JPS62216386A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS62216386A JPS62216386A JP61058080A JP5808086A JPS62216386A JP S62216386 A JPS62216386 A JP S62216386A JP 61058080 A JP61058080 A JP 61058080A JP 5808086 A JP5808086 A JP 5808086A JP S62216386 A JPS62216386 A JP S62216386A
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- Japan
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- light emitting
- type gaas
- znse
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 4
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光あるいはレーザ発振をする半導体発光素
子に関する。
子に関する。
半導体発光素子は、光情報処理用の光源として最近その
重要性を増してきている。特に、波長０゜５８〜０．６
８ＩＩｍの可視光半導体発光素子として、活性層に（Ａ
ＡＸ Ｇ ａ ＋−ｘ ）０．ｓ Ｉ ｎｌｌ＋ｓ
Ｐ （０≦ｘ ＜１）、クラッド層に（Ａｉ！ｙ Ｇａ
＋−ｙ ）０．５ｌｎ０．ｓ Ｐ（０＜ Ｘ ＜Ｖ ＜
１）を用いたダブルヘテロ構造発光素子が注目されてい
る。
重要性を増してきている。特に、波長０゜５８〜０．６
８ＩＩｍの可視光半導体発光素子として、活性層に（Ａ
ＡＸ Ｇ ａ ＋−ｘ ）０．ｓ Ｉ ｎｌｌ＋ｓ
Ｐ （０≦ｘ ＜１）、クラッド層に（Ａｉ！ｙ Ｇａ
＋−ｙ ）０．５ｌｎ０．ｓ Ｐ（０＜ Ｘ ＜Ｖ ＜
１）を用いたダブルヘテロ構造発光素子が注目されてい
る。
この構造の半導体発光素子を、従来例を用いて説明する
。第２図において、ｎ型ＧａＡｓ基板１」二に順次ｎ型
ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型（ＡｌＯ，３Ｇａ ０．ｔ
）０．ｓ Ｉ ｎ０．ｓ Ｐクラッド層２３、アンド
ープＧａ０．ｓ Ｉ ｎ０．ｓ Ｐ活性層２４、ｐ型
（ＡＩＱ、ｌ Ｇａ０．７）０．５１ ｎ０．ｓ Ｐク
ラッド層２５、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流ブロック層２６
、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２７が形成されている。符号
８はｐ電極、９はｎ電極である。
。第２図において、ｎ型ＧａＡｓ基板１」二に順次ｎ型
ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型（ＡｌＯ，３Ｇａ ０．ｔ
）０．ｓ Ｉ ｎ０．ｓ Ｐクラッド層２３、アンド
ープＧａ０．ｓ Ｉ ｎ０．ｓ Ｐ活性層２４、ｐ型
（ＡＩＱ、ｌ Ｇａ０．７）０．５１ ｎ０．ｓ Ｐク
ラッド層２５、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流ブロック層２６
、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２７が形成されている。符号
８はｐ電極、９はｎ電極である。
この構成の発光素子では、クラッド層のＡＩＬ組成を適
当に選ぶことにより、活性層への注入キャリアおよび光
の閉じ込めを充分に行うことができる。また、ｎ型Ｇａ
ｐｓ電流ブロック層により電流狭窄を行うことができる
利点があった。
当に選ぶことにより、活性層への注入キャリアおよび光
の閉じ込めを充分に行うことができる。また、ｎ型Ｇａ
ｐｓ電流ブロック層により電流狭窄を行うことができる
利点があった。
ところが、（Ａ Ｉｌ０．、ｌＧ ａ０．ｔ）０．ｓ
Ｉ ｎ０．ｓ Ｐのような４元混晶を放熱経路、すなわ
ら活性層の周囲に用いた場合、周囲の層の熱抵抗が高く
なる。
Ｉ ｎ０．ｓ Ｐのような４元混晶を放熱経路、すなわ
ら活性層の周囲に用いた場合、周囲の層の熱抵抗が高く
なる。
このため、連続操作をさせると、素子の温度」二昇が大
きくなり過ぎ、高性能、高信頼を得ることができなかっ
た。
きくなり過ぎ、高性能、高信頼を得ることができなかっ
た。
本発明の目的は、この様な従来の欠点を除去し、発光効
率の高い高性能、高信頼性の半導体発光素子を提供する
ことにある。
率の高い高性能、高信頼性の半導体発光素子を提供する
ことにある。
本発明はＧａＡｓ基板上に（Ａ ７！ｘ Ｇ ａ ｌ−
ｗ ）０．５Ｉｎ０．ｓＰを活性層とし、（Ａ ｊ！、
Ｇ ａ ＋−ｙ ）０．５Ｉｎ０．ｓＰ をクラッ
ド層とするダブルヘテロ構造を有する（ここでにおよび
ｙは０≦Ｘ’＜ｙ−≦−１である）半導体レーザにおい
て、該ダブルヘテロ構造がストライプ状の構造であり、
該ダブルヘテロ構造をメサ型に形成し、さらに該メサ構
造のストライプ側面にＺｎＳｅを理め込んで成ることを
特徴とする。
ｗ ）０．５Ｉｎ０．ｓＰを活性層とし、（Ａ ｊ！、
Ｇ ａ ＋−ｙ ）０．５Ｉｎ０．ｓＰ をクラッ
ド層とするダブルヘテロ構造を有する（ここでにおよび
ｙは０≦Ｘ’＜ｙ−≦−１である）半導体レーザにおい
て、該ダブルヘテロ構造がストライプ状の構造であり、
該ダブルヘテロ構造をメサ型に形成し、さらに該メサ構
造のストライプ側面にＺｎＳｅを理め込んで成ることを
特徴とする。
第１図を用いて本発明の詳細な説明する。
ｎ型ＧａＡｓ１板１上にエピタキシャル成長法により、
順次ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型（ＡＩ！ｙ Ｇａ
＋−ｙ）０．５Ｔｎ０．ｓ Ｐ層３、アンドープ（Ａ
ｌｚ Ｇ ａ ＋−ｘ ）０．ｓ Ｉ ｎ０．ｓ Ｐ層
４、ｐ型（Ａｊ！、Ｇａ＋−ｙ ）０．５ｌｎ０．ｓ
Ｐ層５およびｐ型ＧａＡＳ層６を形成する。ここで、Ｘ
およびｙはＱ ＜Ｘ ＜ｙ ＜ｌである。さらに、ｎ型
（ＡＮ。
順次ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型（ＡＩ！ｙ Ｇａ
＋−ｙ）０．５Ｔｎ０．ｓ Ｐ層３、アンドープ（Ａ
ｌｚ Ｇ ａ ＋−ｘ ）０．ｓ Ｉ ｎ０．ｓ Ｐ層
４、ｐ型（Ａｊ！、Ｇａ＋−ｙ ）０．５ｌｎ０．ｓ
Ｐ層５およびｐ型ＧａＡＳ層６を形成する。ここで、Ｘ
およびｙはＱ ＜Ｘ ＜ｙ ＜ｌである。さらに、ｎ型
（ＡＮ。
Ｇ ａ ＋−ｙ ）０．ｓ Ｉ ｎ０．５Ｐ層３からｐ
型ＧａＡｓ層６までをメサ形に形成し、高抵抗なＺｎＳ
ｅをエピタキシャル成長させてこのメサ型を理め込む。
型ＧａＡｓ層６までをメサ形に形成し、高抵抗なＺｎＳ
ｅをエピタキシャル成長させてこのメサ型を理め込む。
さらにｐ電極８、ｎ電極９を形成する。
各層のうち、レーザあるいはＬＥＤの活性層はアンドー
プ（Ａ １ｘ Ｇ ａ １−ｘ ）０．ｓ Ｔ ｎ０．
５ Ｐ層４で、ここに注入キャリアおよび光の閉じ込め
を充分に行うように、ｎ型およびｐ型（Ａβｙ Ｇ ａ
＋ −ｙ ）０．ｓ Ｔ ｎ０．５ Ｐ層３．５のＡ
７！組成比ｙを選ぶ。
プ（Ａ １ｘ Ｇ ａ １−ｘ ）０．ｓ Ｔ ｎ０．
５ Ｐ層４で、ここに注入キャリアおよび光の閉じ込め
を充分に行うように、ｎ型およびｐ型（Ａβｙ Ｇ ａ
＋ −ｙ ）０．ｓ Ｔ ｎ０．５ Ｐ層３．５のＡ
７！組成比ｙを選ぶ。
このような構成によれば、理め込み層であるＺｎＳｅ層
は、（Ａ ｊ！ｘ Ｇ ａ ｌ−Ｘ ）０．５ Ｔ ｎ
６．５ Ｐよりもエネルギーギャップが充分に大きく、
高抵抗層に形成されているため、電漆注入およびキャリ
アの閉じ込めが充分に効率良く行なえる。また、ＺｎＳ
ｅの格子定数は、ＧａＡｓのそれと等しいため、メサを
理め込むことにより、素子内に歪を導入することによる
素子機能の低下を招くことがない。
は、（Ａ ｊ！ｘ Ｇ ａ ｌ−Ｘ ）０．５ Ｔ ｎ
６．５ Ｐよりもエネルギーギャップが充分に大きく、
高抵抗層に形成されているため、電漆注入およびキャリ
アの閉じ込めが充分に効率良く行なえる。また、ＺｎＳ
ｅの格子定数は、ＧａＡｓのそれと等しいため、メサを
理め込むことにより、素子内に歪を導入することによる
素子機能の低下を招くことがない。
本発明を従来例のものと比較すると、注入キャリアおよ
び光の閉じ込めについては、第２図に示したような従来
のダブルヘテロ構造の機能を損なうことなく、さらに以
下に述べるような新たな利点を有する。
び光の閉じ込めについては、第２図に示したような従来
のダブルヘテロ構造の機能を損なうことなく、さらに以
下に述べるような新たな利点を有する。
従来の４元混晶（Ａ ｅ ｕＧ ａ ＋−ｕ）ｖ Ｉｎ
＋−ｖＰは熱抵抗が大きい。一般に多元混晶は、構成
元素の種類の少ない混晶と較べて熱抵抗が大きいことが
知られている。これは多元になる程、結晶格子の乱雑さ
が増すためであり、４元混晶（Ａ １２ 、Ｇ ａ＋−
ｕ）０．ｓｌ ｎ０．ｓ Ｐの場合、ｕ ＝ ０．５付
近で熱抵抗率は極大値をもち、その値は約１４ ｄｅｇ
−ｃｍ／−となる。この熱抵抗率は、Ｕの値に依存し、
通常８〜１４ ｄｅｇ−ｃｍ／ＩＩの範囲の値をもつ。
＋−ｖＰは熱抵抗が大きい。一般に多元混晶は、構成
元素の種類の少ない混晶と較べて熱抵抗が大きいことが
知られている。これは多元になる程、結晶格子の乱雑さ
が増すためであり、４元混晶（Ａ １２ 、Ｇ ａ＋−
ｕ）０．ｓｌ ｎ０．ｓ Ｐの場合、ｕ ＝ ０．５付
近で熱抵抗率は極大値をもち、その値は約１４ ｄｅｇ
−ｃｍ／−となる。この熱抵抗率は、Ｕの値に依存し、
通常８〜１４ ｄｅｇ−ｃｍ／ＩＩの範囲の値をもつ。
そこで、熱抵抗を少なくするために、放熱を行う活性層
の周囲の半導体層を、構成元素の種類の少ない混晶にす
ることが望ましい。従って、本発明のようにダブルヘテ
ロ構造をメサ型に形成し、周囲を２元結晶のＺｎＳｅで
理めることにより、熱抵抗の」二昇を低減させることが
できる。
の周囲の半導体層を、構成元素の種類の少ない混晶にす
ることが望ましい。従って、本発明のようにダブルヘテ
ロ構造をメサ型に形成し、周囲を２元結晶のＺｎＳｅで
理めることにより、熱抵抗の」二昇を低減させることが
できる。
以下、実施例につき本発明を説明する。
第１図において、赤色可視半導体レーザのダブルヘテロ
構造として活性層にアンドープ（ＡＩｌ０．ｌＧ ａ
０．、）０．ｓ Ｔ ｎ ０．ｓＰ活性層４、ｎ型お
よびｐ型りラッド層に（Ａｊ！０．ａ Ｇａ０．ａ）０
．ｓ Ｔ ｎ０．ｓＰクラッド層３および５を用いた。
構造として活性層にアンドープ（ＡＩｌ０．ｌＧ ａ
０．、）０．ｓ Ｔ ｎ ０．ｓＰ活性層４、ｎ型お
よびｐ型りラッド層に（Ａｊ！０．ａ Ｇａ０．ａ）０
．ｓ Ｔ ｎ０．ｓＰクラッド層３および５を用いた。
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に順次厚さ１．０−のｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２、厚さ１．０−のｎ型（Ａβ０．ｂ Ｇ
ａ０．ｎ）０．ｓ Ｔ ｎ＋＋、ｓ Ｐクラッド層３
、厚さ０．１ ｔｓのアンドープＣＡ１０．＋ Ｇａ０
．）０．ｓ Ｔ ｎ。、ｓ ｐ活性層４、厚さ１．０
ｐのｐ型（Ａ７！。、。
ｓバッファ層２、厚さ１．０−のｎ型（Ａβ０．ｂ Ｇ
ａ０．ｎ）０．ｓ Ｔ ｎ＋＋、ｓ Ｐクラッド層３
、厚さ０．１ ｔｓのアンドープＣＡ１０．＋ Ｇａ０
．）０．ｓ Ｔ ｎ。、ｓ ｐ活性層４、厚さ１．０
ｐのｐ型（Ａ７！。、。
Ｇ ａ０．４）０．ｓ Ｉ ｎ６．５ Ｐクラッド層
５、厚さ１．０岬のｐ型ＧａＡｓ層６を形成する。
５、厚さ１．０岬のｐ型ＧａＡｓ層６を形成する。
ダブルヘテロ構造の層３〜６の形状をメサ型にして、幅
１０卿、長さ２００屡のストライプ状に形成する。この
メサ型の周囲に、高抵抗なＺｎＳｅ層７をエピタキシャ
ル成長させ、メサ型を理め込むような構造にする。次い
で、層７側にｐ電極、基板１にｎ電極を形成する。
１０卿、長さ２００屡のストライプ状に形成する。この
メサ型の周囲に、高抵抗なＺｎＳｅ層７をエピタキシャ
ル成長させ、メサ型を理め込むような構造にする。次い
で、層７側にｐ電極、基板１にｎ電極を形成する。
このような構造では、例えば、電流注入領域から１〇−
離れたところまで、電流注入領域周辺の半導体層の熱抵
抗が関与しているとするとＺｎＳｅＯ熱抵抗率は２ｄｅ
ｇ −ｃｍ／Ｗであるので、電流注入領域周辺の半導
体層の熱抵抗が５ｄｅｇ／Ｗとなる。
離れたところまで、電流注入領域周辺の半導体層の熱抵
抗が関与しているとするとＺｎＳｅＯ熱抵抗率は２ｄｅ
ｇ −ｃｍ／Ｗであるので、電流注入領域周辺の半導
体層の熱抵抗が５ｄｅｇ／Ｗとなる。
ところが、本実施例の場合と同じ電流注入領域をもつが
メサ領域はＺｎＳｅで理め込まれていない従来例の場合
、電流注入領域周辺の半導体層の熱抵抗は、３５ｄｅｇ
／ＩＱである。
メサ領域はＺｎＳｅで理め込まれていない従来例の場合
、電流注入領域周辺の半導体層の熱抵抗は、３５ｄｅｇ
／ＩＱである。
第１図に示した本発明の実施例では、従来例と較べて熱
抵抗を小さくすることができ、電流注入領域も含め５２
．５ｄｅｇ／−から２２．５ｄｅｇ／Ｗとすることがで
き、活性層の温度上昇を約１７２にすることができた。
抵抗を小さくすることができ、電流注入領域も含め５２
．５ｄｅｇ／−から２２．５ｄｅｇ／Ｗとすることがで
き、活性層の温度上昇を約１７２にすることができた。
本実施例では、各層の組成、導電型を特定したが、本発
明は他の組成、導電型にも応用できる。
明は他の組成、導電型にも応用できる。
以上述べたように、本発明によれば注入キャリアおよび
光の閉じ込めについては、従来のダブルヘテロ構造の機
能を損なうことなく、さらに熱抵抗を下げることにより
、その特性および信顛性を向上させた半導体発光素子を
提供することができる。
光の閉じ込めについては、従来のダブルヘテロ構造の機
能を損なうことなく、さらに熱抵抗を下げることにより
、その特性および信顛性を向上させた半導体発光素子を
提供することができる。
第１図は本発明の実施例を示す半導体発光素子の断面図
であり、 第２図は従来の実施例を示す断面図である。 ｌ・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ２・・・ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３−−・ｎ型（Ａｎｙ Ｇａ＋−ｙ）０．５ｌｎ０．ｓ
Ｐ層またはｎ型（Ａｌ０．ｂ Ｇａ０．ｓ）０．ｓ
Ｉ ｎ０．ｓＰツク５フ層 ４・・・アンドープ（Ａ Ｉｌ＊ Ｇ ａ Ｉ−Ｘ ）
０．ｓ Ｉ ｎ０．ｓ Ｐ層またはアンドープ（Ａｆ０
．＋ Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層 ５−Ｐ型（Ａｌ１ｙ Ｇａ＋−ｙ ）ａ、ａｌ ｎ０．
ｓ Ｐ層またはｐ型（Ａｌ！０．ｂ Ｇａ１１．４）１
１．ｓ Ｉ ｎ０．ｓＰツク５フ層 ６−Ｄ型ＧａＡｓ１ｉ ７・・・高抵抗なＺｎＳｅ層 ８・・・ｐ電極 ９・・・ｎ電極 ２３＝・ｎ型（Ａｊ！０．ｓ Ｇａ０．ｔ）０．ｓ ｒ
ｎ０．ｓ Ｐクラッド層 ２４−・・アンドープＧａ０．ｓ Ｉｎ０．Ｂ Ｐ活
性層２５−ｐ型（Ａ＃０．＋ Ｇａ０．）０．ｓ Ｉ
ｎ０．ｓ Ｐクラッド層
であり、 第２図は従来の実施例を示す断面図である。 ｌ・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ２・・・ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３−−・ｎ型（Ａｎｙ Ｇａ＋−ｙ）０．５ｌｎ０．ｓ
Ｐ層またはｎ型（Ａｌ０．ｂ Ｇａ０．ｓ）０．ｓ
Ｉ ｎ０．ｓＰツク５フ層 ４・・・アンドープ（Ａ Ｉｌ＊ Ｇ ａ Ｉ−Ｘ ）
０．ｓ Ｉ ｎ０．ｓ Ｐ層またはアンドープ（Ａｆ０
．＋ Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層 ５−Ｐ型（Ａｌ１ｙ Ｇａ＋−ｙ ）ａ、ａｌ ｎ０．
ｓ Ｐ層またはｐ型（Ａｌ！０．ｂ Ｇａ１１．４）１
１．ｓ Ｉ ｎ０．ｓＰツク５フ層 ６−Ｄ型ＧａＡｓ１ｉ ７・・・高抵抗なＺｎＳｅ層 ８・・・ｐ電極 ９・・・ｎ電極 ２３＝・ｎ型（Ａｊ！０．ｓ Ｇａ０．ｔ）０．ｓ ｒ
ｎ０．ｓ Ｐクラッド層 ２４−・・アンドープＧａ０．ｓ Ｉｎ０．Ｂ Ｐ活
性層２５−ｐ型（Ａ＃０．＋ Ｇａ０．）０．ｓ Ｉ
ｎ０．ｓ Ｐクラッド層
Claims (1)
- （１）ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）
＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐを活性層とし、（Ａｌ
＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５
Ｐをクラッド層とする（ここで、ｘおよびｙは０≦ｘ＜
ｙ≦１である）ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザ
において、該ダブルヘテロ構造がストライプ状の構造で
あり、該ダブルヘテロ構造をメサ型に形成し、さらに該
メサ構造のストライプ側面をＺｎＳｅに理め込んで成る
ことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058080A JPS62216386A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058080A JPS62216386A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216386A true JPS62216386A (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=13073937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61058080A Pending JPS62216386A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216386A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457780A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Seiko Epson Corp | Semiconductor laser |
| JPH01135086A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
| WO1990003055A1 (en) * | 1988-09-01 | 1990-03-22 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and method of producing the same |
| JPH02205381A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US5170404A (en) * | 1989-09-04 | 1992-12-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device suitable for optical communications systems drive |
| JPH08130346A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-21 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61058080A patent/JPS62216386A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457780A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Seiko Epson Corp | Semiconductor laser |
| JPH01135086A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
| WO1990003055A1 (en) * | 1988-09-01 | 1990-03-22 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and method of producing the same |
| JPH02205381A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US5170404A (en) * | 1989-09-04 | 1992-12-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device suitable for optical communications systems drive |
| JPH08130346A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-21 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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