JPS62183102A - ロ−タリトランスの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばＶＴＲの磁気ヘッドに対してビデオ信
号の授受を行うロータリトランスの製法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、ロータリトランスの製法であって、コイルパ
ターンが形成されたベースと、溝部が設けられた酸化物
磁性体より成るコアとをコイルパターンが溝部内に埋設
されるよりに一体化した後、ベースのみを選択的に除去
して製作することによシ、特性の優れたａ−夕ＩＪ　）
ランスを安価に製造することができるようにしたもので
ある。

〔従来の技術〕

ロータリトランスは、例えばＶＴＲの回転ドラムに装着
されているビデオヘッドと、固定ドラムに接続されてい
る増幅器との間に設けられ、信号の授受伝達を行う部品
である。従来のロータリトランスαＱは、第３図〜第５
図に示すように酸化物磁性体よυ成るコア（１）の溝部
（２）に第６図と第７図に示すコイルパターン（３）　
＃　（４）を装着して第５図に示す一方のロータトラン
ス（５）を作製し、また同様にして他方のステータトラ
ンス（９）を作製し、これらのロータトランス（５）と
ステータトランス（９）を対向するように配置すること
により構成されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

コア（１）の溝部（２）内にコイルツクターンを装着す
る場合、実際には第６図及び第７図の形状となるように
それぞれの溝部（２）にコイルを巻回することにより行
っていた。また、第８図と第９図に示すように、チャン
ネル数を多くするためコイルパターン（３）　＠　（４
）　？　（６）　、　（７）を多数装着したロータリト
ランスがあり、このような場合チャンネル間のクロスト
ークを低減させるためにチャンネル間に１巻の短絡させ
たコイルツクターン（８）を巻装することが提案されて
いる。従って、従来の製法によりこのようなロータリト
ランスを製造した場合、微小な溝部（２）内に径の細い
コイルを伺回も巻装しなければならず、作業が困難で６
９、またコストが高くなるという問題点があった。

本発明は、上記問題点を解決することができるロータリ
トランスの製法を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本ロータリトランスの製法においては、先ずコイルミ４
ターンα４．ｃ！３が形成されたベース（ロ）と、溝部
αＱが設けられた酸化物磁性体より成るコア（ロ）を用
意し、次にベースα力のコイルパターンα→、（２Ｊが
コア（ト）の溝部ａＱ内に埋設されるように一体化した
後、ベースα■のみを選択的に除去してロータリトラン
スの一方を構成するロータトランス（Ｉｎ　＜又はステ
ータトランス）を作製する。

これらのロータトランスα→とステータトランスを対向
するように配置してロータリトランスを構成する。

〔作用〕

本発明によれば、ベースα力に形成されたコイルツクタ
ーンα→をコア（至）の溝部へ→内に埋設されるように
一体化した後、ベースＣＬＩ）のみを選択的に溶解除去
することによりロータリトランスの一方を構成するロー
タトランス（２）（又はステータトランス）を作製する
ため、多チャンネル、高密度の特に小型ロータリトラン
スの製造に有利である。コイルパターンα◆とコア（ロ
）の上面とを略同一平面と４るように形成することがで
きるため、ロータトランス（ト）ノコイルノ母ターンａ
４トステータトランスのコイルツクターンとの近接した
配置が可能となる。この結果、従来のようにコイル・譬
ターンを溝部の底に配設した場合のようにロータトラン
スとステータトランス間のコイルによる磁気伝達が少な
くなることはなくなる。また、溝部αＯを浅くすること
ができることにより、磁界の空間中への漏洩が少なくな
る。

〔実施例〕

第１図Ａ−Ｄを参照して本発明の１実施例を説明する。

先ず、第１図人に示すように、Ａｔより成るベースαη
上にＣｕ膜（６）を電着により形成した後、形成すべき
コイルツクターンの１形状に対応するホトレジスト（２
）を形成する。

次に第１図Ｂに示すように、ホトレジスト（２）をマス
クとして塩化第２鉄Ｆｓ　ＣＬｓ水溶液等を使用してエ
ツチングし、Ｃｕのコイルパターン（１４、＠を形成−
ｔ−る。（ハ）は、チャンネル間のクロストークを低減
させるためのコイルツクターンである。なお、Ｆ＠Ｃｔ
ｓでエツチングする場合は、保護のためＡｔベース（ロ
）の裏面にレジスト膜を形成しておくのが良い。しかし
、エツチング液として硫酸アンモニウム（ＮＨ４）、８
０４水溶液を使用する場合にはこのような保護膜を必ず
しも設ける必要はない。

次に第１図Ｃに示すように各コイルミ４ターンα→に引
き出しリード線（至）を形成した後（下記説明参照）、
ベースαカ側にコア（イ）の溝部ｑ時を埋めるのに必要
な量の接着剤（ロ）を塗布する。一方、コア（ト）とし
て、フェライトより成シ、ベース（１１）のコイルパタ
ーンａ４．＠に対応する位置に溝部（２）が形成された
ものを用意する。そして、これらのコア（ト）とベース
α力とを、コイルツクターンα→、＠が溝部ＱＱ内に埋
設されるように一体化する。

次に第１図りに示すように、Ｃｕ、フェライト及び接着
剤は溶解したいで、ベースα力のＡｔだけを選択的に除
去できる溶液、例えばＮａＯＨ溶液を使用して、この一
体化されたコア（ト）とベースαηを処理することによ
シベースＣＩのみを溶解し、ロータリトランスを構成す
る一方のロータトランス（Ｌ→を作製する。また、他方
のステータトランスも上記と同様にして作製することが
できる。

なお、上記実施例において、ベースαめの材料としてＡ
ｔを使用したが、これ以外にも次のような樹脂を使用す
ることができる。例えば、絶縁コーティング剤として使
用するポリイミド系樹脂（日立化成製のＰＩＱ　、東し
製のセミコファイン等）が使用可能である。この樹脂を
除去するためには、ヒドラジン系エツチング剤を使用す
るか、又は酸素プラズマによる分解アッシングを行う。

環化ゴム系のホトレジストである例えばＯＭＲ−８３（
東京応化Ｍ）も使用できる。この樹脂の除去には、フェ
ノール類のレジスト剥離剤、ハ０ダン化炭化水素を主成
分とする剥離剤であるＪＳＲストリッパ５３０１（商品
名）を使用するか、又は酸素ガス等によるプラズマ分解
を行う。ネガ型のレジストである環化ポリイソグレン系
樹脂の例えばＪＳＲ（日本合成ゴム製）も使用可能であ
る。この樹脂の除去には、ＪＳＲストリツ／４′５３０
１（商品名）を使用するか、又は酸素プラズマ分解を行
う。

このように本発明によれば、多チヤンネル用の多数のコ
イルパターンα→とクロストーク低減用のコイルパター
ンＣ■を有するロータリトランスであっても、同一工程
で同時に形成することができる。

次に第２図Ａ〜Ｃを参照して各コイルパターンα尋に対
する引き出しリード線（６）の形成方法を説明する。

先ず、第２図Ａに示すように、ｋｌのベース（１］）上
にＣｕより成るコイルパターンα→、　（２３）を形成
する。

次に第２図Ｂに示すように、コイルパターンαも（ハ）
の上にホトプロセスによυ絶縁樹脂膜−を形成する。こ
の絶縁樹脂膜（１）は、例えばゴム系等のホトレジスト
、ポリイミド等の耐熱性絶縁樹脂を使用して形成するこ
とができる。そして、各コイルパターンα→の端子部の
上の絶縁樹脂膜（４）に引き出しリード線α呻を接続す
るための開口部Ｃυを形成する。

次に第２図Ｃに示すように、ハンダ（２２１を介して引
き出しリード線α呻を形成する。この引き出しリード線
α呻は、例えば絶縁被膜銅線、フレキシブル銅線等とす
ることができる。

なシ、本発明は、コイルパターンα→を２層構造とした
場合にも同様に適用することができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、ロータリトランスの高密度化及び小型
化を図ることが容易になシ、且つ安価に製造することが
できる。また、浅い溝部にコイルパターン整列面とコア
の上面とを略同一平面となるようにるように配設するこ
とができるため、ロータリトランスとしての結合係数が
有利になシ、また磁界の漏洩も少なくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｄ及び第２図Ａ−Ｃは本発明の１実施例を示
す工程図、第３図は従来例のロータＩＪ　）ランスのコ
アの平面図、第４図はそのｈ−１線断面図、第５図はロ
ータリトランスの断面図、第６図及び第７図は巻装され
るコイルパターンの平面図、第８図は従来例のコアの平
面図、第９図はその断面図である。 α］）Ｈベース、Ｃ４，（２３はコイルパターン、（ト
）はコア、Ｃ１ｌは溝部、α樟はロータトランスである
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　コイルパターンが形成されたベースと、溝部を有する
   酸化物磁性体より成るコアとを前記コイルパターンが前
   記溝部内に埋設されるように一体化した後、 前記ベースのみを選択的に除去するようにしたことを特
   徴とするロータリトランスの製法。