JPS62177192A - 金属ダイヤフラム及び金属ダイヤフラムアセンブリの製造方法 - Google Patents
金属ダイヤフラム及び金属ダイヤフラムアセンブリの製造方法Info
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- JPS62177192A JPS62177192A JP1753286A JP1753286A JPS62177192A JP S62177192 A JPS62177192 A JP S62177192A JP 1753286 A JP1753286 A JP 1753286A JP 1753286 A JP1753286 A JP 1753286A JP S62177192 A JPS62177192 A JP S62177192A
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Landscapes
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、圧カセンサ、温度センサ等、各種の計器、類
に用いられる金属ダイヤフラム及び金属ダイヤフラムア
センブリの製造方法に関する。
に用いられる金属ダイヤフラム及び金属ダイヤフラムア
センブリの製造方法に関する。
(従来の技術)
従来、金属ダイヤフラムを製造する場合は、第5図(A
)に示すように一対の金型10,11の間にダイヤフラ
ムの素材12−をセットし、両金型10.11をプレス
することによって第5図(B)に示すようなダイヤフラ
ム12が成形加工されるのが一般的である。また、必要
に応じて金型の一方にウレタンダイが用いられる場合も
ある。
)に示すように一対の金型10,11の間にダイヤフラ
ムの素材12−をセットし、両金型10.11をプレス
することによって第5図(B)に示すようなダイヤフラ
ム12が成形加工されるのが一般的である。また、必要
に応じて金型の一方にウレタンダイが用いられる場合も
ある。
一方、ダイヤフラムアセンブリにあっては第6図〜第8
図に示すようにダイヤフラム12とハウジング13との
連結方法が唄要となる。第4図ではダイヤフラム12の
フランジ14とハウジング13のフランジ15とをシー
ム溶接しており、第7図及び第8図は、プラズマ、電子
ビーム、光ビーム等の特殊溶接法を用いて接合部の周辺
のみを溶接している。
図に示すようにダイヤフラム12とハウジング13との
連結方法が唄要となる。第4図ではダイヤフラム12の
フランジ14とハウジング13のフランジ15とをシー
ム溶接しており、第7図及び第8図は、プラズマ、電子
ビーム、光ビーム等の特殊溶接法を用いて接合部の周辺
のみを溶接している。
これらは鋭い溶接ビートを形成することによりダイヤフ
ラム12に熱歪や特性変化を生じさせない配慮である。
ラム12に熱歪や特性変化を生じさせない配慮である。
尚、ハウジング13の中央にはダイヤフラム12を作動
させる流体の導入孔13aが穿設されている。
させる流体の導入孔13aが穿設されている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、従来の成形加工法にあっては、ダイヤフラム自
体についても波形状の山部と谷部で材料の偏肉や残留応
力による歪が生じ、これがダイヤフラムのそりや変形の
原因となっている。また、ダイヤフラムの製造時に円周
方向の亀裂が発生したり、素材の圧延方向による特性変
化も起り易い。
体についても波形状の山部と谷部で材料の偏肉や残留応
力による歪が生じ、これがダイヤフラムのそりや変形の
原因となっている。また、ダイヤフラムの製造時に円周
方向の亀裂が発生したり、素材の圧延方向による特性変
化も起り易い。
更に、ダイヤフラムアセンブリの場合、特殊溶接を採用
してもある程度の熱影響は免がれない。
してもある程度の熱影響は免がれない。
(発明の目的)
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、肉厚が均一で残留応力のない金属ダイヤフラ
ムの製造方法と、熱影響のない非溶接タイプの金属ダイ
ヤフラムアセンブリの製造方法を提供することにある。
の目的は、肉厚が均一で残留応力のない金属ダイヤフラ
ムの製造方法と、熱影響のない非溶接タイプの金属ダイ
ヤフラムアセンブリの製造方法を提供することにある。
(目的を達成するための手段)
上記目的を達成するため、本発明に係る金属ダイヤフラ
ムの製造方法では、ダイヤフラム形状の被メッキ基材に
メッキ処理した後、被メッキ基材のみを除去する構成と
している。
ムの製造方法では、ダイヤフラム形状の被メッキ基材に
メッキ処理した後、被メッキ基材のみを除去する構成と
している。
また、金属ダイヤフラムアセンブリの製造にあっては、
予めダイヤフラム形状の被メッキ基材とハウジングを連
結し、両者にメッキ処理をしだ後被メッキ基材のみを除
去する構成としている。
予めダイヤフラム形状の被メッキ基材とハウジングを連
結し、両者にメッキ処理をしだ後被メッキ基材のみを除
去する構成としている。
(作用)
上記構成によって、金属ダイヤフラムは基材表面に一定
の肉厚でメッキ形成され、残留応力も零となる。また、
金属ダイヤフラムアセンブリも溶接を要せずに済むから
、接合部分に何ら熱変化を生じない。各基材は加熱溶融
によって容易に除去される。
の肉厚でメッキ形成され、残留応力も零となる。また、
金属ダイヤフラムアセンブリも溶接を要せずに済むから
、接合部分に何ら熱変化を生じない。各基材は加熱溶融
によって容易に除去される。
(実施例)
第1図(△)、(B)、(C)には、本実施例に係る金
属ダイヤフラムの製造方法が示されている。
属ダイヤフラムの製造方法が示されている。
この実施例では、被メッキ基材20にアルミニウムを用
いてあり、基材20の上面は所定のダイヤフラム形状に
加工されている。次いで、第1図(B)に示すように、
基材20の上面にニッケル又はサルファフリーニッケル
メッキによりダイヤフラム21を形成する。ダイヤフラ
ム21の肉厚は、メッキ吊を調整することにより、自由
に変えられ、成形加工では難しい薄肉のダイヤフラムも
形成可能である。
いてあり、基材20の上面は所定のダイヤフラム形状に
加工されている。次いで、第1図(B)に示すように、
基材20の上面にニッケル又はサルファフリーニッケル
メッキによりダイヤフラム21を形成する。ダイヤフラ
ム21の肉厚は、メッキ吊を調整することにより、自由
に変えられ、成形加工では難しい薄肉のダイヤフラムも
形成可能である。
次に、基材20全体を加熱して溶融除去ザると、第1図
(C)に示すようにニッケル製のダイヤフラム21のみ
が残る。あとは、必要に応じてダイヤフラム21にクロ
ム、銅等のメッキを施せば、所定の弾性や強度が得られ
る。
(C)に示すようにニッケル製のダイヤフラム21のみ
が残る。あとは、必要に応じてダイヤフラム21にクロ
ム、銅等のメッキを施せば、所定の弾性や強度が得られ
る。
第2図(A>、(B)、(C)には、金属ダイヤフラム
アセンブリの製造方法が示されている。
アセンブリの製造方法が示されている。
第2図(△)に示すようにアルミニウム製の基材22の
上面は、ダイヤフラム形状に加工されている。また、基
材22の周囲には、ステンレス製のハウジング23が圧
入により嵌合しτおり、ハウジング23は歪形状を呈し
ている。ハウジング23の下方中央には、ボス24が形
成され、ボス24の外側にはねじ24a1中実軸方向に
は孔24bが設けられている。
上面は、ダイヤフラム形状に加工されている。また、基
材22の周囲には、ステンレス製のハウジング23が圧
入により嵌合しτおり、ハウジング23は歪形状を呈し
ている。ハウジング23の下方中央には、ボス24が形
成され、ボス24の外側にはねじ24a1中実軸方向に
は孔24bが設けられている。
このように設置された基材22の上面及びハウジング2
3の側面に、第2図(B)に示すようにニッケルメッキ
を施してダイヤフラム25を形成する。次に、これら全
体を加熱して内部の基材22を溶融し、溶融した基材を
孔24bから排出すると、第2図(C)に示ずようにダ
イヤフラムアセンブリ26が完成する。必要に応じてダ
イヤフラム25の表面のクロム等をメッキ処理するのは
、前実施例と同様である。
3の側面に、第2図(B)に示すようにニッケルメッキ
を施してダイヤフラム25を形成する。次に、これら全
体を加熱して内部の基材22を溶融し、溶融した基材を
孔24bから排出すると、第2図(C)に示ずようにダ
イヤフラムアセンブリ26が完成する。必要に応じてダ
イヤフラム25の表面のクロム等をメッキ処理するのは
、前実施例と同様である。
尚、完成したダイヤフラムアセンブリ26は、ボス24
の部分を各種計器類に螺合して使用され、孔24bから
流体を送り込むことによってダイヤフラム25が作動す
る。
の部分を各種計器類に螺合して使用され、孔24bから
流体を送り込むことによってダイヤフラム25が作動す
る。
第2図の実施例よりも大きなストロークのダイヤフラム
アセンブリを形成する場合には、第3図に示すように、
上面のみならず下面もダイヤフラム形状に加工された基
材22を用いる。この基材22の下面にハウジング23
のフランジ27を嵌合させ、基材22及びフランジ27
の下面へ一体にニッケルメッキを施してダイヤフラム2
5を形成する。最後に基材22を加熱溶融して孔24b
から排出ツる点は、前実施例と同様でである。
アセンブリを形成する場合には、第3図に示すように、
上面のみならず下面もダイヤフラム形状に加工された基
材22を用いる。この基材22の下面にハウジング23
のフランジ27を嵌合させ、基材22及びフランジ27
の下面へ一体にニッケルメッキを施してダイヤフラム2
5を形成する。最後に基材22を加熱溶融して孔24b
から排出ツる点は、前実施例と同様でである。
このようにして得られたダイヤフラム25は、上面のみ
ならず、下面も軸方向に変形可能であるから、その弁作
動ストロークが大きくなる。
ならず、下面も軸方向に変形可能であるから、その弁作
動ストロークが大きくなる。
更に大きなストロークを要する場合には、第4図に示す
ように2段形状の基材22を用いてダイヤフラム25を
メッキ加工する。メッキ処理工程及び基材22の溶融処
理工程は、前実施例とばぼ同様である。
ように2段形状の基材22を用いてダイヤフラム25を
メッキ加工する。メッキ処理工程及び基材22の溶融処
理工程は、前実施例とばぼ同様である。
上記各実施例では、基材20.22にアルミニウムを用
いているが、樹脂を採用すれば溶融が容易になり、低価
格で大量生産できる利点がある。
いているが、樹脂を採用すれば溶融が容易になり、低価
格で大量生産できる利点がある。
(発明の効果)
以上詳述したように、本発明の製造方法によれば、肉厚
のバラツキや残留応力が全く生じないので肉厚が均一で
そり、歪のない金属ダイヤフラムが得られる。また、溶
接、ろう付等を使わないから熱歪のないダイヤフラムア
センブリが得られる。
のバラツキや残留応力が全く生じないので肉厚が均一で
そり、歪のない金属ダイヤフラムが得られる。また、溶
接、ろう付等を使わないから熱歪のないダイヤフラムア
センブリが得られる。
更に、メッキ吊の調整により薄肉化できるため、小型、
軽量、極薄型のセンサ用のダイヤフラム形成も可能とな
る。
軽量、極薄型のセンサ用のダイヤフラム形成も可能とな
る。
第1図(A)、(B)、(C)は、金属ダイヤフラムの
製造工程を示す簡略断面図、第2図(A)(B)、(C
)は金属ダイヤフラムアセンブリの製造工程を示す簡略
断面図、第3図及び第4図は他の実施例を示す簡略断面
図、第5図は従来のダイヤフラム成形工程を示す簡略断
面図、第6図〜第φ図は従来のダイヤフラムとハウジン
グの接合状態を示す断面図である。 図中、20.22・・・基材、21.25・・・ダイヤ
フラム、24・・・ハウジング、26・・・ダイヤフラ
ムアセンブリ。
製造工程を示す簡略断面図、第2図(A)(B)、(C
)は金属ダイヤフラムアセンブリの製造工程を示す簡略
断面図、第3図及び第4図は他の実施例を示す簡略断面
図、第5図は従来のダイヤフラム成形工程を示す簡略断
面図、第6図〜第φ図は従来のダイヤフラムとハウジン
グの接合状態を示す断面図である。 図中、20.22・・・基材、21.25・・・ダイヤ
フラム、24・・・ハウジング、26・・・ダイヤフラ
ムアセンブリ。
Claims (13)
- (1)ダイヤフラム形状の被メッキ基材にメッキ処理し
た後、被メッキ基材のみを除去することを特徴とする金
属ダイヤフラムの製造方法。 - (2)前記メッキ処理がニッケルまたはサルファフリー
ニッケルメッキにて行なわれる特許請求の範囲第1項に
記載の金属ダイヤフラムの製造方法。 - (3)前記被メッキ基材が樹脂製である特許請求の範囲
第1項に記載の金属ダイヤフラムの製造方法。 - (4)前記被メッキ基材が低温溶融金属製である特許請
求の範囲第1項に記載の金属ダイヤフラムの製造方法。 - (5)前記被メッキ基材がアルミニウム製である特許請
求の範囲第4項に記載の金属ダイヤフラムの製造方法。 - (6)前記被メッキ基材は、メッキ処理後に溶融除去さ
れる特許請求の範囲第3項または第4項に記載の金属ダ
イヤフラムの製造方法。 - (7)ダイヤフラム形状の被メッキ基材をハウジングに
連結し、両者にメッキ処理をした後、被メッキ基材のみ
を除去することを特徴とする金属ダイヤフラムアセンブ
リの製造方法。 - (8)前記メッキがニッケルまたはサルファフリーニッ
ケルメッキである特許請求の範囲第7項に記載の金属ダ
イヤフラムアセンブリの製造方法。 - (9)前記被メッキ基材が樹脂製である特許請求の範囲
第7項に記載の金属ダイヤフラムアセンブリの製造方法
。 - (10)前記被メッキ基材は低温溶融金属製である特許
請求の範囲第7項に記載の金属ダイヤフラムアセンブリ
の製造方法。 - (11)前記被メッキ基材がアルミニウム製である特許
請求の範囲第10項に記載の金属ダイヤフラムアセンブ
リの製造方法。 - (12)前記被メッキ基材は、メッキ処理後に溶融除去
される特許請求の範囲第9項または第10項に記載の金
属ダイヤフラムアセンブリの製造方法。 - (13)前記ハウジングがステンレス製である特許請求
の範囲第7項に記載の金属ダイヤフラムアセンブリの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1753286A JPS62177192A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 金属ダイヤフラム及び金属ダイヤフラムアセンブリの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1753286A JPS62177192A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 金属ダイヤフラム及び金属ダイヤフラムアセンブリの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62177192A true JPS62177192A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=11946534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1753286A Pending JPS62177192A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 金属ダイヤフラム及び金属ダイヤフラムアセンブリの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62177192A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6955090B2 (en) * | 2003-11-20 | 2005-10-18 | General Electric Company | Cylinder pressure transducer and related method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5184679A (ja) * | 1975-01-24 | 1976-07-24 | Niino Giken Kk | Biatsukanchowakutaitsukidaiyafuramuno seizohoho |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP1753286A patent/JPS62177192A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5184679A (ja) * | 1975-01-24 | 1976-07-24 | Niino Giken Kk | Biatsukanchowakutaitsukidaiyafuramuno seizohoho |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6955090B2 (en) * | 2003-11-20 | 2005-10-18 | General Electric Company | Cylinder pressure transducer and related method |
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