する。
１上に通常の真空蒸着法により厚さ０．１〜０゜５μｍ
程度のＴｉ７ｍ膜を形成する。
次いでＣｕ蒸着工程３において、上記Ｔｉ蒸着と同一蒸
着装置内で引き続いて通常の蒸着条件により、上記Ｔｉ
薄膜上に厚さ２〜３μｍ程度のＣｕ薄膜を形成する。
着装置内で引き続いて通常の蒸着条件により、上記Ｔｉ
薄膜上に厚さ２〜３μｍ程度のＣｕ薄膜を形成する。
次いでシンタ一工程４において、上記基板を水素（Ｈ２
）雰囲気中において、例えば５５０〜６５０℃程度の温
度で約１０程度度加熱して、ＳｉＣ焼結体基板とＴ ｉ
薄膜の界面及びＴｉ薄膜とＣｕ薄膜の界面に化学複合
物質を形成し、ＳｉＣ焼結体基板とＴｉ薄膜の間及びＴ
ｉ薄膜とＣｕＦｌ膜間をそれぞれ強固に結合させる。
）雰囲気中において、例えば５５０〜６５０℃程度の温
度で約１０程度度加熱して、ＳｉＣ焼結体基板とＴ ｉ
薄膜の界面及びＴｉ薄膜とＣｕ薄膜の界面に化学複合
物質を形成し、ＳｉＣ焼結体基板とＴｉ薄膜の間及びＴ
ｉ薄膜とＣｕＦｌ膜間をそれぞれ強固に結合させる。
ここで上記シンタ一温度は、７００℃を越えるとＴｉと
Ｃｕの固溶化による半田濡れ性の低下を生ずる傾向があ
り、また５００℃を割るとＴｉ薄膜とＣｕ薄膜との間の
固着力が低下する傾向があるので、５００〜７００℃の
範囲内で選ばれることが好ましい。
Ｃｕの固溶化による半田濡れ性の低下を生ずる傾向があ
り、また５００℃を割るとＴｉ薄膜とＣｕ薄膜との間の
固着力が低下する傾向があるので、５００〜７００℃の
範囲内で選ばれることが好ましい。
次いでパターンニング工程５において、弗酸系のエッチ
ャントを用いる通常のフォトリソグラフィ技術により上
記Ｔｉ薄膜とＣｕ薄膜との積層膜をパターンニングして
該ＳｉＣ焼結体基板上にＴｉ薄膜とＣｕ薄膜とが積層さ
れてなるＴｉ／Ｃｕ系金属薄膜配線を形成する。
ャントを用いる通常のフォトリソグラフィ技術により上
記Ｔｉ薄膜とＣｕ薄膜との積層膜をパターンニングして
該ＳｉＣ焼結体基板上にＴｉ薄膜とＣｕ薄膜とが積層さ
れてなるＴｉ／Ｃｕ系金属薄膜配線を形成する。
また第２図に工程図を示したのは、下層がチタン（Ｔｉ
）薄膜、中間層がモリブデン（Ｍｏ）薄膜、上層がニッ
ケル（Ｎｉ）薄膜よりなる薄膜配線パターン上に、ニッ
ケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）の鍍金が施されているＴｉ／Ｍ
ｏ／Ｎｉ系金属薄膜配線を有するＳｉＣ焼結体配線基板
を形成する第２の実施例である。
）薄膜、中間層がモリブデン（Ｍｏ）薄膜、上層がニッ
ケル（Ｎｉ）薄膜よりなる薄膜配線パターン上に、ニッ
ケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）の鍍金が施されているＴｉ／Ｍ
ｏ／Ｎｉ系金属薄膜配線を有するＳｉＣ焼結体配線基板
を形成する第２の実施例である。
即ち前記実施例同様、前処理工程１で清浄化したＳｉＣ
焼結体基板上に、Ｔｉ蒸着工程２において前記実施例同
様厚さ０．１〜０．５μｍ程度のＴｉ薄膜を形成し、同
一の蒸着装置内で続いて、Ｍｏｉ着工程３ａにおいて上
記Ｔｉ薄膜上に厚さ２〜３μｍ程度の１Ｉｌｏ薄膜を形
成し、続いてＮｉ蒸着工程３ｂにおいて上記Ｍｏ薄膜上
に厚さ０．５〜１μｍ程度のＮｉ薄膜を形成する。
焼結体基板上に、Ｔｉ蒸着工程２において前記実施例同
様厚さ０．１〜０．５μｍ程度のＴｉ薄膜を形成し、同
一の蒸着装置内で続いて、Ｍｏｉ着工程３ａにおいて上
記Ｔｉ薄膜上に厚さ２〜３μｍ程度の１Ｉｌｏ薄膜を形
成し、続いてＮｉ蒸着工程３ｂにおいて上記Ｍｏ薄膜上
に厚さ０．５〜１μｍ程度のＮｉ薄膜を形成する。
次いでシンタ一工程４において、上記基板をＨ２雰囲気
中において７００〜９００℃の温度に１０分程度加熱し
て、ＳｉＣ基板とＴｉ薄膜の界面、Ｔｉ薄膜とＭ。
中において７００〜９００℃の温度に１０分程度加熱し
て、ＳｉＣ基板とＴｉ薄膜の界面、Ｔｉ薄膜とＭ。
薄膜の界面及びＭｏｆｊＩ膜とＮｉ薄膜の界面にそれぞ
れ化学複合化合物を形成せしめて、ＳｉＣ基板上に上記
積層金属薄膜を強固に固着させる。
れ化学複合化合物を形成せしめて、ＳｉＣ基板上に上記
積層金属薄膜を強固に固着させる。
次いでパターンニング工程５において弗酸系のエッチャ
ントを用いる通常のフォトリソグラフィ技術により上記
Ｔｉ薄膜、 Ｍｏ薄膜、 Ｎｉ薄膜の積層金属薄膜をパ
ターンニングし、該ＳｉＣ焼結体基板上に上記Ｔｉ薄膜
とＭｏ薄膜とＮｉ薄膜が積層されてなるＴｉ／Ｍｏ／Ｎ
ｉ系金属薄膜配線パターンを形成する。
ントを用いる通常のフォトリソグラフィ技術により上記
Ｔｉ薄膜、 Ｍｏ薄膜、 Ｎｉ薄膜の積層金属薄膜をパ
ターンニングし、該ＳｉＣ焼結体基板上に上記Ｔｉ薄膜
とＭｏ薄膜とＮｉ薄膜が積層されてなるＴｉ／Ｍｏ／Ｎ
ｉ系金属薄膜配線パターンを形成する。
次いでＮｉ／Ａｕ鍍金工程６において、上記Ｔｉ／Ｍｏ
／Ｎｉ系金属薄膜配線パターンの表面に厚さ０．５μｍ
程度のＮｉ層を被着し、次いで厚さ２μｍ程度の篩層を
形成し、Ｎｉ／Ａｕ １ｉ金膜を表面に有するＴｉ／Ｍ
ｏ／Ｎｉ系金属薄膜配線パターンが配設されたＳｉＣ焼
結体配線基板が形成される。
／Ｎｉ系金属薄膜配線パターンの表面に厚さ０．５μｍ
程度のＮｉ層を被着し、次いで厚さ２μｍ程度の篩層を
形成し、Ｎｉ／Ａｕ １ｉ金膜を表面に有するＴｉ／Ｍ
ｏ／Ｎｉ系金属薄膜配線パターンが配設されたＳｉＣ焼
結体配線基板が形成される。
第３図は上記金属膜配線パターンの強度測定方法を示す
模式側断面図である。
模式側断面図である。
図中、１１はＳｉＣ焼結体基板、１２は２ｍ１角にパタ
ーンニングした金属薄膜パターン、１３はＬ型に曲げた
０ 、８ ｍｕφのＮｉ１ｌｉＡ、１４は錫−鉛（Ｓｎ
−Ｐｂ）半田を示す。
ーンニングした金属薄膜パターン、１３はＬ型に曲げた
０ 、８ ｍｕφのＮｉ１ｌｉＡ、１４は錫−鉛（Ｓｎ
−Ｐｂ）半田を示す。
この測定方法により、上記第１の実施例に示したＴｉ／
Ｃｕ系金属薄膜においては１．５ｋｇ／ｍ”程度の剥離
強度が得られる。この値は従来のＣｒ／Ｃｕ系金属薄膜
における０、５〜１ｋｇ／龍２に比べ大幅に改善された
値であり、本発明の方法による金属薄膜のＳｉＣ焼結体
基板に対する被着強度が極めて強いことを示している。
Ｃｕ系金属薄膜においては１．５ｋｇ／ｍ”程度の剥離
強度が得られる。この値は従来のＣｒ／Ｃｕ系金属薄膜
における０、５〜１ｋｇ／龍２に比べ大幅に改善された
値であり、本発明の方法による金属薄膜のＳｉＣ焼結体
基板に対する被着強度が極めて強いことを示している。
なお金属薄膜の形成にはスパッタリング法を用いてもよ
い。
い。
この場合スパッタリング装置内でアルゴン雰囲気中にお
いて逆スパッタリングを行いＳｉＣ焼結体の表面に形成
される自然酸化膜（ＳｉＯ□）を除去し、且つＳｉＣ焼
結体表面を粗面化し、続いて直流スパッタリング法によ
りＴｉターゲットから上記ＳｉＣ焼結体上にＴｉ薄膜を
被着させることにより、ＳｉＣ焼結体とＴｉ薄膜との被
着強度を一層向上せしめることが出来る。
いて逆スパッタリングを行いＳｉＣ焼結体の表面に形成
される自然酸化膜（ＳｉＯ□）を除去し、且つＳｉＣ焼
結体表面を粗面化し、続いて直流スパッタリング法によ
りＴｉターゲットから上記ＳｉＣ焼結体上にＴｉ薄膜を
被着させることにより、ＳｉＣ焼結体とＴｉ薄膜との被
着強度を一層向上せしめることが出来る。
なお又、上記実施例では第１の金属薄膜に単体のＴｉを
用いる場合について説明したが、該第１の金属薄膜はＴ
ｉを主体とする合金薄膜であっても良い。
用いる場合について説明したが、該第１の金属薄膜はＴ
ｉを主体とする合金薄膜であっても良い。
そして該Ｔａ若しくはＴｉを主体とする第１の金属薄膜
の厚さは０．０１〜１０μｍの範囲が望ましい。これは
０．０１μｍ未満では第２の金属薄膜との間に介在して
その被着強度を高める効果が不充分で、１０μｍを越え
る厚さの金属薄膜が特にスパッタリング法においては形
成困難なためである。
の厚さは０．０１〜１０μｍの範囲が望ましい。これは
０．０１μｍ未満では第２の金属薄膜との間に介在して
その被着強度を高める効果が不充分で、１０μｍを越え
る厚さの金属薄膜が特にスパッタリング法においては形
成困難なためである。
また第２の金属ｆ！膜の厚さは０．５〜１０μｍの範囲
内が望ましい、これは０．５μｍ未満では充分強固な金
属薄膜とはなり得す、一方１０μｍを越える厚さの金属
薄膜が上記同様特にスパッタリング法においては形成困
難なためである。
内が望ましい、これは０．５μｍ未満では充分強固な金
属薄膜とはなり得す、一方１０μｍを越える厚さの金属
薄膜が上記同様特にスパッタリング法においては形成困
難なためである。
なお該第２の金属薄膜には、上記Ｃｕ、Ｍｏ以外にタン
グステン（−）、タンタル（Ｔａ） 、白金（Ｐｔ）、
パラジウム（Ｐｄ）等が用いられる。
グステン（−）、タンタル（Ｔａ） 、白金（Ｐｔ）、
パラジウム（Ｐｄ）等が用いられる。
以上説明のように本発明によれば、窒化アルミニウムを
含有する高絶縁性の炭化珪素焼結体に、被着強度の極め
て強い金属薄膜を形成することができる。
含有する高絶縁性の炭化珪素焼結体に、被着強度の極め
て強い金属薄膜を形成することができる。
従って炭化珪素焼結体よりなる配線基板やパッケージに
おける金属薄膜パターンの被着強度が大幅に増大し、半
導体チップや外部接続端子の剥がれが防止されるので、
該炭化珪素焼結体よりなる配線基板やパッケージ等を用
いる大規模ＩＣや大電力ＩＣの信頼性の向上が図れる。
おける金属薄膜パターンの被着強度が大幅に増大し、半
導体チップや外部接続端子の剥がれが防止されるので、
該炭化珪素焼結体よりなる配線基板やパッケージ等を用
いる大規模ＩＣや大電力ＩＣの信頼性の向上が図れる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す工程図、第２図は
第２の実施例の工程図、 第３図は金属薄膜の被着強度試験方法を示す模式側断面
図、 第４図は炭化珪素焼結体配線基板の模式側断面図である
。 図において、 １は前処理工程、 ２はＴｉ蒸着工程、 ３はＣｕ蒸着工程、 ３ａはＭｏ蒸着工程、 ３ｂはＮｉ蒸着工程、 ４はシンタ一工程、 ５はパターンニング工程、 ６は鍍金工程、 １１はＳｉＣ焼結体基板、 １２は金属薄膜パターン、 １３はＮｉ線、 １４は５ｎ−Ｐｂ半田、 ５１はＳｉＣ焼結体基板、 ５２は第１の金属薄膜、 ５３は第２の金属薄膜、 を示す。
第２の実施例の工程図、 第３図は金属薄膜の被着強度試験方法を示す模式側断面
図、 第４図は炭化珪素焼結体配線基板の模式側断面図である
。 図において、 １は前処理工程、 ２はＴｉ蒸着工程、 ３はＣｕ蒸着工程、 ３ａはＭｏ蒸着工程、 ３ｂはＮｉ蒸着工程、 ４はシンタ一工程、 ５はパターンニング工程、 ６は鍍金工程、 １１はＳｉＣ焼結体基板、 １２は金属薄膜パターン、 １３はＮｉ線、 １４は５ｎ−Ｐｂ半田、 ５１はＳｉＣ焼結体基板、 ５２は第１の金属薄膜、 ５３は第２の金属薄膜、 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、炭化珪素焼結体上に、スパッタリング若しくは蒸着
法によりチタンを主体とする第１の金属薄膜を形成する
工程と、 該第１の金属薄膜上に、スパッタリング若しくは蒸着法
により主として電気伝導に寄与する第２の金属薄膜を形
成する工程と、 該第１の金属薄膜と炭化珪素基体とを結合せしめる熱処
理を行う工程とを含むことを特徴とする炭化珪素焼結体
上への金属薄膜の形成方法。 ２、上記第１の金属薄膜が、０．０１〜１０μｍの膜厚
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方法。 ３、上記炭化珪素焼結体が窒化アルミニウムを含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の炭化珪素焼結
体上への金属薄膜の形成方法。 ４、上記炭化珪素焼結体が予め逆スパッタリング処理を
施されたものであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61062380A JPS62222054A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61062380A JPS62222054A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222054A true JPS62222054A (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=13198451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61062380A Pending JPS62222054A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 炭化珪素焼結体上への金属薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222054A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51125641A (en) * | 1974-08-05 | 1976-11-02 | Ngk Insulators Ltd | Process for metallizing ceramics |
| JPS58140381A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体表面の金属化法 |
| JPS6191354A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Canon Inc | 耐摩耗性多層膜付き母材 |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP61062380A patent/JPS62222054A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51125641A (en) * | 1974-08-05 | 1976-11-02 | Ngk Insulators Ltd | Process for metallizing ceramics |
| JPS58140381A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体表面の金属化法 |
| JPS6191354A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Canon Inc | 耐摩耗性多層膜付き母材 |
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