JPS62214309A - 表面粗さ・形状測定装置 - Google Patents

表面粗さ・形状測定装置

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JPS62214309A
JPS62214309A JP5880886A JP5880886A JPS62214309A JP S62214309 A JPS62214309 A JP S62214309A JP 5880886 A JP5880886 A JP 5880886A JP 5880886 A JP5880886 A JP 5880886A JP S62214309 A JPS62214309 A JP S62214309A
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JP
Japan
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surface roughness
reflecting mirror
phase
measured
photoelectric conversion
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JP5880886A
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Osami Sasaki
修己 佐々木
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は表面粗さ・形状測定装置に係り、特に正弦波位
相変調されたレーザー光を参照光として用いた干渉法に
よる表面粗さ・形状測定装置に関する。
〔発明の背景〕 周知の如く、表面粗さ測定装置には、接触式と非接触式
との2つのタイプがある。接触式は触針で被測定物上を
移動する為、被測定物を傷付ける虞がある。この為、表
面粗さ測定装置としては非接触式が有利である。
従来、被測定物の表面粗さを非接触で測定する方法とし
てフェーズ・ロック干渉法がある。この方法を第5図に
示す干渉計について説明する。単色点光源1から発せら
れた光は、レンズ2によって平行な光に広げられ、ビー
ムスプリンタ3によって分割されて被測定物4及び反射
鏡5に入射される。
この被測定物4で反射した物体光と反射鏡5で反射した
参照光は互いに干渉し、レンズ6を介して光電検出器7
に専かれる。反射鏡5は、振動子8によって光の波長の
数分の一以下の微小振幅で正弦波上に振動が加えられて
いるのでその振幅をa、周波数をfとすると、干渉パタ
ーン上の任意の点Xでの光の複素振幅は次のように表わ
せるV (x、 t)  = u o(x)cxp  
 i  (w、L  +φ。(x)  )十u、 ex
p(i  (w、t+φ。
ただし、uo(x)およびφ。(x)はそれぞれ物体光
の振幅と位相であり、u、およびφ、はそれぞれ参照光
の振幅と位相である。
これから強度は 1 (x、t) = uo ”(x) + u、 z+
 2 uo(x)u、 cos  (φr−φo(x)
+(4π/λ) a sin (2rc ft)  ・
(2)となる。これは三角関数の加法定理およびBe5
sel関散の展開公式を利用すると、次のようになる。
I(x、t)  =lJ0”(x)+u、  ”+2u
、(x) u、 CO3Cφ、−φ。(x) )×し。
〔(4π/λ)a) +2J2  ((4π/λ)a) XCO5(4W ft) +・・・・・・1−2 uo
(x) u、 sin  (ψ、−φ。(×)〕X 1
2JI ((4π/λ)a) sin  (2π ft) ”2J+  ((4π/λ)a) sin (6πft) +−・”J  −(3)これを
前記光電検出器7によって検出し、位相変調の周波数と
同じ周波数成分のみをフィルターで取り出すと、得られ
る信号は、 S(x、t)=−4uo(x)urJ+  ((4yr
/λ)a)Xsin  (φ、−φo(x) ) X5
in  (2Tt f t )     −(4)とな
る。φ1−φ。(x)は位相変調しないときにできる干
渉縞の位相である。u、(x)は君、激に変化しないと
すると、S (x、 t)の振幅はsin  (φ、−
φ。
(×)〕によって変化するこれは、 φ、−φ。(x) =n 7cn=0.  ±11 ±
2 、 − (5)のときOになる。この条件は光電検
出器の位置に干渉縞の強度の最大または最小があること
に対応する。干渉縞の位置がずれると、S (x、 t
)の振幅が大きくなり、また、ずれの方向によってS 
(x、 t)の符号が異なる。したがって、S (x、
 t)の振幅を誤差信号として、これが0になるように
参照先の振動反射鏡を移動させて位相の直流分φ1を変
えると、干渉縞の強度の最大または最小が常に光電検出
器の位置に一致(フェーズ・ロック)するようにできる
。反射鏡5を移動させるのに必要な信号の大きさ、すな
わち位相の直流分の変化がら、物体光の位相が符号も含
めて求められる。そして、この位相から被測定物4の表
面粗さを測定するようにしている。
しかし、この方法は反射鏡5を振動させながら、1波長
内で精度よく変位させるのが難しいという問題があった
〔発明の目的〕
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、反射
鏡を変位させずに振動のみで表面粗さを測定することが
できる表面粗さ・形状測定装置を提供することを目的と
する。
〔発明の概要〕
本発明は前記目的を達成するために、レーザー発振器と
、反射鏡と、この反射鏡を正弦波振動させる手段と、光
強度を電気信号に変換出力する光電変換手段と、前記レ
ーザー発振器から発振されるレーザー光を前記反射鏡お
よび被測定物に分割して入射させるとともに、これらの
反射光をそれぞれ参照光および物体光として干渉させ、
その干渉信号を前記光電変換手段に入射させる光学手段
と、前記光電変換手段からの電気信号をデジタル信号に
変換するA/D変換器と、このA/D変換器によって変
換されたデジタル信号を記憶する記憶手段と、この記憶
手段に記憶されたデータに基づいて前記干渉信号をフー
リエ変換し、このフーリエ変換より被測定物の表面形状
に対応する位相を算出する手段と、この算出した位相お
よびレーザー光の波長に基づいて表面粗さを求める手段
とを備えたことを特徴としている。
〔発明の実施例〕
以下添付図面に従って本発明に係る表面粗さ・形状測定
装置の好ましい実施例を詳説する。
第1図において、レーザー発振器1oは可干渉なレーザ
ー光をビームスプリッタ12に入射し、ビームスプリッ
タ12はこのレーザー光を分割してそれぞれ反射鏡14
および被測定物16に入射させる。反射鏡14は圧電素
子18によって正弦波振動が加えられており、この反射
鏡I4によって反射する参照先は正弦波位相変調される
。この参照光と被測定物16からの反射光(物体光)は
それぞれビームスプリッタ12を通って干渉し、この干
渉信号はレンズ2oを通ってCCDイメージセンサ22
に入射される。
ここで、圧電素子18による正弦波振動の振幅をa、角
周波数をWc、初期位相をθとすると、CCDイメージ
センサ22上(U軸上)の光強度分布は、 S (t、u)  =1 +cos (Z  cos(
wct十θ)+α(U月        ・・・(6)
Z=(4π/λ) a となる。ただし、上式において、光強度の直流分および
交流骨の振幅は1としている。そして、第(6)式にお
けるα(u)が物体面の表面粗さに対応する位相である
CCDイメージセンサ22によりS(t、u)を蓄積時
間Ta、繰り返し時間Δtで検出した場合、1つのフォ
トセンサから得られる信号は、次式、で表現できる。C
CDイメージセンサ22は上記第(7)式のg (nΔ
t)を示すアナログ信号を遂次出力し、このアナログ信
号はA/D変換器24でデジタル信号に変換されたのら
メモリ26に記憶される。
コンピュータ28はメモリ26に記憶されたデータから
離散フーリエ変換を実行し、表面粗さに対応する位相α
(u)を求める。
すなわち、g (nΔt) 、S (nΔt)の離散フ
ーリエ変換をG (mΔf) 、F (mΔf)とすた
だし、(n=o、−、N−1)、 Δf=1/NΔ む
 、    (m=  −(N/2)   −1,−、
0,−、N/2)となる。したがって、g (nΔt)
よりS (nΔt)の離散フーリエ変換F (mΔf)
が求められる。そして、F C1ωc/ 2π)(#=
1.2.3)より位ト目α(u)が得られ、この位相α
(u) とレーザー光の波長λから、表面粗さr=(λ
/4π)α(u)が求められる。
上記測定装置によりブロックゲージの表面粗さを測定し
た。ここで、CCDイメージセンサ22からは光が照射
されている34X31画素からの信号のみを取り出した
。このときのクロック周波数はL OMtlz、 Ta
 =Δt = (2x/ ωc)/16゜ωc/2π−
300Hz、 N=128.像の倍率は2.9である。
結像レンズの焦点面において零周波数成分付近だけを取
り出すことで得られる参照波面の傾きは、第2図のよう
になり、この第2図の値を除去した表面粗さ形状は第3
図のようになった。なお、上記実施例では離散フーリエ
変換を行うようにしたが、これに限らず高速フーリエ変
換など他のフーリエ変換を行うようにしてもよい。
次に、CCDイメージセンサで検出される干渉信号の積
分値をそのまま用いて表面粗さを得る更に他の実施例に
ついて説明する。
CCDイメージセンサの光強度分布5(t)は、5(t
) =x+ +S、 cos(Z cos (wct+
θ)十α〕・・・(11)となる(第(6)式参照)。
ただし、X、は光強度の直流分、Soは交流骨の振幅で
ある。
ここで、周期T=2π/ w cの干渉信号に対して、
CCDイメージセンサにより次の積分検出値yエ (i
=1〜4)を得る。
x、 = S、cos α、x、=Sosin αとす
ると、を得る。なお、g直、ht は2、θで決まる定
数である。この弐(13)より となり、α=jan −’ (X3/X2)が求められ
る。Z、θの値は行列Aが最も解きやすくなるように決
める。行列Aの特異値Si4二ついて、C=(Σ1/ 
S i”) ”2S +lI を求めた。第4図の結果より、Z=2.31、θ=45
6が最適であることがわかる。
なお、これらの他の実施例も第1図に示した装置と同様
な装置によって実現でき、コンピュータ28による処理
内容が異なるだけである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係る表面粗さ・形状測定装
置によれば、干渉信号を演算処理することにより表面粗
さを計測するようにしたため、反射鏡は正弦波振動させ
るだけでよく、反射鏡を精度良く変位させる機構等が不
要となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る表面粗さ・形状測定装置の一実施
例を示す構成図、第2図及び第3図はそれぞれ第1図の
装置によって計測した参照波面の傾き及びこの傾きを除
去した表面粗さを示す図、第4図は更に他の測定方法に
於けるZとθの最適値を示すグラフ図、第5図は従来の
フェーズ・ロック干渉法を説明する為に用いた構成図で
ある。 10・・・レーザー発振H112・・・ビームスプリッ
タ、  14・・・反射鏡、  16・・・被測定物、
 18・・・圧電素子、 20・・・レンズ、 22・
・・CCDイメージセンサ、 24・・・A/D変換器
、 26・・・メモリ、  28・・・コンピュータ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザー発振器と、反射鏡と、この反射鏡を正弦
    波振動をさせる手段と、光強度を電気信号に変換出力す
    る光電変換手段と、前記レーザー発振器から発振される
    レーザー光を前記反射鏡及び被測定物に分割して入射さ
    せるとともに、これらの反射光をそれぞれ参照光及び物
    体光として干渉させ、その干渉信号を前記光電変換手段
    に入射させる光学手段と、前記光電変換手段からの電気
    信号をディジタル信号に変換するA/D変換器と、この
    A/D変換器によって変換されたディジタル信号を記憶
    する記憶手段と、この記憶手段に記憶されたデータに基
    づいて前記干渉信号をフーリエ変換し、このフーリエ変
    換より被測定物の表面形状に対応する位相を算出する手
    段と、この算出した位相及びレーザー光の波長に基づい
    て表面粗さを求める手段と、を備えた表面粗さ・形状測
    定装置。
  2. (2)レーザー発振器と、反射鏡と、この反射鏡を同期
    Tで正弦波振動させる手段と、光強度をT/4時間蓄積
    しその蓄積時間毎に電気信号に変換出力する光電変換手
    段と、前記レーザー発振器から発振されるレーザー光を
    前記反射鏡及び被測定物に分割して入射させるとともに
    、これらの反射光をそれぞれ参照光及び物体光として干
    渉させ、その干渉信号を前記光電変換手段に入射させる
    光学手段と、前記光電変換手段からの電気信号をディジ
    タル信号に変換するA/D変換器と、このA/D変換器
    によって変換されたディジタル信号を記憶する記憶手段
    に記憶された前記正弦波振動の1周期に対応する4つの
    データをy_1、y_2、y_3及びy_4とし、x_
    2及びx_3をそれぞれ、前記干渉信号の振幅をS_0
    として、次式、 x_3=S_0cosα、x_3=S_0sinαで定
    義し、前記4つのデータy_1、y_2、y_3、y_
    4、前記正弦波振動の振幅及び初期位相で決まる定数g
    _1、g_2、h_1、h_2に基づいて前記x_2及
    びx_3を、次式、 x_2=(y_1−y_2+y_3−y_4)/2(g
    _1−g_2)、x_3=(y_1+y_2−y_3−
    y_4)/2(h_1+h_2)によって算出する第1
    の演算手段と、この算出したx_2、x_3に基づいて
    被測定物の表面形状に対応する位相αを、次式、 α=tan^−^1(x_3/x_2) から算出する第2の演算手段と、この算出した位相α及
    びレーザー光の波長に基づいて表面粗さを求める手段と
    、を備えた表面粗さ・形状測定装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006189339A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Niigata Univ 薄膜形状測定方法および薄膜形状測定装置

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JPS5958305A (ja) * 1982-09-29 1984-04-04 Hitachi Ltd 測定方法及びその装置

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