JPS62171990A - 結晶薄膜の製造方法 - Google Patents
結晶薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS62171990A JPS62171990A JP1212386A JP1212386A JPS62171990A JP S62171990 A JPS62171990 A JP S62171990A JP 1212386 A JP1212386 A JP 1212386A JP 1212386 A JP1212386 A JP 1212386A JP S62171990 A JPS62171990 A JP S62171990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- substrate
- base plate
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体産業で用いられる結晶薄膜の製造方法に
かかわり、特に、非晶質で耐熱性の低い基板への成膜に
好適な結晶薄膜の製造方法に関する。
かかわり、特に、非晶質で耐熱性の低い基板への成膜に
好適な結晶薄膜の製造方法に関する。
従来の結晶薄膜の製造方法としては、特開昭５８−１８
１７８５号公報に記載のように、非晶質あるいは微結晶
状の薄膜を形成したのち、レーザ光、電子線等を照射し
、溶融して結晶化させる方法が用いられていた。この方
法は、シリコンウェハ等の結晶基板を用い、エピタキシ
ャル成長させるものである。しかし、液晶ディスプレイ
等に用いられる薄［１−ランジスタ等では、ソーダガラ
スのような非晶質基板を用いるので、種結晶になるもの
がないため結晶化しにくく、結晶粒径が大きくならず、
膜の電気的特性もあまり良いものは得られなかった。一
方、ＭＯ８型電界効果トランジスタ等では、熱酸化膜上
にＣＶＤ法によってゲート電極に用いるシリコン多結晶
を析出させており、このＣＶＤ法も多結晶薄膜を形成す
る一方法である。この方法に関する公知技術としては、
例えば特開昭５９−１３６９９号公報に開示されたもの
がある。しかし、ＣＶＤ法でシリコン多結晶を析出させ
るには、通常８００℃程度に基板を加熱する必要があり
、前述のソーダガラスや耐熱性高分子フィルムを基板と
して用いる場合、基板が熱に耐えられないため。
１７８５号公報に記載のように、非晶質あるいは微結晶
状の薄膜を形成したのち、レーザ光、電子線等を照射し
、溶融して結晶化させる方法が用いられていた。この方
法は、シリコンウェハ等の結晶基板を用い、エピタキシ
ャル成長させるものである。しかし、液晶ディスプレイ
等に用いられる薄［１−ランジスタ等では、ソーダガラ
スのような非晶質基板を用いるので、種結晶になるもの
がないため結晶化しにくく、結晶粒径が大きくならず、
膜の電気的特性もあまり良いものは得られなかった。一
方、ＭＯ８型電界効果トランジスタ等では、熱酸化膜上
にＣＶＤ法によってゲート電極に用いるシリコン多結晶
を析出させており、このＣＶＤ法も多結晶薄膜を形成す
る一方法である。この方法に関する公知技術としては、
例えば特開昭５９−１３６９９号公報に開示されたもの
がある。しかし、ＣＶＤ法でシリコン多結晶を析出させ
るには、通常８００℃程度に基板を加熱する必要があり
、前述のソーダガラスや耐熱性高分子フィルムを基板と
して用いる場合、基板が熱に耐えられないため。
この方法を適用することができなかった。
上記従来技術は、非晶質で耐熱性の低い基板への成膜に
ついて配慮がされておらず、この種の基板に対して適用
すると、基板が熱に耐えられない、あるいは、膜特性の
良いものが得られないという問題があった。
ついて配慮がされておらず、この種の基板に対して適用
すると、基板が熱に耐えられない、あるいは、膜特性の
良いものが得られないという問題があった。
本発明の目的は、非晶質基板上に、３００℃以下の低温
で、シリコンなどの半導体の多結晶または単結晶の薄膜
を製造する方法を提供することにある。
で、シリコンなどの半導体の多結晶または単結晶の薄膜
を製造する方法を提供することにある。
上記目的を達成するためには、低温で気相成長すると同
時にアニールを行うことにより、少しずつ膜を積んでは
それを結晶化してゆき、成長方向に結晶成長させればよ
い。基板に熱の影響を与えずにアニールするのは、レー
ザまたは電子線のようなエネルギービームの照射を利用
して行うことができる。３００℃以下の低温で結晶化を
進めるためには、照射するエネルギーはかなり大きくな
くてはならず、レーザ光のような大きなエネルギー密度
が得られるエネルギービームが適している。
時にアニールを行うことにより、少しずつ膜を積んでは
それを結晶化してゆき、成長方向に結晶成長させればよ
い。基板に熱の影響を与えずにアニールするのは、レー
ザまたは電子線のようなエネルギービームの照射を利用
して行うことができる。３００℃以下の低温で結晶化を
進めるためには、照射するエネルギーはかなり大きくな
くてはならず、レーザ光のような大きなエネルギー密度
が得られるエネルギービームが適している。
しかしながら、エネルギー密度の大きいビームを通常の
気相成長の条件のもとで照射すると、そのビームのエネ
ルギーによる同相の析出が起こり、エネルギーがアニー
ルのために有効に使われないため、結晶成長は起こらな
い。このような事態を回避するためには、反応ガスの密
度が低い、高真空での気相成長法である電子サイクロト
ロン共鳴マイクロ波（以下、ＥＣＲμ波と記す）プラズ
マ化学蒸着法（以下、プラズマＣＶＤ法と記す）を採用
すれば、目的が達成される。
気相成長の条件のもとで照射すると、そのビームのエネ
ルギーによる同相の析出が起こり、エネルギーがアニー
ルのために有効に使われないため、結晶成長は起こらな
い。このような事態を回避するためには、反応ガスの密
度が低い、高真空での気相成長法である電子サイクロト
ロン共鳴マイクロ波（以下、ＥＣＲμ波と記す）プラズ
マ化学蒸着法（以下、プラズマＣＶＤ法と記す）を採用
すれば、目的が達成される。
ＥＣＲμ波プラズ７ＣＶＤ法では、１０−’ 〜１０−
＠Ｔｏｒｒの高真空で膜成長が可能である。このように
反応ガス密度が低い状態では、レーザ光のような高エネ
ルギービームを照射しても、それにょるデポジションは
ほとんど起こらず、レーザ光が反応ガスによって吸収さ
れ弱められることも少ない。
＠Ｔｏｒｒの高真空で膜成長が可能である。このように
反応ガス密度が低い状態では、レーザ光のような高エネ
ルギービームを照射しても、それにょるデポジションは
ほとんど起こらず、レーザ光が反応ガスによって吸収さ
れ弱められることも少ない。
従って、レーザ光のエネルギーは膜のアニールのために
有効に使われ、その結果、基板上に析出した膜はすぐに
レーザ光によって加熱され、小さな結晶となる。そして
、その結晶の上に析出した膜もすぐにレーザ光によって
加熱され、下層の結晶を種として成長する。このように
次々と結晶成長が起こり、縦方向に結晶が成長し、３０
０℃以下の低温で多結晶を成長させることができる。ま
た、同様の方法を単結晶基板を用いて行うと、その基板
上にエピタキシャルに単結晶を成長させることも可能で
ある。
有効に使われ、その結果、基板上に析出した膜はすぐに
レーザ光によって加熱され、小さな結晶となる。そして
、その結晶の上に析出した膜もすぐにレーザ光によって
加熱され、下層の結晶を種として成長する。このように
次々と結晶成長が起こり、縦方向に結晶が成長し、３０
０℃以下の低温で多結晶を成長させることができる。ま
た、同様の方法を単結晶基板を用いて行うと、その基板
上にエピタキシャルに単結晶を成長させることも可能で
ある。
次に、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。本発
明を実施するためには、ＥＣＲμ波プラズマＣＶＤ装置
と、レーザ発振器およびレーザ光を導くための光学系が
必要であり、それぞれについて以下に詳説する。
明を実施するためには、ＥＣＲμ波プラズマＣＶＤ装置
と、レーザ発振器およびレーザ光を導くための光学系が
必要であり、それぞれについて以下に詳説する。
ＥＣＲμ波プラズマＣＶＤ装置は、真空槽１と、マイク
ロ波放電を行う放電管２と、放電管２に磁場を印加する
ための電磁石３と、マイクロ波発生装置４で発生したマ
イクロ波を導入する導波管５、および高真空排気系８と
からなっている。真空槽１内には、基板１１を固定する
ための基板取付台１０がある。一般のＥＣＲμ波プラズ
マＣＶＤ装置では、基板取付台は放電管２の方向に向っ
て基板を支持するようになっているが、本実施例では、
基板取付台１０は真空槽１の側面に設けられた窓１２の
方を向いて基板１１を支持するようになっており、レー
ザ照射を容易に行えるようにしである。また、このよう
な基板配置のもとで膜成長を有効に行えるようにするた
め、真空槽１内に電極９を設け、放電管２を出たプラズ
マをドリフ１−により基板１１」二に導くような電場製
発生させている。
ロ波放電を行う放電管２と、放電管２に磁場を印加する
ための電磁石３と、マイクロ波発生装置４で発生したマ
イクロ波を導入する導波管５、および高真空排気系８と
からなっている。真空槽１内には、基板１１を固定する
ための基板取付台１０がある。一般のＥＣＲμ波プラズ
マＣＶＤ装置では、基板取付台は放電管２の方向に向っ
て基板を支持するようになっているが、本実施例では、
基板取付台１０は真空槽１の側面に設けられた窓１２の
方を向いて基板１１を支持するようになっており、レー
ザ照射を容易に行えるようにしである。また、このよう
な基板配置のもとで膜成長を有効に行えるようにするた
め、真空槽１内に電極９を設け、放電管２を出たプラズ
マをドリフ１−により基板１１」二に導くような電場製
発生させている。
レーザ発振器１６は、真空槽１−の外部に設置されてお
り、レーザ光は反射鏡１５、】４およびレンズ１３によ
って真空槽１の窓］２に導くようになっている。
り、レーザ光は反射鏡１５、】４およびレンズ１３によ
って真空槽１の窓］２に導くようになっている。
なお、反射鏡１４およびレンズ】３を」―下に動かすこ
とにより、基板１１上のレーザ照射位置を変えることが
できる。レーザ発振器１６としては、大きなエネルギー
密度が得やすいものがよく、Ｃ○、レーザ、ＹＡＧレー
ザや、ＫｒＦ、Ｘ、ｅＦ、ＡｒＦ等のエキシマレ−ザが
適している。特に、エキシマレーザは波長が短かく、半
導体による吸収係数が大きいため、エネルギー吸収が表
面に集中し、基板に与えるダメージが少ないという利点
がある。
とにより、基板１１上のレーザ照射位置を変えることが
できる。レーザ発振器１６としては、大きなエネルギー
密度が得やすいものがよく、Ｃ○、レーザ、ＹＡＧレー
ザや、ＫｒＦ、Ｘ、ｅＦ、ＡｒＦ等のエキシマレ−ザが
適している。特に、エキシマレーザは波長が短かく、半
導体による吸収係数が大きいため、エネルギー吸収が表
面に集中し、基板に与えるダメージが少ないという利点
がある。
以下、本発明の方法により、シリコン多結晶をソーダガ
ラス基板」二に成長させた例について述べる。まず、ソ
ーダガラスの基板１１を基板取付台ｌＯに取り付け、真
空槽１内を１．０””Ｔｏｒｒの高真空に排気した。次
に、放電ガスとしてアルゴンガス１〇８ＣＣＩ１１を、
反応ガスとしてモノシラン６ ｓｅｃｍおよびホスフィ
ン０．１％を含むアルゴンガス２８ＣＣＩ！＋を、それ
ぞれ放電ガス導入日６および反応ガス導入ロアから導入
し、各ガス導入管の先に設けたドーナツ状のガス噴射器
（図示せず）から真空槽１内に噴出させた。そして、真
空槽１内を６Ｘ１．Ｏ−’Ｔｏｒｒに保った。ついで、
基板取付台１０に内蔵されたヒータ（図示せず）により
基板口を２００℃に加熱し、温度が安定したところで、
電磁石３に電流を通じて、放電管２内に８７５ガウスの
磁場を印加した。電磁石３に流れる電流が安定したとこ
ろで、マイクロ波発生装置４により２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を発生させ、辱波管５により２００Ｗのマイク
ロ波を放電管２に印加し、放電を開始させた。
ラス基板」二に成長させた例について述べる。まず、ソ
ーダガラスの基板１１を基板取付台ｌＯに取り付け、真
空槽１内を１．０””Ｔｏｒｒの高真空に排気した。次
に、放電ガスとしてアルゴンガス１〇８ＣＣＩ１１を、
反応ガスとしてモノシラン６ ｓｅｃｍおよびホスフィ
ン０．１％を含むアルゴンガス２８ＣＣＩ！＋を、それ
ぞれ放電ガス導入日６および反応ガス導入ロアから導入
し、各ガス導入管の先に設けたドーナツ状のガス噴射器
（図示せず）から真空槽１内に噴出させた。そして、真
空槽１内を６Ｘ１．Ｏ−’Ｔｏｒｒに保った。ついで、
基板取付台１０に内蔵されたヒータ（図示せず）により
基板口を２００℃に加熱し、温度が安定したところで、
電磁石３に電流を通じて、放電管２内に８７５ガウスの
磁場を印加した。電磁石３に流れる電流が安定したとこ
ろで、マイクロ波発生装置４により２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を発生させ、辱波管５により２００Ｗのマイク
ロ波を放電管２に印加し、放電を開始させた。
これと同時に、レーザ発振器１６によってＫｒＦレーザ
（波長２４８ｎｍ）を発振させ、反射鏡１５．１４およ
びレンズ１３により真空槽１に導いた。レーザ光は、出
力が１パルス当たり５００ｍＪで、これをレンズ１３で
集光し、１ｃｌｌｌの面積に照射した。レンズ１３ば合
成石英製のものを使用し、反射鏡１４．１５に＝８＝ は石英製のものにフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）をコ
ーティングした平面鏡を用いた。パルスの繰り返し周波
数はｉＨｚであった。以上の条件で、５０分間膜成長を
行ったところ、約５０００人のシリコン膜が形成できた
。この膜のうち、レーザ光を照射した部分は、ＩＸｌ、
０３Ω″１■−１の導電率を示し。
（波長２４８ｎｍ）を発振させ、反射鏡１５．１４およ
びレンズ１３により真空槽１に導いた。レーザ光は、出
力が１パルス当たり５００ｍＪで、これをレンズ１３で
集光し、１ｃｌｌｌの面積に照射した。レンズ１３ば合
成石英製のものを使用し、反射鏡１４．１５に＝８＝ は石英製のものにフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）をコ
ーティングした平面鏡を用いた。パルスの繰り返し周波
数はｉＨｚであった。以上の条件で、５０分間膜成長を
行ったところ、約５０００人のシリコン膜が形成できた
。この膜のうち、レーザ光を照射した部分は、ＩＸｌ、
０３Ω″１■−１の導電率を示し。
Ｘ線回折による検査でも明確な回折パターンを示し、結
晶化していることが確認された。結晶粒径は約０．８庫
であった。一方、レーザ光が照射されなかった部分は、
２Ｘ１０””Ω−１１−１の導電率であり、Ｘ線回折に
よる検査でもはっきりとした回折パターンを示さず、ア
モルファス状態であった。
晶化していることが確認された。結晶粒径は約０．８庫
であった。一方、レーザ光が照射されなかった部分は、
２Ｘ１０””Ω−１１−１の導電率であり、Ｘ線回折に
よる検査でもはっきりとした回折パターンを示さず、ア
モルファス状態であった。
次に、反応ガスの種類を変え、同様な条件で膜成長を行
った。反応ガスとしては、モノシラン６ｓｃｃｒｎおよ
びジボラン１．０％を含むアルゴンガス２９ＣＣＩ１１
を反応ガス導入ロアから流入させた。前述の場合と同様
に５０分間膜成長を行ったところ、約５０００人のシリ
コン膜が得られた。膜のレーザ光照射部分は、導電率が
７Ｘ１．０２Ω−１１−１であり、Ｘ線回折による検査
でも明確な回折パターンが得られ、この部分が結晶化し
ていることがわかった。
った。反応ガスとしては、モノシラン６ｓｃｃｒｎおよ
びジボラン１．０％を含むアルゴンガス２９ＣＣＩ１１
を反応ガス導入ロアから流入させた。前述の場合と同様
に５０分間膜成長を行ったところ、約５０００人のシリ
コン膜が得られた。膜のレーザ光照射部分は、導電率が
７Ｘ１．０２Ω−１１−１であり、Ｘ線回折による検査
でも明確な回折パターンが得られ、この部分が結晶化し
ていることがわかった。
一方、レーザを照射しなかった部分は、導電率が１×１
０″″′Ω−１１−′であり、Ｘ線回折パターンも明確
ではなくアモルファス状態であった。
０″″′Ω−１１−′であり、Ｘ線回折パターンも明確
ではなくアモルファス状態であった。
上述のようにレーザ光照射を行う場合、照射するレーザ
光のパルス当たりのエネルギー密度と導電率との関係は
線型ではない。前記の条件のもとにレンズの位置を変え
、照射する１ノーザ光のエネルギー密度を変化させて実
験したところ、膜の導電率はレーザ光のエネルギー密度
が１パルス当たり０．１Ｊ／ｃｄ付近で急激に向上して
おり、約０．２Ｊ／−以上で飽和する傾向がみられた。
光のパルス当たりのエネルギー密度と導電率との関係は
線型ではない。前記の条件のもとにレンズの位置を変え
、照射する１ノーザ光のエネルギー密度を変化させて実
験したところ、膜の導電率はレーザ光のエネルギー密度
が１パルス当たり０．１Ｊ／ｃｄ付近で急激に向上して
おり、約０．２Ｊ／−以上で飽和する傾向がみられた。
従って、この方法での有効なレーザ光照射条件は、１パ
ルス当たり、少なくとも０．１Ｊ／ｄ、好ましくは０．
２，７７４以上のレーザ光エネルギー密度で照射する必
要がある。
ルス当たり、少なくとも０．１Ｊ／ｄ、好ましくは０．
２，７７４以上のレーザ光エネルギー密度で照射する必
要がある。
上記実施例かられかるように、本発明によれば、１ノー
ザ光を照射した部分のみ結晶化させ、導電率を高めるこ
とができる。このことから、例えば、基板上に透明導電
膜やアルミニウム膜等の導電膜＝１０− を形成したものの上に、シリコン膜を成長させた場合、
電解めっき等によって、レーザ光が照射された導電率の
高い部分にのみ金属を析出させることができ、電極のパ
ターン形成の一方法として用いることもできる。
ザ光を照射した部分のみ結晶化させ、導電率を高めるこ
とができる。このことから、例えば、基板上に透明導電
膜やアルミニウム膜等の導電膜＝１０− を形成したものの上に、シリコン膜を成長させた場合、
電解めっき等によって、レーザ光が照射された導電率の
高い部分にのみ金属を析出させることができ、電極のパ
ターン形成の一方法として用いることもできる。
本発明によれば、３００℃以下の低温で多結晶または単
結晶の半導体薄膜を形成できるので、ガラス、ポリイミ
ドフィルムなどの比較的耐熱性の小さい基板上に半導体
結晶を形成したり、絶縁層と半導体層を多層に積層して
形成することが可能となり、集積回路の三次元化や、安
価な基板の使用による半導体製品の価格低下に寄与する
ところが大きい。
結晶の半導体薄膜を形成できるので、ガラス、ポリイミ
ドフィルムなどの比較的耐熱性の小さい基板上に半導体
結晶を形成したり、絶縁層と半導体層を多層に積層して
形成することが可能となり、集積回路の三次元化や、安
価な基板の使用による半導体製品の価格低下に寄与する
ところが大きい。
図は本発明による結晶薄膜の製造方法を実施するための
装置の構成図である。 符号の説明 １・・・真空槽 ２・・・放電管３・・・電
磁石 ４・・・マイクロ波発生装置５・・・
導波管 ６・・・放電ガス導入ロア・・・反
応ガス導入口 ８・・・高真空排気系９・・・電極
１０・・・基板取付台１１・・・基板
１２・・・窓１３・・・レンズ
１４．１５・・・反射鏡１６・・・レーザ発振器
装置の構成図である。 符号の説明 １・・・真空槽 ２・・・放電管３・・・電
磁石 ４・・・マイクロ波発生装置５・・・
導波管 ６・・・放電ガス導入ロア・・・反
応ガス導入口 ８・・・高真空排気系９・・・電極
１０・・・基板取付台１１・・・基板
１２・・・窓１３・・・レンズ
１４．１５・・・反射鏡１６・・・レーザ発振器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に化学蒸着法によって薄膜を形成すると同時
に、該基板にレーザ光を照射し、該薄膜を結晶化するこ
とを特徴とする結晶薄膜の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の結晶薄膜の製造方法
において、化学蒸着を１０＾−＾４Ｔｏｒｒ以下の高真
空で行うことを特徴とする結晶薄膜の製造方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項に記載の結晶薄
膜の製造方法において、化学蒸着が、電子サイクロトロ
ン共鳴マイクロ波プラズマを利用したものであることを
特徴とする結晶薄膜の製造方法。 ４、特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか１
項に記載の結晶薄膜の製造方法において、照射するレー
ザ光のエネルギー密度が、１パルス当たり、０．１Ｊ／
ｃｍ＾２以上であることを特徴とする結晶薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012123A JPH0692280B2 (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 結晶薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012123A JPH0692280B2 (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 結晶薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62171990A true JPS62171990A (ja) | 1987-07-28 |
| JPH0692280B2 JPH0692280B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=11796761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61012123A Expired - Lifetime JPH0692280B2 (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | 結晶薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0692280B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63239926A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Nec Corp | プラズマ生成反応装置 |
| JPS63275121A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Nec Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JPH01128425A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01173616A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-10 | Sharp Corp | 成膜装置 |
| JPH02197570A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-06 | Fujitsu Ltd | 超伝導体の製造方法 |
| WO1999014787A3 (de) * | 1997-09-17 | 1999-05-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur erzeugung eines plasmas durch einstrahlung von mikrowellen |
| CN104975274A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-10-14 | 武汉工程大学 | 一种激光微波磁场共同增强的化学气相沉积设备 |
| EP3291279A1 (en) * | 2016-09-06 | 2018-03-07 | Nano Coatings, S.L. | Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988474U (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-15 | 住友電気工業株式会社 | 気相成長装置 |
| JPS61286297A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-16 | Tadatsugu Ito | 化学的気相成長法 |
-
1986
- 1986-01-24 JP JP61012123A patent/JPH0692280B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988474U (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-15 | 住友電気工業株式会社 | 気相成長装置 |
| JPS61286297A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-16 | Tadatsugu Ito | 化学的気相成長法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63239926A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Nec Corp | プラズマ生成反応装置 |
| JPS63275121A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Nec Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JPH01128425A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01173616A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-10 | Sharp Corp | 成膜装置 |
| JPH02197570A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-06 | Fujitsu Ltd | 超伝導体の製造方法 |
| WO1999014787A3 (de) * | 1997-09-17 | 1999-05-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur erzeugung eines plasmas durch einstrahlung von mikrowellen |
| CN104975274A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-10-14 | 武汉工程大学 | 一种激光微波磁场共同增强的化学气相沉积设备 |
| EP3291279A1 (en) * | 2016-09-06 | 2018-03-07 | Nano Coatings, S.L. | Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0692280B2 (ja) | 1994-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5409867A (en) | Method of producing polycrystalline semiconductor thin film | |
| US5313076A (en) | Thin film transistor and semiconductor device including a laser crystallized semiconductor | |
| Hanabusa | Photoinduced deposition of thin films | |
| JP3573811B2 (ja) | 線状レーザー光の照射方法 | |
| US20010051416A1 (en) | Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor | |
| KR20010031890A (ko) | 마이크로파 에너지를 이용한 무정질 필름 어닐링 방법 | |
| EP0819782A1 (en) | Process of forming a thin film by laser ablation | |
| JPS62171990A (ja) | 結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH01135529A (ja) | 電磁放射を用いる物体表面の修飾方法 | |
| JPH02259076A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPS63176393A (ja) | 窒化アルミニウム薄膜の製造方法 | |
| JP2000012461A (ja) | 結晶質半導体薄膜の作製方法 | |
| JPS62128528A (ja) | レ−ザ表面処理装置 | |
| JP2004006487A (ja) | 結晶質薄膜の形成方法、結晶質薄膜の製造装置、薄膜トランジスタ、および光電変換素子 | |
| JP3168655B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| JP3205037B2 (ja) | ポリシリコン薄膜形成用基板およびその製法 | |
| JPH11145062A (ja) | 結晶性シリコン前段膜及びその形成方法並びに結晶性シリコン膜及びその形成方法 | |
| KR100370114B1 (ko) | 비정질 실리콘의 결정화 장비 | |
| Bäuerle | Laser induced chemical vapor deposition | |
| JP3384312B2 (ja) | 結晶性シリコン前段膜の形成方法 | |
| JPS61286297A (ja) | 化学的気相成長法 | |
| JPH09251958A (ja) | 結晶性シリコン膜及びその製造方法 | |
| Urli et al. | Recrystallization Methods in Production of Photovoltaic Devices | |
| KR20010054286A (ko) | 플라즈마와 전계를 이용한 비정질막의 결정화 장비 | |
| JPS62243318A (ja) | 堆積膜形成法 |