JPS62206744A - イオン源装置 - Google Patents

イオン源装置

Info

Publication number
JPS62206744A
JPS62206744A JP4995586A JP4995586A JPS62206744A JP S62206744 A JPS62206744 A JP S62206744A JP 4995586 A JP4995586 A JP 4995586A JP 4995586 A JP4995586 A JP 4995586A JP S62206744 A JPS62206744 A JP S62206744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitter
gallium
ion source
source device
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4995586A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Sasaki
茂雄 佐々木
Akira Nushihara
主原 昭
Naomitsu Fujishita
直光 藤下
Yasushi Hisaoka
靖 久岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4995586A priority Critical patent/JPS62206744A/ja
Publication of JPS62206744A publication Critical patent/JPS62206744A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は液体金属イオン源装置、とぐに長時間安定に
イオンビームを発生させる装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第10図は例えば特開昭58−40744 %公報に示
された従来のイオン源装置の構成を示す断面図である。
図において、fi+はタンタルで形成されたリザーバ、
(2)はリザーバtllの底部に設けられた開口部、(
3]ハリザーバ+11内に貯留されたガリウムであり、
イオンビームの原料金属である。(41ケよタングステ
ン製のエミッタであり、開口部(2)を貫通して、一端
がリザーバfilの側面にスポット溶接によって固着さ
れており、他端が電解研磨によりリザーバfil外くお
いて針状に形成されている。(6)はエミッタ(410
針状部に対向する接地電位の引出し電極、(θ)はリザ
ーバ(11の側面にスポット溶接されたタングステン製
の2木のフィラメント、(7)は2木のフィラメント(
6)をそれぞわスポット溶接により支持する2個の電流
端子、(第1は2個の電流端子(7)に接続する加熱電
源、(91け一端が接地された高圧電源でアリ、リザー
バ(りオよびエミッタ+41に正の高電圧を印加する。
次に動作をこついて説明する。加熱電源(8)を投入す
ると電流は一方の電流端子(7)からフィラメント(6
)およびリザーバ(1)などを介して他方の電流端子(
7)へ流わる。この電流によりフィラメント(6)は発
熱し、このフィラメントからの伝導熱によってリザーバ
fi+ 、エミッタ(41およびガリウム(3)は加熱
される。高温となったガリウムtl+け濡れ性が良好な
溶融金属となり、開口部(2)を通りエミッタ(4)の
針状部を薄膜状に覆う。このエミッタ(4)の針状部に
は高圧電源(91により強電界が印加さねており、針状
部を覆う溶融したガリウム(31けこの強電界によって
テーラ−コーン(Taylor Cone)と称される
円錐突起を形成する。この円錐突起の先端部には電界が
集中するため、ガリウム(3)け先端部で電界蒸発し、
イオンとなって引出し電極(51方向へ引き出される。
この際、安定なイオンビームを長時間発生させるために
は、溶融したガリウム(3)を高温に保持することによ
り、その粘性を低下させ、エミッタ(4)の針状部表面
での先端方向への流量抵抗を軽減する必要がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のイオン源装置は以上のように構成されているので
、リザーバ+11の支持機能を兼ねるフィラメント(6
)には、熱歪みや機械的強度の制約から十分な電流を通
電できず、また、フィラメント(6)で発生した熱エネ
ルギーの大半は輻射などで散逸するために1.リザーバ
[11内のガリウム(31を有効に加熱できなかった。
さらに、エミッタ(410針状部の加熱はリザーバ(1
)を介した伝導熱によるため、その間に温度勾配を生じ
、上記針状部近傍のガリウム(31を高温に保つことが
困難であった。したがって、長時間安定なイオンビーム
を発生させることが困難であるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、長時間安定なイオンビームを発生させるイオ
ン源装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るイオン源装置は、少なくとも一端が容器
の開口部を覆通し容器外に尖端部を有するエミッタと、
このエミッタの容器内の一部または全部を被覆する絶縁
体と、エミッタと容器上の間に通電させエミッタを加熱
する電源とを備えたものである。
〔作用〕
この発明においては、絶縁体により被覆さねたエミッタ
を通電することにより、そのエミッタが発熱し、その伝
導熱によりエミッタの針状部近傍のイオン化すべき金属
を高温に加熱する。
〔実施例〕
以下、この発明の第1の実施例を図について説明する。
第1図はこの発明のvjlの実施例のイオン源装置の構
成を示す断面図、第2図はその要部拡大図である。図に
おいて、(101flエミッタ(4)のリザーバ(1)
内の部分を被覆する円筒状の絶縁体であり、例えばアル
ミナセラミックスよりなる。α])I/−iリザーバ(
11と電流端子(7)とをろう付けで固定するか、ある
いは機械的に固定するとともに、各′1流端子(7)を
電気絶縁する絶縁支持体、0はガリウム(3)の蒸発に
よるガリウム(3)飛散を防止するための絶縁性を有す
る蓋材、a3は一方の電流端子(7)と工ミッタ(41
を接続するリード線、α弔は他方の電流端子(7)とリ
ザーバfilを接続するリード線である。(8)(1エ
ミツタ(41とリザーバ[1iとの間に通電させエミッ
タ(41を加熱する加熱電源である。fil〜(151
、(71および(9+ 1d従来のものと同様である。
ただし、エミッタ141t/−1リザーバ+1+の側面
に固着されているわけではなく、蓋材(イ)により支持
されている。
次に動作について説明する。加熱電源(8)を用い、第
1図に示されるように通電すると、電流は電流端子+7
1 r ’J−ド線03および絶縁体(10+で被覆さ
れたエミッタ(41を通り、ガリウム(3)を介してリ
ザーバ(1)に導かね、リード線α弔、を流端子(7)
を通って加熱電源(第1に帰還する。
この通電経路においては、主にエミッタ(41の絶縁体
(!0)で被覆された部分が通電加熱される。この熱は
、熱輻射あるいは熱伝導番こより、ガリウム(31およ
びリザーバ(1)全体を高温に加熱する。また、熱伝導
により、エミッタ(41の針状部および針状部近傍のガ
リウム13)をも高温加熱する。なお、その際、リザー
バ(1)は熱シールドとしての役割をけたす。
したがって、エミッタ(4)の針状部近傍のガリウム+
31の粘性が低下し、針状部先端へ長時間安定してガリ
ウム(31が供給される。ひいては、長時間安定したイ
オンビームを発生させることができる。
さらに、加熱効率も向上する。
また、エミッタ(4)の直接接触するガリウム(31は
小容量であり、したがって長時間動作させてリザーバt
ll内のガリウム(3)量が変化しても、ガリウム(3
1部分の電気抵抗の変化がわずかなため、安定的にガリ
ウム(3)の温度を制御できる。
次にこの発明の第2の実施例を説明する。第3図はこの
発明の@2の実施例のイオン源装置の構成を示す断面図
である。図において、(1a)はリザーバ+11に投け
られた管状部であり、開口部(2)と連通している。(
1)〜(5)および(7)〜04はこの発明の第1の実
施例と同様のものである。
次に動作について説明する。第10図に示された従来の
イオン源装置においては、リザーバ(11内に貯留した
ガリウム(3)の借や温度が変動することにより、ガリ
ウム(31の重力と表面張力の平衡条件も変動するため
、エミッタ+41の針状部を覆うガリウム(3)の自由
表面形状が変化する。例えば第11図および第12図は
従来のイオン源装置のエミッタ(41針状部近傍を示す
断面図である。(!1〜(4)は第10図に示すものと
同様のものである。i 11図のようにガリウム(3)
が薄い膜状となっている場合と、第12図のようにガリ
ウム(31の量が増加している場合とでは、後者の方が
流量抵抗は低下するものの、他方、エミッタ(4)針状
部を覆うガリウム(3)の液面の曲率は鈍化し、電界強
度が緩和さねてしまう。したがって、第12図のような
場合には、長時間安定なイオンビームを発生させること
に困難な点があった。
そこで、第3図に示されるように、リザーバfilの開
口部(2)に連通した管状部(1a)を設けることによ
り、エミッタ(4)の針状部を覆うガリウム(3)の自
由表面形状の変動を規制する。すると、開口部(2)ヨ
リIJ f −ハ[xl外へ滲み出したガリウム(31
は管状部(1a)の外径以上には広がることができない
ので、ガリウム(31の液面は管状部(1a)の底面全
面を覆った状態で安定となる。したがって、管状部(1
a)の外径を十分小さくしておけば、管状部(1a)の
底面に付着するガリウム(31の自由表面の面8Iは小
さくなるので、リザーバ(1)内のガリウム(31の量
や温度の変化あるいは機械的振動などに伴う上記自由表
面の変動も小さく規制される。また、ガリウム(3)の
表面漕が小さいことから、ガリウム(31の蒸発も抑制
される。なか、管状部(1a)の材質をイオン化すべき
金属と濡れ性の悪い材料(例えば原料金属ガリウムに対
してアルミナセラミックスなど)とすると、ガリウム(
31ハ管状部(1a)表面を広がりに〈〈、ガリウム(
31の蒸発面積はいっそう小さくすることができる。ま
た、管状部(la)Hリザーバ+11と別体でもよく、
例えばタンタル製の管状部材を電子ビーム溶接などで収
り付ければよい。
さらに、この発明の$3の実施例を説明する。
第4図はこの発明の第3の実施例のイオン源装置の構成
を示す断面図、第5図は第4図のV−v線断面図である
。図において、α51はリザーバfi+およびエミッタ
(41を開口部+2)近傍で電気的かつ機械的に接続す
る接続部材である。この接続部材af3t/−i、エミ
ッタ(41針状部へガリウム(3)を移送する隙間をリ
ザーバfilとエミッタ(41との間に確保するように
配置され、例えばスポット溶接などで固定される。
fli〜(61および(7)〜(ロ)は第1図に示され
たこの発明のvJlの実施例と同様のものである。
次に動作について説明する。第1図に示されたこの発明
の第1の実施例のイオン源装置では、リザーバ[11内
に貯留された原料金1m1(例えばガリウム(31)が
液体でかつ粘性が低ければ、この原料金属を介してリザ
ーバfl+とエミッタ+41との間に通電される。し声
がって、エミッタ(41が発熱し、その伝導熱により原
料金属が加熱される。しかしながら、原料金属が粉末あ
るいは粒塊の金属である場合や、原料金属の粘性が高く
、リザーバill上部に停滞している場合には、リザー
バ+11とエミッタ(4)との間の通電経路が確保され
ないことがあった。
この場合、このイオン源装置は有効に機能しない。
したがって、第4図に示さね、るように、リザーバ(I
t (!:エミッタ(41との間に接続部材α9を設け
ることにより、上記のような場合にも通電経路を確保す
る。よって、粉末あるいは粒塊の原料金属に対しても有
効に機能するイオン源装置を得ることができる。
なお、接続部材α9の構成は上記実施例に限定されるこ
となく、リザーバ(11とエミッタ(4)とが機械的に
かつ電気的に接続され1、しかもリザーバFlj内の原
料金属をエミッタ(41の針状部へ導く経路が確保され
ておればよい。ここで、第6図はこの発明の第4の実施
例のイオン源装置の構成を示す要部断面図、gP!J1
図はその接続部材を示す底面図、第8図はこの発明の第
5の実施例のイオン源装置の構成を示す要部断面図、第
9図はその[−IX線断面図である。図において、各符
号r/′i第4図に示されたものと同様のものである。
例えば第6図のように、複数の小孔を有する例えばタン
タルなどの円板を、そのうち一つの小孔にエミッタ+4
1)針状部を貫通させて、スポット溶接などで固定して
、接続部材止とすることができる。また、第8図のよう
に、リザーバ+11の管状部にプレス加工などにより突
起部を設けて、エミッタ(41に接触させ、接続部材(
至)としてもよい。
さらに、第1図に示されたように、リザーバ+11の上
端に着脱可能な蓋材@を設ければ、リザーバfli内へ
のガリウム(3)の補給が容易となり、また、加熱動作
時には、ガリウム(3)の蒸発飛散が防止できるため、
ガリウム(31を無駄なくイオンビームとして収り出せ
る。また、上記実施例のイオン源装置tfi構造が簡単
なので、エミッタ(3)の取り換えや長さ調節が容易で
ある。
なお、上記実施例では、絶縁体(lO)はリザーバfi
l内のエミッタ(4)の一部を被覆しているが、ガリウ
ム(31のエミッタ(4)針状部先端への通路および加
熱電流の通路さえ確保されておわばリザーバfll内の
エミッタ(4)の全部を被覆していてもよい。
才た、原料金属としてガリウム(31を例にとって説明
したが、セシウムや、一部の共晶合金などの金属を使用
してもよい。エミッタ(41やリザーバfilの材質も
、タングステンやタンタルなどに限ラス、他の高融点金
属を使用できる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、少なくとも一端が容
器の開口部を貫通し容器外に尖端部を有するエミッタと
、このエミッタの容器内の一部または全部を被覆する絶
縁体と、エミッタと容器との間に通電させエミッタを加
熱する電源を備えたので、長時間安定なイオンビームを
発生させるイオン源装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1の実施例のイオン源装置の構成
を示す断面図、第2図はその要部拡大図、第3図はこの
発明の¥12の実施例のイオン源装置の構成を示す断面
図、第4図はこの発明の@3の実施例のイオン源装置の
構成を示す断面図、第5図はそのv−v線断面図、第6
図はこの発明の第4の実施例のイオン源装置の構成を示
す要部断面南、gIJ7図はその接続部材を示す底面図
、第8図はこの発明のRJ5の実施例のイオン源装置の
構成を示す要部断面図、第9図はそのlX−11線断面
図、第10図は従来のイオン源装置の構成を示す断面図
、第11図および第12図はその要部断面図である。 図におりで、(1)は容器としてのリザーバ、+2)は
開口部、(31けイオン化すべき金属としてのガリウム
、(41けエミッタ、(61は引出し電極、(8)は第
2の電源としての加熱電源、i911d第1の電源とし
ての高庄電源、(10)は絶縁体、G9け接続部材であ
る。 なお、各図中間−符′8t/′i同一または相当部分を
示す。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)イオン化すべき金属を貯留する導電材料からなる
    容器、この容器の上記金属貯留部に穿設された開口部、
    少なくとも一端がこの開口部を貫通し上記容器外に尖端
    部を有するエミッタ、このエミッタの上記容器内の一部
    または全部を被覆する絶縁体、上記エミッタの尖端部に
    対向する引出し電極、この引出し電極と上記尖端部との
    間に電圧を印加する第1の電源、上記エミッタと容器と
    の間に通電させ上記エミッタを加熱する第2の電源を備
    えたイオン源装置。
  2. (2)容器はイオン化すべき金属を外部から供給するた
    めの供給口とこの供給口を気密する蓋材とを有すること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のイオン源装置
  3. (3)容器はタンタルからなることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のイオン源装置。
  4. (4)エミッタはタングステンからなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載のイオン源装置。
  5. (5)絶縁体はアルミナセラミックスからなることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のイオン源装置。
  6. (6)容器は開口部と連通する管状部を有することを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のイオン源装置。
  7. (7)管状部はイオン化すべき金属と濡れ性の悪い材料
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の
    イオン源装置。
  8. (8)容器およびエミッタは開口部近傍において電気的
    および機械的に接続することを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載のイオン源装置。
JP4995586A 1986-03-05 1986-03-05 イオン源装置 Pending JPS62206744A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4995586A JPS62206744A (ja) 1986-03-05 1986-03-05 イオン源装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4995586A JPS62206744A (ja) 1986-03-05 1986-03-05 イオン源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62206744A true JPS62206744A (ja) 1987-09-11

Family

ID=12845458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4995586A Pending JPS62206744A (ja) 1986-03-05 1986-03-05 イオン源装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62206744A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010533350A (ja) * 2007-07-09 2010-10-21 オルセー フィジックス マイクロメーターサイズのイオンエミッター源
JP2011510473A (ja) * 2008-01-22 2011-03-31 サーモ フィッシャー サイエンティフィック インコーポレイテッド 水銀置換物を使用した、カプセル封入されたスイッチおよびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010533350A (ja) * 2007-07-09 2010-10-21 オルセー フィジックス マイクロメーターサイズのイオンエミッター源
JP2011510473A (ja) * 2008-01-22 2011-03-31 サーモ フィッシャー サイエンティフィック インコーポレイテッド 水銀置換物を使用した、カプセル封入されたスイッチおよびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4318029A (en) Liquid metal ion source
JPS5838906B2 (ja) 金属イオン源
US4631448A (en) Ion source
JPS62206744A (ja) イオン源装置
JPS62259332A (ja) イオン発生装置
US7209544B2 (en) X-ray tube cathode assembly and interface reaction joining process
JPS62206745A (ja) イオン源装置
US1656956A (en) Electric vacuum valve tubb
US4755683A (en) Liquid-metal ion beam source substructure
JPS62176030A (ja) イオンビ−ム加工装置の液体金属イオン源
JPH0136664B2 (ja)
JPH01258351A (ja) 液体金属イオン源
US962497A (en) Vapor electric apparatus.
JPS63170833A (ja) 液体金属イオン源
JPS62290042A (ja) 液体金属イオン源
JPS63146327A (ja) 液体金属イオン源
US2088424A (en) X-ray device
JPS60165020A (ja) 電界放出型イオンビ−ム放射装置
US1596500A (en) Mercury-vapor arc rectifier of glass
US1193989A (en) Electrode for welding
US1010668A (en) Vacuum-tube lamp.
JPS5838905B2 (ja) 金属イオン源
JPH027499B2 (ja)
US1708852A (en) Full-wave rectifier with glow cathode
JPS61206136A (ja) 液体金属イオン源