JPS62174986A - 高周波励起気体レ−ザ− - Google Patents
高周波励起気体レ−ザ−Info
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- JPS62174986A JPS62174986A JP1559486A JP1559486A JPS62174986A JP S62174986 A JPS62174986 A JP S62174986A JP 1559486 A JP1559486 A JP 1559486A JP 1559486 A JP1559486 A JP 1559486A JP S62174986 A JPS62174986 A JP S62174986A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0975—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser using inductive or capacitive excitation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/0315—Waveguide lasers
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波で励起される気体レーザーに関するもの
である。
である。
従来の挾術
気体レーザーに於ける高周波励起は、
i)金属電極とレーザーガスが接しないので特に化学反
応性の高いCO2レーザーに良いii)リアクテブ バ
ラス1〜であるのでエネルギー効率が良い iii ) Ill放電で電圧が低いので電源の固体素
子化による小型化が可能 ■)高速ガス流時の放電均一性が良く良質のモードが得
られる などの理由で、 i)小型 it )高効率 iii )良いビームモード が得られ、切断加工用等のCO2に適している。
応性の高いCO2レーザーに良いii)リアクテブ バ
ラス1〜であるのでエネルギー効率が良い iii ) Ill放電で電圧が低いので電源の固体素
子化による小型化が可能 ■)高速ガス流時の放電均一性が良く良質のモードが得
られる などの理由で、 i)小型 it )高効率 iii )良いビームモード が得られ、切断加工用等のCO2に適している。
しかしながら、一方では安定な放電の為には誘電体層の
両端間に放電維持電圧と同程度の電圧降下を必要とする
が、従来の高周波励起CO2レーザーの電極は第4図、
第5図に示す如く金属電極の鉄管11の表面上に誘電体
層としてグラスライニング層12を0.8〜1.2mm
の厚さでコーテングし電極10.10’ を構成し、電
極10゜10の鉄管11.11に高周波電源13より高
周波を印加することによりレーザーガスを励起させてい
た。
両端間に放電維持電圧と同程度の電圧降下を必要とする
が、従来の高周波励起CO2レーザーの電極は第4図、
第5図に示す如く金属電極の鉄管11の表面上に誘電体
層としてグラスライニング層12を0.8〜1.2mm
の厚さでコーテングし電極10.10’ を構成し、電
極10゜10の鉄管11.11に高周波電源13より高
周波を印加することによりレーザーガスを励起させてい
た。
レーザーの放電維持電圧は5〜10KVであるので、上
記ライニング層12にも同程度の電圧が印加されること
になる。従って、同層12は少なくとも15KV程度の
耐電圧特性は持たねばならない。
記ライニング層12にも同程度の電圧が印加されること
になる。従って、同層12は少なくとも15KV程度の
耐電圧特性は持たねばならない。
しかしながら、該ライニング層12は鉄管11にコーテ
ングすることから鉄管11と密着圧がよいこと、また、
鉄管11が熱により膨張したとき剥離が生じないように
熱特性が鉄管11と一致せねばならず、電気的特性のみ
からこのライニング層12の材料を選択することができ
なかった。また、製造上からも、コーテングを行うこと
によりピンホールが生じたり剥離が生じるという問題も
ある。さらに、ライニング層12は薄膜であるため、印
加する電流値を上げていくと絶縁破壊が生じ、絶縁破壊
やピンホールがあると電流が集中して流れるため電流値
を上げることができず、おのずから入力電力レベルに限
界があり、IKWが限界であった。その場合でも、電流
密度を上げて注入電力密度を増大させることはできない
ので、放電領域を拡大させる必要があり、為に電極間隔
が40mm以上であったので良質のTEM00モードは
得難かった。
ングすることから鉄管11と密着圧がよいこと、また、
鉄管11が熱により膨張したとき剥離が生じないように
熱特性が鉄管11と一致せねばならず、電気的特性のみ
からこのライニング層12の材料を選択することができ
なかった。また、製造上からも、コーテングを行うこと
によりピンホールが生じたり剥離が生じるという問題も
ある。さらに、ライニング層12は薄膜であるため、印
加する電流値を上げていくと絶縁破壊が生じ、絶縁破壊
やピンホールがあると電流が集中して流れるため電流値
を上げることができず、おのずから入力電力レベルに限
界があり、IKWが限界であった。その場合でも、電流
密度を上げて注入電力密度を増大させることはできない
ので、放電領域を拡大させる必要があり、為に電極間隔
が40mm以上であったので良質のTEM00モードは
得難かった。
発明が解決しようとする問題点
本発明は上記従来技術の欠点を改善し、上記金属電極と
誘電体層が密着性が良いこと及び熱特性が一致すること
という条件を不要にし、誘電体を純然たる電気特性のみ
から選択し、電流密度を上げても絶縁破壊が生じないよ
うな誘電体を選び1穫表面での許容電流密度値を増大ぜ
しめて単位体積当たりの放電入力レベルを増大せしめて
高出力の高周波励起気体レーザーを得ることにある。
誘電体層が密着性が良いこと及び熱特性が一致すること
という条件を不要にし、誘電体を純然たる電気特性のみ
から選択し、電流密度を上げても絶縁破壊が生じないよ
うな誘電体を選び1穫表面での許容電流密度値を増大ぜ
しめて単位体積当たりの放電入力レベルを増大せしめて
高出力の高周波励起気体レーザーを得ることにある。
問題点を解決するための手段
レーザーガスを誘電体層を介して金属電極に印カロされ
た高周波により励起させる高周波励起気体レーリ”−に
おいて、上記誘電体図は上記金属電極に接着されること
なく接してまたは間隙をもって上記金属電極を覆うよう
に構成することにより上記問題点を解決した。
た高周波により励起させる高周波励起気体レーリ”−に
おいて、上記誘電体図は上記金属電極に接着されること
なく接してまたは間隙をもって上記金属電極を覆うよう
に構成することにより上記問題点を解決した。
作 用
上記誘電体層は上記金属電極に接着されていないから、
該誘電体は、上記金属電極に密着性がよいもの及び熱特
性が金属電極と一致するもの等の条件を考慮する必要が
なく、単に誘電体としての電気特性のみから該誘電体を
jパ択できるから、誘電率が高く、絶縁破壊電界値の高
い誘電体を選ぶことによって高出力(1KW以上)の高
周波励起気体レーザーを得ることができる。
該誘電体は、上記金属電極に密着性がよいもの及び熱特
性が金属電極と一致するもの等の条件を考慮する必要が
なく、単に誘電体としての電気特性のみから該誘電体を
jパ択できるから、誘電率が高く、絶縁破壊電界値の高
い誘電体を選ぶことによって高出力(1KW以上)の高
周波励起気体レーザーを得ることができる。
実施例
第1図は本発明の1実施例を示す図、第2図は第1図X
−X断面図で、1は鉄等のパイプで構成された金属電極
、2は誘電体層で、上記金属電極1を間隙3をもって覆
っており、この金属電極1と誘電体層2からなる電極が
2本レーザーガス内に配置されており、両金属電極1.
1間に高周波電源4から高周波を印加することにより、
レーザーガスを励起させレーザー光を得るようになって
おり、本発明と従来の高周波励起気体レーザーとの相違
は上記金属電極1と誘電体層2が間隙3をもって配置さ
れている点で他の構成は従来のものと同一である。
−X断面図で、1は鉄等のパイプで構成された金属電極
、2は誘電体層で、上記金属電極1を間隙3をもって覆
っており、この金属電極1と誘電体層2からなる電極が
2本レーザーガス内に配置されており、両金属電極1.
1間に高周波電源4から高周波を印加することにより、
レーザーガスを励起させレーザー光を得るようになって
おり、本発明と従来の高周波励起気体レーザーとの相違
は上記金属電極1と誘電体層2が間隙3をもって配置さ
れている点で他の構成は従来のものと同一である。
なお、上記間隙3は必ずしも空間を有している必要はな
く、誘電体層2と金B電極1は接していてもよく、単に
両者間が接着されてなければよい。
く、誘電体層2と金B電極1は接していてもよく、単に
両者間が接着されてなければよい。
また、該間隙3内に電導性の高いペーストを充填しペー
スト層にしてもよい。
スト層にしてもよい。
このような構成において、電流密度をto、上記誘電体
層2の誘電率をε、印加周波数をω、上記誘電体2の層
厚をdとすると、該誘電体層2の電圧降下Vは簡単な計
算の結果、 V=d i o /εω ・・・・・・・・・(
1)となる。一方、放電の安定化の為にはこの電圧降下
■の値は放電維持電圧■0の近傍の値にすればよいので
、上記誘電体層の所要厚みdは第(1)式のVに■0を
代入し、 d=Vo ・εω/lO・・・・・・・・・(2)とな
る(なお、第1図に示す例においては2つの誘電体層2
,2があるから1方の誘電体層2の厚みは第(2)式に
示す値の半分となる)。また、誘電体内部の電界強度E
は簡単な計算の結果E干10/εω ・・・・
・・・・・(3)である。そこで、上記誘電体層2の絶
縁破壊電界強度をEOとすると、上記電界強度Eは、E
≦EO・・・・・・・・・(4) と、絶縁破壊電界強度EOより小さくすればよい。
層2の誘電率をε、印加周波数をω、上記誘電体2の層
厚をdとすると、該誘電体層2の電圧降下Vは簡単な計
算の結果、 V=d i o /εω ・・・・・・・・・(
1)となる。一方、放電の安定化の為にはこの電圧降下
■の値は放電維持電圧■0の近傍の値にすればよいので
、上記誘電体層の所要厚みdは第(1)式のVに■0を
代入し、 d=Vo ・εω/lO・・・・・・・・・(2)とな
る(なお、第1図に示す例においては2つの誘電体層2
,2があるから1方の誘電体層2の厚みは第(2)式に
示す値の半分となる)。また、誘電体内部の電界強度E
は簡単な計算の結果E干10/εω ・・・・
・・・・・(3)である。そこで、上記誘電体層2の絶
縁破壊電界強度をEOとすると、上記電界強度Eは、E
≦EO・・・・・・・・・(4) と、絶縁破壊電界強度EOより小さくすればよい。
第(4)式に第(3)式を代入し、
10/εω≦EO
故に、
to≦EOεω ・・・・・・・・・(5)と
なり、許容最大電流密度はEoεωとなるから、許容最
大電流密度を上げるには、周波数ωを上げるか、EOε
の大きい材料、即ち、絶縁破壊電界強度EOが大きく、
誘電率εの高い材料を選択すればよく、層の厚さには無
関係である。そうすることにより許容最大電流密度を増
大させ、単位体積当たりの放電入力レベルを増大させて
、出力の大きいIKW以上の高周波励起気体レーザーを
得ることができる。
なり、許容最大電流密度はEoεωとなるから、許容最
大電流密度を上げるには、周波数ωを上げるか、EOε
の大きい材料、即ち、絶縁破壊電界強度EOが大きく、
誘電率εの高い材料を選択すればよく、層の厚さには無
関係である。そうすることにより許容最大電流密度を増
大させ、単位体積当たりの放電入力レベルを増大させて
、出力の大きいIKW以上の高周波励起気体レーザーを
得ることができる。
上記誘電体層2の材料としては上記電気的特性の条件よ
り、例えば、チタン酸バリウム、石英。
り、例えば、チタン酸バリウム、石英。
アルミナ、マイラー、カプトン等を選ぺばよい。
上記実施例では、2つの電極とも金属電極1を誘電体層
2で覆ったものを用いたが、必ずしも両電極とも誘電体
層2で覆う必要はなく、一方の電極のみ誘電体層2で覆
い、他方は金属電極1のみにしてもよい。
2で覆ったものを用いたが、必ずしも両電極とも誘電体
層2で覆う必要はなく、一方の電極のみ誘電体層2で覆
い、他方は金属電極1のみにしてもよい。
さらに、電極の断面形状が円であることに限定される必
要もなく、四辺形でも、また他の形状でもよく、金属電
極と誘電体層を分離して接着しなければどのような形状
でもよい。
要もなく、四辺形でも、また他の形状でもよく、金属電
極と誘電体層を分離して接着しなければどのような形状
でもよい。
発明の効果
以上述べたように、本発明は金属電極と誘電体層が分離
され接着されてないから、誘電体層を金属電極に密着し
やすいものとか、熱膨張率が金属1痺に一致したもの等
の条件を考慮することなく、単に電気的特性(誘電率、
絶縁破壊電界強度等)のみを考慮して選択でき、それに
より許容電流密度値を増大させ、単位体積当たりの放電
入力レベルを増大させ、大出力(IKW以上)の高周波
励起気体レーザーを1与ることができる。また、細い径
の共振器を用いてTEMooモードをも可能にすること
ができる。
され接着されてないから、誘電体層を金属電極に密着し
やすいものとか、熱膨張率が金属1痺に一致したもの等
の条件を考慮することなく、単に電気的特性(誘電率、
絶縁破壊電界強度等)のみを考慮して選択でき、それに
より許容電流密度値を増大させ、単位体積当たりの放電
入力レベルを増大させ、大出力(IKW以上)の高周波
励起気体レーザーを1与ることができる。また、細い径
の共振器を用いてTEMooモードをも可能にすること
ができる。
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図は第1図x
−X断面図、第3図は従来の高周波励起気体レーザーの
説明図、第4図は第3図×−X断面図である。 1・・・金属電極、2・・・誘電体層、3・・・間隙。 (ほか1名)−
−X断面図、第3図は従来の高周波励起気体レーザーの
説明図、第4図は第3図×−X断面図である。 1・・・金属電極、2・・・誘電体層、3・・・間隙。 (ほか1名)−
Claims (5)
- (1)レーザーガスを誘電体層を介して金属電極に印加
された高周波により励起させる高周波励起気体レーザー
において、上記金属電極は上記誘電体層により接着され
ることなく覆われていることを特徴とする高周波励起気
体レーザー。 - (2)上記金属電極は上記誘電体層に間隙をもって覆わ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
高周波励起気体レーザー。 - (3)上記間隙には電導性の高いペーストが充填されて
いる特許請求の範囲第2項記載の高周波励起気体レーザ
ー。 - (4)上記高周波励起気体レーザーの一方の電極は金属
電極のみで構成され、他方の電極は上記金属電極と誘電
体層で構成されている特許請求の範囲第1項、第2項又
は第3項記載の高周波励起気体レーザー。 - (5)上記誘電体層は誘電率が高く、絶縁破壊電界強度
の高い誘電材料で構成される特許請求の範囲第1項、第
2項、第3項または第4項記載の高周波励起気体レーザ
ー。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1559486A JPS62174986A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 高周波励起気体レ−ザ− |
EP87901110A EP0256135B1 (en) | 1986-01-29 | 1987-01-28 | Gas laser utilizing high-frequency excitation |
US07/117,149 US4800567A (en) | 1986-01-29 | 1987-01-28 | High-frequency-discharge excited gas laser |
PCT/JP1987/000059 WO1987004868A1 (en) | 1986-01-29 | 1987-01-28 | Gas laser utilizing high-frequency excitation |
DE8787901110T DE3778605D1 (de) | 1986-01-29 | 1987-01-28 | Gaslaser mit hochfrequenzerregung. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1559486A JPS62174986A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 高周波励起気体レ−ザ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62174986A true JPS62174986A (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=11893042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1559486A Pending JPS62174986A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 高周波励起気体レ−ザ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62174986A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53113496A (en) * | 1977-03-15 | 1978-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | Gas laser device |
JPS56110280A (en) * | 1980-02-05 | 1981-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | Gas laser device |
JPS56134789A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Lateral exciting type laser oscillator |
JPS57208185A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | Lateral excitation type laser oscillator |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP1559486A patent/JPS62174986A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53113496A (en) * | 1977-03-15 | 1978-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | Gas laser device |
JPS56110280A (en) * | 1980-02-05 | 1981-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | Gas laser device |
JPS56134789A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Lateral exciting type laser oscillator |
JPS57208185A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | Lateral excitation type laser oscillator |
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