JPS62173750A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS62173750A JPS62173750A JP61016306A JP1630686A JPS62173750A JP S62173750 A JPS62173750 A JP S62173750A JP 61016306 A JP61016306 A JP 61016306A JP 1630686 A JP1630686 A JP 1630686A JP S62173750 A JPS62173750 A JP S62173750A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
樹脂封止型又はサーディツプ型のようなリードフレーム
を用いて組立てをなす半導体装置において、ワイヤボン
ディング時におけるリード片先端のボンディング位置の
自動認識のため、先端付近に位置認識用の斜面をなす段
差を設けることにより、従来の先端輪郭を認識する方法
に比べ、認識パターンのコントラストが一定となり、リ
ード表面の傷や低融点ガラスの被りによる誤認識を生じ
にくく、より確実に正確な位置認識が可能となるもので
ある。
を用いて組立てをなす半導体装置において、ワイヤボン
ディング時におけるリード片先端のボンディング位置の
自動認識のため、先端付近に位置認識用の斜面をなす段
差を設けることにより、従来の先端輪郭を認識する方法
に比べ、認識パターンのコントラストが一定となり、リ
ード表面の傷や低融点ガラスの被りによる誤認識を生じ
にくく、より確実に正確な位置認識が可能となるもので
ある。
本発明は、樹脂封止型又はサーディツプ型のようなリー
ドフレームを用いて組立をなす半導体装置に関し、特に
組立て時におけるリード側のボン、ディング位置自動検
出を正確、且つ確実化するための改良に関する。
ドフレームを用いて組立をなす半導体装置に関し、特に
組立て時におけるリード側のボン、ディング位置自動検
出を正確、且つ確実化するための改良に関する。
リードフレームを用いてなる半導体装置の一例として、
樹脂封止型の半導体装置の構造断面を第4図に示す。第
4図において、1は半導体装置、2は封止樹脂、3はス
テージ、4は半導体チップ、5はリード片、6はボンデ
ィングワイヤ、7はボンディングワイヤである。
樹脂封止型の半導体装置の構造断面を第4図に示す。第
4図において、1は半導体装置、2は封止樹脂、3はス
テージ、4は半導体チップ、5はリード片、6はボンデ
ィングワイヤ、7はボンディングワイヤである。
斯種半導体装置は、周知のように一枚の金属薄片を打抜
き加工等によりリード片群を一体に支持した所謂リード
フレームの形に加工し、このり一ドフレームの状態でワ
イヤボンディング等の組立加工を行って作るものである
。ワイヤボンディング完了直後の組立体の例を第5図に
示す。第5図において第4図と同一記号は同一部分を示
す。この状態ではリード片群5や或いはステージ3を一
体に支持するための支持部材8.9が残存しており、全
体はフレーム部分10に接続され、一体としてハンドリ
ング可能であるが、これら接続部は完成前に切落される
ものである。
き加工等によりリード片群を一体に支持した所謂リード
フレームの形に加工し、このり一ドフレームの状態でワ
イヤボンディング等の組立加工を行って作るものである
。ワイヤボンディング完了直後の組立体の例を第5図に
示す。第5図において第4図と同一記号は同一部分を示
す。この状態ではリード片群5や或いはステージ3を一
体に支持するための支持部材8.9が残存しており、全
体はフレーム部分10に接続され、一体としてハンドリ
ング可能であるが、これら接続部は完成前に切落される
ものである。
ワイヤボンディングは、普通、省力化のため自動ワイヤ
ボンダにより自動作業で行われるが、チップ搭載位置精
度やフレーム1oのインデックス孔11を用いた機械的
な粗位置合わせ精度に比較して、ボンディングすべき領
域は小さい。それ故、TVカメラのような撮像手段とパ
ターンマツチングによるパターン認識処理装置とを利用
して、半導体テンプ4上のポンディング作業前7と、リ
ード片5先端部分のうち基準とすべきものを認識し、高
精度の位置検出を事前に行っている。
ボンダにより自動作業で行われるが、チップ搭載位置精
度やフレーム1oのインデックス孔11を用いた機械的
な粗位置合わせ精度に比較して、ボンディングすべき領
域は小さい。それ故、TVカメラのような撮像手段とパ
ターンマツチングによるパターン認識処理装置とを利用
して、半導体テンプ4上のポンディング作業前7と、リ
ード片5先端部分のうち基準とすべきものを認識し、高
精度の位置検出を事前に行っている。
従来技術におけるリード片群側の位置認識のための基準
パターンとしては、基準とすべきリード片5の先端(半
導体チップ周辺に近接する側の端)の輪郭パターンが用
いられている。そのため周囲の条件次第でリード片表面
と周囲とでの反射光強度の差、つまりコントラストが変
化することとなり、誤認識や認識不能を生じることがあ
る。リード片表面の傷等の表面状態によってもコントラ
ストが大きく影響される。更に、サーディンプ型半導体
装置では、ボンディング作業前にリード片群は低融点ガ
ラス層を表面に持つ容器基台に接着されるがリード片先
端の周縁において低融点ガラスの被りを生じてしまうと
輪郭パターンの認識は著しく困難である。これらの原因
により、従来技術においては基準とするリード片先端の
位置認識が不正確となることがあり、ボンディング位置
不良による不良品を発生する不都合を生じる問題があっ
た。
パターンとしては、基準とすべきリード片5の先端(半
導体チップ周辺に近接する側の端)の輪郭パターンが用
いられている。そのため周囲の条件次第でリード片表面
と周囲とでの反射光強度の差、つまりコントラストが変
化することとなり、誤認識や認識不能を生じることがあ
る。リード片表面の傷等の表面状態によってもコントラ
ストが大きく影響される。更に、サーディンプ型半導体
装置では、ボンディング作業前にリード片群は低融点ガ
ラス層を表面に持つ容器基台に接着されるがリード片先
端の周縁において低融点ガラスの被りを生じてしまうと
輪郭パターンの認識は著しく困難である。これらの原因
により、従来技術においては基準とするリード片先端の
位置認識が不正確となることがあり、ボンディング位置
不良による不良品を発生する不都合を生じる問題があっ
た。
本発明は、以上の問題を解決し、位置基準とするリード
片先端の位置認識をより確実にすることを可能にする手
段を提供することを目的とする。
片先端の位置認識をより確実にすることを可能にする手
段を提供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明においては、位置121と
すべきリード片の半導体装ノブ周辺に近接する側の一端
付近に、位置認識用の斜面を形成する段差を設けたもの
である。
すべきリード片の半導体装ノブ周辺に近接する側の一端
付近に、位置認識用の斜面を形成する段差を設けたもの
である。
4乍 用〕
本発明では、リード片側の位置認識用パターンが、リー
ド片上面に対し成る角度をなす斜面で構成されるので、
周囲の状態に依存せずに良好なコントラストが得られ、
またリード片先端周縁部への低融点ガラスの被りなどに
よる影響を受けるとこもなく、確実な認識が可能である
ことがら、ボンデインク位置不良を生じ難いものである
。
ド片上面に対し成る角度をなす斜面で構成されるので、
周囲の状態に依存せずに良好なコントラストが得られ、
またリード片先端周縁部への低融点ガラスの被りなどに
よる影響を受けるとこもなく、確実な認識が可能である
ことがら、ボンデインク位置不良を生じ難いものである
。
第1図は本発明実施例の半導体装置の組立途中(ボンデ
ィング完了直後)の組立体上面を示す図であって、第5
図の状態に対応し、第5図と同記号は同一部分を示す。
ィング完了直後)の組立体上面を示す図であって、第5
図の状態に対応し、第5図と同記号は同一部分を示す。
本実施例の装置が第5図従来例と異なるのは、位置認識
基準とすべき2本のリード片5の先端付近に、位置認識
用の斜面12を形成する段差が設けられていることであ
る。
基準とすべき2本のリード片5の先端付近に、位置認識
用の斜面12を形成する段差が設けられていることであ
る。
この基準リード片5の先端部の拡大平面及び断面を第2
図(al及び(b+にそれぞれ示す。Bはワイヤを取付
けるべきボンディング領域を示す。リード片5の厚みは
先端部以外で、例えば0.25mmであり、段差部は例
えば45°の斜面をなし、0.05+uの段差が形成さ
れたものである。かかる段差は周知のコイニング加工で
簡単に形成可能である。この場合、第3図は、リード片
5先端の位置認識用斜面12を撮像装置20により認識
する工程を模式的に示す図である。21は照明系を示す
。この例のように、はぼ垂直上方より照明を行った場合
には、リード片5上面の水平面では撮像装置20への強
い反射光を生じるのに対し、斜面12では逼影像装置2
0へ向う反射光を殆んど生じない。従って、撮像装置2
0では、斜面12部分が暗く、他のりの帯状パターンを
パターンマツチングによる認識処理装置(図示省略)に
て認識すれば、位置検出を行えるものである。この後は
、従来例と同様、所定位置に自動ワイヤボンディングが
行われる。
図(al及び(b+にそれぞれ示す。Bはワイヤを取付
けるべきボンディング領域を示す。リード片5の厚みは
先端部以外で、例えば0.25mmであり、段差部は例
えば45°の斜面をなし、0.05+uの段差が形成さ
れたものである。かかる段差は周知のコイニング加工で
簡単に形成可能である。この場合、第3図は、リード片
5先端の位置認識用斜面12を撮像装置20により認識
する工程を模式的に示す図である。21は照明系を示す
。この例のように、はぼ垂直上方より照明を行った場合
には、リード片5上面の水平面では撮像装置20への強
い反射光を生じるのに対し、斜面12では逼影像装置2
0へ向う反射光を殆んど生じない。従って、撮像装置2
0では、斜面12部分が暗く、他のりの帯状パターンを
パターンマツチングによる認識処理装置(図示省略)に
て認識すれば、位置検出を行えるものである。この後は
、従来例と同様、所定位置に自動ワイヤボンディングが
行われる。
上記の位置認識工程においては、認識すべきパターンは
リード片5上に形成されていて、周囲の4下地の反射率
が変化しても何ら影響はない。リード片5の先端部輪郭
パターンも利用する必要はなく、外縁部に低融点ガラス
が一部被ったりしても、位置認識に支障を生じない。更
に良好なコントラストを常に確保できるので、リード片
上面に多少傷がついて反射率の増減が多少あっても格別
の支障はない。
リード片5上に形成されていて、周囲の4下地の反射率
が変化しても何ら影響はない。リード片5の先端部輪郭
パターンも利用する必要はなく、外縁部に低融点ガラス
が一部被ったりしても、位置認識に支障を生じない。更
に良好なコントラストを常に確保できるので、リード片
上面に多少傷がついて反射率の増減が多少あっても格別
の支障はない。
照明は第3図の場合と反対に、斜面12から最強の反射
光が鳥像装置20に到達するような角度で斜め照明して
もよい。
光が鳥像装置20に到達するような角度で斜め照明して
もよい。
第1図の組立工程後、更に樹脂モールド工程を施せば、
第4図の従来例と同様の完成構造断面の装置が得られる
ことは従来と同様である。
第4図の従来例と同様の完成構造断面の装置が得られる
ことは従来と同様である。
本発明によれば、リード片先端付近に位置認識用の斜面
をなす段差を設けたことにより、リード片の自動位置認
識が確実、正確となり、ボンディング位置不良の少ない
半導体装置が実現されるものである。
をなす段差を設けたことにより、リード片の自動位置認
識が確実、正確となり、ボンディング位置不良の少ない
半導体装置が実現されるものである。
第1図は本発明実施例の半導体装置の組立途中の状態を
示す図、第2図(a)、 (blは本発明実施例のリー
ド片の拡大平面図及び断面図、第3図は本発明実施例の
説明図、第4図は従来例の半導体装置の断面図、第5図
は従来例装置の組立途中状態を示す図である。 4 ・・・−半導体チップ 5 ・・・・・リード片 6−・・・−ボンディングワイヤ 12−・・・位置認識用斜面 本会B珂実施イ勿10半香イ本墾見」 の剰1在遼中のAXき、友元1巳 7本 1 掲 算2図 不発明実施4にI、?iべ1認、識・ 1罐を憚式的1−.示1図 字 3 乏 茎42 姐fL/1本を示1皇 寥5 a
示す図、第2図(a)、 (blは本発明実施例のリー
ド片の拡大平面図及び断面図、第3図は本発明実施例の
説明図、第4図は従来例の半導体装置の断面図、第5図
は従来例装置の組立途中状態を示す図である。 4 ・・・−半導体チップ 5 ・・・・・リード片 6−・・・−ボンディングワイヤ 12−・・・位置認識用斜面 本会B珂実施イ勿10半香イ本墾見」 の剰1在遼中のAXき、友元1巳 7本 1 掲 算2図 不発明実施4にI、?iべ1認、識・ 1罐を憚式的1−.示1図 字 3 乏 茎42 姐fL/1本を示1皇 寥5 a
Claims (1)
- 半導体チップと、該半導体チップの周辺に近接して一端
が配置されたリード片と、該半導体チップと該リード片
との間を相互接続するボンディングワイヤとを具備し、
該リード片の前記一端付近に位置認識用の斜面を形成す
る段差が設けられたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61016306A JP2538870B2 (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61016306A JP2538870B2 (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62173750A true JPS62173750A (ja) | 1987-07-30 |
JP2538870B2 JP2538870B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=11912851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61016306A Expired - Lifetime JP2538870B2 (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2538870B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2799051A1 (fr) * | 1999-08-21 | 2001-03-30 | Bosch Gmbh Robert | Composant avec un repere a reconnaissance optique |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5226877U (ja) * | 1975-08-14 | 1977-02-24 | ||
JPS5472961A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5624960A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-10 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
JPS59178757A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP61016306A patent/JP2538870B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5226877U (ja) * | 1975-08-14 | 1977-02-24 | ||
JPS5472961A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5624960A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-10 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
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---|---|---|---|---|
FR2799051A1 (fr) * | 1999-08-21 | 2001-03-30 | Bosch Gmbh Robert | Composant avec un repere a reconnaissance optique |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2538870B2 (ja) | 1996-10-02 |
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