JPS62203390A - 磁気半導体素子の温度補償回路 - Google Patents

磁気半導体素子の温度補償回路

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JPS62203390A
JPS62203390A JP61045673A JP4567386A JPS62203390A JP S62203390 A JPS62203390 A JP S62203390A JP 61045673 A JP61045673 A JP 61045673A JP 4567386 A JP4567386 A JP 4567386A JP S62203390 A JPS62203390 A JP S62203390A
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JP
Japan
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voltage
temperature
sensitivity coefficient
semiconductor element
circuit
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JP61045673A
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Kenji Sakamoto
研二 坂本
Shinichi Sasaki
進一 佐々木
Mineo Ozeki
尾関 峰夫
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Toyota Industries Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Toyoda Automatic Loom Works Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00Hall-effect devices
    • H10N52/80Constructional details

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  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 (産業上の利用分野) この発明は磁気半導体素子の温度補償回路に関するもの
である。
(従来の技術) 従来、!i界を電気信号に変換して検出するセンサとし
て、例えばボール素子が多々使用されている。
そして、一般にホール素子の出力電圧(ホール電圧E)
は E=感度係数X駆動雷流×被測定磁界で示されている。
(発明が解決しようとする問題点) ところが、感度係数は環境温度の変動がある(温度が上
昇すると値が小さくなる)ため、同じm界でも温)、!
!が異なると出力電圧Eが異なり正確に磁気測定を行う
ことができなかった。これは他の磁気半導体素子でも同
様であった。
そこで、温度の変動に合わゼて回路調整することが考え
られるが、温度が変わるごとにいちいち調整作業をしな
ければならないこと、及び、回路が複雑になり部品点数
が多くなるといった問題があった。
この発明の目的は上記問題点を解決すべく簡単な回路構
成で環境温度が変化しても自動的に温度補償をして常に
正確な磁気測定を行うことができる磁気半導体素子の温
度補償回路を提供することにある。
発明の構成 (問題点を解決するための手段) この発明は上記目的を達成するために、感度係数、駆動
電流及び被測定磁界の3つの要素によって決まる磁気半
導体素子に前記感度係数の温度変化に応じて駆動電流を
可変さじ、出力の温度変化を補償する温度補償回路を設
けた磁気半導体素子の温度補償回路を提供するにある。
(作用) 温度変化で感度係数が変動すると、その変動分補償回路
はその変動分を駆動電流を制御して駆動電流にて補償、
即ち、感度係数と駆if¥lI電流の積を一定に保持す
る。
(実施例) 以下、この発明の磁気半導体素子の温度部1d回路をホ
ール素子を用いた磁気検出装置に具体化した一実施例を
図面に従って説明する。
第1図はホール素子を用いた磁気検出装置の電気回路を
示し、ホール素子駆動回路C1と補償回路C2とから構
成されている。そして、駆動回路C1において可変抵抗
1は動作電圧Vccを分圧しその分圧電圧V1はオペア
ンプ2の十入力端子に出力している。オペアンプ2はそ
の出力端子及び−入力端子は磁気半導体素子としてのホ
ール素子3の入力電極間に接続され閉ループ、即ち、I
ll ?をかけ常に前記子端子に入力される電圧V1ど
一入力端子に入力される電圧V2が常に等しくなるよう
にしている。
ホール素子3は前記オペアンプ2の出力端子から同素子
3の入力電極間に流れる駆動電流1 (1、同素子3の
温度によって変動する感度係数及び被測定磁界の強さの
積によって決まるその出力電極間にボール電圧Eを出力
する。尚、感度係数はホール素子の半導体材料によって
依存し温度が上昇するとその値が小さくなる。
一方、ホール素子3のアース側入力電極は抵抗4を介し
て補償回路C2の抵抗5に接続されている。補償回路C
2はこの抵抗5の他に抵抗6.7及びダイオード8とか
ら構成されていて、抵抗6が抵抗4,5の接続点aと、
抵抗7とダイオード8の接続点すとの間に接続されてい
る。そして、本実施例では抵抗4の抵抗fiIIRは抵
抗5より大きな値となるように設定している。従って、
接続点aの電圧をVaとすると、オペアンプ2の一入力
端子の入力インピーダンスが高いことから駆動電流1d
はId = (V2−Va )/Rとなる。
又、抵抗6,7の低抗埴はダイオード8に流れる電流が
数ミリアンペア流れるように設定している。尚、ダイオ
ード8のVf−1f温度特性は第2図に示すダイオード
であって、一般のダイオードは全てこの特性を有する。
従って、温度が上がったときには順電圧V「、即ち、前
記接続点1)の電圧vbは下がることになる。その結果
、これに比例して前記接続点aの電圧Vaは下がること
になる。
次に、上記のように構成した磁気検出装置の作用につい
て説明する。
今、一定の強さの磁界をホール素子3が検知していると
は、ホール素子3の電圧Eは感度係数、駆動電流1d及
び磁界の強さの積によって決まる値となる。
そして、環境温度が上昇すると前記感度係数はそれに応
じて小さくなると、これと同時にダイオード8の順電圧
、即ち、電圧vbが下がり電圧Vaも下がる。一方、ホ
ール素子3のアース剛入力端子の電圧■2はオペアンプ
2にて常に一定(=Vl)に保持されているため、(V
2−Va)/Rで決まる駆動電流1dはこの電圧Vaが
小さくなることに基づいて大きくなる。
従って、環境温度が上弄し感度係数が小さくなると、そ
の分駆動電流Idが大きくなる。その結果、感度係数、
駆動電流id及び磁界の強さの積によって決まるホール
電圧[は温度が上昇しても磁界の強さが変わらないかぎ
り常に一定の値を示すことになる。
尚、反対に環境温度が下がった場合には感度係数が大き
くなり、駆8電流1dがその変化分小さくなる。
このように、本実施例においてはホール素子3が環境温
度の変化によってその感度係数が変化しても補償回路が
その分駆動電流1dの大ささを自動的に制御するので、
環境温度の変化に左右されず常に正確な磁気測定で簡単
に行うことができる。
又、補償回路C2は抵抗5〜7及びダイオード8とから
なる非常に簡単な回路構成なのでコスト的にも非常に有
利である。
尚、この発明は前記実施例に限定されるものではなく、
ホール素子以外、例えば磁気抵抗素子等その他磁気半導
体素子に応用してもよい。又、前記実施例ではダイオー
ド8のVr−If温度特性を利用して駆動電流1dを制
御したが、これに限定されるものではなく、要は温度変
化に基づいて感度係数が変化したときその変化分を駆動
電流で補償するようにしたものであればよい。
発明の効果 以上詳述したように、この発明によれば簡l$iな回路
構成で環境温度が変化しても自動的に温度補償をして常
に正確な磁気測定を行うことができる優れた効果を有す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明を具体化した磁気検出装置の電気回路
図、第2図はダイオードのV[−1fm度特性図である
。 図中、1は可変抵抗、2はオペアンプ、3はホール素子
、4〜7は抵抗、8はダイオード、C1は駆動回路、C
2は補償回路である。 特許出願人   株式会社豊田自動織R製作所株式会社
 明 電 舎 代理人    弁理士  恩1)博宣 0.5     0.9    υ 順電圧Vf□

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、感度係数、駆動電流及び被測定磁界の3つの要素に
    よつて出力が決まる磁気半導体素子に前記感度係数の温
    度変化に応じて駆動電流を可変させ、出力の温度変化を
    補償する温度補償回路を設けた磁気半導体素子の温度補
    償回路。 2、磁気半導体素子はホール素子であつて、端子間電圧
    ホール電圧である特許請求の範囲第1項記載の磁気半導
    体素子の温度補償回路。 3、磁気半導体素子は磁気抵抗素子である特許請求の範
    囲第1項記載の磁気半導体素子の温度補償回路。
JP61045673A 1986-03-03 1986-03-03 磁気半導体素子の温度補償回路 Expired - Lifetime JPH0824201B2 (ja)

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