JPS6217036A - 光フアイバ用ガラスの製造方法 - Google Patents
光フアイバ用ガラスの製造方法Info
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- JPS6217036A JPS6217036A JP15567985A JP15567985A JPS6217036A JP S6217036 A JPS6217036 A JP S6217036A JP 15567985 A JP15567985 A JP 15567985A JP 15567985 A JP15567985 A JP 15567985A JP S6217036 A JPS6217036 A JP S6217036A
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- glass
- specific surface
- porous gel
- surface area
- gel body
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/016—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by a liquid phase reaction process, e.g. through a gel phase
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光ファイバ用ガラスの製造方法、さらに詳細に
は、アルコキシドを原料とするガラスの製造方法であっ
て、光学的に均一で高純度のガラスを製造することがで
き、しかも線引き時に発泡などの問題の生じることのな
い光ファイバ用ガラスの製造方法に関する。
は、アルコキシドを原料とするガラスの製造方法であっ
て、光学的に均一で高純度のガラスを製造することがで
き、しかも線引き時に発泡などの問題の生じることのな
い光ファイバ用ガラスの製造方法に関する。
従来、ガラスは混合された原料を電気炉中で溶融するこ
とにより製造されていた。特にSiO2がえることが考
えだされ、加熱源として酸水素炎バーナが用いられる方
法が通用されていた。
とにより製造されていた。特にSiO2がえることが考
えだされ、加熱源として酸水素炎バーナが用いられる方
法が通用されていた。
この方法では、脱水が困難で光ファイバ用としては必ず
しも適当な方法とは言えない。
しも適当な方法とは言えない。
一方、光ファイバ用ガラスの製造方法としては気相軸付
は法(Vapor−Phase Axial Depo
sition法: VAD法)やMCVD法(Modi
fied ChemicalVapor Deposi
tion法)等が広く知られている。この方法で得られ
るガラスで特徴的なことは、光ファイバが低損失となる
ために吸収の原因となる不純物(水分や遷移元素)が極
東まで除去されており、しかも光学的にも散乱体がなく
、非常に均一であることである。
は法(Vapor−Phase Axial Depo
sition法: VAD法)やMCVD法(Modi
fied ChemicalVapor Deposi
tion法)等が広く知られている。この方法で得られ
るガラスで特徴的なことは、光ファイバが低損失となる
ために吸収の原因となる不純物(水分や遷移元素)が極
東まで除去されており、しかも光学的にも散乱体がなく
、非常に均一であることである。
近年、アルコキシドを原料として、これをゆっくりと加
水分解させ、1200〜1400℃の比較的低温で透明
な石英系ガラスを製造する方法が提案された。この方法
では大量にガラスを製造できるなど呼ばれる)の各工程
を模式図で示す。たとえば、Si (OC2Hs )
4をアルコールで希釈し水分を加えゾル溶液1を製造す
る(第■工程)。
水分解させ、1200〜1400℃の比較的低温で透明
な石英系ガラスを製造する方法が提案された。この方法
では大量にガラスを製造できるなど呼ばれる)の各工程
を模式図で示す。たとえば、Si (OC2Hs )
4をアルコールで希釈し水分を加えゾル溶液1を製造す
る(第■工程)。
次ぎに、100℃以下の温度せ加熱して、ゲル化させ(
第■工程)、固体状ゲル2を得る。
第■工程)、固体状ゲル2を得る。
さらにゲル2を70℃〜110℃の温度で1週間近くゆ
っくりと加熱して反応により生じるアルコールや余分な
水分を揮発させることにより、堆積が1/2〜1/3に
収縮した乾燥ゲル体3を得る(第■工程)。
っくりと加熱して反応により生じるアルコールや余分な
水分を揮発させることにより、堆積が1/2〜1/3に
収縮した乾燥ゲル体3を得る(第■工程)。
次ぎに、これを1200〜1400°Cまで徐々に昇温
させて、ガラスを得る工程(第■工程)。
させて、ガラスを得る工程(第■工程)。
この際、電気炉6にはガス導入口4、ガス排出口5を設
け、石英るつぼなどの容器7に乾燥ゲル体3を入れ、雰
囲気調節しながら、加熱処理を行いガラス試料8を得る
のが一般的である。さらに光ファイバ用ガラスとしては
、上記方法では、吸収の原因となる水分を除去するため
、第■工程にされている。
け、石英るつぼなどの容器7に乾燥ゲル体3を入れ、雰
囲気調節しながら、加熱処理を行いガラス試料8を得る
のが一般的である。さらに光ファイバ用ガラスとしては
、上記方法では、吸収の原因となる水分を除去するため
、第■工程にされている。
ところが、ゾル・ゲル法で製造した石英系ガラス(脱水
処理済み)は、光ファイバに加工する場合(線引きと呼
ぶ、温度約2’OO0℃に加熱して繊維状にする)、発
泡し、散乱損失が増加してしまうことが明らかになった
。セラミック プルチン〔Ceramic Bulle
tin、 1.Matsuyama、に、5usa等、
vo163、No1l、P140B (1984) )
によると、これは脱水時に大量に含有された塩素が原因
とされている。かれらは、前述の発泡を防止するため、
脱水後に、さらに酸素処理をするなどして脱塩素を試み
ているが、工程が複雑になり、しかも親水処理をしても
残留水分が数ppmあるという結果に終わっている。こ
れは対象としている乾燥ゲル体の性質が最適化されてい
ないためであると考えられる。
処理済み)は、光ファイバに加工する場合(線引きと呼
ぶ、温度約2’OO0℃に加熱して繊維状にする)、発
泡し、散乱損失が増加してしまうことが明らかになった
。セラミック プルチン〔Ceramic Bulle
tin、 1.Matsuyama、に、5usa等、
vo163、No1l、P140B (1984) )
によると、これは脱水時に大量に含有された塩素が原因
とされている。かれらは、前述の発泡を防止するため、
脱水後に、さらに酸素処理をするなどして脱塩素を試み
ているが、工程が複雑になり、しかも親水処理をしても
残留水分が数ppmあるという結果に終わっている。こ
れは対象としている乾燥ゲル体の性質が最適化されてい
ないためであると考えられる。
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、充分に親
水が可能で、しかも線引き時に発泡などの問題を生じる
ことのない、ゾル・ゲル法における光ファイバ用ガラス
の製造方法を提供することを目的とする。
水が可能で、しかも線引き時に発泡などの問題を生じる
ことのない、ゾル・ゲル法における光ファイバ用ガラス
の製造方法を提供することを目的とする。
したがって、本発明による光ファイバ用ガラスの製造方
法によれば、アンモニアを含むアルコキシド溶液を加水
分解してゾル溶液を生成し、前記ゾル溶液をゲル化さて
乾燥し、多孔質ゲル体を形成させ、この多孔質ゲル体を
高温処理し、透明ガラス化する光ファイバ用ガラスの製
造方法において、初期の比表面積が450 rd/g以
下の多孔質ゲル体を形成するように前記ゾル溶液を熟成
するとともに、形成した多孔質ゲル体を高温処理するこ
とを特徴とするものである。
法によれば、アンモニアを含むアルコキシド溶液を加水
分解してゾル溶液を生成し、前記ゾル溶液をゲル化さて
乾燥し、多孔質ゲル体を形成させ、この多孔質ゲル体を
高温処理し、透明ガラス化する光ファイバ用ガラスの製
造方法において、初期の比表面積が450 rd/g以
下の多孔質ゲル体を形成するように前記ゾル溶液を熟成
するとともに、形成した多孔質ゲル体を高温処理するこ
とを特徴とするものである。
本発明によれば、ゾル溶液を熟成して形成した初期の比
表面積が450 rd/g以下の多孔質ゲル体を高温処
理し、透明ガラス化するため、on含有量の僅少なガラ
ス体を製造可能であり、したがって光学的に均一で高純
度であり、しかも線引き時に発泡などの問題を生じるこ
とがない光ファイバ用ガラスを製造可能であるという利
点がある。
表面積が450 rd/g以下の多孔質ゲル体を高温処
理し、透明ガラス化するため、on含有量の僅少なガラ
ス体を製造可能であり、したがって光学的に均一で高純
度であり、しかも線引き時に発泡などの問題を生じるこ
とがない光ファイバ用ガラスを製造可能であるという利
点がある。
本発明による光ファイバ用ガラスの製造方法によれば、
まずアルコキシドを加水分解し、ゾル溶液を生成させる
。
まずアルコキシドを加水分解し、ゾル溶液を生成させる
。
このような本発明において用いられるアルコキシドは、
基本的に限定されるものではなく、従来この種のガラス
を製造するために用いられるアルコキシドを有効に用い
ることができる。たとえばSi (OR) A 、AI
(OR) 3あるいはGe (OR) 4 (ただ
しRはメチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキ
ル基を示す)などの一種以上のアルコキシドに水および
必要ならばメタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノールなどのアルコール系溶媒の一種以上、さらには
酸あるいは塩基を添加したアルコキシド原料にアンモニ
アを添加したものであることができる。
基本的に限定されるものではなく、従来この種のガラス
を製造するために用いられるアルコキシドを有効に用い
ることができる。たとえばSi (OR) A 、AI
(OR) 3あるいはGe (OR) 4 (ただ
しRはメチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキ
ル基を示す)などの一種以上のアルコキシドに水および
必要ならばメタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノールなどのアルコール系溶媒の一種以上、さらには
酸あるいは塩基を添加したアルコキシド原料にアンモニ
アを添加したものであることができる。
このようなアルコキシドを加水分解し、ゾル溶液を生成
させたのち、このゾル溶液の水(溶媒が″:2序加され
ているときには水と溶媒)を蒸発させて吟ル化し、多孔
質ゲル体を形成させるわけであるが、本発明においては
、ゾル溶液をゲル化させるに先立って前記ゾル溶液を熟
成させ、形成される乾燥ゲル体の初期の比表面積が45
0m/g以下であるようにする。初期の比表面積は、多
孔質ゲル体の孔に残存する水および/または溶媒を飛散
させたのち測定しなければならないために、たとえば3
00°Cに加熱して水および/または溶媒を蒸発させた
状態における比表面積を指している。
させたのち、このゾル溶液の水(溶媒が″:2序加され
ているときには水と溶媒)を蒸発させて吟ル化し、多孔
質ゲル体を形成させるわけであるが、本発明においては
、ゾル溶液をゲル化させるに先立って前記ゾル溶液を熟
成させ、形成される乾燥ゲル体の初期の比表面積が45
0m/g以下であるようにする。初期の比表面積は、多
孔質ゲル体の孔に残存する水および/または溶媒を飛散
させたのち測定しなければならないために、たとえば3
00°Cに加熱して水および/または溶媒を蒸発させた
状態における比表面積を指している。
前述のように多孔質ゲル体の初期比表面積は、450r
d/g以下である。比表面積が450 m/gを超える
と、高温処理をして透明ガラス化するに際し、多孔質ゲ
ル体中に含まれる水が充分蒸発しないおそれがあり、ま
た、この高温処理をハロゲン系脱水剤雰囲気中で行う場
合においては、水および脱水剤に含まれるハロゲン元素
が充分に離脱しないからである。
d/g以下である。比表面積が450 m/gを超える
と、高温処理をして透明ガラス化するに際し、多孔質ゲ
ル体中に含まれる水が充分蒸発しないおそれがあり、ま
た、この高温処理をハロゲン系脱水剤雰囲気中で行う場
合においては、水および脱水剤に含まれるハロゲン元素
が充分に離脱しないからである。
このように初期の比表面積が450 m/g以下の4.
パ 多孔質ゲル体をする方法は、本発明においてはゲル体を
製造するに先立ち、アンモニアを添加したゾル溶液を熟
成し、この熟成したゾル溶液をゲル化することにより比
表面積を調整している。この場合、熟成の期間あるいは
アンモニア濃度などによって形成される多孔質ゲル体の
比表面積を変化させることが可能になる。すなわちアル
コキシドに水および0.001〜0.01mol /
eのアンモニアを添加したアルコキシド溶液を加水分解
してゾル液を形成させるとともに、50℃以上の温度で
所定期間熟成させ、この熟成ゾル液をゲル化し、多孔質
ゲル体を製造する際、前記熟成時間および/またはアン
モニア濃度を調整することにより所望の比表面積を有す
る多孔質ゲル体を製造することかできる(特願昭59−
228678号)。
パ 多孔質ゲル体をする方法は、本発明においてはゲル体を
製造するに先立ち、アンモニアを添加したゾル溶液を熟
成し、この熟成したゾル溶液をゲル化することにより比
表面積を調整している。この場合、熟成の期間あるいは
アンモニア濃度などによって形成される多孔質ゲル体の
比表面積を変化させることが可能になる。すなわちアル
コキシドに水および0.001〜0.01mol /
eのアンモニアを添加したアルコキシド溶液を加水分解
してゾル液を形成させるとともに、50℃以上の温度で
所定期間熟成させ、この熟成ゾル液をゲル化し、多孔質
ゲル体を製造する際、前記熟成時間および/またはアン
モニア濃度を調整することにより所望の比表面積を有す
る多孔質ゲル体を製造することかできる(特願昭59−
228678号)。
すなわち、ゾル溶液中に含有されるアンモニア濃度を変
化させた場合(この場合長時間にわたる熟成を行ってい
ない)と同一の組成で熟成度を変化させた場合について
実験を行ったところ、単にアンモニア濃度を変化させた
ときは、確かに多孔質ゲル体の孔が閉じる温度(比表面
積がOになる温度)は高温側に移動するが、低温(たと
えば室ニー塩)における比表面積は、高い値を保ったま
まで塾 ・5ある(以下の比較例1に実験結果を示す)。一方熟
成させた場合においては、比較的小さな比表面積の多孔
質ゲル体が得られ−2もちろん孔が閉じる温度も高温側
に移動することがわかった(比較例2に実験結果を示す
)。
化させた場合(この場合長時間にわたる熟成を行ってい
ない)と同一の組成で熟成度を変化させた場合について
実験を行ったところ、単にアンモニア濃度を変化させた
ときは、確かに多孔質ゲル体の孔が閉じる温度(比表面
積がOになる温度)は高温側に移動するが、低温(たと
えば室ニー塩)における比表面積は、高い値を保ったま
まで塾 ・5ある(以下の比較例1に実験結果を示す)。一方熟
成させた場合においては、比較的小さな比表面積の多孔
質ゲル体が得られ−2もちろん孔が閉じる温度も高温側
に移動することがわかった(比較例2に実験結果を示す
)。
すなわち、アンモニアを含むゾル溶液を熟成することに
より、初期の比表面積が小さく、かつ高温において閉孔
する多孔質ゲル体を製造することができ、したがって高
温処理をして透明ガラス化する場合、孔はゆっ(りと閉
孔することになる。
より、初期の比表面積が小さく、かつ高温において閉孔
する多孔質ゲル体を製造することができ、したがって高
温処理をして透明ガラス化する場合、孔はゆっ(りと閉
孔することになる。
このため多孔質ゲル体に含まれる水ないし脱水剤が良好
に除去されるのである。
に除去されるのである。
このようなゾル溶液に含有されるアンモニアは、前述の
ように好ましくは0.001〜0.01mol / 1
2であるが、アンモニア濃度が0.001 mol /
1より小さいと、ゲル化時間が長くなりすぎる虞を生
じ、一方0.01mol / lを超えると、乾燥およ
び高温処理工程において割れを生じる虞がある。
ように好ましくは0.001〜0.01mol / 1
2であるが、アンモニア濃度が0.001 mol /
1より小さいと、ゲル化時間が長くなりすぎる虞を生
じ、一方0.01mol / lを超えると、乾燥およ
び高温処理工程において割れを生じる虞がある。
また熟成温度は、好ましくは50°C以上であるのがよ
い。50℃未満であると熟成時間が掛りすぎる虞がある
からである。さらに熟成時間は、好ましくは4日以上で
あるのがよい。4日未満であると充分に熟成されず、初
期の比表面積が充分に小さくならない虞があるからであ
る。
い。50℃未満であると熟成時間が掛りすぎる虞がある
からである。さらに熟成時間は、好ましくは4日以上で
あるのがよい。4日未満であると充分に熟成されず、初
期の比表面積が充分に小さくならない虞があるからであ
る。
このような多孔質ゲル体をハロゲン系脱水剤雰囲気中で
高温処理し、透明ガラス化することができる。上述のよ
うに脱水剤を用いなくとも水のある程度の除去は可能で
あるが、さらに良好に脱水するためにはハロゲン系脱水
剤雰囲気において高温処理し、脱水するのがよい。この
ようなハロゲン系脱水剤としては、塩素などのハロゲン
元素および高温において塩素あるいはフン素などのハロ
ゲン元素を出すハロゲン化合物を有効に用いることがで
きる。たとえば、5OCI2 、SFs 、SiF a
などの一種以上を有効に用いることができる。
高温処理し、透明ガラス化することができる。上述のよ
うに脱水剤を用いなくとも水のある程度の除去は可能で
あるが、さらに良好に脱水するためにはハロゲン系脱水
剤雰囲気において高温処理し、脱水するのがよい。この
ようなハロゲン系脱水剤としては、塩素などのハロゲン
元素および高温において塩素あるいはフン素などのハロ
ゲン元素を出すハロゲン化合物を有効に用いることがで
きる。たとえば、5OCI2 、SFs 、SiF a
などの一種以上を有効に用いることができる。
比較例I
Si (OC2H5) 4をC2Hs Ollに希釈後
、異?在る濃度のアンモニア水溶液を添加して、ゾルを
9′ 作製し、ゲル化させて乾燥させ、多孔質ゲル体を得た。
、異?在る濃度のアンモニア水溶液を添加して、ゾルを
9′ 作製し、ゲル化させて乾燥させ、多孔質ゲル体を得た。
これを各温度で処理したのち、BET測定により比表面
積を求めた。第2図にアンモニア濃度を変化させたゾル
溶液から作“製したサンプルの比表面積を処理温度に対
し示す。図中、Aはアンモニア濃度が零の場合、Bは0
.001 mol / l 、 CはO,OO15mo
l / eの場合である。
積を求めた。第2図にアンモニア濃度を変化させたゾル
溶液から作“製したサンプルの比表面積を処理温度に対
し示す。図中、Aはアンモニア濃度が零の場合、Bは0
.001 mol / l 、 CはO,OO15mo
l / eの場合である。
この図より明らかなようにアンモニア濃度が高くなるほ
ど、高温まで孔が閉じない多孔質ゲル体が得られている
ことがわかるが、一方、低温側では比表面積は500m
/g以上あり、昇温とともに急激に閉孔が進行すること
がわかった。
ど、高温まで孔が閉じない多孔質ゲル体が得られている
ことがわかるが、一方、低温側では比表面積は500m
/g以上あり、昇温とともに急激に閉孔が進行すること
がわかった。
比較例2
Si (OC21(5) 4、C2Hs Oll、アン
モニア水溶液の量比を一定としたゾル溶液(アンモニア
濃度: 0.001 mol / l )を作製して、
これを容器に密閉し、70℃に長時間保って熟成させた
。一定時間毎に溶液を採取して波長0.2〜2.0μm
におる 1い1て透過特性を測定した。第3図に波長に対して二
Cニ ーゾル溶液の透過率を示す。aは熟成する前の溶液、b
は熟成が進行している途中の溶液(2日後)、Cはbが
さらに熟成した後の溶液(9日後)の透過特性を示すも
のである。波長0.8μm以上の長波長に表れているい
くつかの吸収ピークは、Si (OC2+1s)a、C
1HsOH,H2Oに起因するものである。一方、0.
8μmより短波長での透過率の減少は、溶液中で加水分
解および縮重合が進行し、微粒子径が徐々に増大してい
くことを示している。第4図に第3図のa、b、cの0
.8 μmより短波長側の透過率を損失として、1/(
波長)4に対してプロットしたものを示す。良好な直線
性を示しているが、これは溶液がレリー散乱によって透
過率が減少することを示唆するもので、電子顕微鏡によ
って確認されている溶液中の微粒子と対応されるべきも
のである。
モニア水溶液の量比を一定としたゾル溶液(アンモニア
濃度: 0.001 mol / l )を作製して、
これを容器に密閉し、70℃に長時間保って熟成させた
。一定時間毎に溶液を採取して波長0.2〜2.0μm
におる 1い1て透過特性を測定した。第3図に波長に対して二
Cニ ーゾル溶液の透過率を示す。aは熟成する前の溶液、b
は熟成が進行している途中の溶液(2日後)、Cはbが
さらに熟成した後の溶液(9日後)の透過特性を示すも
のである。波長0.8μm以上の長波長に表れているい
くつかの吸収ピークは、Si (OC2+1s)a、C
1HsOH,H2Oに起因するものである。一方、0.
8μmより短波長での透過率の減少は、溶液中で加水分
解および縮重合が進行し、微粒子径が徐々に増大してい
くことを示している。第4図に第3図のa、b、cの0
.8 μmより短波長側の透過率を損失として、1/(
波長)4に対してプロットしたものを示す。良好な直線
性を示しているが、これは溶液がレリー散乱によって透
過率が減少することを示唆するもので、電子顕微鏡によ
って確認されている溶液中の微粒子と対応されるべきも
のである。
第5図に同じ組成のゾル溶液であって、熟成させたもの
と熟成させなかったものを、ゲル化乾燥−させて得た各
種多孔質ゲル体の比表面積を熱処理イ\、 違度に対して示す。これは比較例1で示した第2Sニー 図と対応するものである。
と熟成させなかったものを、ゲル化乾燥−させて得た各
種多孔質ゲル体の比表面積を熱処理イ\、 違度に対して示す。これは比較例1で示した第2Sニー 図と対応するものである。
Cは熟成させなかったゾル溶液から作製した多孔質ゾル
の比表面積、D、EはそれぞれCを熟成させて作製した
ものでC−D−Eの順で熟成度が高くなっているもので
ある。
の比表面積、D、EはそれぞれCを熟成させて作製した
ものでC−D−Eの順で熟成度が高くなっているもので
ある。
この図より熟成させることによって、■孔の閉じる温度
が高温側に移動すること、■低温側においても著しい比
表面積の減少がおきることがゎがる。
が高温側に移動すること、■低温側においても著しい比
表面積の減少がおきることがゎがる。
このことは、実際に室温から昇温していき、多孔質ゲル
体を高温処理して透明ガラスすることを考えると、比表
面積の小さな状態で長時間昇温過程におかれ、しかも孔
はより高温で閉じるわけであるから、多孔質ゲル体から
揮発するもの、たと 1えば、アルコールや
水などの反応によって生じたものが、より逃げやすい多
孔質ゲル体を熟成により製造可能になることを示してい
る。
体を高温処理して透明ガラスすることを考えると、比表
面積の小さな状態で長時間昇温過程におかれ、しかも孔
はより高温で閉じるわけであるから、多孔質ゲル体から
揮発するもの、たと 1えば、アルコールや
水などの反応によって生じたものが、より逃げやすい多
孔質ゲル体を熟成により製造可能になることを示してい
る。
実施例1
熟成によって作製した多孔質ゲル体は、比表面積が小さ
く光ファイバ用ガラスとして適していることを実験的に
示すため、Si (OC2I+ 5 ) 4、C2Hs
OH%アンモニア水溶液のゾル溶液の熟成度およびア
ンモニア濃度などを変化させて初期の比表面積(300
℃処理のサンプル)が異なる多孔質ゲル体を用意した。
く光ファイバ用ガラスとして適していることを実験的に
示すため、Si (OC2I+ 5 ) 4、C2Hs
OH%アンモニア水溶液のゾル溶液の熟成度およびア
ンモニア濃度などを変化させて初期の比表面積(300
℃処理のサンプル)が異なる多孔質ゲル体を用意した。
これらを同じ条件下(昇温速度、処理温度、不活性ガラ
ス雰囲気下:ただし脱水処理を行っていない)で透明ガ
ラス化して、 iガラス試料を作製し、一
定の厚さに切断研磨後、赤外吸収特性を測定した。OH
基の基本吸収(2,7μm)の強さから、各試料の水分
顔料を求めた。
ス雰囲気下:ただし脱水処理を行っていない)で透明ガ
ラス化して、 iガラス試料を作製し、一
定の厚さに切断研磨後、赤外吸収特性を測定した。OH
基の基本吸収(2,7μm)の強さから、各試料の水分
顔料を求めた。
第6図に初期の比表面積に対してOH濃度をプロットし
たものを示す。
たものを示す。
熟成しなかったもの(比表面積600 m/g程度)は
600 ppmであるのに対して、熟成が進行したもの
は1100pp程度まで水分含有量が低下していること
がわかる。これは明らかに熟成させた多孔質ゲル体はど
内部不純物(この場合は水)が揮発しやすい状態である
ことを示す。
600 ppmであるのに対して、熟成が進行したもの
は1100pp程度まで水分含有量が低下していること
がわかる。これは明らかに熟成させた多孔質ゲル体はど
内部不純物(この場合は水)が揮発しやすい状態である
ことを示す。
実施例2
光ファイバ用ガラスで最も重要な要求は、不純物や気泡
など光損失を増加させる要因が除去されていることであ
る。
など光損失を増加させる要因が除去されていることであ
る。
ゾル・ゲル法で作製したガラス(特に脱水処理を施した
ガラス)は線引き実施例に発泡する現象がみられ、これ
がゾル・ゲル法のネックになっていた。
ガラス)は線引き実施例に発泡する現象がみられ、これ
がゾル・ゲル法のネックになっていた。
そこで、熟成を用いて実施例1と同様に、Si (OC
2H5)4、C2H50H,アンモニア水溶液のゾル溶
液より初期比表面積の異なる多孔質ゲル体を各種用言し
た。これを透明ガラス化する際、Ice雰囲気下で塩素
系脱水剤(CI2.5OCI2)を流して(11eに対
して数%)脱水を行った。これはVAD法など気相で作
製した多孔質母材の脱水方法と同様な条件で行った(特
開昭50−149356号参照)。
2H5)4、C2H50H,アンモニア水溶液のゾル溶
液より初期比表面積の異なる多孔質ゲル体を各種用言し
た。これを透明ガラス化する際、Ice雰囲気下で塩素
系脱水剤(CI2.5OCI2)を流して(11eに対
して数%)脱水を行った。これはVAD法など気相で作
製した多孔質母材の脱水方法と同様な条件で行った(特
開昭50−149356号参照)。
赤外吸収(波長247μm)の測定を行って、水分含有
量がlppm以下であることを確認後、ガラス、試料を
1800℃まで高温処理して気泡の数を測定し沃。第7
図に初期の比表面積に対してガラス中に・′7 発生した気泡の数を示す。
量がlppm以下であることを確認後、ガラス、試料を
1800℃まで高温処理して気泡の数を測定し沃。第7
図に初期の比表面積に対してガラス中に・′7 発生した気泡の数を示す。
比表面積が450 tri/g以下で気泡の発生がなく
なることがわかった。この結果より、本発明によれば多
孔質ガラス体の比表面積が450 m/g以下となるよ
うに、ゾル溶液の熟成を行えばよいことが確認された。
なることがわかった。この結果より、本発明によれば多
孔質ガラス体の比表面積が450 m/g以下となるよ
うに、ゾル溶液の熟成を行えばよいことが確認された。
上述の熟成工程の制御は、熟成度と透過率が第3図のよ
うな関係にあることから、熟成中のゾル溶液の透過率の
測定からも可能である。より簡便には、一定の熟成温度
では、一定速度で熟成が進むことを利用し、あらかじめ
求めた熟成時間と比表面積の関係から熟成時間で制御す
ることができる。このとき熟成温度を一定に保持するの
は言うまでもない。
うな関係にあることから、熟成中のゾル溶液の透過率の
測定からも可能である。より簡便には、一定の熟成温度
では、一定速度で熟成が進むことを利用し、あらかじめ
求めた熟成時間と比表面積の関係から熟成時間で制御す
ることができる。このとき熟成温度を一定に保持するの
は言うまでもない。
実施例3
初期の比表面積が300 m/gのSiO2多孔質ゲル
体をゾル溶液[Si (OC2Hs ) a 、C2I
+ 50H、アンモニア水溶液のゾル溶液]を70℃で
10日系脱水剤(C12または5OC12)を数%含む
ヘリウムガス雰囲気である。このようにして作製した5
i02ガラスロツド(直径8〜10mIIIφ、長さ1
0〜15cm)に気相法でスートを堆積させ、透明ガラ
ス化時にフン素を含有する化合物(たとえばSF、や5
iFa)をヘリウムガスとともに流して、タラソドとし
てフン素ドープシリカガラスを形成した光ファイバ用母
材を製造した。
体をゾル溶液[Si (OC2Hs ) a 、C2I
+ 50H、アンモニア水溶液のゾル溶液]を70℃で
10日系脱水剤(C12または5OC12)を数%含む
ヘリウムガス雰囲気である。このようにして作製した5
i02ガラスロツド(直径8〜10mIIIφ、長さ1
0〜15cm)に気相法でスートを堆積させ、透明ガラ
ス化時にフン素を含有する化合物(たとえばSF、や5
iFa)をヘリウムガスとともに流して、タラソドとし
てフン素ドープシリカガラスを形成した光ファイバ用母
材を製造した。
このプリフォームを通常の方法で線引きし、シングルモ
ード光ファイバ(比屈折率差Δn =0.36%、長さ
2.3 Km)を作製した。この結果、線引き時に発泡
は見られなかった。
ード光ファイバ(比屈折率差Δn =0.36%、長さ
2.3 Km)を作製した。この結果、線引き時に発泡
は見られなかった。
第8図にこのように製造された光ファイバの損失波長特
性を示す。図中、λCはカットオフ波長を示す。
性を示す。図中、λCはカットオフ波長を示す。
波長1.4 μmに見られるOH吸収ピークから求めた
水分含有量は0.1 ppmレベルであり、波長1.6
μmで最低損失として1.8 dB/Kmの値が得られ
た。
水分含有量は0.1 ppmレベルであり、波長1.6
μmで最低損失として1.8 dB/Kmの値が得られ
た。
7′コ・の特性より、熟成した多孔質ゲル(450rd
/g;ζパ′ 以下)を用いると、脱水もほぼ完全に行うことができ、
しかも線引き時の発泡の問題が生じないことがわかった
。
/g;ζパ′ 以下)を用いると、脱水もほぼ完全に行うことができ、
しかも線引き時の発泡の問題が生じないことがわかった
。
以上説明したようにアンモニアを含むアルコキシド溶液
を出発原料とするゾル・ゲル法においてゾル溶液を熟成
して多孔質ゲル体の比表面積が450 rr//g以下
となるようにし、この多孔質ゲル体を高温処理すること
により、脱水が行われるという利点がある。さらに、前
述のような多孔質ゲル体をハロゲン系脱水剤雰囲気中に
おいて透明ガラス化することにより脱水が完全に遂行で
き、しかも線引き温度(2000”c程度)においても
゛発泡現象を生じない光ファイバ用ガラスを製造可能に
なる。
を出発原料とするゾル・ゲル法においてゾル溶液を熟成
して多孔質ゲル体の比表面積が450 rr//g以下
となるようにし、この多孔質ゲル体を高温処理すること
により、脱水が行われるという利点がある。さらに、前
述のような多孔質ゲル体をハロゲン系脱水剤雰囲気中に
おいて透明ガラス化することにより脱水が完全に遂行で
き、しかも線引き温度(2000”c程度)においても
゛発泡現象を生じない光ファイバ用ガラスを製造可能に
なる。
このため量産に通し、しかも原料が効率よくガラスへ変
換されるゾル・ゲル法において、低損失な光ファイバ用
ガラスを製造することができるという利点がある。
換されるゾル・ゲル法において、低損失な光ファイバ用
ガラスを製造することができるという利点がある。
第1図はゾル・ゲル法によるガラスの製造方法を模式的
に示した説明図、第2図はアンモニア濃度を変化させて
製造されたガラスの比表面積と温度変化の関係を示す図
、第3図は熟成の度合におけるゾル溶液の透過率を示す
図、第4図は第3図に示した損失を1/(波長)4に対
してプロットした図、第5図は多孔質ゲル体の比表面積
を熱処理温度に対して示した図、第6図は多孔質ゲル体
の初期の比表面積と製造されたガラスの水分含有量の関
係を示す図、第7図は多孔質ゲル体の初期の比表面積と
1800℃で高温処理したガラスに含まれる気泡の数を
示す図、第8図は本発明により得られたシングルモード
光ファイバの光損失波長特性を示した図である。 1 ・・・ゾル溶液、2 ・・・ゲル、3 ・・・乾燥
ゲル体、4 ・・・ガス導入口、5 ・・・ガス排出口
、6 ・・・電気炉、7 ・・・容器、8 ・・・ガラ
ス試料。 出願人代理人 雨 宮 正 季 第1図 第2図 遺長(pm) 第4図 (液長)4 シ1戊(°C) h刺^比表市1食(m7g)
に示した説明図、第2図はアンモニア濃度を変化させて
製造されたガラスの比表面積と温度変化の関係を示す図
、第3図は熟成の度合におけるゾル溶液の透過率を示す
図、第4図は第3図に示した損失を1/(波長)4に対
してプロットした図、第5図は多孔質ゲル体の比表面積
を熱処理温度に対して示した図、第6図は多孔質ゲル体
の初期の比表面積と製造されたガラスの水分含有量の関
係を示す図、第7図は多孔質ゲル体の初期の比表面積と
1800℃で高温処理したガラスに含まれる気泡の数を
示す図、第8図は本発明により得られたシングルモード
光ファイバの光損失波長特性を示した図である。 1 ・・・ゾル溶液、2 ・・・ゲル、3 ・・・乾燥
ゲル体、4 ・・・ガス導入口、5 ・・・ガス排出口
、6 ・・・電気炉、7 ・・・容器、8 ・・・ガラ
ス試料。 出願人代理人 雨 宮 正 季 第1図 第2図 遺長(pm) 第4図 (液長)4 シ1戊(°C) h刺^比表市1食(m7g)
Claims (2)
- (1)アンモニアを含むアルコキシド溶液を加水分解し
てゾル溶液を生成し、前記ゾル溶液をゲル化さて乾燥し
、多孔質ゲル体を形成させ、この多孔質ゲル体を高温処
理し、透明ガラス化する光ファイバ用ガラスの製造方法
において、初期の比表面積が450m^2/g以下の多
孔質ゲル体を形成するように前記ゾル溶液を熟成すると
ともに、形成した多孔質ゲル体を高温処理することを特
徴とする光ファイバ用ガラスの製造方法。 - (2)前記高温処理はハロゲン系脱水剤雰囲気中で行う
ことを特徴とする特許請求の範囲による光ファイバ用ガ
ラスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15567985A JPS6217036A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 光フアイバ用ガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15567985A JPS6217036A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 光フアイバ用ガラスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6217036A true JPS6217036A (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15611201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15567985A Pending JPS6217036A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 光フアイバ用ガラスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6217036A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613534U (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-22 | 雅美 田貝 | かばん背負いベルトの係止金具 |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP15567985A patent/JPS6217036A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613534U (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-22 | 雅美 田貝 | かばん背負いベルトの係止金具 |
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