JPS62172804A - Buffer amplifying circuit - Google Patents

Buffer amplifying circuit

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JPS62172804A
JPS62172804A JP1381286A JP1381286A JPS62172804A JP S62172804 A JPS62172804 A JP S62172804A JP 1381286 A JP1381286 A JP 1381286A JP 1381286 A JP1381286 A JP 1381286A JP S62172804 A JPS62172804 A JP S62172804A
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circuit
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output terminal
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隆 斉藤
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Abstract

PURPOSE:To realize a characteristic of a low output impedance extending over a wide frequency by a small number of transistors, by connecting an output terminal and the second input of an operational amplifier, and connecting a bias circuit between the output terminal and the second power source. CONSTITUTION:A base of a transistor TR Q1 is connected to an output of an operational amplifier 1 whose one input is connected to an input terminal IN, connected to an output terminal OUT having a load capacity C through its emitter resistance R1, and its collector is connected to a base of a TR Q2, and also, connected to the first power source VCC through a resistance R2. An emitter of the TR Q2 is connected to the power source VCC through a resistance R3, and its collector is connected to the terminal OUT. The terminal OUT and the other input of the amplifier 1 are connected, and also, a bias circuit 4 is connected between the terminal OUT and the second power source VEE. In this way, by selecting suitably a resistance value of the resistances R1, R2 and R3, a low output impedance can be realized.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は基ホ電圧発生器などのバッファ増幅回路に係り
、特に広帯域で出力インピーダンスの低い小形で経済的
なバッファ増幅回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a buffer amplifier circuit such as a fundamental voltage generator, and more particularly to a small and economical buffer amplifier circuit with a wide band and low output impedance.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

従来の計測器などの単極性および両極性の基本電圧源に
おいて、負荷電流の高速な変動に対しても出力電圧が変
化しないように安定化するため、負帰還をもつオペアン
プなどによる低出力インピーダンスのバッファ増幅回路
が用いられている。とくに負荷電流がFETやトランジ
スタなどで高速にオンオフされるとオペアンプのみでは
追従できず、高周波領域で出力インピーダンスが高くな
る。このため出力電圧の変動が生じてしまうので、より
高帯域で低インピーダンスの回路が必要となり、かつ部
品点数の少ない小形なバッファ増幅回路が求められてい
る。
In order to stabilize the unipolar and bipolar basic voltage sources of conventional measuring instruments so that the output voltage does not change even when the load current fluctuates rapidly, low output impedance such as an operational amplifier with negative feedback is used. A buffer amplifier circuit is used. In particular, when the load current is turned on and off at high speed by FETs, transistors, etc., it cannot be followed by the operational amplifier alone, and the output impedance becomes high in the high frequency region. This causes fluctuations in the output voltage, so a circuit with a higher frequency band and lower impedance is required, and a small buffer amplifier circuit with a small number of components is required.

第5図は従来のこの種のバッファ増幅回路の一例を示す
ブロック図である。第5図において、このバッファ増幅
回路は、負帰還をもつオペアンプ1と、高速増幅器2と
、出力増幅器3と、負荷容量Cとから構成され、その出
力インピーダンスは高い周波数では負荷容量Cによって
決定され、低い周波数では高速増幅器2の負帰還により
低減され、オペアンプ1は高精度の電圧を実現するため
に設けられる。このようにして一般に容量負荷の回路は
負帰還ループに第2のポールが発生するため負帰還を安
定に施すことが困難であるが、これを高速増幅器2を設
けてこれにマイナーフィードバックなる負帰還を施す方
法を導入することにより解決し、多量にかつ高い周波数
まで負帰還を施すことを可能にして、広い周波数にわた
り出力インピーダンスの低い回路を実現している。
FIG. 5 is a block diagram showing an example of a conventional buffer amplifier circuit of this type. In FIG. 5, this buffer amplifier circuit is composed of an operational amplifier 1 with negative feedback, a high-speed amplifier 2, an output amplifier 3, and a load capacitance C, whose output impedance is determined by the load capacitance C at high frequencies. , is reduced at low frequencies by the negative feedback of the high speed amplifier 2, and the operational amplifier 1 is provided to realize a highly accurate voltage. In this way, it is generally difficult to stably apply negative feedback in a capacitive load circuit because a second pole occurs in the negative feedback loop, but this can be solved by providing a high-speed amplifier 2 and providing a negative feedback called minor feedback. This problem was solved by introducing a method of applying negative feedback to a large amount and at high frequencies, thereby realizing a circuit with low output impedance over a wide range of frequencies.

第6図は従来のバッファ増幅回路の一例を示す両極性の
回路図である。wJ6図において、トランジスタQ*−
Qa、Q?が第5図の高速増幅器2を構成し、トランジ
スタQs e Qo e (’toが出力増幅器3を構
成する。このバッファ増幅回路では、出力電流は流れ出
しおよび流れ込みの両極性の電流を出力できる。この回
路の使用トランジスタ数は6個である。
FIG. 6 is a bipolar circuit diagram showing an example of a conventional buffer amplifier circuit. In diagram wJ6, transistor Q*-
Qa, Q? constitutes the high-speed amplifier 2 in FIG. The number of transistors used in the circuit is six.

第7図は従来のバッファ増幅回路の他の一例を示す単極
性の回路図である。第7図において、トランジスタQ*
mQnが第5図の出力増幅器3を構成する。このバッフ
ァ増幅回路は菓5図の回路を単極性の一例として流れ出
し電流のみを出力できるように変形した回路である。こ
の回路の使用トランジスタ数は5個である。
FIG. 7 is a unipolar circuit diagram showing another example of the conventional buffer amplifier circuit. In Figure 7, transistor Q*
mQn constitutes the output amplifier 3 in FIG. This buffer amplifier circuit is a circuit modified from the circuit shown in Figure 5 so that it can output only a flowing current as an example of a unipolar circuit. The number of transistors used in this circuit is five.

しかし従来のバッファ増幅回路はさらに回路の小形化な
どのために使用トランジスタ数を削減したい場合には限
界がある。
However, conventional buffer amplifier circuits have limitations when it is desired to reduce the number of transistors used to further downsize the circuit.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は広い周波数にわたって出力インピーダン
スの低い回路をより小数のトランジスタで小形に構成で
きるバッファ増幅回路を提供する化ある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a buffer amplifier circuit that can be constructed in a small size with a smaller number of transistors and has a low output impedance over a wide range of frequencies.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、入力端子に第1の入力を接続した演算増幅器
の出力に纂1のトランジスタのベースを接続し、そのエ
ミッタを第1の抵抗を介して出力端子に接続し、そのコ
レクタをg2のトランジスタのベースに接続しかつ第2
の抵抗を介して第1の電源に接続し、第2のトランジス
タのエミッタを第3の抵抗を介して第1の電源に接続し
、そのコレクタを出力端子に接続し、出力端子と演算増
幅の第2の入力を接続し、出力端子と第2の電源間にバ
イアス回路を接続して、出力増幅器および高速増幅器の
機能をもたせるようにしたバッファ増幅回路である。。
The present invention connects the base of the first transistor to the output of the operational amplifier whose first input is connected to the input terminal, connects the emitter to the output terminal via the first resistor, and connects the collector to the output terminal of g2. connected to the base of the transistor and the second
The emitter of the second transistor is connected to the first power supply through a third resistor, the collector thereof is connected to the output terminal, and the output terminal and the operational amplifier are connected to the first power supply through a resistor. This buffer amplifier circuit has the functions of an output amplifier and a high-speed amplifier by connecting the second input and connecting a bias circuit between the output terminal and the second power supply. .

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下に本発明の一実施例を第1図ないし第4図により説
明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 4.

第1因は本発明によるバッファ増幅回路の一実施例を示
す基本回路図である。第1図において、このバッファ増
幅回路は、入力端子INに一方の入力(非反転入力)を
接続する演算増幅器(オペアンプ)1の出力にaglの
トランジスタQ1のベースを接続し、そのエミッタを第
1の抵抗R8を介して負荷容量Cを有する出力端子OU
Tに接続し、そのコレクタをwJ2のトランジスタのベ
ースに接続しかつ第2の抵抗馬を介してMlの電源(正
電源) Vccに接続し、第2のトランジスタQ、のエ
ミッタを第・3の抵抗R8を介して第1の電源FCCに
接続し、そのコレクタを出力端子OUTに接続し、出力
端子OUTと演算増幅器(オペアンプ)1の他方の入力
(反転入力)を接続し、かつ出力端子OUTと第2の電
源(負電源) Vxxの間にバイアス回路4を接続して
構成される。なおトランジスタ(’1.9!は従来の出
力増幅器2(第5図)の機能と高速増幅器3の機能とを
同時に実現する増幅器を構成する。
The first factor is a basic circuit diagram showing an embodiment of the buffer amplifier circuit according to the present invention. In FIG. 1, this buffer amplifier circuit connects the base of an agl transistor Q1 to the output of an operational amplifier (op-amp) 1 whose one input (non-inverting input) is connected to an input terminal IN, and connects its emitter to a first Output terminal OU with load capacitance C via resistor R8 of
T, its collector is connected to the base of the transistor wJ2, and connected to the power supply (positive power supply) Vcc of Ml via the second resistor, and the emitter of the second transistor Q is connected to the base of the transistor wJ2. It is connected to the first power supply FCC via a resistor R8, its collector is connected to the output terminal OUT, the output terminal OUT is connected to the other input (inverting input) of the operational amplifier (op-amp) 1, and the output terminal OUT is connected to the first power supply FCC through the resistor R8. A bias circuit 4 is connected between the power source Vxx and the second power source (negative power source) Vxx. Note that the transistor ('1.9!) constitutes an amplifier that simultaneously realizes the functions of the conventional output amplifier 2 (FIG. 5) and the high-speed amplifier 3.

この構成で、入力端子INの入力信号によるオペアンプ
1の出力信号はトランジスタQ1により電圧増幅され、
トランジスタQ!により電流増幅されるため、出力端子
OUTに大きな出力電流が出力される。またトランジス
タQ*、Q*は縦続接続されたエミッタ接地型増幅器を
なすので高速高利得であり、出力端子OUTから負帰還
がかかっているため従来の高速増幅器の働らきをする。
With this configuration, the output signal of the operational amplifier 1 based on the input signal of the input terminal IN is voltage amplified by the transistor Q1,
Transistor Q! Since the current is amplified by , a large output current is output to the output terminal OUT. Furthermore, since the transistors Q* and Q* form a cascade-connected emitter-grounded amplifier, it has high speed and high gain, and since negative feedback is applied from the output terminal OUT, it functions as a conventional high-speed amplifier.

つぎに本回路の出力インピーダンスについて説明する。Next, the output impedance of this circuit will be explained.

いまトランジスタQ1−Qtで得られる電圧利得すなわ
ち増幅器の開ループ利得は次式%式% ここでA、はトランジスタQ1の電圧増幅率、Gはトラ
ンジスタQ、の電圧−電流変換の相互コンダクタンス、
Xcは出力端子OUTに接続されている負荷容量Cのイ
ンピーダンスである。   ・この増幅器の出力インピ
ーダンスZ0は負帰還が施されていないときには負荷容
量Cのインピーダンスxcとなるので、負帰還量(開ル
ープ利得)Aの負帰還が施されたときには次のようにな
る。
The voltage gain obtained by transistors Q1-Qt, that is, the open loop gain of the amplifier, is expressed by the following formula (%) where A is the voltage amplification factor of transistor Q1, G is the mutual conductance of voltage-current conversion of transistor Q,
Xc is the impedance of the load capacitor C connected to the output terminal OUT. - The output impedance Z0 of this amplifier becomes the impedance xc of the load capacitance C when negative feedback is not applied, so when negative feedback of the amount of negative feedback (open loop gain) A is applied, it becomes as follows.

Z0=Xに/A=X(/(Ay XGXXc)=1/(
AFXG) ここで抵抗R1y’t t R3の抵抗値を同じ<Rt
y鳥*R3として用いると次のように表わせる。
Z0=X/A=X(/(Ay XGXXc)=1/(
AFXG) Here, the resistance value of resistor R1y't t R3 is the same <Rt
When used as ybird*R3, it can be expressed as follows.

Ar=馬/RI G = 17R3 したがって、 Z0=RIXR3/R。Ar=horse/RI G = 17R3 therefore, Z0=RIXR3/R.

ここで抵抗値R1* 鳥e R1を適当に選べば低出力
インピーダンスが実現できる。
If the resistance value R1*R1 is selected appropriately, a low output impedance can be achieved.

またこの増幅器の動作周波数の限界は次式で表わされる
Further, the limit of the operating frequency of this amplifier is expressed by the following equation.

A=AyxGxXc≧1 すなわち、 Xc≧l/ (JF X a ) =xs X R8/
xtしたがって負荷容量Cのインピーダンスxcが馬×
R3/R1に低下する周波数以下の周波数では負帰還の
効果により出力インピーダンスZ0はZo=A ×Rs
 /”v となる。またこの周波数以上の周波数では負
荷容量Cの作用によりZ。=xc≦R,xRv/馬、と
なる。このように広帯域にわたって低出力インピーダン
スが実現される。
A=AyxGxXc≧1 That is, Xc≧l/ (JF X a ) = xs X R8/
xt Therefore, the impedance xc of the load capacitance C is
At frequencies below the frequency at which R3/R1 decreases, the output impedance Z0 becomes Zo=A ×Rs due to the effect of negative feedback.
/"v. At frequencies above this frequency, due to the action of the load capacitance C, Z.=xc≦R, xRv/horse. In this way, a low output impedance is achieved over a wide band.

このようにして本実施例によれば、従来は別々のトラン
ジスタで構成されていた出力増幅器の機能と高速増幅器
の機能とを同時に上記した増幅器でより少ない使用トラ
ンジスタ数で実現できる。さらに上記の低出力インピー
ダンスの増幅器にオペアンプ1を接続して高い電圧精度
を実現しており、このオペアンプ1により施される負帰
還によって低い南波数での出力インピーダンスがさらに
低減される。
In this way, according to this embodiment, the functions of an output amplifier and a high-speed amplifier, which were conventionally constructed using separate transistors, can be simultaneously realized using the above-mentioned amplifier with a smaller number of transistors. Further, an operational amplifier 1 is connected to the above-mentioned low output impedance amplifier to achieve high voltage accuracy, and the negative feedback provided by the operational amplifier 1 further reduces the output impedance at a low south wave number.

第2図は本発明によるバッファ増幅回路の他の実施例を
示す単極性の回路図である。第2図において、このバッ
ファ増幅回路は、オペアンプ1と、トランジスタQ*、
Q鵞と、抵抗’s 、 馬、Rsが第1図の基本回路と
同じ増幅器を構成し、かつトランジスタQ、を用いた定
電流源を第1図のバイアス回路4とするほか、オペアン
プ1の出力と第1のトランジスタQ、のベース間に抵抗
へを挿入し、そのベースをトランジスタQ4のコレクタ
に接続し、トランジスタQ4のエミッタを\出力端子O
UTに接続し、そのベースを抵抗へを介して出力端子O
UTに接続、これらのトランジスタQ、と抵抗R4,R
6により出力短絡保護のための電流制限回路を構成して
付加する。なお第1図の負荷容量Cとして高い周波数に
おいて自己共振によるインピーダンスの上昇をおさえる
ために容量の異なる負荷容量(コンデンサ)”l’1m
’lを複数個並列に接続する。
FIG. 2 is a unipolar circuit diagram showing another embodiment of the buffer amplifier circuit according to the present invention. In FIG. 2, this buffer amplifier circuit includes an operational amplifier 1, a transistor Q*,
In addition to using the constant current source using the transistor Q as the bias circuit 4 in FIG. A resistor is inserted between the output and the base of the first transistor Q, its base is connected to the collector of the transistor Q4, and the emitter of the transistor Q4 is connected to the \output terminal O.
Connect to UT and connect its base to the output terminal O through the resistor.
Connected to UT, these transistors Q, and resistors R4, R
6 constitutes and adds a current limiting circuit for output short circuit protection. In addition, in order to suppress the increase in impedance due to self-resonance at high frequencies as the load capacitance C in Figure 1, a load capacitor (capacitor) with a different capacitance of "l'1m" is used.
Connect multiple 'l's in parallel.

つぎに第3図は第2図の出力インピーダンスの周波数特
性側図である。第3図は第2図の抵抗R+ =i0Ω、
馬=1fΩ、R5=lOΩとした場合の特性を示し、こ
の場合に出力インピーダンスZ0=R,XR,/R,で
示されるのをトランジスタQl。
Next, FIG. 3 is a side view of the frequency characteristics of the output impedance shown in FIG. 2. Figure 3 shows the resistance R+ in Figure 2 = i0Ω,
The characteristics are shown when H = 1fΩ and R5 = IOΩ. In this case, the output impedance Z0 = R, XR, /R, is the transistor Ql.

Q、のエミッタのインピーダンスr1中6,5Ωを考慮
して求めると次のようになる。
Taking into consideration 6.5Ω in the impedance r1 of the emitter of Q, the following is obtained.

Zo =(R1+r e ) (Rs +r、)/4=
(10+ 6.5 ) (10+6.5 )/ 100
0= 272 (sO) これに対して第3図の出力インピーダンスZ0の最大値
は300屑Ωを示して上記理論値とほぼ一致しており、
かつ直流から100&ffz  以上までの広い周波数
にわたり低い出力インピーダンス値が得られている。な
おこの特性曲線におけるIMHz以上での出力インピー
ダンスZ0のディップは負荷容量(コンデンサ) ’I
 y Cm v Cmの自己共振によるもので、この回
路のように容量の異なるコンデンサを複数個並列に接続
することにより、高い周波数における負荷容量Cの自己
共振による出力インピーダンスの上昇をおさえることが
できる。
Zo = (R1+re) (Rs +r,)/4=
(10+6.5) (10+6.5)/100
0 = 272 (sO) On the other hand, the maximum value of the output impedance Z0 in Fig. 3 is 300 ohms, which is almost the same as the above theoretical value.
Moreover, low output impedance values are obtained over a wide range of frequencies from direct current to 100&ffz or more. In addition, in this characteristic curve, the dip in the output impedance Z0 at frequencies above IMHz is the load capacitance (capacitor) 'I
This is due to the self-resonance of y Cm v Cm. By connecting a plurality of capacitors with different capacities in parallel as in this circuit, it is possible to suppress the increase in output impedance due to the self-resonance of the load capacitance C at high frequencies.

このようにして本実施例によれば、広い周波数帯域にお
いて低出力インピーダンスを実現でき、かつその特性は
従来の@7図と同等のものが得られるが、使用トランジ
スタ数は従来の5個1と対して3個に削減でき、これに
より回路の小型化および低価格化が達成される。なお不
実施例の単極性は出力電流の流れ出し型の場合であるが
、第2図のトランジスタの極性のNPNをPNPに入れ
替えることにより単極性を出力電流の流れ込み型にした
バッファ増幅回路にすることもできる。
In this way, according to this embodiment, low output impedance can be achieved in a wide frequency band, and its characteristics are equivalent to those of the conventional diagram @7, but the number of transistors used is 5 or 1 compared to the conventional one. On the other hand, the number can be reduced to three, thereby achieving miniaturization and cost reduction of the circuit. Note that the unipolar circuit in the non-embodiment is a case where the output current flows out, but by replacing the NPN polarity of the transistor shown in FIG. You can also do it.

第4図は本発明によるバッファ増幅回路のさらに他の実
施例を示す両極性の回路図である。
FIG. 4 is a bipolar circuit diagram showing still another embodiment of the buffer amplifier circuit according to the present invention.

このバッファ増幅回路は、第2図の単極性の流れ出し型
の回路と、そのトランジスタQ+−Qtの極性のNPN
をPNPに入れ替えたトランジスタQ1m、Qtlおよ
び抵抗Rts e ”n s ’stにより構成した単
極性の流れ込み型の回路を組み合わせて両極性の回路を
構成する。この実施例によれば、従来の第6図と同等の
広い周波数にわたる低出力インピーダンス特性が得られ
るが、便用トランジスタ数は従来の6個に対して5個(
定電流源のトランジスタ1個を富む)に削減される。
This buffer amplifier circuit consists of the unipolar outflow type circuit shown in FIG. 2 and the NPN polarity of the transistors Q+-Qt.
A bipolar circuit is constructed by combining unipolar flow-in type circuits constructed by transistors Q1m and Qtl, in which the transistors Q1m and Qtl are replaced with PNPs, and a resistor Rtse ``n s 'st.According to this embodiment, a bipolar circuit is constructed by combining A low output impedance characteristic over a wide frequency range equivalent to that shown in the figure can be obtained, but the number of convenient transistors is 5 instead of the conventional 6 (
The number of constant current source transistors is reduced to one.

以上の実施例によれば、広い周波数帯域における低出力
インピーダンス特性をより少ない使用トランジスタ数で
実現できるうえ、次のような効果が得られる。すなわち
従来回路では負荷容量に例えば1μFのコンデンサを必
要としていたのに対し本実施例の回路では例えばθμF
のコンデンサで同等の特性が得られている。これはトラ
ンジスタQ1.Q*にエミッタ抵抗が入ったために負帰
還がかかり、各トランジスタの周波数特性が改善された
ために、増幅器の限界周波数が改善されたことによる。
According to the embodiments described above, low output impedance characteristics in a wide frequency band can be realized with a smaller number of transistors, and the following effects can be obtained. In other words, while the conventional circuit required a capacitor of, for example, 1 μF as the load capacitance, the circuit of this embodiment required a capacitor of, for example, θμF.
Equivalent characteristics were obtained with the capacitors. This is transistor Q1. This is because negative feedback is applied due to the inclusion of an emitter resistance in Q*, and the frequency characteristics of each transistor are improved, which improves the limit frequency of the amplifier.

このように負荷容量Cが小さくできるため、充放電電流
が減少してバッファとしての周波数特性も改善される。
Since the load capacitance C can be made small in this way, the charging/discharging current is reduced and the frequency characteristics as a buffer are also improved.

さらに本実施例の回路では出力インピーダンスZ0が広
い周波数にわたり負荷容量Cに依存しないでZ0=R1
xR1/4として定まる特徴があり、このため負荷容量
Cに安価なコンデンサを使用できると同時に、容量性負
荷を駆動するための一般的なバッファ回路としても使用
できる。またオペアンプに抵抗を付加して回路に利得を
持たせることも可能である。
Furthermore, in the circuit of this embodiment, the output impedance Z0 does not depend on the load capacitance C over a wide frequency range, and Z0=R1
It has the characteristic of being determined as xR1/4, so that an inexpensive capacitor can be used as the load capacitance C, and at the same time, it can also be used as a general buffer circuit for driving a capacitive load. It is also possible to add a resistor to the operational amplifier to provide gain to the circuit.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように本発明によれば、広い周波数にわたり低出
力インピーダンスの特性を少ない使用トランジスタ数で
実現できる小型化と低価格化の可能なバッファ増幅回路
が提供できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a buffer amplifier circuit that can achieve a low output impedance characteristic over a wide range of frequencies with a small number of transistors and can be made smaller and lower in price.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明によるバッファ増幅回路の−実施例を示
す基本回路図、第2図は本発明による他の実施例を示す
単極性の回路図、第3図は第2図の特性側図、第4図は
本発明によるざらに他の実施例を示す両極性の回路図、
第5図は従来のバッファ増幅回路の一例を示すブロック
図、第6図は従来のバッファ増幅回路の両極性の回路図
、第7図は従来のバッファ増幅回路の単極性の回路図で
ある。 1・・・オペアンプ、    4・・・バイアス回路Q
+ 、 (’t・・・第1.第2のトランジスタ。 Qs y (’4t Qu v Q!I・・・トランジ
スタ。 RI y鳥−Rs−R,−R,−Rs□# ’!l e
 Rss・・・抵抗。 ’ * ’l # ’! e ’l・・・負荷容量。 IN・・・入力端子、     OUT・・・出力端子
。 Vcc、 vxx ’・・電源。 、、−。 代理人弁理士  小 川 勝 男 第1図 亥。 第3間 周波数ヂ(Hz″J 第4図 Vε巳 諺5図 杓兵鐘C 46図 VEE     。 第7図 VEE 手続補正書(自発) 事件の表示 昭和61  年特許願第 13812   号発明の名
称 バッファ増幅回路 117正をする者 決との11 特許出願人 2+   称    ・51つ1株式g)ト  日  
立  要  作  所代   理   人 補正の対象  明細書の発明の詳細な説明の橢及び図面
の第4図 一’ +−一、/”′ 第4図 VEE’  V組
FIG. 1 is a basic circuit diagram showing an embodiment of a buffer amplifier circuit according to the present invention, FIG. 2 is a unipolar circuit diagram showing another embodiment according to the present invention, and FIG. 3 is a characteristic side view of FIG. 2. , FIG. 4 is a bipolar circuit diagram showing roughly another embodiment of the invention;
FIG. 5 is a block diagram showing an example of a conventional buffer amplifier circuit, FIG. 6 is a bipolar circuit diagram of the conventional buffer amplifier circuit, and FIG. 7 is a unipolar circuit diagram of the conventional buffer amplifier circuit. 1... operational amplifier, 4... bias circuit Q
+ , ('t...first and second transistors. Qs y ('4t Qu v Q!I...transistors. RI y bird-Rs-R, -R, -Rs□#'!l e
Rss...Resistance. ' * 'l # '! e'l...Load capacity. IN...Input terminal, OUT...Output terminal. Vcc, vxx'...Power supply. ,,-. Representative Patent Attorney Katsoo Ogawa Figure 1 Pig. 3rd frequency 11 Patent Applicant 2+ Name ・51 1 Shareg) G) Day of Amplifier Circuit 117
Subject of person's amendment Detailed explanation of the invention in the specification and Figure 4 of the drawings

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、入力端子に演算増幅器の第1の入力を接続し、該演
算増幅器の出力に第1のトランジスタのベースを接続し
、該第1のトランジスタのエミッタを第1の抵抗を介し
て出力端子に接続し、該第1のトランジスタのコレクタ
を第2のトランジスタのベースに接続しかつ該第1のト
ランジスタのコレクタを第2の抵抗を介して第1の電源
に接続し、該第2のトランジスタのエミッタを第3の抵
抗を介して該第1の電源に接続し、かつ該第2のトラン
ジスタのコレクタを該出力端子に接続し、該出力端子と
該演算増幅器の第2の入力を接続し、該出力端子と第2
の電源間にバイアス回路を接続して成るバッファ増幅回
路。 2、特許請求の範囲第1項記載のバッファ増幅回路にお
いて、 上記第1、第2のトランジスタをそれぞれ NPNトランジスタまたはPNPトランジスタとして出
力電流の流れ出し型または流れ込み型の単極性のバッフ
ァ増幅回路を形成し、この両バッファ増幅回路を組み合
せて両極性としたバッファ増幅回路。 3、特許請求の範囲第2項記載のバッファ増幅回路にお
いて、 上記バイアス回路は定電流源回路とするバ ッファ増幅回路。 4、特許請求の範囲第1項又は第2項若しくは第3項記
載のバッファ増幅回路において、 上記第1のトランジスタのベースと上記出 力端子間にトランジスタから成る電流制限回路を接続し
たバッファ増幅回路。 5、特許請求の範囲第1項並びに第2項又は第3項若し
くは第4項記載のバッファ増幅回路において、 上記出力端子に容量値の異なる複数個の負 荷容量を接続したバッファ増幅回路。
[Claims] 1. Connect the first input of an operational amplifier to the input terminal, connect the base of the first transistor to the output of the operational amplifier, and connect the emitter of the first transistor to the first resistor. connecting the collector of the first transistor to the base of a second transistor, and connecting the collector of the first transistor to a first power supply through a second resistor; The emitter of the second transistor is connected to the first power supply via a third resistor, the collector of the second transistor is connected to the output terminal, and the output terminal and the second transistor of the operational amplifier are connected to each other. Connect the input of the output terminal and the second
A buffer amplifier circuit consisting of a bias circuit connected between the power supplies. 2. In the buffer amplifier circuit according to claim 1, the first and second transistors are respectively NPN transistors or PNP transistors to form a unipolar buffer amplifier circuit with an output current flowing out or flowing in. , a bipolar buffer amplifier circuit that combines both buffer amplifier circuits. 3. The buffer amplifier circuit according to claim 2, wherein the bias circuit is a constant current source circuit. 4. The buffer amplifier circuit according to claim 1, 2, or 3, wherein a current limiting circuit made of a transistor is connected between the base of the first transistor and the output terminal. 5. The buffer amplifier circuit according to claim 1, claim 2, claim 3, or claim 4, wherein a plurality of load capacitors having different capacitance values are connected to the output terminal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02119472A (en) * 1988-10-28 1990-05-07 Sony Corp Video camera

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