JPS62159576A

JPS62159576A - 固体撮像装置

Info

Publication number: JPS62159576A
Application number: JP61000418A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Tanaka; 正一田中
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1986-01-06
Filing date: 1986-01-06
Publication date: 1987-07-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明はＭ　ＯＳ固体撮像装置に関し、特にローノイズ
及１０Ｓ固体撮像装置に関する。

背景技術垂直信号線（ＶＳＬ）と水平信号線（ＩＩＳ［、［、）
を有する固体撮像装置（以下においてＭ　ＯＳ固体撮像
装置と略称される。）として多くの形式が提案されてい
る。ｖ　ｓ　ｒ、と水平信号線０１　Ｓ　Ｌ　）を接続
するＭ　ＯＳ固体撮像装置は純ＭＯ８固体撮像装置また
は午にＭ　ＯＳ固体撮像装置と呼ばれる。Ｖ　Ｓ　Ｌの
信心−電荷が不完全転送ゲートと容量と水平走査手段を
備えるＭ　ＯＳ固体撮像装置はＭ　ＯＳ転送固体撮像装
置と呼ばれろ。ＭＯ３固体撮像装置において、画素は一
般に接合容ｒ＋１またはＭＯ８容７．１である。画素容
Ｆ！ｔがＭ　ＯＳ　’８　ｆｉｔであるＭ　ＯＳ固体撮
像装置において、垂直走査回路は一般に画素容ｈｔとＭ
　ＯＳ容；１１を接続する垂直スイッチのゲートに接続
されるが、Ｖ　Ｓ　Ｌと画素容量の間に一定の電位を持
つ電位障壁を設置し、そしてＭ　ＯＳ容量のＭｎ９ノ？
−１、−＋！ｉｉ；ノー＋ｎｉ占Ｂ％＝ｒｉａｌリタ＋
−トー＝−ｒ閉３ｍ−ｊ−１事も可能である。また一般
に画素容量の信号電荷は直接にＶＳＬに出力されるが、
画素容量の信号電荷をコンデンサを介してＶＳＬに出力
する事も可能である。本出願人によって出願された特出
６０−２７４１１７、昭和６０年１２月３０日出願の特
許願は本発明の先行出願である。

上記のＭＯ８固体撮像装置は競争技術であるＣＣＤ固体
撮像装置に比較して、構造が簡単てあろので、製造プロ
セスがｌ１ｔｌであり、製造コストを低減できる利点を
持つ。更に、電荷転送動作が不要なので、クロック電力
と暗゛心流ノイズが小さく、転送損失が発生しない利点
を持つ。特に、Ｍ　ＯＳメモリとほとんど同じ製造プロ
セスを持つ事は大きな利点である。

発明の開示り記の先行技術にも拘わらず、ＭＯ３固体撮像装置は特
有のノイズを持ち、その為に競争技術であるＣＣＤ固体
撮像装置に比較してＳＮ比（感度）が悪い欠点を持つ。

従って、本発明の目的はＭＯ８固体撮像装置のノイズの
低減である。上記の目的を達成する為に、本明細書は２
個の独立発明を開示する。各独立発明は深い相互関係を
持つので以ドに−・緒に説明される。ただし、第２独立
発明はＶ　Ｓ　Ｌ　、！：　水平ＣＯＤを持つハイブリ
ッド固体撮像装置（一般にＣＩ）　Ｄ固体撮像装置と呼
ばれる。）にム応用できる。

各発明のＪｌ（本釣な特徴が以下に説明される。

以下余白（１）、　複数の画素と、複数の垂直信号線（ＶＳＬと
略称される。）と、水平信号線（Ｈ５Ｌと略称される。

）と、画素の（３号をｖ　ｓ　Ｌ、に出力する手段（＠
真出力手段と略称される。）と、Ｖ　Ｓ　Ｌの信号をＨ
Ｓ　Ｌに出力する手段（水平出力手段と略称される。）
を備える固体撮像装置（上記の限定を持つ固体撮像装置
は以下においてＭＯ３固体撮像装；ξと略称される。）
において、上記の１１　Ｓ　Ｌは第１の期間に非信号電圧を出力し
、そしてその後の第２期間に信号電圧を出力ｊ２、そし
て上記の非信号電圧と信号型ＦＥの差を検出セろ弔を特
徴とする固体撮像装置。

（２）、　上記のＶＳＬはソースホロワ動作を実施する
トランジスタ（ＳＦ’ｒと略称される。）のゲート電極
と、ＶＳＬを一定電圧にリセットするリセットスイッチ
（ＲＳと略称される。）の主電極に接続され、そして上
記の水平出力手段は上記のＳ　Ｆ　Ｔと、そして水平走
査回路によって順番に選択される水平走査スイッチ（ト
Ｉｓと略称される。）を備える一ＩＣを特徴とする第１
項記載の固体撮像装置。

（３）、　上記のＶＳＬとＩＩ　Ｓ　Ｌは水平走査回路
によって順番に選択されるＭ　Ｓによって接続される事
を特徴とする第１項記載の固体撮像装置。

（４）、複数のＨＳ　Ｌを備え、そして第１のＨＳＬは
奇（仰）散水乎走査期間に信号電圧を出力し、偶（市）
数水平走査期間に非信号電圧を出力し、そして第２のＨ
Ｓ　Ｌは奇（偶）数水平走査期間に非信号電圧を出力し
、そして偶（奇）数水平走査期間に信号電圧を出力し、
そして上記の非信号電圧は約１１１期間遅延される事を
特徴とする第１項記載の固体撮像装置。

（５）、　第１のＨＳ　Ｌの非信号電圧を遅延する遅延
回路と、第２のＩＴ　Ｓ　Ｌの非信号電圧を遅延する遅
延回路は共通である°ｌ（を特徴とする第４項記載の固
体撮像装置。

（６）、　　ＶＳＬは酌（偶）数水平帰線期間にリセッ
トされるｌを特徴とする第４項記載の固体撮像装置。

（７）、　垂直方向に隣接する複数の画素によって構成
される画素列を複数個備え、そして１画素列の各画素の
信ぢ一電荷はその両側に設置された２ＶＳ　Ｌのとしら
かに出力される１１を特徴とする第１項記載の固体撮像
装置。

（８）、Ｒ９を介してＶＳＬをリセットするリセット電
源とＳ　Ｆ　Ｔのドレン電極に接続されるドレン電源は
共通である事を特徴とする第２項記載の固体撮像装置。

（９）、　　Ｖ　Ｓ　Ｌに蓄積されるノイズ電荷か多い
時に、各水平帰線期間にＶＳＬをリセ・ノトオる事を特
徴とする第２項記載の固体撮像装置。

（１０）、　　垂直帰線期間にＶ　Ｓ　Ｌに蓄積される
ノイズ電荷量を検出し、そしてそれが大きい時に次の！
旧直走杏期間内の各水平帰線期間に各ＶＳＬをリセット
し、そして上記のノイズ電百量か小さい時に、各ＶＳＬ
は次の垂直走査期間内の分（偶）数水平帰線期間にリセ
ットされる事を特徴とオろ第９項記載の固体撮像装置δ
１゜（ＩＩ）、１水平走査期間に１画素行の信η電荷を出力
し、そして信号電荷量か多い時に、水平帰線期間内のリ
セット動作の前に非選択画素行の信号７ｕ尚を順番にＶ
ＳＬに出力する事を特徴とする第２項記載の固体撮像装
置。

（１２）、　　Ｉ水平走査期間に１画素行の信号？ｉ圧
を出力するＭＯ３固体撮像装置において、画素に蓄積さ
れる信＞Ｂ　４ｉ＋’、；ｒか多い時に、水平帰線期間
に非選択画素行の信ぢ電荷をＶ　Ｓ　Ｌに出力し、そし
てその後で各Ｖ　Ｓ　Ｌの信号電荷を排出４−る事を特
徴と４゛る固体撮像装置。

各発明の詳細な特徴と効果が以下に説明される。

独ｘｒ発明ｌ、クレームＩＭＯ９Ｏ９固体撮像装置いて、重要なノイズはＶＳ　Ｌ
の熱雑音（いわゆるＫＴＣノイズ）Ｑｔ−４００ｒであ
る。ただし、ＣｖはＶＳＬの容Ｍである。上記のＫ　’
Ｉ’　Ｃノイズは２回のサンプリングによ−て約１．・
１倍になる。ＭＯ８固体撮象装置ξの他のｉＲ要なノイ
ズは水平走査スイッチ（ＲＳ）が発生する水平走ｈノイ
ズ、ブルーミングノイズ、スミアノイズ、そして各ＶＳ
Ｌごとの暗′１毛流のばらつきノイズである。上記のノ
イズを除去する／）に、本発明は信号型（ｔニアを持っ
ＶＳＬの電圧（信号電圧）をＨＳ　Ｌに出力する第１期
間と、信号電荷を持ｌ＝ないＶＳＬの電圧（非信号電圧
）をｌ−［Ｓ　Ｌに出力オろ第２期間を設定し、そして
同じＩＩ　Ｓ　Ｌから胃なる期間に出力される同じＶＳ
Ｌの信号電圧と非信号型ＦＥの差を検出する事を特徴と
する。好ましい実施例において、最初に非信号電圧が出
力され、そして上記の非信号電圧が一定期間遅延される
。

そして両者の差電圧が検出される。このましい実施例に
おいて、除去されるべきノイズ電圧はｌ−Ｔ　ＳＩ７か
ら出力される信号電圧と非信号電圧の両方に等しく含ま
れる。その結果、両者の停電王は上記のノイズ電圧を含
まない、、もちろん、非信号電圧と信号電圧が異なる比
率で除去されるべきノイズ電圧を含む７１［は可能であ
る。

従属発明１．クレーム２クレーム１の好ましい実施例において、Ｖ　Ｓ　Ｌの信
号電圧をＩＩ　Ｓ　Ｌに出力する水平Ｗ力手段はソース
ホロワ動作（ドレン接地動作）を実施する電界効果トラ
ンジスタ（Ｓ　ｒ’　Ｔと略称される。）と、上記のｓ
　Ｆｔ’からＨＳ　Ｉ、に出力される電流を制御する水
゛ト走杏スイッチ（Ｉｔｓ）を含む。一般に」−記の両
者は直列に接続される。モしてＶｓＬはりセプトスイ・
ノヂ（Ｒ８）を介して一定の電源に接続される。

このようにすれば、ノイズの小さなＭＯ８固体撮像装置
を製造する事ができろ。即ち、に記の■えＳを導通し、
遮断した後で上記のＶ　Ｓ　Ｌの非信号型ＴＩ：、（Ｖ
　ｎと略称される。）をｒ−ｒ　ｓ　ｒ、に出力する。

次に画素からＶ　Ｓ　Ｌに信号電荷を出力し、その後で
、上記のＶ　Ｓ　１．の信号電圧（Ｖｓと略称される。

）をＨＳ　Ｌに出力する。その結果、先に出力された非
信号電圧に含まれろＫ　′ｒ　Ｃノイズと後に出力され
る信号電圧に含まれるＫ　ＴＣノイズは同しである。

なぜなら、ＶＳＬにはＲ８が遮断される時に上記のＫ　
’Ｔ’　Ｃノイズを受は取り、その後でＶ　Ｓ　Ｌから
非信号電圧Ｖｎと信号電圧Ｖｓを出力する時に」−記０
）　ＲＳは遮断されているからである。更に、」〕記の
Ｓ　Ｆ　’Ｉ’のしきい値Ｉπ圧Ｖｔのばらつきは■二
足の減算によって除去される。なぜなら、ＴＩ　Ｓ　Ｌ
の非信号電圧Ｖｎ’と信号電圧Ｖｓ“は同じ大きさのし
きい値電圧Ｖｔを含むからである。さらに、あるＶＳ　
Ｌかりセットされてから非信号電圧をＨＳ　Ｌに出力す
るまでの期間をｔｌ、そしてリセットされてから信号電
圧をＨＳ　Ｌに出力オろまでの期間を［２とずれば、停
電ｒｆＶ　ｓ“−Ｖｎ’に含まれろブルーミングノイズ
とスミアノイズと暗、Ｕ流ノイズは大体トー記の期間差
ｔ２−１１に比例し、その結果−１４記の各ノイズは低
減される。モしてｔｌ　＝ｔ２においてそれらのバラツ
キノイズをのぞいて、」−記の各ノイズは除去される。

本実施例の他の効果はＶＳＬから出力される信号電圧Ｖ
ｓの平均値が従来＋１７）　Ｍ　ＯＳ固体撮像装置のそ
れよりも大幅に大きいｉｌｌである。叩ち従来の純ＩＶ
ｆＯＳ固体撮像装置において、Ｖ　Ｓ　ＬとＩＩ　Ｓ　
Ｌを急速に放電するｌ）にＶＳＩ７とＩＩ　Ｓ　Ｌの容
；、ｉｌ、　＋ｊ小さな放電抵抗によ−）で放電される
。その結果、信号電圧波形はＣＲ放電、π波形になり、
＼１１均信号電圧は小さくなる。本発明によれば゛［均
信鱈′ｉｙ　ＩＩ：、が大きいので、従来のＭＯ８固体
撮像装置よりアンプまたは−Ｉ−記の放電屯低抗または
ＩＩ　Ｓの熱熱准音が相対的に小さくなる。もちろん、
Ｓ　Ｉ”　′［’またはＩＩ　Ｓの熱ノイズは（ｆ在す
るが、それらは低域フィルタ（ＬＰＦ）によって帯域制
限する事によって低減可能である。

従属発明２．クレーム３り１／−ム１の池の実施例において、ＶＳＬとＨＳｒ１
を＋１　Ｓで接続する純ＭＯ５固体撮象装置が使用され
る。その結果、Ｖｎ’に含まれる水平走査ノイズとｖＳ
に含まれる水平走査ノイズは同じであり、両者の差電圧
はｌ−［Ｓから発生ずる水平走査ノイズを含まない。更
に従属発明ｌと同じ理由で暗電流ノイズ、ブルーミング
ノイズ、スミアノイズも低減または除去できる。

即ち、１２とＬｌを同しに設定すれば、ブルーミングノ
イズ、スミアノイズ、暗電流ノイズはそれらのばらつき
ノイズをのぞいて、ヒ１：己の減算（こよっタレ−Ａ　
Ｉの好ましい実施例において、復改の１ｒＳ［、か設置
される。そして第１　ＩＩ　Ｓ　Ｌは奇（偶）数水平走
査期間にＶｓ’を出力し、偶（奇）数水平走査期間にＶ
ｎ’を出力する。そして第２１１　Ｓ　Ｌは奇（偶）数
水平走査期間にＶｎ’を出力し、偶（奇）数水宇走査期
間にＶｓ’を出力ずろ。そして３１Ｕ　Ｓ　＋、、のＶ
ｎ′はそれぞれ約１１１期間遅延された後て、同しＨ３
ｌ、から出力されるＶｓから減算される。このようにす
れば回路を筒中にでき、クロック周波数を低減できる。

従属発明４．クレーム５クレーム４の好ましい実施例において、第１Ｉ−ＩｓＬ
のＶｎ’と第２　＋−Ｉ　Ｓ　Ｉ、のＶｎ’は同じ遅延
回路で交互に遅延される。このようにすれば遅延回路を
節約できる。

従属発明５．クレーム６クレーム２とクレーム４の好ましい実施例において、特
定のＶＳＬは奇（偶）数水平帰線期間にＲｓによって一
定の電圧にリセットされる。ただし、」１記の「奇（偶
）数」は奇数または偶数のどちらかを０味゛４゛る。好
ましい実施例において第１のＶ　Ｓ　Ｌ肝は奇数水平帰
線期間にリセットされ、そして次の水平走査期間に各Ｖ
ＳＬのＶｎが順番に出力される。そして次の水平帰線期
間に上記の各ＶＳＬに信号電荷かＩｔ人され、そして次
の水平走査期間に１、記の各ＶＳＬのＶｓが順番に出力
される。そして第２１−Ｉ　Ｓ　Ｌは偶数水平帰線期間
にリセットされ、そして次の水平走査期間に」１記の３
ｖｓ＋、のＶｎか順番に出力される。そして次の水平帰
線期間に１−記の各Ｖ　Ｓ　ｔ、に信号電荷がｆＰ：、
人され、そして次の水平走杏１…間に［聾己の各Ｖ　Ｓ
　Ｌ　Ｑ）Ｖ　ｓが順番に出力される。このようにずれ
ば、Ｖｓ’とＶｎ’の減算によって、８　Ｖ　Ｓ　Ｌの
ＫＴＣノイズとそして各ＳＦＴのしきい値電圧■【のば
らつきノイズは除去される。さらに、Ｉｔ　ＳとＳ　Ｆ
　”Ｉ’のＩ／ｆノイズし低減される。

従属発明６　クレーム７クレーム１の好ましい実施例において、垂直方向に配列
される１画素列の各画素の信号電荷はその両側に設置さ
れる２木のＶＳＬ、のどちらかに出力される。このよう
にすれば、１画素列の信号電荷をＬ記の画素列の片側に
配列された２木のｖ　ｓ　Ｌ。

に出力゛４゛る実施例に比較して、ＶＳＬと垂直走査ス
イッチの接続が簡？ｒになる。

従属発明７．クレーム８クレーム２の好−ましい実施例において、■ｔＳの主心
極に接続されるトレン電源とＳ　Ｆ　Ｔのトレン電源は
共通てある。このようにすれば、電源設計を簡１１ｊに
でき、そして電源線の配線を筒中にてきる。

従属発明８．クレーム９クレー１．２の好ましい実施例において、Ｖ　Ｓ　ｔ、
に混入するノイズ電荷が多い時に、Ｖ　Ｓ　ｔ、は各水
平帰線期間毎にリセットされる。そして奇（偶）数水平
帰線期間の次の水平走査期間に各ＶＳＬの非信号型ＩＦ
　Ｖ　ｎがＨＳ　Ｌに出力され、そしてその後の偶（奇
）数水平帰線期間に一上記のりセント動作の後で各ＶＳ
Ｌに信号電荷が注入される。そしてその後の水・＋１走
査期間に各ＶＳＬのＶｓが順番にＩｔ　ＳＬに出ノ〕さ
れる。このようにすれば、ｖ　ｓ　ｒ、のＫＴＣノイズ
は除去できないが、ｇｖｓ＋、に蓄積されるブルーミン
グノイズとスミアノイズと暗電流ノイズはそれらのばら
つきノイズをのぞいて除去される。らちるん、ＳＦＴの
しきい値電圧Ｖｔのばらつきら除去される７従属発明９．クレームＩＯクレーム９の好ましい実施例において、垂直帰線ＩＵ１
間にＶＳＬに注入されるノイズ尼尚弓１が検出される。

そして、上記のノイズ電４ｉｉ　Ｒ１か大きい時に、タ
レーム９を実施してブルーミングノイズ、スミアノイズ
、暗？ｆＸ　ＭＬノイズなどのノイズとＳ　Ｆ　ＴのＶ
Ｌのばらつきノイズを除去Ａ゛ろ。そしてｌ二足のノイ
ズ電Ｇ：ｉ　ｎｌが小さい時に、クレーム６を実施して
、Ｖ　Ｓ　ＬのＫ　’Ｉ’　Ｃ／イズとＳＦＴのＶｔの
ばらつきノイズを除去ずろ。このようにすれば、非席に
〔Ｊ−ノイズのＭ　ＯＳ固体撮像装置を設計する事がで
きる。即ち、一般にブルーミングノイズまたはスミアノ
イズが発生−おるのは、信号゛電荷１１が多い時てあり
、Ｋ　Ｔ　Ｃノイズを除去できなくてもＳＮ比企晶＜推
持できる。そして上記のブルーミングノイズまたはスミ
アノイズか７１１（い時に、Ｋ　ＴＣノイズが除去され
る。クレーム１０の好ましい実施例において、垂直帰線
期間に各Ｖ　Ｓ　Ｌ間のノイズの差の絶対値が検出され
る。そして、ノイズのばらつきが大きい時に、クレーム
９が実施され、そしてノイズのばらつきが小さい時に、
クレーム６が実施される。このようにすればブルーミン
グノイズ＋スミアノイズ→−暗電流ノイズの各Ｖ　Ｓ　
Ｌ間のばらつきが大きい時にクレーム９によってそれら
は相段され、そして上記のばらつきが小さい時にクレー
ム６によって、ＶＳＬのＫ　Ｔ　Ｃノイズが除去され、
ローノイズのＭ　ＯＳ固体撮像装置を設計できる。

従属発明１０．クレーム１１１水平走査期間に１画素行の信号電荷を出力するクレー
ム２の好ましい実施例において、信号電荷量が多い時に
、選択される画素行に近接する非選択画素行の信号電荷
が水平帰線期間にＶＳＬに出力される。そしてその後で
上記の信号電荷を持っＶＳＬはリセツトされる。このよ
うにすれば、高照度時に、信号電荷の蓄積期間を１フレ
一ム期間から約１フイールド期間に短縮できるので、画
像の動解像度を改善できる。そして低照度時にフレーム
蓄積モードの採用によって、ＳＮ比を改善できる。クレ
ームＩＩのこのましい実施例において、第Ｎフィールド
（垂直走査）期間の平均信号電荷量または最大信号電荷
量か測定される。そしてそれか大きい時に、クレーノ、
ｌ！が実施され、それが小さい時にクレーム１１は実施
されない。クレーム１１の他の利点は非選択画素行の信
号電荷を水平帰線期間にＶ　Ｓ　Ｌを介して除去ずろに
ら拘イつら「、Ｖ　Ｓ　ＬのＫ　′ｒ　Ｃノイズ（リセ
ットノイズ）を除去できるＩｔである。

従１．・４発明１１゜クレーム２の好ましい実施例において、水平出力手段は
Ｓ　Ｆ　Ｔと、そのソース電極とＩ−Ｉ　Ｓ　Ｉ、を接
続するＩＩ　Ｓであり、そしてｌ−Ｔ　ＳとＳ　Ｉ”　
’ｒ’のヂャンネルは高濃度拡散領域なしに直接接続さ
れる。このようにすればＩＩ　Ｓのサンプリング時に発
生ずるに’Ｉ’　Ｃノイズを除去できろ）１１点がある
。また、上記のＳＦＴまたはＩＩ　Ｓのヂャンネルをバ
ルクヂャンネルとする１１ｔら可能である。

独立発明２、クレーム１２クレーム１１に開示されるＭＯＳ固体撮像装置の残像低
減技術は従来のＭＯＳ固体撮像装置にら応用てきろ。即
ち、信号電荷量が大きい時に、水平帰線期間に選択画素
行に近接する非選択画素行の１３号電荷をＶＳＬに出力
し、そしてＶ　Ｓ　Ｌに存在する上記の信号ｉｔ：　（
ｕｆを除去する。そしてその後で選択画素行のイ５号重
重！：ｊを各Ｖ　Ｓ　Ｌに出力し、そして次の水平走査
期間に各ＶＳＬの信号型イ：１　＆　ＨＳＩ、に順番に
出力する。このようにすれば、高、［Ｉ６度時に残像を
低減でき、低ｊ、１度時にＳＮ比を改善できろ。

発明を実施するための最良の形態図１はクレーム３の１実施例を表す等価回路ヌ１てある
。２画素列Ｘ　ｌ１画素行の画素１（ａからｄ、ａ“か
らｄｏ）はそれぞれ垂直走査スイッチ２（ａからｄ、ａ
’から（ｊｏ）によってＶ　Ｓ　Ｌ　３　（ａ、ａ’　
、ｂ、ｂ’）に接続されている。そして各画素行の垂直
走査スイッチのゲート電極はそれぞれ垂直走査線４　（
ａからｄ）とインタレース制御スイッチ５（ａからｄ）
を介して垂直走査回路６の各出力接点６　（ａ、ｂ）に
接続されている。

そしてＲＶ　Ｓ　Ｌ　３　（ａ、ａ’　、ｂ、ｂ’　）
はそれぞれ水平走査スイッチ（ＩＩ　Ｓ　）　７　（ａ
、ａ’　、ｂ、ｂ’　）を介してＨＳ　Ｌｌ０．１０°
に接続されている。そして各ＨＳのゲート電極は水平走
査回路＋１の各出力接点＋１（ａ。

ｂ）に接続されている。この純ＭＯ３固体撮像装置は１
水平走査期間に１画素行の信号電荷をＨＳ　Ｌｌ　０．
１０’によって交７Ｅに出力する。図１の純ＭＯ８固体
撮像装置の基本的な動作が以下に説明される。奇数フィ
ールド期間の水平帰線期間に？′！ｒ敗画素行の垂直走
査線は順番に奇数画素行の垂直スイッチ（垂直走査スイ
ッチ）を導通させ、そして導通された垂直スイッチに接
続される画素の（Ａ重重Ａは半分のＶＳＬ、に出力され
る。即ち、奇数フィールド期間の奇（偶）数番目の水平
帰線期間に奇数番口のＶ　Ｓ　Ｌに第Ｍ画素行のイへ重
重（：：）が出力され、そして偶（奇）数番目の水平帰
線期間に偶数番目のＶ　Ｓ　Ｌに第Ｍ−１−２画素行の
信号電荷が出力される。

偶数フィールド期間において、同様の動作が実施され、
偶数画素行の信号電荷かＶ　Ｓ　Ｌに出力される。そし
て水平走査期間に各ＶＳＬの電圧はＨＳによって、１１
ＳＬＩＯ，ＩＯ’のどちらかに出力される。図４は図Ｉ
のＭＯ３固体撮像装置の動作図である。２３ＣはＨＳ　
Ｌ　Ｉ　Ｏの信号状態を表し、２３ｄはｌｌ５ＬＩＯ’
の信号状態を表す。即ち、６ＨＳ　Ｌは交互に信号電圧
Ｖｓ’とノイズ電圧Ｖｎ’を出力する。ただし、Ｖ　ｓ
’　、　Ｖ　ｎ’はＨＳ　Ｌの電圧てあり、Ｖｓ、Ｖｎ
はＶＳＬの電圧である。図２は図１のＭＯ３固体撮像装
置の出力電圧を処理オろ信号処理回路図である。１．ｒ
ｓ　Ｌ　Ｉ　Ｏ，，１０°はそれぞれ負荷素子（放電抵
抗）＋　８．＋　８°を介して一定電源Ｖｄに接続され
る。そして各Ｉｔ　Ｓ　Ｌは電圧増幅アンプ＋　２．１
２’を介して切り替えスイッチ１３（ａ、ｂ、ａ’　、
ｂ’）に接続される。負荷素子１８．１８゜を省略して
アンプ＋　２．＋　２°のフィードバック抵抗を介して
アンプの出力接点からＨＳ　Ｌに？ＩＸ流を（Ｊｌ、給
する事ら可能である。切り替えスイッチ１３ａ、Ｉ３ａ
’の出力接点は加減算回路１７の＋接点に接続される。

そして切り替えスイ・ソチ＋３ｂ、１３５′の出力接点
は加算回路１４と低域フィルタ（ＬＰＦ）Ｉ　５ａとＣ
ＣＤ　Ｉ　ｔ＋遅延回路Ｉ６を介して加減算回路１７の
一接点に接続される。図２の回路が以下に説明される。

切り替えスイッチ！３ａ、１３ｂ、Ｉ　３ｂ’、Ｉ　３
ａ’は水平帰線期間に切り替えられる。そして１３ａ、
Ｉ３ａ’は信号“−［圧を導通させ、ノイズ電「〔（非
信号電圧）を遮断する。切り替えスイッチ＋３ｂ、＋３
ｂ’はノイズ電圧を導通させ、信号電圧を遮断する。た
だし、図１において、１：３ａ、１３ａ’かノイズ電圧
を導通し、＋３ｂ、＋３１１’か信号電圧を導通する事
も可能である。図４の２３ｃ、２３ｄから分かるように
、１３ａ、＋３ｂ’と１３ａ’、＋３ｂは交互に導通ず
る。従って、加算２；１４はＨ９ＬＩＯ，ＩＯ’のノイ
ズ電圧を水平走査期間毎に交互に出力する。ＬＰＦ　Ｉ
　５ａはノイズ電圧に含まれる不要な高周波成分を除去
する。これはＣＧＤ　Ｉ　Ｈ遅延回路の入力接点に設置
されるサンプリングゲートが発生ずるＫ　Ｔ　Ｃｍ音を
低減する効果を持つ。従って加減算回路１７は同じＶＳ
Ｉ２の信号電圧とノイズ電圧の差を検出する。その結果
、１７から出力される差電圧はＩ−Ｉ　Ｓの水平走だ蓄
Ｖ’を性ノイズ電圧（ブルーミングノイズ電圧とスミア
ノイズ電圧と暗電流ノイズ電圧を１口味する）を含む。

同じＶＳＬの隣接する２個の水平期間（水平帰線期間＋
水平走査期間）に発生ずる蓄積性ノイズ電圧はほとんど
同じであるから、両者は１７の減算によってはとんと除
去される。ただし、当然り記の蓄積性ノイズ電圧のばら
つきは除去できない。ＬＰＦ１５ａによって発生する遅
延は＋　１．１遅延回路１６によってｈｌｉ償できる事
は当然である。

ＩＩ　Ｓ　Ｌの電圧状態２３ｃ、２３ｄが以下に詳しく
説明される。各水平帰線期間の時刻ｔ２に水平走査回路
１１が全ＩＩ　Ｓを導通させ、全ＶＳＬはＨＳ　Ｌｌ　
０．１０’に接続され、全ＶＳＬは一定電圧にリセット
される。もちろん谷Ｖ　Ｓ　Ｌと電源Ｖｄの間にそれぞ
れ特別のりセントスイッチを付加し、それを導通させろ
′■ち可能である。そして全［−ｒ　Ｓまたは全すセソ
トスイノヂを遮断して全■ＳＬを浮遊状聾にした後で、
時刻ｔ３に垂直走査回路６は１画素行の信号電荷を奇（
偶）数行番目のＶＳＬに出ノ〕する。そして次の水平走
査期間に各ＶＳｌイの信号電圧Ｖｓまたはノイズ？［ｆ
庄ＶｎがＩＩ　Ｓ　！、に出力される。Ｌ記のリセット
動作の重要な利点はＶＳｌ、のＫ　Ｔ　Ｃノイズが低減
できろ事である。即ち、乙し］−記のりセント動作を実
施しない場合、ｉＫ水甲走査期間に１７番ｌ］のＶＳＬ
から出力されるノイズ１［圧ＶｎはＫ　Ｔ　Ｃ電荷量　
ｋｔｃ　Ｉ　−Ｑ　ｋｔｃ２を含み、そして次のに→−
１水平水平走間にＬ番目のＶＳ　Ｌから出力される信号
電圧ＶｓはＫＴＣ電荷ＱｋＬｃ２−　Ｑ　ｋｔｃ３を含
む。従って両者の差電圧は２ｘＱｋｔｃ２成分を含む。

そして差電圧に含まれるＫ　Ｔ　Ｃ電荷はσ×４００響
Ｔになる。ら１−、リセット動作を実在すれば、Ｖｎに
含まれるＫ　ＴＣ市向とＶｓに含まれるＫ　Ｔ　Ｃ？Ｔ
ｉ　？、ｆは上記の逆相関を全く持にないので、差電圧
に含まれるＫ　ｉ’　Ｃ電荷は約２×４００口になる。

そして１〕記のリセット動作によって信号型ＩＥとノイ
ズ電工に含まれろ蓄積性ノイズ電圧は当然低紘される。

図１の純ＭＯ９固体撮像装置において、信号電荷”ｉｔ
が多い時（高い、照度時）の信号処理動作が図４の２３
ａ、２３ｂによって説明される。即ち、木毛帰線期間の
時刻【３に選択される画素行に隣接する画素行の信号電
荷が時刻ｔ１にＶ　Ｓ　Ｌに出力される。そして時刻ｔ
２にＶ　Ｓ　Ｌに出力された上記の非選択画素行の信号
電荷はＨＳ　Ｌに排出される。

図１で説明すれば、奇数フィールド期間に垂直走龜線４
ａ、４ｃが時刻ｔ３に垂直スイッチを導通させ、そして
偶数フィールド期間に垂直走査線４ｈ、４ｄが時刻ｔ３
に垂直スイッチを導通させろと仮定ずろ。その結果、制
御スイツチ５ａか時刻ｔ３に導通する水１１帰線期間の
時刻ｔｌに制御スイッチ５ｂが導通し、そして垂直走査
回路６は画素ｔ　ｂ、　＋　ｂ’の信号電荷をＶＳＬに
出力する。同様に、５Ｃが時刻Ｌ３に導通する水平帰線
期間の時刻ｔ＋に５ｄが導通する。同様に時刻ｔ３に５
ｂが導通する水平帰線期間の時刻ｔ１に５ａが導通する
。同碌に時刻ｔ３に５ｄが導通する水平帰線期間の時刻
ｔ１に５０が導通オろ。このようにすれば時刻ｔ２にリ
セット動作を実施する１ｒｉに、選択画素行に隣接する
画素行の信号電荷を同じｖ　ｓ　ｒ、に出力でき、モし
てＶ　Ｓ　Ｌに出力された信号電荷をリセットできる。

従って、各画素は約１フイールド期間信号電荷を蓄積ず
ろ。その結果、各画素のダイナミックレンジは２倍にな
り、残像は低減される。ただし、図１の実施例では奇数
フィールド期間に出力゛される信号゛電荷の蓄積時間と
偶数フィールド期間に出力される信号電荷のＫＩ積待時
間少し穴なる。上記のざｉ待時間の差は小さいので実用
−Ｌ問題は無いが、Ｌ記の蓄積時間差を除去ずろには奇
（個）数円素行を制御する第１垂直走査回路と偶（奇）
数円素行を制御する第２垂直走査回路を使用し、そして
選択画素行の上または下に隣接する画素行の信号電荷を
常に排出すれば良い。図３は信号電荷量の大きさを検出
する回路を表す。図２の１７の出力接点はＬＰＦＩ５ｂ
を介して可変アンプ２２と比較器１つに接続される。＋
５ｂは１６または各ＨＳまたはアンプで発生する高周波
ノイズを除去する。

比較器１９は１５ｂから出力される信号電圧と参照電圧
Ｖｒｘを比較する。そして信号電圧がＶｒｘより大きい
時に１９は１を出力し、そうでない時に０を出力する。

２ビツトメモリ２０の第１ヒツＩ・は１９から出力され
るデジタル信号を５己憶、する。

そして上記のデンタル信号は次の垂直帰線期間に次の第
２ビツトに移送される。そして次の垂直走査期間にデジ
タルメモリの第２ビＪトは可変アンプ２２の増幅率を制
御する。即ち、２０が１を出力−４°ろ時の２２の増幅
率は２０がＯを出力する時の増幅率の２倍になる。そし
て２０が１を出力するフィールド期間に図４の２３ａ、
２３ｂに記載されるフィールド石積動作が実施され、２
０がＯを出力するフィールド期間に図４の２３Ｃ，２３
（Ｉに記載されるフレーム蓄積動作が実施される。

なお、図４の２３ａはＨ８ＬＩＯの信号状態を表し、２
３ｂは！ｌ５ＬＩＯ’の信号状態を表す。

図１の純ＭＯ８固体撮像装置は重要な多くのノイズを低
減するが、その大きな問題はＶＳＬのＫＴＣノイズか大
きい事とＩＩ　Ｓ　Ｌの平均信号電圧が小さい事である
。この問題は図５に記載されるクレーム２の１実施例等
価回路図によって改善される。

図５のＭＯ８固体撮像装置は基本的に図１の純ＭＯ８固
体撮像装置と同じである。従って、画素ｌ（ａ“、ｂ’
、ｃ’Ｊ’）を持つ画素列を説明ずろ。図１と図４の違
ＬＬ　ハＩ−ｒ　ｓ　（りとえば７　ｂ、　７　ｂ”）
カＳ　Ｐ　Ｔ　（７，：とえば２７　ｂ、２７　ｂ’）
を介してドレン電源２６に接続され、そして各Ｖ　Ｓ　
Ｌがリセットスイッヂ（たとえば２５　ｂ、２５　ｂ’
）を介してドレン電源２６に接続される事である。図５
のＭ　ＯＳ固体撮像装置の基本動作が図６の信号状態図
で説明される。２８ａはｌ（Ｓ　Ｌ　Ｉ　Ｏの信号状態
図であり、２８ｂはＨ８ＬＩＯ’の信号状態図である。

ｍ＋　ｌ水平帰線期間に奇数番目のＶ　Ｓ　Ｌ　（たと
えば３ｂ’）はＲ５（たとえば２５ｂ’）によって一定
電圧Ｖｄｘにリセットされ、そして偶数番Ｌ１のＶＳＬ
（たとえば３ｂ）にＩＲ直定走査回路よって選択された
１１ｉＴｑ素行（たとえば１ｂ°）の信号電荷が出力さ
れる。当然リセットスイッヂＲＳ　（たとえば２５ｂま
たは２５ｂ’）は水゛ト帰線期間にだけ導通される。そ
して各ＶＳＬの電圧はＳ　Ｉ”　Ｔのゲート電極に加え
られる。そして各Ｓ　Ｆ　Ｔのソース電圧は水平走査回
路１１が順番に１１８を導通させる事によって、Ｉ−Ｉ
　Ｓ　Ｌ　Ｉ　０　。

１０′に出力される。従って、次のＭ＋１水平走ｉＸ　
！ｇ１間に、１１　Ｓ　Ｌ　Ｉ　Ｏ！、：偶数番［：１
　ｔ７）　Ｖ　Ｓ　Ｉ−ノ信号心圧か順番に出力され、
ＩＩ　Ｓ　Ｌ　Ｉ　Ｏ’に奇数番［１のＶ　Ｓ　Ｌの非
信号電圧が順番に出力される。次のｍ１２水平帰線期間
に、偶数番［１のｌえＳ（たとえば２５ｂ）は偶数番目
のＶ　Ｓ　Ｌ　（たとえば３ｂ）をリセットし、そして
奇数番目のＶＳＬ（たとえば３ｂ°）に画素１ｄ’の信
号電荷が出力される。そして次のＭ十２水平走査期間に
、ＩＩ　Ｓ　Ｌ　Ｉ　Ｏに偶数番口のＶＳＬの非信号電
圧が順番に出力され、そしてＩＩ　５ＬＩＯ’に奇数番
目のＶＳＬの信号電圧が順番に出力される。従って、図
６の２８ａ、２８ｂがら分かるように、ＨＳ　Ｌ　Ｉ　
Ｏ、Ｉ　Ｏｏはそれぞれ非信号電工Ｖｎ’と信号電圧Ｖ
ｓ”を交互に出力する。モしてＲ８は２水平帰線期間に
１回導通ずるので、ある水平走査期間に出力される信号
電圧Ｖｓ’に含まれるＶＳＬのＫ　Ｔ　Ｃ電圧は直前の
水平走査期間に出力される非信号電圧Ｖｎ“に含まれる
ＶＳＬのに′ｒＣ電圧と同しである。従って、図２の回
路で非信号型ＩＥをｌｌｌｌ０１間遅延して、Ｖ　ｓ’
　−Ｖ　ｎ’を検出すれば各Ｖ　Ｓ　ＬのＫ　Ｔ　Ｃ電
圧は除去できる。ただし、上記のＫＴＣ電圧はＲＳの遮
断時にＶＳＬに発生される。また、上記の差電圧の検出
によって、各ｓ　ｒｒ　］’のしきい（にｊ１電圧Ｖｔ
のばらつきら除去できろ。そして上記の差電圧にはＩ　
＋−１期間の蓄積時間を持つ、ソ；積性ノイズ電圧が混
入する。図７は上記の蓄積性ノイズの大きさを検出する
回路を表す。

垂直帰線期間に、図２の加減算回路Ｉ７がら出力される
差電圧はＬＰＦ１５ｂを介して比較器１９に入力され、
比較器１９は差電圧と参照電圧Ｖｒｘを比較する。垂直
帰線期間に１７がら出力される停電ＬＥはＩ　１１期期
間　Ｓ　Ｌに蓄積された蓄積性ノイズ電圧だけを表すか
らそれがＶｒｘより大きい時に比較器１９は１ビツトの
デジタルメモリ２０ａに１を出力する。そして差電圧が
参照電圧Ｖｒｘより小さい時に１９は０を出力する。そ
して２０ａが１を出力する時に、図６の２８ｃ、２８ｄ
に表される動作が実施される。即ち、２８ｃは２８ａに
おいて、各水平帰線期間の時刻ｔ２にＲ８を導通させる
“ドを表し、２８ｄは２８ｈにおいて、６水Ｔ’　Ａｉ
）線期間の時刻ｔ２にＲ８を導通させる事を表す。従っ
て、谷水平帰線期間の時刻ｔ２に総てのＶＳＬはＲＳに
よってリセットされる。そして上記の全Ｒ８が遮断され
た後の時刻ｔ３に信号電荷が奇数番目のＶＳＬまたは偶
数番目のＶ　Ｓ　Ｌに出力される。

このようにすれば、ＩＩ　Ｓ　Ｌの信号電圧Ｖｓ’に含
まれろ蓄積性ノイズ電圧と、ＨＳ　Ｌの非信号電圧Ｖｎ
゛に含まれる蓄積性ノイズ電圧の蓄積時間は等しくなる
劇＝ｌ目暗。従って、同しＶＳＬがら出力されるＶｓ’
とＶｎ’の差電圧を検出する事によって、蓄積性ノイズ
電圧はほとんど除去される。ただし、図６の２８ｃ、２
８ｄによって表される動作モートにおいて、ＶＳＬのＫ
　’ｌ’　Ｃ電圧は除去できない。

しかし、蓄積性ノイズ特に最ら有害なブルーミングノイ
ズとスミアノイズは高照度時に発生するので、信号電荷
ら１は比較的大きく、ＫＴＣ電圧を除去できなくてｂＳ
Ｎ比は悪くない。なお、本発明のＭＯＳ固体撮像装置に
おいて、画素容量を接合容１１１とする時、」二足の接
合容積は信号電荷が０である時に完全に空乏化する事が
好ましい。この低ｄ５度ＰＮ接合形成プロセスでＳ　Ｆ
ＴまたはＨＳのハルクヂャノ不ルを作る゛）ｆら可能で
ある。

図５のＭＯＳ固体撮像装置において、図３で表されるフ
ィールド蓄積動作を実施する事は当然可能である。即ち
、図６の２８ｃ、２８ｄにおいて、時亥１１　ｔ　３に
信号電荷をＶＳＬに出力する水平帰線期間の時刻ｔ１に
、隣接する非選択画素行の信号型６１を同じＶ　Ｓ　Ｌ
に出力すれば良い。そして信号電荷の大きさを検出する
回路は図７の比較回路を共用できろ。ただし、比較器１
９は垂直帰線期間に蓄積性ノイズ電圧の大きさを検出し
、そして垂直帰線期間に信号電荷の大きさを検出する。

従って、垂直帰線期間と１７ｊ直走査期間で比較器１９
に入力する参照電圧Ｖｒｘは変更する必要がある。そし
てそして図７の比較器１つの出力信号は垂直走査ｊす１
間に図３のデジタルメモリ２０に記憶される。

図８は図５において、画素をＭ　ＯＳ　’８　ｍとし、
モして６垂直走査線４　（ａからｄ）を上記のＭ　ＯＳ
容量のＭＯＳゲート電極に接続し、そして上記のＭＯＳ
　８　Ｆ＋’Ｉの信号電荷を蓄積する第２電極を一定の
電位を持つ電位障壁４０．４０°を介してＶ　Ｓ　Ｌに
接続した実施例を表す。上記の電位障壁４０．＝ＩＯ。

はＭＯＳゲート電極によって作られ、そして」二足のＭ
ＯＳゲート電極は制御線４１．４１’によって制御され
る。そして、奇数水平帰線期間に４１が中間電位を持ち
、そして４１’か浅い電位を持つ。

モして偶数水平帰線期間に４１が浅い電位を持ち、４１
゛が中間電位を持つ。ただし、中間電位は浅い電位より
信号電荷を通過させやすい電（ｑを３味する。そして垂
直走査回路は各水平帰線期間に各垂直走査線に深い電位
を与え、各ＭＯ５容墳に信号電荷を蓄積する。ただし、
深い電位はＭＯ９容喰が最も信号電荷を多く蓄積できる
電位を色味する。そして垂直走査回路は１水平・層線期
間に隣接する２本の垂直走査線に浅い電位を与え、上記
の２木の垂直走査線に接続されるＭＯ５容…容量号電荷
は中間電位を持つ電位障壁を越えて奇数番目のまたは偶
数番目のＶＳＬに出力される。このようにすれば、隣接
する２画素行の信号電荷を加算してとちらかのＶＳＬに
出力でき、＋１ｉ仮力ラー固体撮像装置において周知で
あるフィールド蓄積モートの色フィルタ配列を採用でき
る。当然、奇数水平走査期間に仝（偶）数番目のＶＳＬ
が信号電圧を出力し、偶（奇）数番目のＶＳＬか非信号
電圧を出力する。そして偶数水平走査期間に奇（偶）数
番目のＶ　Ｓ　Ｉ、か非信号電圧を、偶（奇）数番目の
ＶＳＩ７が信号電圧を出力する。具体的な敗値例が以下
に記載される。ただし信号電荷は電子である。

図１と図５において、垂直走査回路６の出力パルス電圧
は約＋６Ｖ、その保持電圧は約ＯＶ７図８において、信
号電荷を持たないＭ　ＯＳ　：＃ｍ（たとえば１ａ°）
は信号電荷転送期間に約ＯＶ、信号電荷保持期間に約→
−５Ｖ、制御スイッチのゲート電圧Ｖａ、Ｖｂは約＋８
Ｖ、図１の固体撮像装置から信号電圧を受は取る図２の
回路において、Ｖｃｌは約＋５ｖ、図５と図８の固体撮
像装置がら信号電圧を受は取る図２の回路において、Ｖ
ｃｌは約ＯＶ、水・ト走査回路の出力パルス電圧は約＋
６■、図５と図８において、２６のドレン電圧は約＋５
■、図８の電位障壁４０，４０°のチャノ不ル電位は約
＋３Ｖである５ＬＰＦＩ５ａはＩ＋−１遅延回路が入力
電圧に含まれる高周波ノイズ電圧をサンプリング４゛ろ
′１１を防ぐ。

【図面の簡単な説明】

図１は本発明のＭ　ＯＳ固体撮像素子のＩ実施例等価回
路図である。図２は図１の固体撮像素子から出力される
信号を処理するブロック回路図である。図３は図２の信号処理回路から出力される（２号を処理
するブロック回路図である。図４は図１の水平信号線（
ｌＩｓＬ）の信号状態図である。図５は本発明のＭ　Ｏ
Ｓ固体撮像素子の他の実施例を表す等ｆ＋ｆｆｉ回路図
である。図６は図５の水平信号線（Ｈ３Ｌ　）の信号状
態図である。図７は図５のＭ　ＯＳ固体撮像素子から出
力される信号を処理するブロック回路図である。図８は
本発明のＭ　ＯＳ固体撮像又Ｇ１りｂ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）、複数の画素と、複数の垂直信号線（ＶＳＬと略
称される。）と、水平信号線（ＨＳＬと略称される。）
と、画素の信号をＶＳＬに出力する手段（垂直出力手段
と略称される。）と、ＶＳＬの信号をＨＳＬに出力する
手段（水平出力手段と略称される。）を備える固体撮像
装置（上記の限定を持つ固体撮像装置は以下においてＭ
ＯＳ固体撮像装置と略称される。）において、上記のＨＳＬは第１の期間に非信号電圧を出力し、そし
てその後の第２期間に信号電圧を出力し、そして上記の
非信号電圧と信号電圧の差を検出する事を特徴とする固
体撮像装置。
（２）、上記のＶＳＬはソースホロワ動作を実施するト
ランジスタ（ＳＦＴと略称される。）のゲート電極と、
ＶＳＬを一定電圧にリセットするリセットスイッチ（Ｒ
Ｓと略称される。）の主電極に接続され、そして上記の
水平出力手段は上記のＳＦＴと、そして水平走査回路に
よって順番に選択される水平走査スイッチ（ＨＳと略称
される。）を備える事を特徴とする第１項記載の固体撮
像装置。
（３）、上記のＶＳＬとＨＳＬは水平走査回路によって
順番に選択されるＨＳによって接続される事を特徴とす
る第１項記載の固体撮像装置。
（４）、複数のＨＳＬを備え、そして第１のＨＳＬは奇
（偶）数水平走査期間に信号電圧を出力し、偶（奇）数
水平走査期間に非信号電圧を出力し、そして第２のＨＳ
Ｌは奇（偶）数水平走査期間に非信号電圧を出力し、そ
して偶（奇）数水平走査期間に信号電圧を出力し、そし
て上記の非信号電圧は約ＬＨ期間遅延される事を特徴と
する第１項記載の固体撮像装置。
（５）、第１のＨＳＬの非信号電圧を遅延する遅延回路
と、第２のＨＳＬの非信号電圧を遅延する遅延回路は共
通である事を特徴とする第４項記載の固体撮像装置。
（６）、ＶＳＬは奇（偶）数水平帰線期間にリセットさ
れる事を特徴とする第４項記載の固体撮像装置。
（７）、垂直方向に隣接する複数の画素によって構成さ
れる画素列を複数個備え、そして１画素列の各画素の信
号電荷はその両側に設置された２ＶＳＬのどちらかに出
力される事を特徴とする第１項記載の固体撮像装置。
（８）、ＲＳを介してＶＳＬをリセットするリセット電
源とＳＦＴのドレン電極に接続されるドレン電源は共通
である事を特徴とする第２項記載の固体撮像装置。
（９）、ＶＳＬに蓄積されるノイズ電荷が多い時に、各
水平帰線期間にＶＳＬをリセットする事を特徴とする第
２項記載の固体撮像装置。
（１０）、垂直帰線期間にＶＳＬに蓄積されるノイズ電
荷量を検出し、そしてそれが大きい時に次の垂直走査期
間内の各水平帰線期間に各ＶＳＬをリセットし、そして
上記のノイズ電荷量が小さい時に、各ＶＳＬは次の垂直
走査期間内の奇（偶）数水平帰線期間にリセットされる
事を特徴とする第９項記載の固体撮像装置。
（１１）、１水平走査期間に１画素行の信号電荷を出力
し、そして信号電荷量が多い時に、水平帰線期間内のリ
セット動作の前に非選択画素行の信号電荷を順番にＶＳ
Ｌに出力する事を特徴とする第２項記載の固体撮像装置
。
（１２）、１水平走査期間に１画素行の信号電圧を出力
するＭＯＳ固体撮像装置において、画素に蓄積される信号電荷が多い時に、水平帰線期間に
非選択画素行の信号電荷をＶＳＬに出力し、そしてその
後で各ＶＳＬの信号電荷を排出する事を特徴とする固体
撮像装置。