JPS6218720A - ＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法 - Google Patents
ＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法Info
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- JPS6218720A JPS6218720A JP15893685A JP15893685A JPS6218720A JP S6218720 A JPS6218720 A JP S6218720A JP 15893685 A JP15893685 A JP 15893685A JP 15893685 A JP15893685 A JP 15893685A JP S6218720 A JPS6218720 A JP S6218720A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はマイクロ波プラズマによって発生する水素ラジ
カルを用いた化合物半導体の化学気相成長方法に関する
ものである。
カルを用いた化合物半導体の化学気相成長方法に関する
ものである。
（従来の技術）
従来、化合物半導体の作成には液相成長法や、化学気相
法、近接法などが行なわれ、最近は特に気相における成
長法、例えばＭＯＣＶＤ法Ｑｖｉｅ ｔ ａ １０ｒｇ
ａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）、ＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅ
ａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）、ＡＬＥ法（Ａｔｏｍｉｃｌａ
ｙｅｒ Ｅｐｉｔａｘｙ） が注目されている。これ
らの気相成長法で、ＭＢＥ法、ＡＬＥ法は堆積膜の大面
積化が困難であることに問題があり、大面積の堆積が可
能であるＭＯＣＶＤ法が種々検討されている。従来のＭ
ＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）は、堆積させる基板
あるいは基板の周囲を加熱することにより、原料である
気相中の有機金属化合物を分解し、二種あるいは多種の
金属を化学反応させ、化合物半導体膜を基板上に堆積さ
せる。
法、近接法などが行なわれ、最近は特に気相における成
長法、例えばＭＯＣＶＤ法Ｑｖｉｅ ｔ ａ １０ｒｇ
ａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）、ＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅ
ａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）、ＡＬＥ法（Ａｔｏｍｉｃｌａ
ｙｅｒ Ｅｐｉｔａｘｙ） が注目されている。これ
らの気相成長法で、ＭＢＥ法、ＡＬＥ法は堆積膜の大面
積化が困難であることに問題があり、大面積の堆積が可
能であるＭＯＣＶＤ法が種々検討されている。従来のＭ
ＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）は、堆積させる基板
あるいは基板の周囲を加熱することにより、原料である
気相中の有機金属化合物を分解し、二種あるいは多種の
金属を化学反応させ、化合物半導体膜を基板上に堆積さ
せる。
このＭＯＣＶＤ法に利用する有機金属化合物は多種ある
が分解温度は一般的に高く、液相成長法で行うよりは低
温で膜堆積が可能であるが、例えば有機高分子基材、ガ
ラス基板等への３００℃以下での堆積は困難であった。
が分解温度は一般的に高く、液相成長法で行うよりは低
温で膜堆積が可能であるが、例えば有機高分子基材、ガ
ラス基板等への３００℃以下での堆積は困難であった。
本発明は、水素ガス気流の存在する反応室内にマイクロ
波プラズマ発生装置による水素プラズマ領域を発生させ
、該反応室内にＺｎ源原料およびＳｅ源原料をガス体と
して導入し、該原料の分解で発生した反応活性種を前記
水素プラズマ領域内に配置した基板上にＺｎＳｅ系化合
物半導体の薄膜を気相堆積させることを特徴とするＺｎ
Ｓｅ系化合物半導体の製造方法である。
波プラズマ発生装置による水素プラズマ領域を発生させ
、該反応室内にＺｎ源原料およびＳｅ源原料をガス体と
して導入し、該原料の分解で発生した反応活性種を前記
水素プラズマ領域内に配置した基板上にＺｎＳｅ系化合
物半導体の薄膜を気相堆積させることを特徴とするＺｎ
Ｓｅ系化合物半導体の製造方法である。
（作 用）
本発明が従来のプラズマＣＶＤ法（グツズ、化学気相成
長法）と異なる点は、従来のプラズマＣＶＤ法では膜を
堆積する基板がプラズマ中にあったが、本発明の化学気
相成長法ではプラズマの発生をマイクロ波プラズマ発生
装置を用いることにより行ない、かつ原料ガスの分解を
水素プラズマから発生する水素ラジカルにて行ない、分
解により発生した反応活性種をプラズマ領域外にある基
板へ輸送し、基板上で化学反応させ化合物を堆積させる
点にある。
長法）と異なる点は、従来のプラズマＣＶＤ法では膜を
堆積する基板がプラズマ中にあったが、本発明の化学気
相成長法ではプラズマの発生をマイクロ波プラズマ発生
装置を用いることにより行ない、かつ原料ガスの分解を
水素プラズマから発生する水素ラジカルにて行ない、分
解により発生した反応活性種をプラズマ領域外にある基
板へ輸送し、基板上で化学反応させ化合物を堆積させる
点にある。
このように原料の分解を水素ラジカルで行なう為に、従
来のＭＯＣＶＤ法において必要であった、原料分解の為
の高温加熱が必要なく、比較的低温での化学反応により
、化合物の堆積が可能となる。
来のＭＯＣＶＤ法において必要であった、原料分解の為
の高温加熱が必要なく、比較的低温での化学反応により
、化合物の堆積が可能となる。
又堆積した膜はプラズマによるダメージをうゆず高品質
の化合物半導体膜となる。
の化合物半導体膜となる。
又本発明の特徴は、水素プラズマの発生にマイクロ波プ
ラズマ発生装置を用いることである。マイクロ波プラズ
マ発生装置を用いることにより、パワーの高低、反応室
内のガス輸送管の形状の変化、他のガス（例えばＡｒ）
を導入する等で、プラズマの領域をプラズマ発生装置外
まで広げることが可能である。プラズマの領域を広げる
ことにより水素ラジカルが存在しうる領域が拡がり、原
料の分解効率を高め、又反応活性種の輸送距離を長くす
ることが可能である。
ラズマ発生装置を用いることである。マイクロ波プラズ
マ発生装置を用いることにより、パワーの高低、反応室
内のガス輸送管の形状の変化、他のガス（例えばＡｒ）
を導入する等で、プラズマの領域をプラズマ発生装置外
まで広げることが可能である。プラズマの領域を広げる
ことにより水素ラジカルが存在しうる領域が拡がり、原
料の分解効率を高め、又反応活性種の輸送距離を長くす
ることが可能である。
（発明の詳述）
以下図面を用いて、詳細に説明する。
第１図は、本発明に係る堆積装置の１例である。
まずマイクロ波発振機１により、発振周波数２４５０Ｍ
Ｈｚ、発振出力Ｏ〜ｌ、 ５ ｋ ｗのマイクロ波を印
加する。印加されたマイクロ波は、導波管２を通り、活
性化炉６より反応室７内に入る。反応室７内にある石英
管（ガス輸送管）８内には水素気体が流れ、水素プラズ
マが発生し、同時に水素ラジカルも発生する。この水素
ラジカルの存在する水素プラズマ中、あるいは水素プラ
ズマ下流に存在する水素ラジカル中に、ガス導入管１０
あるいは、ガス導入管１１で、原料気体を導入すると、
原料気体は水素ラジカルにより分解し、反応活性種が発
生する。この場合、原料気体によって水素ラジカル中で
の分解効率が異なる為に、例えば反応室７前のガス導入
管１１で導入するか、あるいは導入位置可変のガス導入
管１０で導入するかが決まる。
Ｈｚ、発振出力Ｏ〜ｌ、 ５ ｋ ｗのマイクロ波を印
加する。印加されたマイクロ波は、導波管２を通り、活
性化炉６より反応室７内に入る。反応室７内にある石英
管（ガス輸送管）８内には水素気体が流れ、水素プラズ
マが発生し、同時に水素ラジカルも発生する。この水素
ラジカルの存在する水素プラズマ中、あるいは水素プラ
ズマ下流に存在する水素ラジカル中に、ガス導入管１０
あるいは、ガス導入管１１で、原料気体を導入すると、
原料気体は水素ラジカルにより分解し、反応活性種が発
生する。この場合、原料気体によって水素ラジカル中で
の分解効率が異なる為に、例えば反応室７前のガス導入
管１１で導入するか、あるいは導入位置可変のガス導入
管１０で導入するかが決まる。
発生した該反応活性種は、気体の流れにそって加熱され
た基板ホルダー９上の基板に達する。
た基板ホルダー９上の基板に達する。
化合物半導体の場合、２種あるいは数種の原料が必要と
なる。ＺｎＳｅ系化合物半導体作成の場合を例にとれば
、Ｚｎ源としてのジエチル亜鉛は、従来のＭＯＣＶＤ法
と同様に、ジエチル亜鉛の液体の入ったバブラー中をキ
ャリアガスとして水素をバブリングして流し、ジエチル
亜鉛液体温度をコントロールすることにより適量の蒸気
圧で水素気体中に混合し、ガス導入管１０より、石英管
８に導入され、又Ｓｅ源としてのジエチルセレンは、該
ジエチル亜鉛と同様に水素気体中に混合し導入管１１よ
り導入される。ジエチル亜鉛は水素ラジカルによる分解
効率が高いので水素プラズマ領域外の基板ホルダー９の
近傍の水素ラジカル中に導入されても、分解し、ＺｎＳ
ｅ膜を化学反応によって作成可能の反応活性種が基板ホ
ルダー９へ輸送される。ジエチルセレンは水素ラジカル
による分解効率が低いので反応室７より後方のガス導入
管１１より導入し、反応室７内の石英管８中の水素プラ
ズマ、水素ラジカルと共に流れ、基板ホルダー９に反応
活性種が輸送するのが良い。ここでム、Ｓｅ 両者の
反応活性種輸送における坦体は水素ガス及び水素ラジカ
ルである。このように２種のＺｎ源原料、Ｓｅ源原料を
水素ラジカルで分解し、発生した２種の反応活性種は、
基板ホルダー９上の加熱された基板上で合わされると、
化学反応によりＺｎＳｅ系化合物半導体が作成される。
なる。ＺｎＳｅ系化合物半導体作成の場合を例にとれば
、Ｚｎ源としてのジエチル亜鉛は、従来のＭＯＣＶＤ法
と同様に、ジエチル亜鉛の液体の入ったバブラー中をキ
ャリアガスとして水素をバブリングして流し、ジエチル
亜鉛液体温度をコントロールすることにより適量の蒸気
圧で水素気体中に混合し、ガス導入管１０より、石英管
８に導入され、又Ｓｅ源としてのジエチルセレンは、該
ジエチル亜鉛と同様に水素気体中に混合し導入管１１よ
り導入される。ジエチル亜鉛は水素ラジカルによる分解
効率が高いので水素プラズマ領域外の基板ホルダー９の
近傍の水素ラジカル中に導入されても、分解し、ＺｎＳ
ｅ膜を化学反応によって作成可能の反応活性種が基板ホ
ルダー９へ輸送される。ジエチルセレンは水素ラジカル
による分解効率が低いので反応室７より後方のガス導入
管１１より導入し、反応室７内の石英管８中の水素プラ
ズマ、水素ラジカルと共に流れ、基板ホルダー９に反応
活性種が輸送するのが良い。ここでム、Ｓｅ 両者の
反応活性種輸送における坦体は水素ガス及び水素ラジカ
ルである。このように２種のＺｎ源原料、Ｓｅ源原料を
水素ラジカルで分解し、発生した２種の反応活性種は、
基板ホルダー９上の加熱された基板上で合わされると、
化学反応によりＺｎＳｅ系化合物半導体が作成される。
この基板ホルダー９は水素プラズマ外にあるので、従来
のプラズマＣＶＤ法に比べてプラズマのイオン衝撃によ
るダメージを受けない、高品質のＺｎＳｅ系化合物半導
体が作成可能となる。
のプラズマＣＶＤ法に比べてプラズマのイオン衝撃によ
るダメージを受けない、高品質のＺｎＳｅ系化合物半導
体が作成可能となる。
この他にもＺｎＳｅ系化合物半導体を作成するには、Ｚ
ｎ 源原料として、ジメチル亜鉛、亜鉛アセチルアセト
ネート、ニフッ化亜鉛等があり、又シ源原料としてジメ
チルセレン、六フッ化セレン、四フッ化セレン等があり
、それぞれの水素ラジカル中での分解効率によりガス導
入の位置が変更必要となる。
ｎ 源原料として、ジメチル亜鉛、亜鉛アセチルアセト
ネート、ニフッ化亜鉛等があり、又シ源原料としてジメ
チルセレン、六フッ化セレン、四フッ化セレン等があり
、それぞれの水素ラジカル中での分解効率によりガス導
入の位置が変更必要となる。
なお、本発明では、水素ラジカルが水素プラズマ領域内
にも存在すると述べているが、これは、例えば水素プラ
ズマ領域内に酸化タングステン（ＷＯ５）の薄膜を堆積
したものを置いた場合に、無色の酸化タングステン（Ｗ
Ｏりが還元されて青色に変色することからも推定される
ことである。
にも存在すると述べているが、これは、例えば水素プラ
ズマ領域内に酸化タングステン（ＷＯ５）の薄膜を堆積
したものを置いた場合に、無色の酸化タングステン（Ｗ
Ｏりが還元されて青色に変色することからも推定される
ことである。
とである。
以下本発明の具体的な実施例を述べる。
〔実施例１〕
第１図のごときマイクロ波発振装置を用い、第１図にお
ける反応室７に挿入する石英管（ガス輸送管）８の形状
を中央を（びれさせた第２図のごとくとし、ガス導入口
１２より、水素および水素と混合したジエチルセレンな
それぞれ１００ｍｅ／ｍｉｎ。
ける反応室７に挿入する石英管（ガス輸送管）８の形状
を中央を（びれさせた第２図のごとくとし、ガス導入口
１２より、水素および水素と混合したジエチルセレンな
それぞれ１００ｍｅ／ｍｉｎ。
６、ＯＸＩ Ｑ ’ｍｏｅ／ｍｉｎを流し、又ガス導入
口１３より、水素および水素と混合したジエチル亜鉛を
それぞれ、３０ｍｅ／ｍｉｎ 、 ６．０刈Ｑ−５ｍ
ｏｅ／ｍｉｎ流し、油回転ポンプにより、内圧１． Ｑ
Ｔｏｒｒとしマイクロ波発振装置でマイクロ波電力を
Ｑ、４ｋｗでプラズマを発生させる。該プラズマは第２
図のプラズマ領域１４まで広がる。この状態では、ジエ
チルセレンは反応室内の石英管２９を通り、水素ラジカ
ル中で分解し、反応活性種を生じ、水素プラズマ領域１
４外の基板ホルダー１６上のガラス基板まで輸送される
。またジエチル亜鉛は、ガス導入口１３より水素ラジカ
ル中へ流され分解され同じく反応活性種を生じ、基板ホ
ルダー１６上のガラス基板まで輸送される。該２種のジ
エチルセレン、ジエチル亜鉛の分解によって発生した反
応活性種は、２３０℃で加熱されたガラス基板上で化学
反応を起こし、ＺｎＳｅとしてガラス基板上に堆積した
。
口１３より、水素および水素と混合したジエチル亜鉛を
それぞれ、３０ｍｅ／ｍｉｎ 、 ６．０刈Ｑ−５ｍ
ｏｅ／ｍｉｎ流し、油回転ポンプにより、内圧１． Ｑ
Ｔｏｒｒとしマイクロ波発振装置でマイクロ波電力を
Ｑ、４ｋｗでプラズマを発生させる。該プラズマは第２
図のプラズマ領域１４まで広がる。この状態では、ジエ
チルセレンは反応室内の石英管２９を通り、水素ラジカ
ル中で分解し、反応活性種を生じ、水素プラズマ領域１
４外の基板ホルダー１６上のガラス基板まで輸送される
。またジエチル亜鉛は、ガス導入口１３より水素ラジカ
ル中へ流され分解され同じく反応活性種を生じ、基板ホ
ルダー１６上のガラス基板まで輸送される。該２種のジ
エチルセレン、ジエチル亜鉛の分解によって発生した反
応活性種は、２３０℃で加熱されたガラス基板上で化学
反応を起こし、ＺｎＳｅとしてガラス基板上に堆積した
。
ガラス基板上で堆積した該ＺｎＳｅ薄膜は、Ｘ線回折で
測定したところ、（１１１）面のみに配向したＺｎＳｅ
結晶膜であった。また基板をガリウムヒ素単結晶（１０
０）面の基板上に堆積したところ、基板と同様に（１０
０）面に配向したＺｎＳｅエピタキシヤル結晶膜が堆積
した。
測定したところ、（１１１）面のみに配向したＺｎＳｅ
結晶膜であった。また基板をガリウムヒ素単結晶（１０
０）面の基板上に堆積したところ、基板と同様に（１０
０）面に配向したＺｎＳｅエピタキシヤル結晶膜が堆積
した。
本実施例は、Ｚｎ源原料およびＳｅ源原料が、ともに反
応室内の水素プラズマ領域内に導入される例である。
応室内の水素プラズマ領域内に導入される例である。
〔実施例２〕
実施例１と同様にマイクロ波発振装置を用い、反応室７
内に挿入する石英管８も同様に中央をくびれさせ、第３
図における接続治具３２を取りつけ、ガス導入口１７よ
り、水素をＺｏｏｍｅ／ｍｉｎ 流し、ガス導入口１
８より水素およびジエチル亜鉛をそれぞれ、３０ｍｅ
／ｍｉｎ 、 ５．０ＸＩＯｍｏｅ／ｍｉｎ流し、又カ
ス導入口１９より、ＳｅＦ６気体を１．Ｏｘ１０−５ｍ
Ｏｅ／ｍｉｎ流し、油回転ポンプにより、内圧１． Ｏ
Ｔｏｒｒとしマイクロ波電力０．４ ｋ ｗでプラズマ
を発生させる。ここでジ、エチル亜鉛は実施例１と同様
に反応活性種を基板ホルダー２２へ輸送し、ＳｅＦ６は
水素プラズマ下流に存在する水素ラジカルによって分解
され同様に反応活性種を基板ホルダー２２に輸送する。
内に挿入する石英管８も同様に中央をくびれさせ、第３
図における接続治具３２を取りつけ、ガス導入口１７よ
り、水素をＺｏｏｍｅ／ｍｉｎ 流し、ガス導入口１
８より水素およびジエチル亜鉛をそれぞれ、３０ｍｅ
／ｍｉｎ 、 ５．０ＸＩＯｍｏｅ／ｍｉｎ流し、又カ
ス導入口１９より、ＳｅＦ６気体を１．Ｏｘ１０−５ｍ
Ｏｅ／ｍｉｎ流し、油回転ポンプにより、内圧１． Ｏ
Ｔｏｒｒとしマイクロ波電力０．４ ｋ ｗでプラズマ
を発生させる。ここでジ、エチル亜鉛は実施例１と同様
に反応活性種を基板ホルダー２２へ輸送し、ＳｅＦ６は
水素プラズマ下流に存在する水素ラジカルによって分解
され同様に反応活性種を基板ホルダー２２に輸送する。
該２種の反応活性種は、基板ホルダー２２上の２３０℃
で加熱されたガラス基板上で反応し、ＺｎＳｅ膜がガラ
ス基板上に堆積した。同様ＫＳｅＦ６を５ｅＦ４ に
変更し、５ｅＦａを水素気体中に混合させガス導入口１
９より流したところ、同様にＺｎＳｅ膜が堆積した。該
２種のＺｎＳｅ薄膜は（１１１）面に配向したＺｎＳｅ
結晶膜であった。
で加熱されたガラス基板上で反応し、ＺｎＳｅ膜がガラ
ス基板上に堆積した。同様ＫＳｅＦ６を５ｅＦ４ に
変更し、５ｅＦａを水素気体中に混合させガス導入口１
９より流したところ、同様にＺｎＳｅ膜が堆積した。該
２種のＺｎＳｅ薄膜は（１１１）面に配向したＺｎＳｅ
結晶膜であった。
この実施例では、Ｚｎ源原料、Ｓｅ源原料のうちいずれ
か一方が反応室７内の水素プラズマ領域内に導入され、
他方（本例ではＳｅ源原料）が水素プラズマ領域内に導
入されるものである。
か一方が反応室７内の水素プラズマ領域内に導入され、
他方（本例ではＳｅ源原料）が水素プラズマ領域内に導
入されるものである。
〔実施例３〕
実施例１と同様にマイクロ波発振装置を用い、反応室７
内に挿入する石英管の中央をくびれさせ第４図石英管３
１のごとくとし、ガス導入管２４．２５と反応室後方ガ
ス導入管２３より気体を導入できるようにして、ガス導
入管２３より水素を１００ｍｅ／ｍｉｎ流し、ガス導入
管２４より、水素およびジメチル亜鉛をそれぞれ、３０
ｍｅ／ｍｉｎ、６゜ＱＸＩＯｍｏｅ／ｍｉｎ流し、又ガ
ス導入管２５より、ＳｅＦ６気体を１．０Ｘ１０ ’
ｍｏｅ／ｍｉｎ流し、油回転ポンプにより、内圧を０．
８Ｔｏｒｒとしマイクロ波電力を０．４ｋＷでプラズマ
を発生させる。
内に挿入する石英管の中央をくびれさせ第４図石英管３
１のごとくとし、ガス導入管２４．２５と反応室後方ガ
ス導入管２３より気体を導入できるようにして、ガス導
入管２３より水素を１００ｍｅ／ｍｉｎ流し、ガス導入
管２４より、水素およびジメチル亜鉛をそれぞれ、３０
ｍｅ／ｍｉｎ、６゜ＱＸＩＯｍｏｅ／ｍｉｎ流し、又ガ
ス導入管２５より、ＳｅＦ６気体を１．０Ｘ１０ ’
ｍｏｅ／ｍｉｎ流し、油回転ポンプにより、内圧を０．
８Ｔｏｒｒとしマイクロ波電力を０．４ｋＷでプラズマ
を発生させる。
ここで基板ホルダー２８は回転し、作成される膜の均一
性を企る。回転する基板ホルダー２８上のガラス基板に
到達した２種の該反応活性種は、２３０℃に加熱された
ガラス基板上で化学反応を起こし、ＺｎＳｅ膜が、ガラ
ス基板上で堆積した。
性を企る。回転する基板ホルダー２８上のガラス基板に
到達した２種の該反応活性種は、２３０℃に加熱された
ガラス基板上で化学反応を起こし、ＺｎＳｅ膜が、ガラ
ス基板上で堆積した。
該ＺｎＳｅ膜ハ（１１１）面に配向したＺｎＳｅ結晶膜
であった。
であった。
この実施例は、Ｚｎ源原料およびＳｅ源原料をともに導
入管を用いて導入するもので、この方式では、水素ラジ
カルと始めて接触させる位置を明確に設定できる。本例
では、Ｚｎ源原料は水素プラズマ中に導入され、Ｓｅ源
原料を水素プラズマ領域内に導入するものである。しか
しながら、本発明ではＺｎ源原料およびＳｅ源原料の両
方とも水素プラズマ領域内に導入することも実施可能で
ある。この場合、水素プラズマ領域の下流にも水素ラジ
カルの存在がありうることが前提となる。
入管を用いて導入するもので、この方式では、水素ラジ
カルと始めて接触させる位置を明確に設定できる。本例
では、Ｚｎ源原料は水素プラズマ中に導入され、Ｓｅ源
原料を水素プラズマ領域内に導入するものである。しか
しながら、本発明ではＺｎ源原料およびＳｅ源原料の両
方とも水素プラズマ領域内に導入することも実施可能で
ある。この場合、水素プラズマ領域の下流にも水素ラジ
カルの存在がありうることが前提となる。
（発明の効果）
この水素ラジカル分解による化学気相成長法は原料物質
を水素ラジカルで分解することにより従来ＭＯＣＶＤ法
で必要とされた３００〜１０００℃になるまでの高温の
周囲あるいは基板を加熱することによる原料分解の必要
がなく、水素ラジカル分解によって発生した反応活性種
の化学反応に必要とする熱のみを基板に与えればよい。
を水素ラジカルで分解することにより従来ＭＯＣＶＤ法
で必要とされた３００〜１０００℃になるまでの高温の
周囲あるいは基板を加熱することによる原料分解の必要
がなく、水素ラジカル分解によって発生した反応活性種
の化学反応に必要とする熱のみを基板に与えればよい。
例えばＺｎＳｅ膜作成の場合、従来ＭＯＣＶＤ法では、
原加熱でＺｎＳｅ膜の作成が可能である。これにより基
板が耐熱性のそれほどない物質でも、基板の変質なしに
膜が堆積可能となる。例えば有機高分子基材や耐熱性の
弱いガラス基材にも堆積が可能となる。又従来のプラズ
マを利用した堆積装置は一般に基板がプラズマ中にある
為、作成した膜や、基板にイオン衝撃によるダメージや
高周波によるダメージを受けやすかったが、本発明化学
気相成長法の場合、基板がプラズマ外にあるので、イオ
ン衝撃によるダメージやマイクロ波によるダメージがな
く、良質の結晶膜作成が可能となる。又デバイス作成プ
ロセス上で結晶膜堆積時に下地の物質の心配が少ない等
の利点がある。
原加熱でＺｎＳｅ膜の作成が可能である。これにより基
板が耐熱性のそれほどない物質でも、基板の変質なしに
膜が堆積可能となる。例えば有機高分子基材や耐熱性の
弱いガラス基材にも堆積が可能となる。又従来のプラズ
マを利用した堆積装置は一般に基板がプラズマ中にある
為、作成した膜や、基板にイオン衝撃によるダメージや
高周波によるダメージを受けやすかったが、本発明化学
気相成長法の場合、基板がプラズマ外にあるので、イオ
ン衝撃によるダメージやマイクロ波によるダメージがな
く、良質の結晶膜作成が可能となる。又デバイス作成プ
ロセス上で結晶膜堆積時に下地の物質の心配が少ない等
の利点がある。
第１図は、本発明の製造方法に用いる製造装置の一例を
示す説明図であり、第２図から第４図までは、本発明の
製造方法に於る反応室の種々の実施態様を示す説明図で
ある。
示す説明図であり、第２図から第４図までは、本発明の
製造方法に於る反応室の種々の実施態様を示す説明図で
ある。
Claims (6)
- （１）水素ガス気流の存在する反応室内にマイクロ波プ
ラズマ発生装置による水素プラズマ領域を発生させ、該
反応室内にＺｎ源原料およびＳｅ源原料をガス体として
導入し、該原料分解で発生した反応活性種を前記水素プ
ラズマ領域外へ輸送し、該水素プラズマ領域外の下流に
配置した基板上にＺｎＳｅ系化合物半導体の薄膜を気相
堆積させることを特徴とするＺｎＳｅ系化合物半導体の
製造方法。 - （２）Ｚｎ源原料およびＳｅ源原料が、共に反応室内の
水素プラズマ領域内に導入される特許請求の範囲第１項
記載のＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法。 - （３）Ｚｎ源原料、Ｓｅ源原料のうちいずれか一方が反
応室内の水素プラズマ領域内に導入され、他方が水素プ
ラズマ領域外の下流に導入される特許請求の範囲第１項
記載のＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法。 - （４）Ｚｎ源原料およびＳｅ源原料が、ともに反応室内
の水素プラズマ領域外の下流に導入される特許請求の範
囲第１項記載のＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法。 - （５）Ｚｎ源原料として、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛
、亜鉛アセチルアセトネート等の有機金属化合物、もし
くはニフッ化亜鉛等の亜鉛のフッ化物を用いる特許請求
の範囲第１項から第４項までに記載のＺｎＳｅ系化合物
半導体の製造方法。 - （６）Ｓｅ源原料として、ジメチルセレン、ジエチルセ
レン等の有機金属化合物、もしくは六フッ化セレン、四
フッ化セレン等のセレンのフッ化物を用いる特許請求の
範囲第１項から第４項までに記載のＺｎＳｅ系化合物半
導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15893685A JPS6218720A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | ＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15893685A JPS6218720A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | ＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218720A true JPS6218720A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15682576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15893685A Pending JPS6218720A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | ＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252499A (en) * | 1988-08-15 | 1993-10-12 | Rothschild G F Neumark | Wide band-gap semiconductors having low bipolar resistivity and method of formation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772317A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of covering film |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP15893685A patent/JPS6218720A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772317A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of covering film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252499A (en) * | 1988-08-15 | 1993-10-12 | Rothschild G F Neumark | Wide band-gap semiconductors having low bipolar resistivity and method of formation |
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