JPS62185358A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62185358A JPS62185358A JP2860686A JP2860686A JPS62185358A JP S62185358 A JPS62185358 A JP S62185358A JP 2860686 A JP2860686 A JP 2860686A JP 2860686 A JP2860686 A JP 2860686A JP S62185358 A JPS62185358 A JP S62185358A
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- JP
- Japan
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- impedance
- input
- output
- characteristic impedance
- circuit
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- Pending
Links
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置だ関し、特にガリウム砒素あるいけ
インジウムリン等の半絶縁性化合物基板上に形成された
マイクロ波モノリシック集積回路（以下ＭＭＩＣと記す
）に関する。
インジウムリン等の半絶縁性化合物基板上に形成された
マイクロ波モノリシック集積回路（以下ＭＭＩＣと記す
）に関する。
〔従来の技術１
半絶縁性化合物基板上に電界効果トランジスタ（以下Ｆ
ＥＴと記す）を有する能動素子とこの能動素子の機能を
発揮させる様な受動素子とからなるＭＭＩＣは、ハイブ
リッド集積回路に比べて高周波特性に優れ、小型低価格
化が可能であり、且つ信頼性も高い事から特に準ミリ、
ミリ波領域では必要不可欠な素子となっている。これら
の中でも分布型増幅器は、回路構造上ＭＭＩＣに適して
２す、また化合物半導体の準ミリ波動作の特徴を生かし
て超広帯域増幅が可能であるところから、多くの分野で
実用化を迫られている。
ＥＴと記す）を有する能動素子とこの能動素子の機能を
発揮させる様な受動素子とからなるＭＭＩＣは、ハイブ
リッド集積回路に比べて高周波特性に優れ、小型低価格
化が可能であり、且つ信頼性も高い事から特に準ミリ、
ミリ波領域では必要不可欠な素子となっている。これら
の中でも分布型増幅器は、回路構造上ＭＭＩＣに適して
２す、また化合物半導体の準ミリ波動作の特徴を生かし
て超広帯域増幅が可能であるところから、多くの分野で
実用化を迫られている。
このＭＭＩＣで構成される分布型増幅器は、複数のＦＥ
Ｔが化合物基板主表面に並列に配置され、各々のＦＥＴ
には高周波信号の位相速度を等しくする回路が接続され
ている。
Ｔが化合物基板主表面に並列に配置され、各々のＦＥＴ
には高周波信号の位相速度を等しくする回路が接続され
ている。
第１図は従来の多段構成の分布型増幅器の−し１１のブ
ロック図である。この分布型増幅器の多段構成のもの゛
け、１段の分布型増幅器１，２を少なくとも２個、同−
ＭＭＩＣチップ上に形成し、各々のＭＭＩＣ間を線路又
は段間回路３を介して縦続接続されていた。この線路又
は段間回路３の入力端６０入力インピーダンスは１段の
分布型増幅器１の出力端（６）の出力インピーダンスと
同じに、又段間回路３の出力端７の出力インピーダンス
は１段の分布型増１１Ｗ器２の入力端（７）の入力イン
ピーダンスと同じに設定されていた。
ロック図である。この分布型増幅器の多段構成のもの゛
け、１段の分布型増幅器１，２を少なくとも２個、同−
ＭＭＩＣチップ上に形成し、各々のＭＭＩＣ間を線路又
は段間回路３を介して縦続接続されていた。この線路又
は段間回路３の入力端６０入力インピーダンスは１段の
分布型増幅器１の出力端（６）の出力インピーダンスと
同じに、又段間回路３の出力端７の出力インピーダンス
は１段の分布型増１１Ｗ器２の入力端（７）の入力イン
ピーダンスと同じに設定されていた。
〔発明が解決しようとする問題点］
上述した従来のＭＭＩＣによる分布型増幅器は、ＩＣ上
に形成され九ＦＥＴのゲート、ソース間容量及びドレイ
ン、ソース間容量が信号細路と並列になり、周波数が高
くなるＫつれてこれら容量のインピーダンスが低くなり
、ＭＭＩＣチップの入出力インピーダンスに近づく為に
、高域での利得を制限し、広帯域化の妨げとなる欠点が
ある。
に形成され九ＦＥＴのゲート、ソース間容量及びドレイ
ン、ソース間容量が信号細路と並列になり、周波数が高
くなるＫつれてこれら容量のインピーダンスが低くなり
、ＭＭＩＣチップの入出力インピーダンスに近づく為に
、高域での利得を制限し、広帯域化の妨げとなる欠点が
ある。
本発明の目的は、このような欠点を除き、高周波領域で
の利得を高め、広帯域化を可能とした半導体装置を提供
することにある。
の利得を高め、広帯域化を可能とした半導体装置を提供
することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の構成は、半絶縁性化合物基板の主表面上に複数
の分布型増幅器を縦続接続したＭＭＩＣからなる半導体
装置において、前記各増幅器の段間の特性インピーダン
スを前記ＭＭＩＣの入出力部の特性インピーダンスより
低く設定した回路を含むことを特徴とする。
の分布型増幅器を縦続接続したＭＭＩＣからなる半導体
装置において、前記各増幅器の段間の特性インピーダン
スを前記ＭＭＩＣの入出力部の特性インピーダンスより
低く設定した回路を含むことを特徴とする。
次に本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。１
段の分布型増幅器１，２が線路又は段間回路３を介して
縦続接続されている。この場合、前段の分布型増幅器１
の入力端４の入力インピーダンスと後段の分布型増幅器
２の出力端５の出力インピーダンスは、ＭＭＩＣチップ
入出力の特性インピーダンス、例えば５０Ωとなってい
る。また、前段の分布型増幅器１の出力端６の出力イン
ピーダンスと線路又は段間回路３の入力端（６）の入力
インピーダンスを等しくして、ＭＭＩＣチップ入出力の
特性インピーダンスより低い値、例えば４０Ωに設定し
、さらに、線路又は段間回路３の出力端７の出力インピ
ーダンスと後段の分布型増幅器２の入力端（７）の入力
インピーダンスとを等しくしてＭＭＩＣチップ入出力の
特性インピーダンス４，５より低い値、例えば４０Ωに
設定する。
段の分布型増幅器１，２が線路又は段間回路３を介して
縦続接続されている。この場合、前段の分布型増幅器１
の入力端４の入力インピーダンスと後段の分布型増幅器
２の出力端５の出力インピーダンスは、ＭＭＩＣチップ
入出力の特性インピーダンス、例えば５０Ωとなってい
る。また、前段の分布型増幅器１の出力端６の出力イン
ピーダンスと線路又は段間回路３の入力端（６）の入力
インピーダンスを等しくして、ＭＭＩＣチップ入出力の
特性インピーダンスより低い値、例えば４０Ωに設定し
、さらに、線路又は段間回路３の出力端７の出力インピ
ーダンスと後段の分布型増幅器２の入力端（７）の入力
インピーダンスとを等しくしてＭＭＩＣチップ入出力の
特性インピーダンス４，５より低い値、例えば４０Ωに
設定する。
以上説明したように、本発明は、多段分布型増幅器のＭ
ＭＩＣにおいて、段間の特性インピーダンスをＭＭＩＣ
チップの入出力の特性インピーダンスより低い値となる
よう回路構成する事により、ＩＣ上に形成されたＦＥＴ
のゲート、ソース間容量及びドレイン、ソース間容量の
インピーダンスが高周波数域で低下し、段間の特性イン
ピーダンスに等しくなる周波数（遮断周波数）を高める
事ができるので、高周波数域での利得を高くシ、広帯域
化するという効果がある。また、段間回路３の特性イン
ピーダンスが低い事は、ＩＣ上のストリップライン幅を
広くとれるため、線路損失を低減し、電流容量が大きく
できるので信頼度向上にも効果を発揮する。
ＭＩＣにおいて、段間の特性インピーダンスをＭＭＩＣ
チップの入出力の特性インピーダンスより低い値となる
よう回路構成する事により、ＩＣ上に形成されたＦＥＴ
のゲート、ソース間容量及びドレイン、ソース間容量の
インピーダンスが高周波数域で低下し、段間の特性イン
ピーダンスに等しくなる周波数（遮断周波数）を高める
事ができるので、高周波数域での利得を高くシ、広帯域
化するという効果がある。また、段間回路３の特性イン
ピーダンスが低い事は、ＩＣ上のストリップライン幅を
広くとれるため、線路損失を低減し、電流容量が大きく
できるので信頼度向上にも効果を発揮する。
第１図は、本発明の一実施例および従来例のブロック図
である。 １・・・・・・前段の分布型増幅器、２・・・・・・後
段の分布型増幅器、３・・・・・・段間回路、４・・・
・・・入力端子、５・・・・・・出力端子、６，７・・
・・・・入出力端子。
である。 １・・・・・・前段の分布型増幅器、２・・・・・・後
段の分布型増幅器、３・・・・・・段間回路、４・・・
・・・入力端子、５・・・・・・出力端子、６，７・・
・・・・入出力端子。
Claims (1)
- 半絶縁性化合物基板の主表面上に複数の分布型増幅器を
縦続接続したマイクロ波モノリシック集積回路からなる
半導体装置において、前記各増幅器の段間の特性インピ
ーダンスを前記集積回路の入出力部の特性インピーダン
スより低く設定した回路を含むことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2860686A JPS62185358A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2860686A JPS62185358A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62185358A true JPS62185358A (ja) | 1987-08-13 |
Family
ID=12253235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2860686A Pending JPS62185358A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62185358A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003085823A1 (fr) * | 2002-04-08 | 2003-10-16 | Nec Corporation | Amplificateur de signal et circuit integre |
-
1986
- 1986-02-10 JP JP2860686A patent/JPS62185358A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003085823A1 (fr) * | 2002-04-08 | 2003-10-16 | Nec Corporation | Amplificateur de signal et circuit integre |
| US7368997B2 (en) | 2002-04-08 | 2008-05-06 | Nec Corporation | Signal amplifier and integrated circuit |
| CN100459425C (zh) * | 2002-04-08 | 2009-02-04 | 日本电气株式会社 | 信号放大器和集成电路 |
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