JPS62166576A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
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- JPS62166576A JPS62166576A JP61008297A JP829786A JPS62166576A JP S62166576 A JPS62166576 A JP S62166576A JP 61008297 A JP61008297 A JP 61008297A JP 829786 A JP829786 A JP 829786A JP S62166576 A JPS62166576 A JP S62166576A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ペテロ接合のアモルファス（シリコン）太陽
電池に関し、詳しくは、受光側のアモルファス半導体の
タイプ及び膜厚を最適化し、短絡電流を減少させること
なく開放電圧を向上させ、もって、変換効率を改善した
アモルファス太陽電池に関する。
電池に関し、詳しくは、受光側のアモルファス半導体の
タイプ及び膜厚を最適化し、短絡電流を減少させること
なく開放電圧を向上させ、もって、変換効率を改善した
アモルファス太陽電池に関する。
［従来の技術１
グロー放電を利用したプラズマＣＶＤ法もしくは紫外線
による光ＣＶＤ法によって、透明基板上に、ｐ型アモル
ファス炭化硅素、ｉ型アモルファスシリコン、ｎ型アモ
ルファスシリコンを順次積層し、前記ｐ型アモルファス
炭化硅素側を受光側とする、いわゆるヘテロ接合のアモ
ルファス（シリコン）太陽電池が提供されている。
による光ＣＶＤ法によって、透明基板上に、ｐ型アモル
ファス炭化硅素、ｉ型アモルファスシリコン、ｎ型アモ
ルファスシリコンを順次積層し、前記ｐ型アモルファス
炭化硅素側を受光側とする、いわゆるヘテロ接合のアモ
ルファス（シリコン）太陽電池が提供されている。
これは窓材料（光の人Ｉ）ｊ側の材料）の半導体として
、従来用いられているｎ型アモルファスシリコンに代え
て、禁止帯幅が約２０ｖ程度と大きなｐ型アモルファス
炭化硅素を用いることにより、ｐ型苗での吸収による光
エネルギーの損失を低減し、もって、エネルギー変換効
率の改善を企図するものである。
、従来用いられているｎ型アモルファスシリコンに代え
て、禁止帯幅が約２０ｖ程度と大きなｐ型アモルファス
炭化硅素を用いることにより、ｐ型苗での吸収による光
エネルギーの損失を低減し、もって、エネルギー変換効
率の改善を企図するものである。
［発明が解決しようとする問題点］
一般にアモルファス太陽′Ｆｉ池において、エネルギー
変換効率ηは、 η＝Ｖｏｃ−１ｓｃ−ＦＦ／Ｐｉｎ・（１）Ｖ ｏｃ
：開放電圧 １ｓｃ：短絡電流ＦＦ：曲線因子 ｐ
ｉｎ：入射エネルギーで与えられる。
変換効率ηは、 η＝Ｖｏｃ−１ｓｃ−ＦＦ／Ｐｉｎ・（１）Ｖ ｏｃ
：開放電圧 １ｓｃ：短絡電流ＦＦ：曲線因子 ｐ
ｉｎ：入射エネルギーで与えられる。
したがって、上記（１）式において曲線因子ＦＦが略一
定であるとみなせる場合は、変換効率ηは、開放電圧Ｖ
ＯＣと短絡電流１ｓｃとの積に比例するものとして扱う
ことができる。
定であるとみなせる場合は、変換効率ηは、開放電圧Ｖ
ＯＣと短絡電流１ｓｃとの積に比例するものとして扱う
ことができる。
第２図は、上記へテロ接合のアモルファス太陽電池にお
いて、ｐ型アモルファス炭化硅素層の膜厚ｔを変えた場
合における開放電圧ＶθＣ及び短絡電流１ ｓｃの変化
を示すグラフである。
いて、ｐ型アモルファス炭化硅素層の膜厚ｔを変えた場
合における開放電圧ＶθＣ及び短絡電流１ ｓｃの変化
を示すグラフである。
図示のように、短絡電流（ＳＣが最大となる膜厚ｔ＋（
１５ｎｍ程度）と、開放電圧ＶＯＣが最大となる膜厚ｔ
２（２５ｎｍ程度）とは、一致しない。換言すれば、従
来のアモルファス太陽電池では、最大変換効率ηを与え
る開放電圧Ｖｏｃ及び短絡電流ｌ ＦＩＣとしては、そ
れらの最大値を採用しているわけではなく、効率改善の
余地を残している。
１５ｎｍ程度）と、開放電圧ＶＯＣが最大となる膜厚ｔ
２（２５ｎｍ程度）とは、一致しない。換言すれば、従
来のアモルファス太陽電池では、最大変換効率ηを与え
る開放電圧Ｖｏｃ及び短絡電流ｌ ＦＩＣとしては、そ
れらの最大値を採用しているわけではなく、効率改善の
余地を残している。
本発明は、かかる事情に鑑み案出されたものであり、知
略電流１ ｓｃと開放電圧Ｖｏｃとを、ともに最大値と
なし得るアモルファス太陽電池を提供するものである。
略電流１ ｓｃと開放電圧Ｖｏｃとを、ともに最大値と
なし得るアモルファス太陽電池を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、ヘテロ接合のアモルファス太陽電池の１型層
であって、ｐ型層との接合部に近い側の部分の禁止帯幅
を、ｐ型層の禁止帯幅と同程度に広げることによって、
上記目的を達成するものである。
であって、ｐ型層との接合部に近い側の部分の禁止帯幅
を、ｐ型層の禁止帯幅と同程度に広げることによって、
上記目的を達成するものである。
即ち本発明は、
１表面に透明電極の形成された透明基板からなる受光層
と、 前記透明電極上に形成され、１．９〜２．０ｅｖの光学
的禁止帯幅を有するｐ型アモルファス半導体居と、 該ｐ型アモルファス半導体層上に形成され、１゜９〜２
．Ｑｅｖの光学的禁止帯幅を有するｉ型アモルファス半
導体層と、 該ｉ型アモルファス半導体層上に形成されたｉ型アモル
ファスシリコン層と、 該ｉ型アモルファスシリコン層上に形成されたｎ型アモ
ルファスシリコン層と、 該ｎ型アモルファスシリコン層上に形成された背面電極
と、 を有することを特徴とするアモルファス太陽電池である
。
と、 前記透明電極上に形成され、１．９〜２．０ｅｖの光学
的禁止帯幅を有するｐ型アモルファス半導体居と、 該ｐ型アモルファス半導体層上に形成され、１゜９〜２
．Ｑｅｖの光学的禁止帯幅を有するｉ型アモルファス半
導体層と、 該ｉ型アモルファス半導体層上に形成されたｉ型アモル
ファスシリコン層と、 該ｉ型アモルファスシリコン層上に形成されたｎ型アモ
ルファスシリコン層と、 該ｎ型アモルファスシリコン層上に形成された背面電極
と、 を有することを特徴とするアモルファス太陽電池である
。
以下、各構成要件を説明する。
受光層は、太陽電池において、光の入射側に而して配置
される。したがって、良好な透光率を有するとともに、
耐候性、強度等にも優れていることが望ましい。受光層
としては、例えば、透明な板状のガラス基板表面にＩＴ
Ｏ等の透明導電膜を形成したものを用いる。なお、必要
に応じ、大気に面する側の表面に、光の干渉効果を利用
した反射防止膜を形成してもよい。
される。したがって、良好な透光率を有するとともに、
耐候性、強度等にも優れていることが望ましい。受光層
としては、例えば、透明な板状のガラス基板表面にＩＴ
Ｏ等の透明導電膜を形成したものを用いる。なお、必要
に応じ、大気に面する側の表面に、光の干渉効果を利用
した反射防止膜を形成してもよい。
ｐ、ｉ、ｎ各タイプのアモルファス半導体層は、グロー
放電を利用したプラズマＣＶＤ法、もしくは紫外線を利
用した光ＣＶＤ法によって、前記透明電極上に順次形成
する。なお、ｐまたはｎタイプの層を形成するに際して
それぞれドープする不純物としては、従来と同様に、ジ
ボラン（８２Ｈ６）、フォスフイン（ＰＨ３）等を用い
ることができる。
放電を利用したプラズマＣＶＤ法、もしくは紫外線を利
用した光ＣＶＤ法によって、前記透明電極上に順次形成
する。なお、ｐまたはｎタイプの層を形成するに際して
それぞれドープする不純物としては、従来と同様に、ジ
ボラン（８２Ｈ６）、フォスフイン（ＰＨ３）等を用い
ることができる。
本発明において、ｐ型アモルファス半導体、及び該ｐ型
アモルファス半導体との接合部付近の１型アモルファス
半導体の禁止帯幅は、１．９〜２゜ｏｅ■程度とする。
アモルファス半導体との接合部付近の１型アモルファス
半導体の禁止帯幅は、１．９〜２゜ｏｅ■程度とする。
かかるアモルファス半導体としては、例えば、炭化硅素
、窒化硅素がある。
、窒化硅素がある。
また、ｐ型アモルファス半導体層、及び該ｐ型アモルフ
ァス半導体との接合部付近のｉ型アモルファス半導体層
の膜厚としては、開放電圧を向上させる見地からは、あ
る程度の厚さが要求される。
ァス半導体との接合部付近のｉ型アモルファス半導体層
の膜厚としては、開放電圧を向上させる見地からは、あ
る程度の厚さが要求される。
しかし、一方、膜厚（特に、ｐ型アモルファス半導体層
の膜厚）をあまり厚くすると、再結合が増大して短絡電
流が減少する。両者の要請より、ｐ型アモルファス半導
体層の膜厚を１０〜１５ｎｍ程度、また、該ｐ型アモル
ファス半導体層との接合部付近のｉ型アモルファス半導
体層の膜厚を５〜１Ｑｎｍ程度とする。
の膜厚）をあまり厚くすると、再結合が増大して短絡電
流が減少する。両者の要請より、ｐ型アモルファス半導
体層の膜厚を１０〜１５ｎｍ程度、また、該ｐ型アモル
ファス半導体層との接合部付近のｉ型アモルファス半導
体層の膜厚を５〜１Ｑｎｍ程度とする。
ｉ型アモルファスシリコン層、及びｎ型アモルファスシ
リコン層は、従来と同様でよい。
リコン層は、従来と同様でよい。
背面ｔｔｉは、ｎ型アモルファスシリコン層上に、金属
等の導電性材料を、蒸着等、公知の方法を用いて形成す
ることができる。
等の導電性材料を、蒸着等、公知の方法を用いて形成す
ることができる。
［作用］
本発明のアモルファス太陽電池における光電変換の機構
は、従来提供されているｐ−ｔ−ｎ接合を利用したアモ
ルファス太陽電池と同様に、１領域におけるドリフト電
流が主体をなし、光キャリフの生成は、主としてｉ型ア
モルファスシリコン層で行なわれる。
は、従来提供されているｐ−ｔ−ｎ接合を利用したアモ
ルファス太陽電池と同様に、１領域におけるドリフト電
流が主体をなし、光キャリフの生成は、主としてｉ型ア
モルファスシリコン層で行なわれる。
ｐ型アモルファス半導体層、及び該ｐ型アモルファス半
導体層に接合するｉ型アモルファス半導体層における、
１．９〜２．Ｑｅｖという大きなバンドギャップは、再
結合を生じ易い該領域での光エネルギーの損失を減じて
、光キヤリア生成の主体たるｉ領域へより多くのフォト
ンを到達させるとともに、開放電圧の向上に寄与する。
導体層に接合するｉ型アモルファス半導体層における、
１．９〜２．Ｑｅｖという大きなバンドギャップは、再
結合を生じ易い該領域での光エネルギーの損失を減じて
、光キヤリア生成の主体たるｉ領域へより多くのフォト
ンを到達させるとともに、開放電圧の向上に寄与する。
しかし、開放電圧を向上させるためには、前記１．９〜
２．０ｅｖという大ぎなバンドギャップを有する層の膜
厚を、ある程度以上の大きさく２００１１程度）としな
ければならない。
２．０ｅｖという大ぎなバンドギャップを有する層の膜
厚を、ある程度以上の大きさく２００１１程度）としな
ければならない。
しかるに、ｐ型アモルファス半導体層は、極めて再結合
を生じ易く、もし、ｐ型アモルファス半導体層のみにて
前記必要な膜厚を確保しようとすると、短絡電流の減少
を生じ、変換効率ηの低下をもたらす。
を生じ易く、もし、ｐ型アモルファス半導体層のみにて
前記必要な膜厚を確保しようとすると、短絡電流の減少
を生じ、変換効率ηの低下をもたらす。
本発明のアモルファス太ｗＡ電池では、前記開放電圧の
向上に必要な膜厚を、ｐ型アモルファス半導体層ばかり
でなく、比較的再結合を生じにくいｉ型アモルファス半
導体層によっても確保しているため、開放電圧の向上と
、短絡電流低下の防止とを、ともに達成している。
向上に必要な膜厚を、ｐ型アモルファス半導体層ばかり
でなく、比較的再結合を生じにくいｉ型アモルファス半
導体層によっても確保しているため、開放電圧の向上と
、短絡電流低下の防止とを、ともに達成している。
なお、アモルファス炭化硅素、アモルファス窒化硅素等
のアモルファス半導体は、アモルファスシリコンと比較
すると局在単位密度が大きく再結合を生じ易いため、前
記１．９〜２．０ｅｖのギャップを有するｉ型アモルフ
ァス半導体の膜厚も第３図（第３図は、ｉ型アモルファ
ス炭化硅素層の膜厚を変えた場合におけるｙｒＩ格電流
１ ｓｃと、開放電圧Ｖｏｃとの変化を示すグラフ）に
示すように、１Ｑｎｍ程度が上限となる。
のアモルファス半導体は、アモルファスシリコンと比較
すると局在単位密度が大きく再結合を生じ易いため、前
記１．９〜２．０ｅｖのギャップを有するｉ型アモルフ
ァス半導体の膜厚も第３図（第３図は、ｉ型アモルファ
ス炭化硅素層の膜厚を変えた場合におけるｙｒＩ格電流
１ ｓｃと、開放電圧Ｖｏｃとの変化を示すグラフ）に
示すように、１Ｑｎｍ程度が上限となる。
［実施例］
以下、本発明を具体的な実施例に即して説明する。
第１図は、本実施例のアモルファス太陽電池の断面を模
式的に示す図である。
式的に示す図である。
図示のアモルファス太陽電池は、透明なガラス基板１と
、該ガラス基板１の表面に順次形成され−た透明電極２
、ｐ型アモルファス炭化硅素層３、ｉ型アモルファス炭
化硅素層４、ｉ型アモルファスシリコン層５、ｎ型アモ
ルファスシリコン１１６、及び背面電極７から成る。
、該ガラス基板１の表面に順次形成され−た透明電極２
、ｐ型アモルファス炭化硅素層３、ｉ型アモルファス炭
化硅素層４、ｉ型アモルファスシリコン層５、ｎ型アモ
ルファスシリコン１１６、及び背面電極７から成る。
透明電極２は、ＩＴＯ（インディラム・ティン・オキサ
イド）を用いて、電子ビーム蒸着法によって厚さ０．２
μ程度に形成した。
イド）を用いて、電子ビーム蒸着法によって厚さ０．２
μ程度に形成した。
各アモルファス半導体層３．４．５．６は、グロー放電
を利用したプラズマＣＶＤ法によって、ｐ型アモルファ
ス炭化硅素層３を１５ｎｍ、光導電率σｐｈが１０−６
Ω−Ｉｃｍ−１以上のｉ型アモルファス炭化硅素層４を
１０ｎｍ、 ｉ型ア［シフ１スシリコ２層５を５ＱＱ
ｎｍ、ｎ型アモルファスシリコ２層６を４Ｑｎｍの膜厚
にそれぞれ形成した。なお、成膜条件を表に示す。また
、プラズマＣＶＤ装置は、充分に不活性ガス置換を行な
った後、１ＸＩＯ””Ｔｏｒｒ程度の真空とした。
を利用したプラズマＣＶＤ法によって、ｐ型アモルファ
ス炭化硅素層３を１５ｎｍ、光導電率σｐｈが１０−６
Ω−Ｉｃｍ−１以上のｉ型アモルファス炭化硅素層４を
１０ｎｍ、 ｉ型ア［シフ１スシリコ２層５を５ＱＱ
ｎｍ、ｎ型アモルファスシリコ２層６を４Ｑｎｍの膜厚
にそれぞれ形成した。なお、成膜条件を表に示す。また
、プラズマＣＶＤ装置は、充分に不活性ガス置換を行な
った後、１ＸＩＯ””Ｔｏｒｒ程度の真空とした。
背面電極７は、アルミニウムを電子ビーム蒸着によって
、０．５〜１０μの厚さに形成した。
、０．５〜１０μの厚さに形成した。
上記実施例によるアモルファス太陽電池の開放電圧ｖＯ
Ｃハ０１８８ｖ、 ′Ｆｒｉ格電流密度１ｓｃは１５゜
５ｍＡ／ｃｍ、また、変換効率ηは、８．２％であった
。
Ｃハ０１８８ｖ、 ′Ｆｒｉ格電流密度１ｓｃは１５゜
５ｍＡ／ｃｍ、また、変換効率ηは、８．２％であった
。
これに対し、比較のために製造した従来のアモルファス
太陽電池（上記実施例において、ｉ型アモルファス炭化
硅素層を形成しなかったアモルファス太陽電池）の開放
電圧ＶｏｃＧ、ｔ０．８２Ｖ、短絡電流密度１ｓｃは１
５．３ｍＡ／ｃｍ、変換効率７７ ハ、７．５％であっ
た。
太陽電池（上記実施例において、ｉ型アモルファス炭化
硅素層を形成しなかったアモルファス太陽電池）の開放
電圧ＶｏｃＧ、ｔ０．８２Ｖ、短絡電流密度１ｓｃは１
５．３ｍＡ／ｃｍ、変換効率７７ ハ、７．５％であっ
た。
また、上記実施例において、ｉ型アモルファス炭化硅素
層に代えて、光導電率σｐｈが１０−６Ω−＋ Ｃｍ−
１以上のｉ型アモルファス窒化硅素層を１０ｎｍ形成し
たアモルファス太陽電池を製造し、その開放電圧ｙ ｏ
ｃｖ−１短絡型流密度ｒ ｓｃ、及び変換効率ηをそれ
ぞれ測定したところ、上記実施例と同様な結果を得た。
層に代えて、光導電率σｐｈが１０−６Ω−＋ Ｃｍ−
１以上のｉ型アモルファス窒化硅素層を１０ｎｍ形成し
たアモルファス太陽電池を製造し、その開放電圧ｙ ｏ
ｃｖ−１短絡型流密度ｒ ｓｃ、及び変換効率ηをそれ
ぞれ測定したところ、上記実施例と同様な結果を得た。
［効果］
以上、詳述したように本発明は、ペテロ接合のアモルフ
ァス太陽電池のｉ型層であって、ｐ型層との接合部に近
い部分に、該ｐ型層と同程度の禁止帯幅を有する１型ア
モルファス半導体層を介在させることによって、短絡電
流を減少させることなく開放電圧を向上させ、もって、
変換効率を改善したアモルファス太陽電池である。
ァス太陽電池のｉ型層であって、ｐ型層との接合部に近
い部分に、該ｐ型層と同程度の禁止帯幅を有する１型ア
モルファス半導体層を介在させることによって、短絡電
流を減少させることなく開放電圧を向上させ、もって、
変換効率を改善したアモルファス太陽電池である。
実施例に述べたところからも明らかなように、本発明の
太陽電池では、いわゆるワイドギャップ窓効果による高
い開放電圧を（ｑるために必要とされる膜厚を、ｐ型ア
モルファス半導体層と、ｐ−１接合部に形成したｉ型ア
モルファス半導体層とによって確保している。
太陽電池では、いわゆるワイドギャップ窓効果による高
い開放電圧を（ｑるために必要とされる膜厚を、ｐ型ア
モルファス半導体層と、ｐ−１接合部に形成したｉ型ア
モルファス半導体層とによって確保している。
また、該ｉ型アモルファス半導体層を形成したことによ
って、ｐ型アモルファス半導体層を比較的薄くできるた
め、該ｐ型アモルファス半導体層でのキャリア再結合を
低減でき、短絡電流の減少を防止できる。
って、ｐ型アモルファス半導体層を比較的薄くできるた
め、該ｐ型アモルファス半導体層でのキャリア再結合を
低減でき、短絡電流の減少を防止できる。
したがって、本発明のアモルファス太１１ｎｆｆｉ池に
よると、高い変換効率を達成できる。
よると、高い変換効率を達成できる。
！
第１図は、本実ｆＩＩ！ｉ例のアモルファス太陽電池の
断面を模式的に示す図である。第２図（、ｔ、上δ己へ
テロ接合のアモルファス太陽電池において、ｐ型アモル
ファス炭化硅素層の膜厚ｔを変えた場合における開放電
圧ｖＯＣ及び短絡電流Ｉ ＳＯの変化を示すグラフであ
る。第３図は、Ｉ型アモルファス炭化硅素層の膜厚を変
えた場合における知略電流ＩＳＣと、開放電圧ＶＯＣと
の変化を示すグラフである。 １・・ｒガラス基板＋ ２・・・透明電極３・・・ｐ
型アモルファス炭化硅素層 ４・・・ｉ型アモルファス炭化硅素層 ５・・・ｉ型アモルファスシリコン層 ６・・・ｎ型アモルファスシリコン層 ７・・・背面電極
断面を模式的に示す図である。第２図（、ｔ、上δ己へ
テロ接合のアモルファス太陽電池において、ｐ型アモル
ファス炭化硅素層の膜厚ｔを変えた場合における開放電
圧ｖＯＣ及び短絡電流Ｉ ＳＯの変化を示すグラフであ
る。第３図は、Ｉ型アモルファス炭化硅素層の膜厚を変
えた場合における知略電流ＩＳＣと、開放電圧ＶＯＣと
の変化を示すグラフである。 １・・ｒガラス基板＋ ２・・・透明電極３・・・ｐ
型アモルファス炭化硅素層 ４・・・ｉ型アモルファス炭化硅素層 ５・・・ｉ型アモルファスシリコン層 ６・・・ｎ型アモルファスシリコン層 ７・・・背面電極
Claims (3)
- （１）１表面に透明電極の形成された透明基板からなる
受光層と、 前記透明電極上に形成され、１．９〜２．０ｅｖの光学
的禁止帯幅を有するｐ型アモルファス半導体図と、 該ｐ型アモルファス半導体図上に形成され、１．９〜２
．０ｅｖの光学的禁止帯幅を有するｉ型アモルファス半
導体層と、 該ｉ型アモルファス半導体層上に形成されたｉ型アモル
ファスシリコン層と、 該ｉ型アモルファスシリコン層上に形成されたｎ型アモ
ルファスシリコン層と、 該ｎ型アモルファスシリコン層上に形成された背面電極
と、 を有することを特徴とするアモルフアス太陽電池。 - （２）前記特許請求の範囲第１項において、前記ｐ型ア
モルファス半導体、及び前記ｉ型アモルファス半導体は
、アモルファス炭化硅素またはアモルファス窒化硅素で
あるアモルファス太陽電池。 - （３）前記特許請求の範囲第１項において、前記ｉ型ア
モルファス半導体層の膜厚は、５〜１０ｎｍであるアモ
ルファス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008297A JPS62166576A (ja) | 1986-01-18 | 1986-01-18 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008297A JPS62166576A (ja) | 1986-01-18 | 1986-01-18 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166576A true JPS62166576A (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=11689221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61008297A Pending JPS62166576A (ja) | 1986-01-18 | 1986-01-18 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62166576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011011301A2 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Applied Materials, Inc. | A mixed silicon phase film for high efficiency thin film silicon solar cells |
-
1986
- 1986-01-18 JP JP61008297A patent/JPS62166576A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011011301A2 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Applied Materials, Inc. | A mixed silicon phase film for high efficiency thin film silicon solar cells |
| WO2011011301A3 (en) * | 2009-07-23 | 2011-05-05 | Applied Materials, Inc. | A mixed silicon phase film for high efficiency thin film silicon solar cells |
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