JPS6219857A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS6219857A JPS6219857A JP60158182A JP15818285A JPS6219857A JP S6219857 A JPS6219857 A JP S6219857A JP 60158182 A JP60158182 A JP 60158182A JP 15818285 A JP15818285 A JP 15818285A JP S6219857 A JPS6219857 A JP S6219857A
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- JP
- Japan
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- light
- pattern
- shielding film
- light shield
- film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ発明の利用分野〕
本発明はホトマスクに係り、特に、縮小投影露光におい
てホトマスクに付着したゴミ投影防止を行い、かつ拡大
パターンを忠実に縮小投影する技術に好適な縮小投影用
ホトマスク（レティクル）に関する。
てホトマスクに付着したゴミ投影防止を行い、かつ拡大
パターンを忠実に縮小投影する技術に好適な縮小投影用
ホトマスク（レティクル）に関する。
従来のカバーガラス付ホトマスクは、特開昭５９−６２
８５６に記載のごとく、カバーガラスに光学ガラスが使
用されている。上記ホトマスクを使用して縮小投影露光
を行うと、大きなパターンに限ってウェハ上にゴースト
が発生し、ホトマスクに忠実なパターンを形成すること
ができないという欠点があった。
８５６に記載のごとく、カバーガラスに光学ガラスが使
用されている。上記ホトマスクを使用して縮小投影露光
を行うと、大きなパターンに限ってウェハ上にゴースト
が発生し、ホトマスクに忠実なパターンを形成すること
ができないという欠点があった。
本発明の目的は上述した欠点を解消したホトマスクを提
供することにある。
供することにある。
従来のカバーガラス付ホトマスクを使用して、縮小投影
露光を行うと、試料上にゴーストが発生する。その原因
はカバーガラス面での反射である。
露光を行うと、試料上にゴーストが発生する。その原因
はカバーガラス面での反射である。
第１図に、上記のホトマスクを縮小投影光学系内に設置
した時の投影光の光路を示す。図のごとく、光学基板１
．遮光膜パターン４．枠２．カバーガラス３で構成した
ホトマスク１１を縮小投影レンズ７の前面に設置し、上
記ホトマスク１１を照明すると、光路は主光路５−４と
反射による２次光路５−Ｉｌ、 ５−ＩＩＩ等が発生す
る（図では屈折率を全く考慮していない）。この２次光
路５−ＩＩあるいは５−ｍにより、遮光膜パターン４の
虚像６が、図のよ・うに発生する（図では、５−ｎによ
る虚像のみ示している）ため、縮小投影面の試料８上に
遮光膜パターン４とその虚像６が縮小投影される。通常
のカバーガラス３面での反射率が約１０％であるから、
２次光路５−■での光の強度は反射率が１００％に近い
遮光膜を使用すると、主光路の光の強さの約１０％で試
料８に入射する。
した時の投影光の光路を示す。図のごとく、光学基板１
．遮光膜パターン４．枠２．カバーガラス３で構成した
ホトマスク１１を縮小投影レンズ７の前面に設置し、上
記ホトマスク１１を照明すると、光路は主光路５−４と
反射による２次光路５−Ｉｌ、 ５−ＩＩＩ等が発生す
る（図では屈折率を全く考慮していない）。この２次光
路５−ＩＩあるいは５−ｍにより、遮光膜パターン４の
虚像６が、図のよ・うに発生する（図では、５−ｎによ
る虚像のみ示している）ため、縮小投影面の試料８上に
遮光膜パターン４とその虚像６が縮小投影される。通常
のカバーガラス３面での反射率が約１０％であるから、
２次光路５−■での光の強度は反射率が１００％に近い
遮光膜を使用すると、主光路の光の強さの約１０％で試
料８に入射する。
一方、縮小投影光学系は遮光膜パターン４の位置と試料
８よとで縮小レンズ条件を満足しているので、遮光膜パ
ターン４の虚像６内の微細パターン 。
８よとで縮小レンズ条件を満足しているので、遮光膜パ
ターン４の虚像６内の微細パターン 。
は試料上でデフォーカス状７ｇとなる。しかし、大きな
パターンはデフォーカス状態でもゴーストとしてパター
ンが試料上に形成されてしまう。
パターンはデフォーカス状態でもゴーストとしてパター
ンが試料上に形成されてしまう。
従って、前述の目的を達成するために本発明においては
第１図に示したカバーガラス３での反射による２次光（
５−ｎ、５−Ｉ［Ｉ）を防止するため、カバーガラスに
反射防止膜を設ける（防反処理）ことを特徴としている
。
第１図に示したカバーガラス３での反射による２次光（
５−ｎ、５−Ｉ［Ｉ）を防止するため、カバーガラスに
反射防止膜を設ける（防反処理）ことを特徴としている
。
以下、本発明の一実施例を第２図〜第４図により説明す
る。第２図は反射防止膜をコーティングしたカバーガラ
スを有するホトマスクブランクを示す。図において、１
は光学ガラス、１２は直接レーザ加工し易いＰ ｂ −
Ｔ ｅ −Ｓ ｅ系遮光膜、２はカバーガラス取り付は
枠、３は反射防止膜９．１０を両面にコーティングした
カバーガラスを示す。また、第３図は、レーザ加工によ
り直接パターン形成後のホトマスクである。さらに、第
４図は通常のレジストを用いＣｒ遮光膜１３にパターン
形成した後、枠２及び反射防止膜９，１０をコーティン
グしたカバーガラス３を取り付けたホトマスクを示す。
る。第２図は反射防止膜をコーティングしたカバーガラ
スを有するホトマスクブランクを示す。図において、１
は光学ガラス、１２は直接レーザ加工し易いＰ ｂ −
Ｔ ｅ −Ｓ ｅ系遮光膜、２はカバーガラス取り付は
枠、３は反射防止膜９．１０を両面にコーティングした
カバーガラスを示す。また、第３図は、レーザ加工によ
り直接パターン形成後のホトマスクである。さらに、第
４図は通常のレジストを用いＣｒ遮光膜１３にパターン
形成した後、枠２及び反射防止膜９，１０をコーティン
グしたカバーガラス３を取り付けたホトマスクを示す。
上記の反射防止膜９，１０は既存の技術により、光の透
過率を９５％以上に向上するようにコーティングする。
過率を９５％以上に向上するようにコーティングする。
例えば、カバーガラス３及び空気の屈折率を各々ｎ３＋
ｒｌ工とすると。
ｒｌ工とすると。
反射防止膜９．１０の屈折Ｑ’ ｎ ｚは次式で与えら
れる。
れる。
ｎ、＝ ｇｚ乙＝ｎ 、 （１）ｎ工＝
１ 、 ｎ ３＝ １ 、５とすると、ｎｌは１．２
２となる。
１ 、 ｎ ３＝ １ 、５とすると、ｎｌは１．２
２となる。
上記の屈折率を満足する材質は少なく、一般には氷晶石
（ｎ＝１．３５）や弗化マグネシウム（ｎ−１，３８）
が使用される。また、入射光が波長λで垂直入射するも
のとすると、コーティングの膜厚りは光学の厚さｎ、ｈ
がλ／４となるように製作する必要がある。これにより
、表面反射率は２％以下に抑えることができる。
（ｎ＝１．３５）や弗化マグネシウム（ｎ−１，３８）
が使用される。また、入射光が波長λで垂直入射するも
のとすると、コーティングの膜厚りは光学の厚さｎ、ｈ
がλ／４となるように製作する必要がある。これにより
、表面反射率は２％以下に抑えることができる。
第２図及び第３図はレーザ加工により直接にパターン形
成を行うためのホトマスクブランク及びレーザ加工によ
り縮小投影用パターン１２′が形成されたホトマスクで
ある。この場合、レーザ加工は光学ガラス１を通して行
う。また、遮光膜は第２図のようにレーザ加工（縮小投
影用パターン）部分とその周辺部分とを異なった遮光膜
１２゜１４で形成している。尚１周辺部分の遮光膜１４
は通常のＣｒ系の遮光膜を使用するのが望ましい。
成を行うためのホトマスクブランク及びレーザ加工によ
り縮小投影用パターン１２′が形成されたホトマスクで
ある。この場合、レーザ加工は光学ガラス１を通して行
う。また、遮光膜は第２図のようにレーザ加工（縮小投
影用パターン）部分とその周辺部分とを異なった遮光膜
１２゜１４で形成している。尚１周辺部分の遮光膜１４
は通常のＣｒ系の遮光膜を使用するのが望ましい。
これは９周辺部にマークを形成し、縮小投影光学系にホ
トマスクを装着する際、上記マークを合せマークとして
使用するのに都合が良いからである。これにより、ホト
マスクブランクの状態でパターンとなる遮光膜に異物等
の塵埃が付着しないようにすれば、パターン形成及び縮
小投影露光作業においてパターン上への異物付着を全く
心配する必要がなく、作業工程を省略することができる
。
トマスクを装着する際、上記マークを合せマークとして
使用するのに都合が良いからである。これにより、ホト
マスクブランクの状態でパターンとなる遮光膜に異物等
の塵埃が付着しないようにすれば、パターン形成及び縮
小投影露光作業においてパターン上への異物付着を全く
心配する必要がなく、作業工程を省略することができる
。
また２本発明は縮小投影するためのパターンを形成する
あるいは形成した遮光膜を外部と実質的に遮断・密閉す
る構成とっているが、密閉された部分には特別なものを
充填する必要がなく、空気のままでも十分である。
あるいは形成した遮光膜を外部と実質的に遮断・密閉す
る構成とっているが、密閉された部分には特別なものを
充填する必要がなく、空気のままでも十分である。
以上説明したように、本実施例によれば、縮小投影露光
時にカバーガラスの両面からの反射光を防止することが
でき、試料８上へのゴーストの発生を防ぐことができる
。
時にカバーガラスの両面からの反射光を防止することが
でき、試料８上へのゴーストの発生を防ぐことができる
。
［発明の効果〕
本発明によれば、遮光膜パターン上に異物等の塵埃の付
着を防止することができ、試料８上へのゴーストの発生
を防でき、かつ、遮光膜パターンを忠実に投影する即ち
、ゴーストの発生を防止することができるので、異物検
査を介さず直接、縮小投影露光に使用することができる
。またカバーガラスを使用しているので破壊に強く、信
頼性が増加するとともに、縮小投影用パターンを形成す
る遮光膜に機械的強度の小さい材料とも使用することが
できる。
着を防止することができ、試料８上へのゴーストの発生
を防でき、かつ、遮光膜パターンを忠実に投影する即ち
、ゴーストの発生を防止することができるので、異物検
査を介さず直接、縮小投影露光に使用することができる
。またカバーガラスを使用しているので破壊に強く、信
頼性が増加するとともに、縮小投影用パターンを形成す
る遮光膜に機械的強度の小さい材料とも使用することが
できる。
第１図は、縮小投影露光光学系内に従来のカバーガラス
付ホトマスクを設置した際の光路の概略図、第２図〜４
図は本発明の実施例になるホトマスクの断面図示す。 １・・・透光性基板、２・・・枠（カバーガラス取り付
は枠）、３・・・カバーガラス、４・・・遮光パターン
、５・・・投影光の光路、６・・・遮光パターンの虚像
、７・・・縮小投影レンズ、８・・・試料、９，１０・
・・反射防止膜、１２・・・レーザ加工しゃすいＰｂ、
Ｔｅ、Ｓｓ系遮光膜、１２′・・・レーザ加工後のＰｂ
、Ｔｅ。 Ｓｅ系薄膜の遮光パターン、１３・・・Ｃｒ系薄膜の第
１図 乙 篤 Ｚ 図
付ホトマスクを設置した際の光路の概略図、第２図〜４
図は本発明の実施例になるホトマスクの断面図示す。 １・・・透光性基板、２・・・枠（カバーガラス取り付
は枠）、３・・・カバーガラス、４・・・遮光パターン
、５・・・投影光の光路、６・・・遮光パターンの虚像
、７・・・縮小投影レンズ、８・・・試料、９，１０・
・・反射防止膜、１２・・・レーザ加工しゃすいＰｂ、
Ｔｅ、Ｓｓ系遮光膜、１２′・・・レーザ加工後のＰｂ
、Ｔｅ。 Ｓｅ系薄膜の遮光パターン、１３・・・Ｃｒ系薄膜の第
１図 乙 篤 Ｚ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性基板上の一部にパターンを形成するための遮
光膜を設け、上記遮光膜を挾んで上記基板と対向し、か
つ、上記遮光膜と離れて両面を防反処理した透光性板状
部材を配置し、上記遮光膜を外部と実質的に遮断、密閉
してなることを特徴とするホトマスク。 ２、上記遮光膜にパターンが形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のホトマスク。 ３、上記板状部材の面積が上記基板の面積より小さいこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のホトマスク
。 ４、２種類以上の薄膜が平面的に形成された上記遮光膜
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ホトマスク。 ５、上記の第４項記載の遮光膜の１つの面積が上記板状
部材の面積より小さいことを特徴とする特許請求の範囲
第４項記載のホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158182A JPS6219857A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158182A JPS6219857A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6219857A true JPS6219857A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15666060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158182A Pending JPS6219857A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6219857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8216130B2 (en) | 2002-12-16 | 2012-07-10 | Given Imaging Ltd. | Device, system and method for selective activation of in vivo sensors |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60158182A patent/JPS6219857A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8216130B2 (en) | 2002-12-16 | 2012-07-10 | Given Imaging Ltd. | Device, system and method for selective activation of in vivo sensors |
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