JPS62208682A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPS62208682A JPS62208682A JP61049770A JP4977086A JPS62208682A JP S62208682 A JPS62208682 A JP S62208682A JP 61049770 A JP61049770 A JP 61049770A JP 4977086 A JP4977086 A JP 4977086A JP S62208682 A JPS62208682 A JP S62208682A
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- hall element
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＤＣブラソシュレスモークや磁石の位置検出
装置に使用される磁気センサに関する。
装置に使用される磁気センサに関する。
本発明はホール素子を用いて磁気・電気変換を行う磁気
センサにおいて、同一半導体チノブ上に形成された複数
のホール素子の出力端子に発生ずるホール電圧を加算す
ることにより高感度の６Ｉ気検出ができるようにすると
ともに、複数のホール素子を互いに直交する位置に配置
することによりピエヅ抵抗効果で個々のホール素子に発
生ずるオフセット電圧を互いに補償し検出誤差を小さく
できるようにし全体として誤検出の無い高感度磁気セン
サを得るものである。
センサにおいて、同一半導体チノブ上に形成された複数
のホール素子の出力端子に発生ずるホール電圧を加算す
ることにより高感度の６Ｉ気検出ができるようにすると
ともに、複数のホール素子を互いに直交する位置に配置
することによりピエヅ抵抗効果で個々のホール素子に発
生ずるオフセット電圧を互いに補償し検出誤差を小さく
できるようにし全体として誤検出の無い高感度磁気セン
サを得るものである。
ＤＣブラソシュレスモークや位置検出装置の小型化や低
電圧動作化にともない磁気センサの高感度化に対する要
求は高まりつつある。
電圧動作化にともない磁気センサの高感度化に対する要
求は高まりつつある。
初期においてはホール素子を用いた磁気センリの高感度
化は、ガリウム・ひ素やインジウム・７ンチモン等の高
移動度の半導体材料で作られたホ−ル素子により行われ
てきた。しかしながら十記の半導体４４料ではホール素
子の他にコンパレータや論理回路を１千ノブ中に集積し
て１チツプ磁気センザを製造することが困難であった。
化は、ガリウム・ひ素やインジウム・７ンチモン等の高
移動度の半導体材料で作られたホ−ル素子により行われ
てきた。しかしながら十記の半導体４４料ではホール素
子の他にコンパレータや論理回路を１千ノブ中に集積し
て１チツプ磁気センザを製造することが困難であった。
そこで近年材料としてシリコン華結晶を用いたホール素
子（ｉｌ気セン→Ｉが開発されて来ている。１チツプ集
積化が簡便だからである。
子（ｉｌ気セン→Ｉが開発されて来ている。１チツプ集
積化が簡便だからである。
しかしながらシリコン華結晶−Ｌに形成されたホール素
子には以下の問題点があった。
子には以下の問題点があった。
シリコンはガリウム・ひ素やイソジウ１、・アンチモン
等に比しキャリア移動度が小さい材料であるため高い磁
気感度が得られなかった。
等に比しキャリア移動度が小さい材料であるため高い磁
気感度が得られなかった。
さらにシリコン羊結晶では、ピエゾ抵抗効果が顕著であ
りしかもＷ方性を有する。ピエゾ抵（ｊ〔効果とは半導
体チップに応力を加えるとデツプ上に形成された素子に
抵抗が生しる現象である。ピエゾｌｉ（抗効果によって
シリコンチップ上のホール素子の出力端子にはオフセッ
ト電圧が生しる。オフセット電圧とは外部％１１に’Ａ
が存在しないにもかかわらず出力５ｇｔ−Ｊ′−に斗（
−る電ＩＦごある。、リ １．／チップホール素子では
この−（フヒノ１電圧か人、きく誤検出の原因となって
いる。なお夕（部１．１・応力の原因としては、チップ
実装（ダイボンド、モールド）が劣えられる。今ホール
素子の磁気感度か２０ｍν／ＫＧａｎｓｓであるとする
とピエゾＩＩ（抗効果で１ｍνのオフセット電圧が牛し
た場合５ （ｌＧａｎｓｓの検１１臀１′ｉ差を生しる
。通常−３０’Ｃ−１００°Ｃで］ ００Ｇａｎｓｓ１
叉上変動し問題となっ゛（いた。
りしかもＷ方性を有する。ピエゾ抵（ｊ〔効果とは半導
体チップに応力を加えるとデツプ上に形成された素子に
抵抗が生しる現象である。ピエゾｌｉ（抗効果によって
シリコンチップ上のホール素子の出力端子にはオフセッ
ト電圧が生しる。オフセット電圧とは外部％１１に’Ａ
が存在しないにもかかわらず出力５ｇｔ−Ｊ′−に斗（
−る電ＩＦごある。、リ １．／チップホール素子では
この−（フヒノ１電圧か人、きく誤検出の原因となって
いる。なお夕（部１．１・応力の原因としては、チップ
実装（ダイボンド、モールド）が劣えられる。今ホール
素子の磁気感度か２０ｍν／ＫＧａｎｓｓであるとする
とピエゾＩＩ（抗効果で１ｍνのオフセット電圧が牛し
た場合５ （ｌＧａｎｓｓの検１１臀１′ｉ差を生しる
。通常−３０’Ｃ−１００°Ｃで］ ００Ｇａｎｓｓ１
叉上変動し問題となっ゛（いた。
本発明は前述した従来技術の２つの問題点をまとめて解
決することを目的とし、以下の（１４成手段を得た。す
なわち、 本発明はホール素子を用いて磁気・電気変換を行う磁気
十ンザにおいて、同一半導体チップ」−に形成された複
数のホール素子の出力・端子に発生ずるホール電圧を加
算することにより高感度の磁気検出を可能としかつ？ｌ
！のホール素子を互いに自交する位置に配置することに
よりピエゾ抵抗効果テｌｌ１ｌ々のホール素子に発生す
るオフセット電圧をｎいにキャンセルし検出誤差を小さ
くすることを可能とした。
決することを目的とし、以下の（１４成手段を得た。す
なわち、 本発明はホール素子を用いて磁気・電気変換を行う磁気
十ンザにおいて、同一半導体チップ」−に形成された複
数のホール素子の出力・端子に発生ずるホール電圧を加
算することにより高感度の磁気検出を可能としかつ？ｌ
！のホール素子を互いに自交する位置に配置することに
よりピエゾ抵抗効果テｌｌ１ｌ々のホール素子に発生す
るオフセット電圧をｎいにキャンセルし検出誤差を小さ
くすることを可能とした。
以下本発明の好適な実施例を図面にもとづいて詳細に説
明する。
明する。
第１図は２つのほぼ同し特性のホール素子を同一デツプ
上に形成して各々のホール電圧の加算を可能としかつ各
々のオフセント電圧の補償を可能にした磁気センサの一
実施例である。０は半導体チップであって例えばシリコ
ン単結晶板（１００）からなる。１及び２はほぼ同し特
性のホール素子である。これらホール素子は例えばＭＯ
Ｓ型として半導体チップ０」二に形成される。１０１及
び１０２はホール素子１の駆動電流電極であって１０１
は１ルインとしてｎチャネルトランジスタ４を介して■
、。に接地され、１０２はソースとして抵抗５を介して
Ｖ。（グランド）に接続されている。
上に形成して各々のホール電圧の加算を可能としかつ各
々のオフセント電圧の補償を可能にした磁気センサの一
実施例である。０は半導体チップであって例えばシリコ
ン単結晶板（１００）からなる。１及び２はほぼ同し特
性のホール素子である。これらホール素子は例えばＭＯ
Ｓ型として半導体チップ０」二に形成される。１０１及
び１０２はホール素子１の駆動電流電極であって１０１
は１ルインとしてｎチャネルトランジスタ４を介して■
、。に接地され、１０２はソースとして抵抗５を介して
Ｖ。（グランド）に接続されている。
駆動電流は矢印で示すように電極１０１から１０２に向
かって流れる。同様に２０１及び２０２はホール素子２
の駆動電流電極であって２０１ （ドレイン）はＰチャ
ネル１−）ン２２ヌタ６を；ｉ Ｌ −（Ｖ、Ｄに接続
され、２０２ （ソース）はｎチャネル］−ランジスタ
フを介してＶ。（グランド）に接続されている。駆動電
流は矢印で示すように電極２０Ｉから２０２に向かって
流れる。第１図から判るようにホール素子１に流れる駆
動電流とホール素子２に流れる駆動電流の方向は直交し
ている。すなわち直交するように電極配置されている。
かって流れる。同様に２０１及び２０２はホール素子２
の駆動電流電極であって２０１ （ドレイン）はＰチャ
ネル１−）ン２２ヌタ６を；ｉ Ｌ −（Ｖ、Ｄに接続
され、２０２ （ソース）はｎチャネル］−ランジスタ
フを介してＶ。（グランド）に接続されている。駆動電
流は矢印で示すように電極２０Ｉから２０２に向かって
流れる。第１図から判るようにホール素子１に流れる駆
動電流とホール素子２に流れる駆動電流の方向は直交し
ている。すなわち直交するように電極配置されている。
Ｈ。
及びＨ，はホール素子１のホール出力醋１子であり互い
に逆の電圧変動を示す。Ｈ，及びＨ４はホール素子２の
ホール出力端子であり互いに逆の電圧変動を示す。３は
コンパレータであり互いに逆の電圧変動を示ずホール出
力端子ｎｚ及び１１３からの信号を入力しかつｎチャネ
ルトランジスタ７のゲートに信号を出力する。
に逆の電圧変動を示す。Ｈ，及びＨ４はホール素子２の
ホール出力端子であり互いに逆の電圧変動を示す。３は
コンパレータであり互いに逆の電圧変動を示ずホール出
力端子ｎｚ及び１１３からの信号を入力しかつｎチャネ
ルトランジスタ７のゲートに信号を出力する。
さてコンパレータ３はホール素子１のホール出力■Ｉ２
とホール素子２のホール出力Ｈ３の電圧を比較して、ホ
ール出力Ｈ３の電圧がホール出力Ｈ２の電圧と等しくす
るようにｎチャネルトランジスタ７のゲートを駆動する
。ｎチャネルトランジスタフのり−Ｉ雷電圧より、チャ
ネル間の抵抗が変化すると、これに連動してホール素子
２の駆動型ｊＡｊ端了２０１と２０２の電圧がノｔに変
わり、ホール出力Ｉ＋３の電圧がホール出力１１．の電
圧に等しくなるように調節される。
とホール素子２のホール出力Ｈ３の電圧を比較して、ホ
ール出力Ｈ３の電圧がホール出力Ｈ２の電圧と等しくす
るようにｎチャネルトランジスタ７のゲートを駆動する
。ｎチャネルトランジスタフのり−Ｉ雷電圧より、チャ
ネル間の抵抗が変化すると、これに連動してホール素子
２の駆動型ｊＡｊ端了２０１と２０２の電圧がノｔに変
わり、ホール出力Ｉ＋３の電圧がホール出力１１．の電
圧に等しくなるように調節される。
１１（抗５はホール素７−１の電７＃Ｌ駆動電極１０２
の電１Ｆを接地電圧より少し高い電圧に保ち、ホール出
力＋１２とＩＩ３の大小関係によらず、−１−記の電圧
調節機能を働か−υるために挿入されている。従ってホ
ール素子１の電流駆動電極１０１からホール出力醋ｉ子
Ｉ＋、 、 ＋１２までの距離をホール素子２のそれ
よりも短くすれば、抵抗５を省略できる。
の電１Ｆを接地電圧より少し高い電圧に保ち、ホール出
力＋１２とＩＩ３の大小関係によらず、−１−記の電圧
調節機能を働か−υるために挿入されている。従ってホ
ール素子１の電流駆動電極１０１からホール出力醋ｉ子
Ｉ＋、 、 ＋１２までの距離をホール素子２のそれ
よりも短くすれば、抵抗５を省略できる。
なおＩ）チャネルトランジスタ４と６はそれぞれホール
素子１と２に同一の定電流を供給する役割を有している
。ずなわちホール素子１及び２の各々の電流駆動電極間
電位差を常に−・定でかつ等しく保っている。
素子１と２に同一の定電流を供給する役割を有している
。ずなわちホール素子１及び２の各々の電流駆動電極間
電位差を常に−・定でかつ等しく保っている。
さて第２図に磁気センサに磁界がかかった時の動作を図
示した。外部磁場によりホール素子１と２のホール出力
電圧が変化すると、第１図のコンパレータ３等からなる
回路が動作しで、ホール出力Ｈ２の電圧Ｖ２とホール出
力１（３の電１．’＋−Ｖ ］を等しくする。この時ホ
ール素子２の電流駆動端子２０１及び２０２の電圧ＶＤ
２とＶ、２は 定の電位差を保ったまま、ホール素子１
の電流駆動端子１０１及び１０２の電Ｉｆ−Ｖ ｏ ＋
と■３．に対ｊ２て相対向にホール素子１のホール電圧
ΔＶ１１分（すなわちＶ２ Ｖｌ）だけ上方にソフＩ
・する。（イーって（ｄ気センｉ〕全体のホール電圧Ｖ
＋＋（ずなわちホール出力Ｈ，と＋（ａの電位差）は、
Ｖ ｚ Ｖ ＋ にさらにホール素子２の出力Ｖ４−
Ｖ、が加えられたＶｎ ＝ （Ｖｚ−Ｖｌ）＋ （Ｖａ
−Ｖ３）＝−２Δ■□となる。即ち２つのホール素子の
ホール電圧を加算できることになる。
示した。外部磁場によりホール素子１と２のホール出力
電圧が変化すると、第１図のコンパレータ３等からなる
回路が動作しで、ホール出力Ｈ２の電圧Ｖ２とホール出
力１（３の電１．’＋−Ｖ ］を等しくする。この時ホ
ール素子２の電流駆動端子２０１及び２０２の電圧ＶＤ
２とＶ、２は 定の電位差を保ったまま、ホール素子１
の電流駆動端子１０１及び１０２の電Ｉｆ−Ｖ ｏ ＋
と■３．に対ｊ２て相対向にホール素子１のホール電圧
ΔＶ１１分（すなわちＶ２ Ｖｌ）だけ上方にソフＩ
・する。（イーって（ｄ気センｉ〕全体のホール電圧Ｖ
＋＋（ずなわちホール出力Ｈ，と＋（ａの電位差）は、
Ｖ ｚ Ｖ ＋ にさらにホール素子２の出力Ｖ４−
Ｖ、が加えられたＶｎ ＝ （Ｖｚ−Ｖｌ）＋ （Ｖａ
−Ｖ３）＝−２Δ■□となる。即ち２つのホール素子の
ホール電圧を加算できることになる。
次に第３図に磁気センサに磁界がかかっていない時の動
作を図示した。磁気センサのホール素子１に加わる応力
に基づくピエゾ抵抗効果によりオフセット電圧（■。２
−■。、）が生しる。同様にしてホール素子２にもオフ
セント電圧（Ｖｏ４Ｖｏ３）が生しる。図ではその大き
さが誇張されているか実際にはｍＶオーダである。さて
半導体チップのピエゾ抵抗効果若しくは加わる応力自体
には異方性がある。そしてホール素子１とホール素子２
を第１図に示すように直交して配置するとこの異方性が
働き、ホール素子１のオフセント電圧（Ｖ、、−■。、
）とホール素子２のオフセット電圧（ＶＯ４−Ｖ ０３
）は絶対値は略等しいながら極性が逆になる場合が多い
。従って両オフセット電圧は先に述べたコンパレータ３
等の働きにより加算され、キャンセル又は相殺される。
作を図示した。磁気センサのホール素子１に加わる応力
に基づくピエゾ抵抗効果によりオフセット電圧（■。２
−■。、）が生しる。同様にしてホール素子２にもオフ
セント電圧（Ｖｏ４Ｖｏ３）が生しる。図ではその大き
さが誇張されているか実際にはｍＶオーダである。さて
半導体チップのピエゾ抵抗効果若しくは加わる応力自体
には異方性がある。そしてホール素子１とホール素子２
を第１図に示すように直交して配置するとこの異方性が
働き、ホール素子１のオフセント電圧（Ｖ、、−■。、
）とホール素子２のオフセット電圧（ＶＯ４−Ｖ ０３
）は絶対値は略等しいながら極性が逆になる場合が多い
。従って両オフセット電圧は先に述べたコンパレータ３
等の働きにより加算され、キャンセル又は相殺される。
結果として磁気センサ全体のオフセット電圧（ずなわち
ホール出力Ｈ５とホール出力Ｈ４の無磁界特電位差）も
小さくできる。
ホール出力Ｈ５とホール出力Ｈ４の無磁界特電位差）も
小さくできる。
第４図に第１図の磁気センサの回路構成を簡略化した本
発明の他の実施例を示す。同一番号は第１図と同一の番
号に対応している。個々のホール素子に発生したホール
電圧を加算するという目的のためには、第１図のように
、ホール素子２の電流駆動電極２０１と２０２の両方の
電圧を同時に変動させる必要はない。第４図においては
ホール素子２の電流駆動電極２０２の電圧だ（）を動か
してホール出力Ｈ２とＨ，の電圧を等しく シ、Ｉ：；
）とするものである。このようにしても一般に個々のホ
ール電圧は電流駆動電極２０１と２０２間に印加される
電圧と比較して極めて小さいので、電流駆動電極２０２
の電圧がホール電圧程度変動したとしてもホール素子２
の石汁気感度はホール素子１の磁気感度と同しと考えら
れる。従ってこの場合も大略個々のホール電圧の２倍の
全ホール電圧出力を得ることができる。なおゲートに■
６の電圧が印加されたｎチャネルトランジスタ９は、第
１図の抵抗５と同し働きをするものである。
発明の他の実施例を示す。同一番号は第１図と同一の番
号に対応している。個々のホール素子に発生したホール
電圧を加算するという目的のためには、第１図のように
、ホール素子２の電流駆動電極２０１と２０２の両方の
電圧を同時に変動させる必要はない。第４図においては
ホール素子２の電流駆動電極２０２の電圧だ（）を動か
してホール出力Ｈ２とＨ，の電圧を等しく シ、Ｉ：；
）とするものである。このようにしても一般に個々のホ
ール電圧は電流駆動電極２０１と２０２間に印加される
電圧と比較して極めて小さいので、電流駆動電極２０２
の電圧がホール電圧程度変動したとしてもホール素子２
の石汁気感度はホール素子１の磁気感度と同しと考えら
れる。従ってこの場合も大略個々のホール電圧の２倍の
全ホール電圧出力を得ることができる。なおゲートに■
６の電圧が印加されたｎチャネルトランジスタ９は、第
１図の抵抗５と同し働きをするものである。
さらに第４図に示す実施例においてもホール素子Ｉと２
とは各々の駆動電流の方向が互いに直交するよう配置さ
れている。従ってピエゾ抵抗効果の異方性又は加わる応
力の異方性により各々のホール素子に発生するオフセン
ト電圧はキャンセルされることが確かめられた。
とは各々の駆動電流の方向が互いに直交するよう配置さ
れている。従ってピエゾ抵抗効果の異方性又は加わる応
力の異方性により各々のホール素子に発生するオフセン
ト電圧はキャンセルされることが確かめられた。
最後に本発明は２つのホール素子を結合配置するものに
限られず３つ以上のホール素子を用いても良い。
限られず３つ以上のホール素子を用いても良い。
本発明によれば複数のホール素子の出力電圧を加算する
ことができるので、磁気感度が増加するという効果があ
る。又個々のホール素子のオフセット電圧をキャンセル
することができるので、検出誤差を小さくするという効
果がある。そして本発明は感度を高める点とオフセット
電圧を小さくする点の両方向に同時に寄与するので得ら
れた磁気センサは掻めて信頼性が高いという総合的な効
果がある。
ことができるので、磁気感度が増加するという効果があ
る。又個々のホール素子のオフセット電圧をキャンセル
することができるので、検出誤差を小さくするという効
果がある。そして本発明は感度を高める点とオフセット
電圧を小さくする点の両方向に同時に寄与するので得ら
れた磁気センサは掻めて信頼性が高いという総合的な効
果がある。
第１図は磁気センサの配置及び電気的接続を示す図、第
２図は外部磁場が存在する場合の磁気センサの動作を説
明する図、第３図は外部磁場が存在しない場合の磁気セ
ンサの動作を説明する図、及び第４図は磁気センサの他
の実施例を示す図である。 ０− 半導体チップ １．２− ホール素子 ３ コンパレータ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 万疫氏也ンサの笥潴１及び゛幇Ｕ象図 毘１■
２図は外部磁場が存在する場合の磁気センサの動作を説
明する図、第３図は外部磁場が存在しない場合の磁気セ
ンサの動作を説明する図、及び第４図は磁気センサの他
の実施例を示す図である。 ０− 半導体チップ １．２− ホール素子 ３ コンパレータ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 万疫氏也ンサの笥潴１及び゛幇Ｕ象図 毘１■
Claims (2)
- （１）同一の半導体チップ上において、外部磁場に対し
互に逆の電圧変動を示す第１及び第２のホール出力端子
と２つの電流駆動電極とから構成されるホール素子を複
数個接続してなる磁気センサにおいて、相隣るホール素
子間の第１と第２のホール出力端子の電位を一致させる
ため各々のホール素子の電流駆動電極の電位を調節する
手段を具備しかつ各々のホール素子の電流駆動電極間に
流れる電流の方向が互いに直交するよう配置されている
ことを特徴とする磁気センサ。 - （２）半導体チップはシリコン単結晶板よりなる特許請
求の範囲第１項記載の磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049770A JPS62208682A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049770A JPS62208682A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62208682A true JPS62208682A (ja) | 1987-09-12 |
| JPH0324075B2 JPH0324075B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=12840403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049770A Granted JPS62208682A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62208682A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0237280A2 (en) * | 1986-03-07 | 1987-09-16 | Seiko Instruments Inc. | Magnetic sensor |
| US5055820A (en) * | 1989-01-20 | 1991-10-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Hall element and magnetic sensor system employing the same |
| JP2014006061A (ja) * | 2012-06-21 | 2014-01-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | センサ駆動回路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5357983A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-25 | Toshiba Corp | Hall effect device |
| JPS54143085A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Hall element |
| JPS5795686A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Toshiba Corp | Resin sealed type semiconductor magnetic sensitive device |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61049770A patent/JPS62208682A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5357983A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-25 | Toshiba Corp | Hall effect device |
| JPS54143085A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Hall element |
| JPS5795686A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Toshiba Corp | Resin sealed type semiconductor magnetic sensitive device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0237280A2 (en) * | 1986-03-07 | 1987-09-16 | Seiko Instruments Inc. | Magnetic sensor |
| US4875011A (en) * | 1986-03-07 | 1989-10-17 | Seiko Instruments Inc. | Magnetic sensor using integrated silicon Hall effect elements formed on the (100) plane of a silicon substrate |
| US5055820A (en) * | 1989-01-20 | 1991-10-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Hall element and magnetic sensor system employing the same |
| US5146201A (en) * | 1989-01-20 | 1992-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor system including stacked hall effect devices detecting orthogonal magnetic fields |
| JP2014006061A (ja) * | 2012-06-21 | 2014-01-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | センサ駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324075B2 (ja) | 1991-04-02 |
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