JPS62189623A - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
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- JPS62189623A JPS62189623A JP3234486A JP3234486A JPS62189623A JP S62189623 A JPS62189623 A JP S62189623A JP 3234486 A JP3234486 A JP 3234486A JP 3234486 A JP3234486 A JP 3234486A JP S62189623 A JPS62189623 A JP S62189623A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固定磁気ディスク装置などに使用される磁
性薄膜を記録媒体とりる磁気fイスクに関する。
性薄膜を記録媒体とりる磁気fイスクに関する。
(従来の技術)
従来より、この種の磁気ディスクにあっては、磁気ヘッ
ドによる磁性薄膜の摩耗を防雨するため、磁性薄膜(磁
性層)上に例えば、カーボンスパッタ膜や有機高分子か
らなる有機薄膜などを設(プ、磁性層を保護づることが
行われている。
ドによる磁性薄膜の摩耗を防雨するため、磁性薄膜(磁
性層)上に例えば、カーボンスパッタ膜や有機高分子か
らなる有機薄膜などを設(プ、磁性層を保護づることが
行われている。
しかしながら、保護膜としてのカーボンスパッタ膜は、
その形成に高価なスパッタ装置を必要とし製造コストが
嵩み、また、耐食性の点ひ劣るという問題点があった。
その形成に高価なスパッタ装置を必要とし製造コストが
嵩み、また、耐食性の点ひ劣るという問題点があった。
また、右!1薄膜にあっては、素地との密看性。
磁気ヘッドに対する耐摺動性、潤滑油保持性などの品持
性を同時に満足することができず、いずれかの特性を犠
牲にしているため、満足な特性を持つ保護膜を17るこ
とがでさないという問題点かあつ lご 。
性を同時に満足することができず、いずれかの特性を犠
牲にしているため、満足な特性を持つ保護膜を17るこ
とがでさないという問題点かあつ lご 。
そこで、この発明にあっU G、Ltin性層上にスピ
ンコード法などによりポリイミド樹脂などのイ1機高分
子からなる石門高分子薄膜を形成しこの右Q 1′ニア
。
ンコード法などによりポリイミド樹脂などのイ1機高分
子からなる石門高分子薄膜を形成しこの右Q 1′ニア
。
分子薄膜の表面層から、プラズマ・ラグロー放電4室ど
の手段により水素原子を引き抜き、炭素原子の存在比率
の高い表面層を形成せしめることにより、耐摺動性や潤
滑油保持性を向上させるようにした。
の手段により水素原子を引き抜き、炭素原子の存在比率
の高い表面層を形成せしめることにより、耐摺動性や潤
滑油保持性を向上させるようにした。
図面は、この発明の磁気ディスクの一例を示すもので、
図中符号1は基板である。この基板1は、アルミニウム
合金板やセラミックス板あるいは合成樹脂板などからな
り−1その表面のうねりが小さいように加工されている
。この基板1上には下地層2が形成されている。この下
地FJ2は基板1表面の微細な凹凸を平滑化するための
もので、例えば無電解メッキ法による厚み10〜30μ
mのNL−Pメッキ膜や、基板1がアルミニウム合金の
場合には陽極酸化法によるPノみ5〜20μm陽Ml酸
化膜が設けられ、その表面は表面粗さくRwax)0.
1μm程度にまで超研摩などによって仕上げられている
。この下地層2上には磁性H3が設けられている。この
磁性Fyi3は、磁気記録媒体となるもので、例えば無
電解メッキ法によるCo −NL −Pメッキ、Co−
Pメッキなどのメッキ薄膜やスパッタ法、蒸着法などに
よる酸化鉄薄膜等の磁性薄膜などが、その目的に応じて
厚み0.05〜0゜5μm程度に形成されてなるもので
ある。そして、この磁性層3上に有1高分子薄膜4が形
成されている。この有機高分子薄膜4は、磁性層3を磁
気ヘッドによる摩損から保護する保護膜として機能する
ものであって、有機高分子からなるものである。この有
機高分子薄膜4を構成する有ta高分子としては、特に
限定されるものではなり、W!着性。
図中符号1は基板である。この基板1は、アルミニウム
合金板やセラミックス板あるいは合成樹脂板などからな
り−1その表面のうねりが小さいように加工されている
。この基板1上には下地層2が形成されている。この下
地FJ2は基板1表面の微細な凹凸を平滑化するための
もので、例えば無電解メッキ法による厚み10〜30μ
mのNL−Pメッキ膜や、基板1がアルミニウム合金の
場合には陽極酸化法によるPノみ5〜20μm陽Ml酸
化膜が設けられ、その表面は表面粗さくRwax)0.
1μm程度にまで超研摩などによって仕上げられている
。この下地層2上には磁性H3が設けられている。この
磁性Fyi3は、磁気記録媒体となるもので、例えば無
電解メッキ法によるCo −NL −Pメッキ、Co−
Pメッキなどのメッキ薄膜やスパッタ法、蒸着法などに
よる酸化鉄薄膜等の磁性薄膜などが、その目的に応じて
厚み0.05〜0゜5μm程度に形成されてなるもので
ある。そして、この磁性層3上に有1高分子薄膜4が形
成されている。この有機高分子薄膜4は、磁性層3を磁
気ヘッドによる摩損から保護する保護膜として機能する
ものであって、有機高分子からなるものである。この有
機高分子薄膜4を構成する有ta高分子としては、特に
限定されるものではなり、W!着性。
機械的強度、耐熱性などに優れているものが用いられる
が、なかでもポリイミド樹脂が特に好適である。このポ
リイミド樹脂としては、特に限定されず、例えばビロメ
ット酸無水物とジアミノジフェニルエテールとの初期縮
合物(デュポン社:PYRE ML)やビスマレイミ
ド重合物(ロース・ブーラン社:KINEL、KERI
MID)などが用いられ、これらをジメチルホルムアミ
ドなどの極性有機溶剤に溶解した樹脂溶液として使用さ
れる。この他に熱可塑性ポリイミド樹脂や無水トリメッ
ト酸と芳香族ジイソシアネートからなるポリアミドイミ
ド樹脂、ポリエステルイミド樹脂を同様に使用すること
ができる。これらポリイミド樹脂は、耐熱性、接着性、
機械的強度に優れ、硬瓜が高くて表面rII消性が良く
、耐摩耗性にも優7れ、耐衝撃性も高いものである。
が、なかでもポリイミド樹脂が特に好適である。このポ
リイミド樹脂としては、特に限定されず、例えばビロメ
ット酸無水物とジアミノジフェニルエテールとの初期縮
合物(デュポン社:PYRE ML)やビスマレイミ
ド重合物(ロース・ブーラン社:KINEL、KERI
MID)などが用いられ、これらをジメチルホルムアミ
ドなどの極性有機溶剤に溶解した樹脂溶液として使用さ
れる。この他に熱可塑性ポリイミド樹脂や無水トリメッ
ト酸と芳香族ジイソシアネートからなるポリアミドイミ
ド樹脂、ポリエステルイミド樹脂を同様に使用すること
ができる。これらポリイミド樹脂は、耐熱性、接着性、
機械的強度に優れ、硬瓜が高くて表面rII消性が良く
、耐摩耗性にも優7れ、耐衝撃性も高いものである。
この有機高分子薄膜4は、このようなポリイミド樹脂な
どの樹脂液を例えばスピンコード法などによって塗布、
硬化さけて、厚さ0.02〜061μm程度の薄膜に形
成したものである。有機高分子ハ9膜4の形成の際、磁
性層3上に有機シラン化合物溶液などの密着促進剤を塗
布しておくこともできる。
どの樹脂液を例えばスピンコード法などによって塗布、
硬化さけて、厚さ0.02〜061μm程度の薄膜に形
成したものである。有機高分子ハ9膜4の形成の際、磁
性層3上に有機シラン化合物溶液などの密着促進剤を塗
布しておくこともできる。
そして、この有機高分子薄膜4の表面層/4aには、内
層よりも炭素原子の存在比率の高い層が形成されている
。この部分は、有機高分子薄膜4が形成されたL(板1
をエチレン、酸素、四塩化炭素などのガスの雰囲気下に
胃き、プラズマもしくはグ[]−放゛市することにJ:
す、樹脂分子中の水素の一部もしくは全部を引抜いてグ
ラファイト状とすることによって形成されたものである
。この炭素原子の存在比率が高い表面層4aの厚さは、
約0゜01μm程度とされ、表面層4aの最表層から有
機高分子薄膜4の内層に向い、炭素原子の存在比率が徐
々に低下してゆくようになっている。
層よりも炭素原子の存在比率の高い層が形成されている
。この部分は、有機高分子薄膜4が形成されたL(板1
をエチレン、酸素、四塩化炭素などのガスの雰囲気下に
胃き、プラズマもしくはグ[]−放゛市することにJ:
す、樹脂分子中の水素の一部もしくは全部を引抜いてグ
ラファイト状とすることによって形成されたものである
。この炭素原子の存在比率が高い表面層4aの厚さは、
約0゜01μm程度とされ、表面層4aの最表層から有
機高分子薄膜4の内層に向い、炭素原子の存在比率が徐
々に低下してゆくようになっている。
さらに、有機高分子薄膜4上には、潤滑層5が設けられ
ている。この潤滑層5は、例えばポリフッ化エーテル、
フッ素化油などのフッ素糸a17滑剤をスピンコード法
等によって厚さ0.01μm程度に塗布することによっ
て形成される。
ている。この潤滑層5は、例えばポリフッ化エーテル、
フッ素化油などのフッ素糸a17滑剤をスピンコード法
等によって厚さ0.01μm程度に塗布することによっ
て形成される。
このような磁気ディスクにあっては、有機高分子薄膜4
の表面層4aにグラフアイ1−に近い構造の高分子が存
在しているので、潤滑性が良くなる。
の表面層4aにグラフアイ1−に近い構造の高分子が存
在しているので、潤滑性が良くなる。
また、表面層4aの形成の際、気体イオンにJこるエツ
チングを受けるので、表面に微少な凹凸が形成され、磁
気ヘッドの吸着、粘着の問題が改善されるとともに潤滑
剤を機械的にも保1.1できる。このため、14i気ヘ
ツドに対ザる耐摺動性が良くなる。
チングを受けるので、表面に微少な凹凸が形成され、磁
気ヘッドの吸着、粘着の問題が改善されるとともに潤滑
剤を機械的にも保1.1できる。このため、14i気ヘ
ツドに対ザる耐摺動性が良くなる。
また、表面層4aは、イj磯薄膜4との明確な境界を持
っておらず、イi機tカ膜4から剥離づることもない。
っておらず、イi機tカ膜4から剥離づることもない。
アルミ合金基板1上にNL −Pめっきによる下地層2
を設け、この表面をRmax <0.1μmにスーパー
ポリシュした侵、磁性層3を形成した。この磁性層3の
上に有機高分子薄膜4を0,05μmのj7さにスピン
塗布により形成した。
を設け、この表面をRmax <0.1μmにスーパー
ポリシュした侵、磁性層3を形成した。この磁性層3の
上に有機高分子薄膜4を0,05μmのj7さにスピン
塗布により形成した。
有機高分子薄膜4は、アミノメトキシシラン系カップリ
ング剤をイソプロピルアルコールで希釈した液を塗布後
、室温乾燥させ、ポリイミド系ワニス(1産化学サンエ
バー 樹脂濃度5% N−メチルピロリドン溶液)を2
500 rpmでスピン塗布した後、170℃で1時間
人気中で焼成して形成した。
ング剤をイソプロピルアルコールで希釈した液を塗布後
、室温乾燥させ、ポリイミド系ワニス(1産化学サンエ
バー 樹脂濃度5% N−メチルピロリドン溶液)を2
500 rpmでスピン塗布した後、170℃で1時間
人気中で焼成して形成した。
このディスクを20%エヂレンと70%八rへよび10
%CCJ J混合ガスの2 X 104Torr雰囲気
中に設けられた平行平板電極の間に挿入し、電極間に1
3.56HIIz 、 25Wの高周波電力を50〜6
0秒印加して、・電極間に発生するプラズマの作用で有
機高分子iWg14表面を改質し、いわゆる「水素引抜
き反応」により有機膜中の水素を引抜いて、グラファイ
ト状WJ造をもつ表面層4aを形成した。
%CCJ J混合ガスの2 X 104Torr雰囲気
中に設けられた平行平板電極の間に挿入し、電極間に1
3.56HIIz 、 25Wの高周波電力を50〜6
0秒印加して、・電極間に発生するプラズマの作用で有
機高分子iWg14表面を改質し、いわゆる「水素引抜
き反応」により有機膜中の水素を引抜いて、グラファイ
ト状WJ造をもつ表面層4aを形成した。
この表面層4aの上にさらにフッ素化オイル(デュポン
社 クライトツクス 157 F S )をフレオン系
溶液(住友スリーエム礼 フロリナートFC77で希釈
した液)を1500rpmでスピンコードして潤滑層5
を形成した。
社 クライトツクス 157 F S )をフレオン系
溶液(住友スリーエム礼 フロリナートFC77で希釈
した液)を1500rpmでスピンコードして潤滑層5
を形成した。
このディスクをコンタクトスタートストップにより磁気
ヘッドの摺動試験を行なった結果、5万回以上経過して
もディスクやヘッドに支障はなく安定した摺動特性が得
られた。さらにこのディスクを80℃×80%RHの雰
囲気中に1週間放置して、耐食V[を調べた結果、何ら
欠陥の発生もなく優れた耐食性があることを確認した。
ヘッドの摺動試験を行なった結果、5万回以上経過して
もディスクやヘッドに支障はなく安定した摺動特性が得
られた。さらにこのディスクを80℃×80%RHの雰
囲気中に1週間放置して、耐食V[を調べた結果、何ら
欠陥の発生もなく優れた耐食性があることを確認した。
以上説明したように、こ、の発明の磁気ディスクは、磁
性層上に有機高分子薄膜薄膜を設け、この有機高分子−
薄膜の炭素原子の存在比率を内層より表面層が大きくな
るようにしたものであるので、磁性層と高い密着性を示
づとともに磁気ヘッドに対する耐摺動性も向上し、さら
に耐食性、 rXJJ滑層の保持性なども改善され、C
8S特性が良好で耐久性に富むものとなる。
性層上に有機高分子薄膜薄膜を設け、この有機高分子−
薄膜の炭素原子の存在比率を内層より表面層が大きくな
るようにしたものであるので、磁性層と高い密着性を示
づとともに磁気ヘッドに対する耐摺動性も向上し、さら
に耐食性、 rXJJ滑層の保持性なども改善され、C
8S特性が良好で耐久性に富むものとなる。
図面は、この発明の磁気ディスクの一例を示す概略断面
図である。 3・・・磁性層、4・・・有機高分子薄膜、4a・・・
表面層。
図である。 3・・・磁性層、4・・・有機高分子薄膜、4a・・・
表面層。
Claims (2)
- (1)磁性層上に有機高分子薄膜を形成し、この有機高
分子薄膜の炭素原子の存在比率を内層より表面層を大き
くしたことを特徴とする磁気ディスク。 - (2)有機高分子薄膜にプラズマ、グロー放電による表
面改質を施して、炭素原子の存在比率を内層より表面層
を大きくしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の磁気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3234486A JPS62189623A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3234486A JPS62189623A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 磁気デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62189623A true JPS62189623A (ja) | 1987-08-19 |
Family
ID=12356342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3234486A Pending JPS62189623A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62189623A (ja) |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP3234486A patent/JPS62189623A/ja active Pending
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