JPS62207021A - トランジスタのベ−ス駆動回路 - Google Patents
トランジスタのベ−ス駆動回路Info
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- JPS62207021A JPS62207021A JP61049741A JP4974186A JPS62207021A JP S62207021 A JPS62207021 A JP S62207021A JP 61049741 A JP61049741 A JP 61049741A JP 4974186 A JP4974186 A JP 4974186A JP S62207021 A JPS62207021 A JP S62207021A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電力変換器等にスイッチング素子として利用
されるパワートランジスタのベース駆動回路に関する。
されるパワートランジスタのベース駆動回路に関する。
パワートランジスタの高速スイッチングに通したベース
駆動回路として第5図に示すようなベース電流節約形ベ
ース駆動回路が知られている。第6図はその動作波形図
を示す。
駆動回路として第5図に示すようなベース電流節約形ベ
ース駆動回路が知られている。第6図はその動作波形図
を示す。
図中1はスイッチ素子としてのパワートランジスタ、2
.3はこのパワートランジスタ1をベース駆動するため
の順バイアス用トランジスタ2と逆バイアス用トランジ
スタ3で、該トランジスタ2.3はベース同士、エミッ
タ同士を接続し、コレクタ間には順バイアス用電源4と
逆バイアス用電源5が直列に接続される。
.3はこのパワートランジスタ1をベース駆動するため
の順バイアス用トランジスタ2と逆バイアス用トランジ
スタ3で、該トランジスタ2.3はベース同士、エミッ
タ同士を接続し、コレクタ間には順バイアス用電源4と
逆バイアス用電源5が直列に接続される。
そしてオン、オフ指令器8は抵抗7を介してトランジス
タ2,3のベース同士の接続中点に接続され、一方エミ
ッタ同士の接続中点はパワートランジスタ1のベースに
、電源4.5の接続中点はパワートランジスタ1のエミ
ッタに接続される。
タ2,3のベース同士の接続中点に接続され、一方エミ
ッタ同士の接続中点はパワートランジスタ1のベースに
、電源4.5の接続中点はパワートランジスタ1のエミ
ッタに接続される。
また、順バイアス用トランジスタ2のベースとパワート
ランジスタ1のコレクタとの間にはコレクタキャッチャ
ダイオード6が接続される。
ランジスタ1のコレクタとの間にはコレクタキャッチャ
ダイオード6が接続される。
図中1aはパワートランジスタ1の逆並列ダイオード、
1bはベース、エミッタ間抵抗を示す。
1bはベース、エミッタ間抵抗を示す。
オン、オフ指令器8からのオン指令信号は抵抗7を介し
て順バイアス用トランジスタ2のベースに与えられ、2
をオンさせると順バイアス電源4から2を経てパワート
ランジスタ1をオンさせる。
て順バイアス用トランジスタ2のベースに与えられ、2
をオンさせると順バイアス電源4から2を経てパワート
ランジスタ1をオンさせる。
順バイアス用トランジスタ2に供給されるベース電流の
うち余分なものは、前記コレクタキャッチャダイオード
6を介してパワートランジスタ1のコレクタに流れ、こ
のトランジスタ1のオン動作を活性領域で制御し、ター
ンオフを速くする。
うち余分なものは、前記コレクタキャッチャダイオード
6を介してパワートランジスタ1のコレクタに流れ、こ
のトランジスタ1のオン動作を活性領域で制御し、ター
ンオフを速くする。
このようなベース電流節約形ベース駆動回路で駆動され
たパワートランジスタ1のベースコレクタ電圧VCBは
下記(1)式で、またオン電圧VCEは(2)式で与え
られる。
たパワートランジスタ1のベースコレクタ電圧VCBは
下記(1)式で、またオン電圧VCEは(2)式で与え
られる。
VCB=VBE2VCD −(1)V C[i=
V BE+ V BF2 − V CD・・・ (2
)ただし、VBEはパワートランジスタ1のベース、エ
ミッタ間電圧、VBE2は順バイアス用トランジスタ2
のベース、エミッタ間電圧であり、VCDはコレクタキ
ャッチャダイオード6の順方向降下である。
V BE+ V BF2 − V CD・・・ (2
)ただし、VBEはパワートランジスタ1のベース、エ
ミッタ間電圧、VBE2は順バイアス用トランジスタ2
のベース、エミッタ間電圧であり、VCDはコレクタキ
ャッチャダイオード6の順方向降下である。
また、パワートランジスタ1の定常状態における(第2
図のt3の期間)ベース電流(iB )はコレクタ電流
(i c)をその直流電流増幅率で除算して得られる値
しか流れないので、従来のベース電流一定方式のベース
駆動回路に比べて、ベース電流を減らすことができるの
で、ベース駆動回路の損失も当然減少するし、パワート
ランジスタ1の動作を活性状態にしてターンオフ時間を
短縮できる長所を有する。
図のt3の期間)ベース電流(iB )はコレクタ電流
(i c)をその直流電流増幅率で除算して得られる値
しか流れないので、従来のベース電流一定方式のベース
駆動回路に比べて、ベース電流を減らすことができるの
で、ベース駆動回路の損失も当然減少するし、パワート
ランジスタ1の動作を活性状態にしてターンオフ時間を
短縮できる長所を有する。
しかしながら、第5図に示す従来のベース電流節約形ベ
ース駆動回路では、ターンオフタイムが長くなるという
欠点が依然として存在する。
ース駆動回路では、ターンオフタイムが長くなるという
欠点が依然として存在する。
(イ)第1に、パワートランジスタ1がターンオンする
際、その動作遅れがあるため、そのオン電圧が低下し、
コレクタキャッチャダイオード6へ、オン、オフ指令器
8からの電流から順バイアストランジスタ2のベース電
流として必要な分を除いた余分な電流が流れ始めるまで
、即ちパワートランジスタ1のオン電圧が制御され始め
るまでに、〔第2図ではtlに相当の〕時間が存在する
。この間順バイアス電流tBは順バイアス用トランジス
タ2等の通電能力で決まる最大値に近い大きな値になる
。パワートランジスタ1のオン電圧が低下し、コレクタ
キャッチャダイオード6ヘオン、オフ指令器8からの電
流が流れ始めると前記iBは減少し始める。順バイアス
トランジスタ2等の遅れ及び順バイアス回路内のインダ
クタンスがあることも手伝ってパワートランジスタ1の
ベースには余分なベース電流が流れるので、パワートラ
ンジスタが飽和状態である期間、第2図ではt2の期間
がある。パワートランジスタ1のコレクタ電流が小さい
時程この期間は長くなる傾向がある。
際、その動作遅れがあるため、そのオン電圧が低下し、
コレクタキャッチャダイオード6へ、オン、オフ指令器
8からの電流から順バイアストランジスタ2のベース電
流として必要な分を除いた余分な電流が流れ始めるまで
、即ちパワートランジスタ1のオン電圧が制御され始め
るまでに、〔第2図ではtlに相当の〕時間が存在する
。この間順バイアス電流tBは順バイアス用トランジス
タ2等の通電能力で決まる最大値に近い大きな値になる
。パワートランジスタ1のオン電圧が低下し、コレクタ
キャッチャダイオード6ヘオン、オフ指令器8からの電
流が流れ始めると前記iBは減少し始める。順バイアス
トランジスタ2等の遅れ及び順バイアス回路内のインダ
クタンスがあることも手伝ってパワートランジスタ1の
ベースには余分なベース電流が流れるので、パワートラ
ンジスタが飽和状態である期間、第2図ではt2の期間
がある。パワートランジスタ1のコレクタ電流が小さい
時程この期間は長くなる傾向がある。
このようにパワートランジスタが飽和している時にター
ンオフ指令がくると、ターンオフ時間が長くなってしま
う。
ンオフ指令がくると、ターンオフ時間が長くなってしま
う。
特にパワートランジスタ1が多重ダーリントン接続の場
合、最前段トランジスタが飽和した状態でターンオフし
、ターンオフ時損失が最前段トランジスタに集中してし
まうと、特に高周波では最前段の素子が破損する恐れが
ある。
合、最前段トランジスタが飽和した状態でターンオフし
、ターンオフ時損失が最前段トランジスタに集中してし
まうと、特に高周波では最前段の素子が破損する恐れが
ある。
(ロ)第2に、パワートランジスタが第4図のようなイ
ンバータ装置に使用され、その負荷がモータ、トランス
等、インダクタンスを含む場合、そのインバータの動作
モードによっては、パワートランジスタがオン期間でも
負荷電流がパワートランジスタに流れず、これと逆並列
に接続されているダイオードに流れる場合がある。例え
ば第4図では、パワートランジスタ15.17がオン状
態で矢印方向の負荷電流Ioが流れていて、パワートラ
ンジスタ15をオフした場合、ベース駆動18にオン信
号を入れても負荷電流Ioはパワートランジスタ1には
流れずこれと逆並列に接続されたダイオード1aに流れ
る。
ンバータ装置に使用され、その負荷がモータ、トランス
等、インダクタンスを含む場合、そのインバータの動作
モードによっては、パワートランジスタがオン期間でも
負荷電流がパワートランジスタに流れず、これと逆並列
に接続されているダイオードに流れる場合がある。例え
ば第4図では、パワートランジスタ15.17がオン状
態で矢印方向の負荷電流Ioが流れていて、パワートラ
ンジスタ15をオフした場合、ベース駆動18にオン信
号を入れても負荷電流Ioはパワートランジスタ1には
流れずこれと逆並列に接続されたダイオード1aに流れ
る。
このような場合、当然パワートランジスタ1のオン電圧
は負になっているため、オン、オフ指令器8からの電流
は順バイアス用トランジスタ2のベースには流れず、す
べてコレクタ電圧・ノチャダイオード6の方へ流れる。
は負になっているため、オン、オフ指令器8からの電流
は順バイアス用トランジスタ2のベースには流れず、す
べてコレクタ電圧・ノチャダイオード6の方へ流れる。
従って、パワートランジスタ1のベースにはベース駆動
回路から順バイアス電流を供給されることはない。
回路から順バイアス電流を供給されることはない。
しかし、通常、パワートランジスタのベース、エミッタ
間に誤動作防止のため抵抗1bが接続されていて、この
抵抗1bを通ってパワートランジスタ1のベースからコ
レクタへ電流が流れる。
間に誤動作防止のため抵抗1bが接続されていて、この
抵抗1bを通ってパワートランジスタ1のベースからコ
レクタへ電流が流れる。
このようにパワートランジスタのベースからコレクタへ
電流が流れていることは当該パワートランジスタが深(
飽和状態であることを意味するからターンオフタイムが
長くなる。すなわち第4図において負荷電流Toがダイ
オード1aに流れていて、パワートランジスタ15をオ
ンさせるモードに切換える時、パワートランジスタ1が
オフする前にトランジスタ15をオンさせると、アーム
短絡電流が流れる等の不都合が生じる。従ってパワート
ランジスタ1がオフするまでトランジスタ15はオンで
きないのでその分高周波スイッチングできないことにな
る。
電流が流れていることは当該パワートランジスタが深(
飽和状態であることを意味するからターンオフタイムが
長くなる。すなわち第4図において負荷電流Toがダイ
オード1aに流れていて、パワートランジスタ15をオ
ンさせるモードに切換える時、パワートランジスタ1が
オフする前にトランジスタ15をオンさせると、アーム
短絡電流が流れる等の不都合が生じる。従ってパワート
ランジスタ1がオフするまでトランジスタ15はオンで
きないのでその分高周波スイッチングできないことにな
る。
本発明の目的は前記従来例の不都合を解消し、ターンオ
フタイムを短縮して、パワートランジスタをより高速で
スイッチングできるトランジスタのベース駆動回路を提
供することにある。
フタイムを短縮して、パワートランジスタをより高速で
スイッチングできるトランジスタのベース駆動回路を提
供することにある。
本発明は前記目的を達成するため、前段のトランジスタ
として順バイアス用トランジスタ及び逆バイアス用トラ
ンジスタを設け、これら前記トランジスタのオン、オフ
によりパワートランジスタのベース、コレクタ電圧又は
、オン電圧を制御し、また順バイアス用トランジスタの
ベースとパワートランジスタのコレクタ間に、順バイア
ス用トランジスタに供給されるベース電流のうち余分な
ものをパワートランジスタのコレクタに流すコレクタキ
ャッチャダイオードを設けたベース電流節約形のベース
駆動回路において、制御対象の電圧を基準値と比較する
比較回路及びこの比較回路の出力で制御対象電圧が基準
値より低い時はオン期間中でも、最前段トランジスタの
ベースに逆バイアス電圧を印加する回路を設けたことを
要旨とするものである。
として順バイアス用トランジスタ及び逆バイアス用トラ
ンジスタを設け、これら前記トランジスタのオン、オフ
によりパワートランジスタのベース、コレクタ電圧又は
、オン電圧を制御し、また順バイアス用トランジスタの
ベースとパワートランジスタのコレクタ間に、順バイア
ス用トランジスタに供給されるベース電流のうち余分な
ものをパワートランジスタのコレクタに流すコレクタキ
ャッチャダイオードを設けたベース電流節約形のベース
駆動回路において、制御対象の電圧を基準値と比較する
比較回路及びこの比較回路の出力で制御対象電圧が基準
値より低い時はオン期間中でも、最前段トランジスタの
ベースに逆バイアス電圧を印加する回路を設けたことを
要旨とするものである。
〔作用〕
本発明によれば、ターンオン時、パワートランジスタの
動作遅れに起因して、余分なベース電流がパワートラン
ジスタに流れ、パワートランジスタが飽和した時等、制
御対象の電圧がその基準値より低くなった場合、オン期
間中でもパワートランジスタの最前段のベースに逆バイ
アス電圧を印加して、パワートランジスタを飽和状態か
ら直ちに、ターンオフタイムが短い活性状態へ(ただし
、パワートランジスタへ電流が流れていない時はオフ状
態へ)する。
動作遅れに起因して、余分なベース電流がパワートラン
ジスタに流れ、パワートランジスタが飽和した時等、制
御対象の電圧がその基準値より低くなった場合、オン期
間中でもパワートランジスタの最前段のベースに逆バイ
アス電圧を印加して、パワートランジスタを飽和状態か
ら直ちに、ターンオフタイムが短い活性状態へ(ただし
、パワートランジスタへ電流が流れていない時はオフ状
態へ)する。
以下、図面について本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明のベース駆動回路の実施例を示す回路図
で、前記従来例を示す第5図と同一参照番号を付したも
のである。第5図に示す従来のベース電流節約形ベース
駆動回路に対して、パワートランジスタ1のベース、コ
レクタ間電圧の基準電圧源10と、この10の値とコレ
クタキャッチャダイオード6を介して得られるパワート
ランジスタのベース、コレクタ電圧の実際値とを比較す
る比較回路としてのコンパレータ9と、そのコンパレー
タ9の出力と抵抗7等の間に接続されたダイオードエ1
とを付加したものである。
で、前記従来例を示す第5図と同一参照番号を付したも
のである。第5図に示す従来のベース電流節約形ベース
駆動回路に対して、パワートランジスタ1のベース、コ
レクタ間電圧の基準電圧源10と、この10の値とコレ
クタキャッチャダイオード6を介して得られるパワート
ランジスタのベース、コレクタ電圧の実際値とを比較す
る比較回路としてのコンパレータ9と、そのコンパレー
タ9の出力と抵抗7等の間に接続されたダイオードエ1
とを付加したものである。
ここで、この基準電圧源10の値VCa*を、オン動作
の定常状態で(1)式で得られるVCHの最小値よりわ
ずかに低めにしてオン動作の定常状態ではコンパレータ
9の出力がハイレベルになりダイオード11がオフにな
るようにしておく。前記第1図の回路の動作例を第2図
に示す。
の定常状態で(1)式で得られるVCHの最小値よりわ
ずかに低めにしてオン動作の定常状態ではコンパレータ
9の出力がハイレベルになりダイオード11がオフにな
るようにしておく。前記第1図の回路の動作例を第2図
に示す。
このように構成することによりパワートランジスタ1が
ターンオンする際、その動作遅れのためそのオン電圧が
低下しコレクタキャッチャダイオード6ヘオン、オフ指
令器8からの電流が流れ始めるまでに、第2図ではtl
に相当の時間が存在する。この間順バイアス電流は順バ
イアス用トランジスタ2等の通電能力で決まる最大値に
近い大きな値になる。このtlの期間はコレクタキャッ
チャダイオード6を介して得られたベース、コレクタ間
電圧VCBの実際値の方がこの基準電圧源10の値VC
B*より高いのでコンパレータ9の出力はハイレベルに
なっておりダイオード11はオフしている。ここまでの
動作は、第5図に示す従来のベース駆動と変わりはない
。
ターンオンする際、その動作遅れのためそのオン電圧が
低下しコレクタキャッチャダイオード6ヘオン、オフ指
令器8からの電流が流れ始めるまでに、第2図ではtl
に相当の時間が存在する。この間順バイアス電流は順バ
イアス用トランジスタ2等の通電能力で決まる最大値に
近い大きな値になる。このtlの期間はコレクタキャッ
チャダイオード6を介して得られたベース、コレクタ間
電圧VCBの実際値の方がこの基準電圧源10の値VC
B*より高いのでコンパレータ9の出力はハイレベルに
なっておりダイオード11はオフしている。ここまでの
動作は、第5図に示す従来のベース駆動と変わりはない
。
次に第2図のt1期間にパワートランジスタ1に流れた
過大な順バイアスベース電流のため、パワートランジス
タ1は直ちに、ベース、コレクタ電圧VCBはその基準
電圧源10の値以下の飽和状態になり、コンパレータ9
の出力は反転し、負電位になり逆バイアス用トランジス
タ3のベースはダイオード11を介して負の電圧が加わ
り、トランジスタ3はオンし、パワートランジスタ1の
ベースには逆バイアス電圧が印加される。
過大な順バイアスベース電流のため、パワートランジス
タ1は直ちに、ベース、コレクタ電圧VCBはその基準
電圧源10の値以下の飽和状態になり、コンパレータ9
の出力は反転し、負電位になり逆バイアス用トランジス
タ3のベースはダイオード11を介して負の電圧が加わ
り、トランジスタ3はオンし、パワートランジスタ1の
ベースには逆バイアス電圧が印加される。
従って、今までパワートランジスタ1のベースに流れて
いた大きな順バイアス電流は急激に減少し始て掻く短時
間に逆バイアス電流へと移行するので、パワートランジ
スタ1が飽和状態になってから流れる余分な順バイアス
電流の時間の積(電荷)は、第5図の従来のベース駆動
回路で駆動した場合に比べて大幅に少なくなる。よって
、パワートランジスタ1の飽和の度合も浅い。このこと
に加え、前記の逆バイアス電流が流れることによりパワ
ートランジスタ1は短時間に飽和状態が解け、通常の活
性状態へ移行する。
いた大きな順バイアス電流は急激に減少し始て掻く短時
間に逆バイアス電流へと移行するので、パワートランジ
スタ1が飽和状態になってから流れる余分な順バイアス
電流の時間の積(電荷)は、第5図の従来のベース駆動
回路で駆動した場合に比べて大幅に少なくなる。よって
、パワートランジスタ1の飽和の度合も浅い。このこと
に加え、前記の逆バイアス電流が流れることによりパワ
ートランジスタ1は短時間に飽和状態が解け、通常の活
性状態へ移行する。
第2図のt3の期間以降の動作は従来のものと同様であ
る。
る。
また、第4図に示すようなインバータ装置において、負
荷電流がパワートランジスタ1に流れずこれと逆並列に
接続されているダイオード1aに流れている場合は、当
然パワートランジスタ1のベース、コレクタ電圧はその
基準電圧源10の値より低くなっている。これにより、
コンパレータ9の出力は負であり、逆バイアス用トラン
ジスタ3はオンしているので、パワートランジスタ1の
ヘースには逆バイアス電圧が印加されており、パワート
ランジスタ1のベース、エミッタに抵抗1bが接続され
ていても、パワートランジスタ1のベースからコレクタ
へ流れる電流はない。従って、パワートランジスタ1は
完全にオフ状態であり、アーム短絡電流が流れるなどの
従来の欠点は解消される。
荷電流がパワートランジスタ1に流れずこれと逆並列に
接続されているダイオード1aに流れている場合は、当
然パワートランジスタ1のベース、コレクタ電圧はその
基準電圧源10の値より低くなっている。これにより、
コンパレータ9の出力は負であり、逆バイアス用トラン
ジスタ3はオンしているので、パワートランジスタ1の
ヘースには逆バイアス電圧が印加されており、パワート
ランジスタ1のベース、エミッタに抵抗1bが接続され
ていても、パワートランジスタ1のベースからコレクタ
へ流れる電流はない。従って、パワートランジスタ1は
完全にオフ状態であり、アーム短絡電流が流れるなどの
従来の欠点は解消される。
第3図は本発明の第2実施例を示す回路図で、前記第1
実施例の第1図と相違する点は、コレクタキャッチャダ
イオード6のアノードと順バイアス用トランジスタ2の
ベース等とを接続せず、第1図のコンパレータ9の代わ
りに例えばPI調節器などの調節器12を比較回路とし
て用いたことにある。
実施例の第1図と相違する点は、コレクタキャッチャダ
イオード6のアノードと順バイアス用トランジスタ2の
ベース等とを接続せず、第1図のコンパレータ9の代わ
りに例えばPI調節器などの調節器12を比較回路とし
て用いたことにある。
第1図のベース駆動回路では、パワートランジスタ1の
ベース、エミッタ間電圧VCBは前記(1)式で与えら
れるので、このVCBの最適値を無段階に選定できない
。一方、この第3図の回路では、パワートランジスタ1
のベース、コレクタ電圧は、この基準電圧源10の値に
制御されるので無段階に選定できる。
ベース、エミッタ間電圧VCBは前記(1)式で与えら
れるので、このVCBの最適値を無段階に選定できない
。一方、この第3図の回路では、パワートランジスタ1
のベース、コレクタ電圧は、この基準電圧源10の値に
制御されるので無段階に選定できる。
この第3図の回路でも、パワートランジスタ1のベース
、コレクタ電圧がその基準電圧源10の値より下がった
場合、調節器12の出力が下がり、逆バイアス用トラン
ジスタ3はオンになるので、パワートランジスタ1のベ
ースに逆バイアス電圧を印加されることになる等の動作
は、第1図回路の場合と同様である。
、コレクタ電圧がその基準電圧源10の値より下がった
場合、調節器12の出力が下がり、逆バイアス用トラン
ジスタ3はオンになるので、パワートランジスタ1のベ
ースに逆バイアス電圧を印加されることになる等の動作
は、第1図回路の場合と同様である。
以上述べたように本発明のトランジスタのベース駆動回
路は、前段のトランジスタとして順バイアス用トランジ
スタ及び逆バイアス用トランジスタを設け、これら前記
トランジスタのオン、オフによりパワートランジスタの
ベース、コレクタ電圧又は、オン電圧を制御し、また順
バイアス用トランジスタのベースとパワートランジスタ
のコレクタ間に、順バイアス用トランジスタに供給され
るベース電流のうち余分なものをパワートランジスタの
コレクタに流すベース電流節約形のベース駆動回路にお
いて、パワートランジスタの動作遅れにより、ターンオ
ン時、順バイアス電流が余分に流れ、パワートランジス
タのベース、コレクタ電圧又はオン電圧がその設定値以
下の飽和状態になることがあっても直ちにパワートラン
ジスタのベースに逆バイアス電圧が印加され逆バイアス
電流が流れるので、パワートランジスタの飽和状態の度
合も浅くかつその期間も極く短くなる。従って、ターン
オフ指令が、オン動作中のどの時点で出されてもターン
オフタイムは短くなる。
路は、前段のトランジスタとして順バイアス用トランジ
スタ及び逆バイアス用トランジスタを設け、これら前記
トランジスタのオン、オフによりパワートランジスタの
ベース、コレクタ電圧又は、オン電圧を制御し、また順
バイアス用トランジスタのベースとパワートランジスタ
のコレクタ間に、順バイアス用トランジスタに供給され
るベース電流のうち余分なものをパワートランジスタの
コレクタに流すベース電流節約形のベース駆動回路にお
いて、パワートランジスタの動作遅れにより、ターンオ
ン時、順バイアス電流が余分に流れ、パワートランジス
タのベース、コレクタ電圧又はオン電圧がその設定値以
下の飽和状態になることがあっても直ちにパワートラン
ジスタのベースに逆バイアス電圧が印加され逆バイアス
電流が流れるので、パワートランジスタの飽和状態の度
合も浅くかつその期間も極く短くなる。従って、ターン
オフ指令が、オン動作中のどの時点で出されてもターン
オフタイムは短くなる。
また、パワートランジスタがインバータ装置等に使用さ
れ、その負荷にインダクタンスが含まれる場合、インバ
ータの動作モードによっては電流がパワートランジスタ
に流れずに逆並列のダイオードに流れている場合、パワ
ートランジスタのベース、エミッタ間に接続される抵抗
があっても、そのベースには、逆バイアス電圧が印加さ
れているためそのベースからコレクタへ流れる電流はな
いので、パワートランジスタはオフしている。従って、
インバータの動作が変わる時このパワートランジス:′
ハ1−ンオフ遅れはなく、アーム短絡電流がこのパワー
トランジスタに流れることばない。
れ、その負荷にインダクタンスが含まれる場合、インバ
ータの動作モードによっては電流がパワートランジスタ
に流れずに逆並列のダイオードに流れている場合、パワ
ートランジスタのベース、エミッタ間に接続される抵抗
があっても、そのベースには、逆バイアス電圧が印加さ
れているためそのベースからコレクタへ流れる電流はな
いので、パワートランジスタはオフしている。従って、
インバータの動作が変わる時このパワートランジス:′
ハ1−ンオフ遅れはなく、アーム短絡電流がこのパワー
トランジスタに流れることばない。
このようにして、いずれの場合でも、パワートランジス
タを更に高周波スイッチングさせることが可能となるも
のである。
タを更に高周波スイッチングさせることが可能となるも
のである。
第1図は本発明のトランジスタのベース駆動回路の第1
実施例を示す回路図、第2図は第1図回路の動作波形図
、第3図は本発明の第2実施例を示す回路図、第4図は
パワートランジスタの応用回路例であるインバータ装置
の回路図、第5図は従来のベース電流節約形ベース駆動
回路の回路図、第6図は第5図回路の動作波形図である
。 1・・・パワートランジスタ 1a・・・逆並列ダイオード 1b・・・ベース、エミッタ間抵抗 2・・・順バイアス用トランジスタ 3・・・逆バイアス用トランジスタ 4・・・順バイアス用電源 5・・・逆バイアス用電源 6・・・コレクタキャッチャダイオード7・・・抵抗
− 8・・・オン、オフ指令器 9・・・コンパレータ 10・・・ベース、コレクタ基準電圧源11・・・ダイ
オード 12・・・調節器 13・・・負荷 14・・・電源 15〜17・・・パワートランジスタ 18・・・ベース駆動回路 出願人 富士電機株式会社 第1図 ”)(1−1−イア又用轄) 第2図 第3図 第乙図 1へ 第5図
実施例を示す回路図、第2図は第1図回路の動作波形図
、第3図は本発明の第2実施例を示す回路図、第4図は
パワートランジスタの応用回路例であるインバータ装置
の回路図、第5図は従来のベース電流節約形ベース駆動
回路の回路図、第6図は第5図回路の動作波形図である
。 1・・・パワートランジスタ 1a・・・逆並列ダイオード 1b・・・ベース、エミッタ間抵抗 2・・・順バイアス用トランジスタ 3・・・逆バイアス用トランジスタ 4・・・順バイアス用電源 5・・・逆バイアス用電源 6・・・コレクタキャッチャダイオード7・・・抵抗
− 8・・・オン、オフ指令器 9・・・コンパレータ 10・・・ベース、コレクタ基準電圧源11・・・ダイ
オード 12・・・調節器 13・・・負荷 14・・・電源 15〜17・・・パワートランジスタ 18・・・ベース駆動回路 出願人 富士電機株式会社 第1図 ”)(1−1−イア又用轄) 第2図 第3図 第乙図 1へ 第5図
Claims (1)
- 前段のトランジスタとして順バイアス用トランジスタ及
び逆バイアス用トランジスタを設け、これら前記トラン
ジスタのオン、オフによりパワートランジスタのベース
、コレクタ電圧又は、オン電圧を制御し、また順バイア
ス用トランジスタのベースとパワートランジスタのコレ
クタ間に、順バイアス用トランジスタに供給されるベー
ス電流のうち余分なものをパワートランジスタのコレク
タに流すコレクタキャッチャダイオードを設けたベース
電流節約形のベース駆動回路において、制御対象の電圧
を基準値と比較する比較回路及びこの比較回路の出力で
制御対象電圧が基準値より低い時はオン期間中でも、最
前段トランジスタのベースに逆バイアス電圧を印加する
回路を設けたことを特徴とするトランジスタのベース駆
動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61049741A JPS62207021A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | トランジスタのベ−ス駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61049741A JPS62207021A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | トランジスタのベ−ス駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62207021A true JPS62207021A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12839610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61049741A Pending JPS62207021A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | トランジスタのベ−ス駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62207021A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202022A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-15 | Toyota Autom Loom Works Ltd | パワースイッチング素子のゲート回路 |
JPH02174374A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-07-05 | Tektronix Inc | パワートランジスタ用補償回路 |
US5731729A (en) * | 1995-01-13 | 1998-03-24 | Ixys Corporation | Voltage transient suppression circuit for preventing overvoltages in power transistor systems |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61049741A patent/JPS62207021A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202022A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-15 | Toyota Autom Loom Works Ltd | パワースイッチング素子のゲート回路 |
JPH02174374A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-07-05 | Tektronix Inc | パワートランジスタ用補償回路 |
US5731729A (en) * | 1995-01-13 | 1998-03-24 | Ixys Corporation | Voltage transient suppression circuit for preventing overvoltages in power transistor systems |
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