JPS62159493A - 基板上の伝導性パタ−ンの製造方法 - Google Patents
基板上の伝導性パタ−ンの製造方法Info
- Publication number
- JPS62159493A JPS62159493A JP61308070A JP30807086A JPS62159493A JP S62159493 A JPS62159493 A JP S62159493A JP 61308070 A JP61308070 A JP 61308070A JP 30807086 A JP30807086 A JP 30807086A JP S62159493 A JPS62159493 A JP S62159493A
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- JP
- Japan
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- manufacturing
- substrate
- laser
- conductive pattern
- laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1136—Conversion of insulating material into conductive material, e.g. by pyrolysis
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
光皿皇及五立国
本発明は、例えば回路基板の製造において使用されるよ
うな、ポリマーの基板上の伝導性のパターンを製造する
方法に関する。
うな、ポリマーの基板上の伝導性のパターンを製造する
方法に関する。
主皿少背景
例えばプリント回路基板のようなポリマーの基板上の伝
導性のパターンは、典型的には、そのような基板上に取
付けられた部品間を相互接続するために使用される。こ
れらの伝導性のパターンを製造するためにいくらかの方
法が使用されているが、これらの方法の内の2つの方法
であるドライフィルムイメージングとスクリーンプリン
ティングを以下簡単に説明する。
導性のパターンは、典型的には、そのような基板上に取
付けられた部品間を相互接続するために使用される。こ
れらの伝導性のパターンを製造するためにいくらかの方
法が使用されているが、これらの方法の内の2つの方法
であるドライフィルムイメージングとスクリーンプリン
ティングを以下簡単に説明する。
ドライフィルムイメージングは、典型的には、以下のス
テップを含む。無電解銅を基板上に堆積する。(基板は
、接続用の穴を設けてもよく、この場合、酸性銅を、穴
を介して余分な銅を加えるために基板に流す)。銅メッ
キされた基板は焼成され、銅コーテイング上にドライフ
ィルムフォトレジストが適用される。そして、フォトレ
ジストは、アートワークによりパターン化された光化学
作用を持つ光に露出される。露出されたフォトレジスト
は現像され、露出されなかったレジストは除去され、そ
して、さらされた銅は、エツチングで除去される。
テップを含む。無電解銅を基板上に堆積する。(基板は
、接続用の穴を設けてもよく、この場合、酸性銅を、穴
を介して余分な銅を加えるために基板に流す)。銅メッ
キされた基板は焼成され、銅コーテイング上にドライフ
ィルムフォトレジストが適用される。そして、フォトレ
ジストは、アートワークによりパターン化された光化学
作用を持つ光に露出される。露出されたフォトレジスト
は現像され、露出されなかったレジストは除去され、そ
して、さらされた銅は、エツチングで除去される。
スクリーンプリンティングは、フレームを超えて伸びる
精密波構造物に取付けられた写真製版法の刷込み型を使
用する。刷込み型は、感光乳剤中に構造物を浸し、選択
された領域を光化学作用をもつ光にさらすことにより構
造物に取付けられる。
精密波構造物に取付けられた写真製版法の刷込み型を使
用する。刷込み型は、感光乳剤中に構造物を浸し、選択
された領域を光化学作用をもつ光にさらすことにより構
造物に取付けられる。
光にさらされた領域は、水中で不溶性となる。その後、
構造物は水洗いされオープンメツシュの領域を残す。レ
ジストは、刷込み型を介して、メッキされた基板上に強
制的に押し進められ、レジストは、オープンメツシュを
介してのみ通過する。
構造物は水洗いされオープンメツシュの領域を残す。レ
ジストは、刷込み型を介して、メッキされた基板上に強
制的に押し進められ、レジストは、オープンメツシュを
介してのみ通過する。
この基板は、その後腐食液にさらされる。この腐食液は
、レジストでカバーされないで残ったメッキ層の部分を
エツチング除去する。
、レジストでカバーされないで残ったメッキ層の部分を
エツチング除去する。
これらの工程のより詳しい説明は、R,H,クラーク(
R,H,C1ark)による書籍「プリント回路製造の
ハンドブックJ (Handbook of Pr1
ntedCircuit Manufacturing
)、パン ノストランドレインホルド(Van No5
trand Re1nhold Co、+)1985゜
を参照のこと。
R,H,C1ark)による書籍「プリント回路製造の
ハンドブックJ (Handbook of Pr1
ntedCircuit Manufacturing
)、パン ノストランドレインホルド(Van No5
trand Re1nhold Co、+)1985゜
を参照のこと。
主尻皇塁翌
本発明は、ポリマーの基板上へ伝導性パターンを製造す
る方法であり、このパターンは、局部に制限されたレー
ザ加熱を行った際に生ずる表面物質の分解から得られる
伝導性カーボンを含む。伝導性パターンは、レーザビー
ム又は基板又は双方を動かすことにより形成される。結
果として生ずるパターンは、例えばプリント回路に相等
する相互接続及び接点に使用できる。伝導性パターンは
、任意に金属性伝導体物質でメッキされる。
る方法であり、このパターンは、局部に制限されたレー
ザ加熱を行った際に生ずる表面物質の分解から得られる
伝導性カーボンを含む。伝導性パターンは、レーザビー
ム又は基板又は双方を動かすことにより形成される。結
果として生ずるパターンは、例えばプリント回路に相等
する相互接続及び接点に使用できる。伝導性パターンは
、任意に金属性伝導体物質でメッキされる。
註狙ム聚所
第1図において、レーザ11、焦点レンズ14、ポリマ
ーの基板13及びX−Yプログラマブルテーブル又はス
テージ12が示される。
ーの基板13及びX−Yプログラマブルテーブル又はス
テージ12が示される。
第2図において、レーザ21、可動ミラー22、X−Y
プログラマブルテーブル23及び高分子の基板24が示
されている。ミラー22は、基板22にわたってレーザ
ビームを照射するように動かすことができ、所望のパタ
ーンが描かれる。逆に、パターンはテーブル23を動か
すことによって描くことができる。
プログラマブルテーブル23及び高分子の基板24が示
されている。ミラー22は、基板22にわたってレーザ
ビームを照射するように動かすことができ、所望のパタ
ーンが描かれる。逆に、パターンはテーブル23を動か
すことによって描くことができる。
例えば、フェノールホルムアルデヒドのようなフェノー
ル類の物質は、本発明に従った処理のための適当な基板
物質の1つである。ポリイミド、フルフリルアルコール
タイプポリマー、アクリロニトリル又は高いチャー(c
har)収量を得るために効率的に分解する他のポリマ
ーでも適する。カプトン(Kapton) (E、 1
.デュポン化学製造)及びカコール(Quacorr)
(クアーカオーツ化学製造)(Quaker 0at
s Chemical)は、特に、商用の物質の1つで
ある。好ましい基板は、レーザ波長の光を効率的に吸収
するという特性を有す。このような特性は、例えば、カ
ーボン、タルク、綿、又は木の粉末のような充填物質が
含まれることにより影響を受ける。結果としてのこの合
成物質は、また、高い粘着力を有す高密度カーボンチャ
ーを生ずる1頃向にある。
ル類の物質は、本発明に従った処理のための適当な基板
物質の1つである。ポリイミド、フルフリルアルコール
タイプポリマー、アクリロニトリル又は高いチャー(c
har)収量を得るために効率的に分解する他のポリマ
ーでも適する。カプトン(Kapton) (E、 1
.デュポン化学製造)及びカコール(Quacorr)
(クアーカオーツ化学製造)(Quaker 0at
s Chemical)は、特に、商用の物質の1つで
ある。好ましい基板は、レーザ波長の光を効率的に吸収
するという特性を有す。このような特性は、例えば、カ
ーボン、タルク、綿、又は木の粉末のような充填物質が
含まれることにより影響を受ける。結果としてのこの合
成物質は、また、高い粘着力を有す高密度カーボンチャ
ーを生ずる1頃向にある。
Nd 二YAG レーザ、COアレーザ或は他の適当な
波長の連続波レーザは、本発明の使用に適するレーザの
1つである。放射のパワー密度を変化させる点に関して
、レンズによりビームを絞ったり、広げたりすることが
できる。ビームを広げることは、物質の融除(abla
tion)及び非伝導性チャーが生ずることになる過度
の高いパワー密度を避ける点において利益がある。熱的
に形成されたカーボンの融除は、描く速度が高い場合で
さえ生ずる。
波長の連続波レーザは、本発明の使用に適するレーザの
1つである。放射のパワー密度を変化させる点に関して
、レンズによりビームを絞ったり、広げたりすることが
できる。ビームを広げることは、物質の融除(abla
tion)及び非伝導性チャーが生ずることになる過度
の高いパワー密度を避ける点において利益がある。熱的
に形成されたカーボンの融除は、描く速度が高い場合で
さえ生ずる。
CO□レーザで描く場合、スレシホールドバワー密度は
、はぼ104ワツト/ci(ビームスポットサイズが1
.5X10−2.Jlで総出力15ワツト)である。そ
して、ND : YAG レーザを用いる場合にも当て
はまる。ビームを広げることにより、低いパワー密度と
なり、そして融除が減少する。レーザ操作は、Tmo。
、はぼ104ワツト/ci(ビームスポットサイズが1
.5X10−2.Jlで総出力15ワツト)である。そ
して、ND : YAG レーザを用いる場合にも当て
はまる。ビームを広げることにより、低いパワー密度と
なり、そして融除が減少する。レーザ操作は、Tmo。
モード又は他のマルチモードででき、後者は、融除効果
を最小にする点において好ましいということができる。
を最小にする点において好ましいということができる。
ビームを広げることは、伝導通路の電気的抵抗に直接影
響を与えるということが発見された。しかしながら、そ
のような影響は相対的に弱いというごとが発見された。
響を与えるということが発見された。しかしながら、そ
のような影響は相対的に弱いというごとが発見された。
ビームを広げることに関して電気的抵抗がそのように相
対的に無感覚になることにより、伝導通路を例えば電話
送受話器表面のような、非2次元の表面に直接描くこと
ができる。
対的に無感覚になることにより、伝導通路を例えば電話
送受話器表面のような、非2次元の表面に直接描くこと
ができる。
カーボンの抵抗率は、銅の抵抗率より高いが(銅10−
bΩ/cmに対してカーボン10−3Ω/crQ)、本
発明により作られた伝導性パターンは、種々の分野に使
用することができる。例えば、伝導通路は、電話のキー
バッドのように、16Ω/ cmより小さい抵抗をもつ
ように容易に実現できる。
bΩ/cmに対してカーボン10−3Ω/crQ)、本
発明により作られた伝導性パターンは、種々の分野に使
用することができる。例えば、伝導通路は、電話のキー
バッドのように、16Ω/ cmより小さい抵抗をもつ
ように容易に実現できる。
本発明は、また、回路基板間の電気的相互接続用に使用
されるモールドプロッタ上に伝導通路を作るためにも使
用することができる。そのようなブロックは、フェノー
ル類の成形物の場合のように本質的に硬くてもよく、或
は、例えばカプトン(Kapton)のような適当なポ
リイミドから作られた成形物の場合のように、柔軟でも
よい。同様に、本発明は、モジュール/ドータ(Mod
ule/daughter)基板に適用でき、伝導性エ
ポキシは接着に便利である。
されるモールドプロッタ上に伝導通路を作るためにも使
用することができる。そのようなブロックは、フェノー
ル類の成形物の場合のように本質的に硬くてもよく、或
は、例えばカプトン(Kapton)のような適当なポ
リイミドから作られた成形物の場合のように、柔軟でも
よい。同様に、本発明は、モジュール/ドータ(Mod
ule/daughter)基板に適用でき、伝導性エ
ポキシは接着に便利である。
本発明に従った処理は、特に特定の伝導性パターンが相
対的にほとんど特徴的部分を含まないような場合にプリ
ント回路に代わる低価格の装置の製造方法となる。そし
て、本発明はまた、基板内に刻まれた抵抗素子を作るの
にも用いることができる。
対的にほとんど特徴的部分を含まないような場合にプリ
ント回路に代わる低価格の装置の製造方法となる。そし
て、本発明はまた、基板内に刻まれた抵抗素子を作るの
にも用いることができる。
劃−」−
1,06μmの放射波長のNd : YAG レーザ(
クアントロニクス(口uan tron ix)モデル
117が、裸の側面上のフェノールフォルムアルデヒド
のペーパ積層物(銅クラツドPR−2) (coppe
r−clad FR−2)よりなるサンプルを照射する
のに使用された。レーザは焦点距離60mm+のレンズ
で操作され、そして、絞られたビームは6.8 X 1
0−’cnTのスポットサイズであった。パターン形成
は、はぼ3顛/秒の速度でプログラマブルX−Yテーブ
ル(アノラド1 )(Anorad 1 )によりポリ
マーの基板を動かし、電子シャッタでレーザをオン/オ
フすることにより達成された。実験は、サンプルをグロ
ーブバッグ内に密封することにより、そして、安定的に
窒素ガスを流すことにより、窒素雰囲気中で行なわれた
。反応ガスは、排気シュノーケルから継続的に除去され
た。直線抵抗(数オーム/ cm )が、4端子法を用
いて計測された。1cm離間された2つの内側端子間の
電圧降下は、ケイスリモデル619 (Keithl
y Model 619)エレクトロメータマルチメ
ータを用いて計測された。2つの外部プローブは、ケイ
スリモデル220電流源により供給される定電流を流し
、各電圧プローブの外側約1鰭のところに位置されてい
る。レーザパワーレベルはサイエンチク(Scient
ec) 36−02パワーエネルギメータにより決定
される。IOWのレーザパワーで、約6.75Ω/ c
mの直線抵抗の伝導性カーボン通路が得られた。同様に
、15及び25Wのレーザパワー読取値で、それぞれ約
4.5及び3.0Ω/cnの直線抵抗の伝導性カーボン
通路が得られた。
クアントロニクス(口uan tron ix)モデル
117が、裸の側面上のフェノールフォルムアルデヒド
のペーパ積層物(銅クラツドPR−2) (coppe
r−clad FR−2)よりなるサンプルを照射する
のに使用された。レーザは焦点距離60mm+のレンズ
で操作され、そして、絞られたビームは6.8 X 1
0−’cnTのスポットサイズであった。パターン形成
は、はぼ3顛/秒の速度でプログラマブルX−Yテーブ
ル(アノラド1 )(Anorad 1 )によりポリ
マーの基板を動かし、電子シャッタでレーザをオン/オ
フすることにより達成された。実験は、サンプルをグロ
ーブバッグ内に密封することにより、そして、安定的に
窒素ガスを流すことにより、窒素雰囲気中で行なわれた
。反応ガスは、排気シュノーケルから継続的に除去され
た。直線抵抗(数オーム/ cm )が、4端子法を用
いて計測された。1cm離間された2つの内側端子間の
電圧降下は、ケイスリモデル619 (Keithl
y Model 619)エレクトロメータマルチメ
ータを用いて計測された。2つの外部プローブは、ケイ
スリモデル220電流源により供給される定電流を流し
、各電圧プローブの外側約1鰭のところに位置されてい
る。レーザパワーレベルはサイエンチク(Scient
ec) 36−02パワーエネルギメータにより決定
される。IOWのレーザパワーで、約6.75Ω/ c
mの直線抵抗の伝導性カーボン通路が得られた。同様に
、15及び25Wのレーザパワー読取値で、それぞれ約
4.5及び3.0Ω/cnの直線抵抗の伝導性カーボン
通路が得られた。
■−1
実験は、例1と類似して行なわれ、焦点距離12cn+
のレンズを介して裸の側面上の銅クラツドFR−2より
なるサンプルを照射するために10.6μmの放射波長
のCCg レーザ(スペクトラ−フィシツクモデル42
)(Spectra−Physics Model 4
2)が使用された。レーザビームは、1.51 X 1
0−’dのスポットサイズをもっていた。約3鶴/秒の
速度でプログラマブルテーブルを動かし、20及び30
Wのレーザパワー読取値で行うことにより、それぞれ約
9.4及び4.1Ω/aaの直線抵抗の伝導性カーボン
通路が得られた。同様に、約50/秒のテーブル速度で
、そして、20及び30Wのレーザパワー読取値で行う
ことにより、それぞれ、約11及び6.3Ω/cmの直
線抵抗の伝導性カーボン通路が得られた。
のレンズを介して裸の側面上の銅クラツドFR−2より
なるサンプルを照射するために10.6μmの放射波長
のCCg レーザ(スペクトラ−フィシツクモデル42
)(Spectra−Physics Model 4
2)が使用された。レーザビームは、1.51 X 1
0−’dのスポットサイズをもっていた。約3鶴/秒の
速度でプログラマブルテーブルを動かし、20及び30
Wのレーザパワー読取値で行うことにより、それぞれ約
9.4及び4.1Ω/aaの直線抵抗の伝導性カーボン
通路が得られた。同様に、約50/秒のテーブル速度で
、そして、20及び30Wのレーザパワー読取値で行う
ことにより、それぞれ、約11及び6.3Ω/cmの直
線抵抗の伝導性カーボン通路が得られた。
■−主
実験は、例1と類似して行なわれ、ポリフルフリルアル
コールのサンプルを照射するために、放射波長1.06
.crmのNd : YAGレーザ(インスタマーク社
製造)が使用されたくポリフルフリルアルコールは、ク
アコール(Quacorr)樹脂1001を3%クアコ
ール触媒(Catalyst) 2001 )で混合
し、混合物を温度60℃で1時間、90℃で2時間、そ
して、120℃で1時間硬化させることにより作られる
)。レーザは、焦点距離80鶴のレンズで操作された。
コールのサンプルを照射するために、放射波長1.06
.crmのNd : YAGレーザ(インスタマーク社
製造)が使用されたくポリフルフリルアルコールは、ク
アコール(Quacorr)樹脂1001を3%クアコ
ール触媒(Catalyst) 2001 )で混合
し、混合物を温度60℃で1時間、90℃で2時間、そ
して、120℃で1時間硬化させることにより作られる
)。レーザは、焦点距離80鶴のレンズで操作された。
X−Yプログラマブルテーブルを11龍/秒の速度で動
かし、12W及び19Wのレーザパワー読取値で行うこ
とにより、それぞれ12及び10Ω/c11の直線抵抗
の伝導性カーボン通路が得られた。
かし、12W及び19Wのレーザパワー読取値で行うこ
とにより、それぞれ12及び10Ω/c11の直線抵抗
の伝導性カーボン通路が得られた。
奥−土
例1に示されたように作られた電気的に伝導性のあるパ
ターンは、電気メッキにより、0.8モル(molar
)ニッケル塩化物中にリットルあたり50gのH1PO
4とリットルあたり5グラムのH2PO3が溶解された
電解槽から燐化ニッケルでメッキされる。電流密度は約
150mA/−である。そして、約1分間継続してメッ
キされる。メッキされた通路は、燐化ニッケルの銀白色
の様相を持っていた。
ターンは、電気メッキにより、0.8モル(molar
)ニッケル塩化物中にリットルあたり50gのH1PO
4とリットルあたり5グラムのH2PO3が溶解された
電解槽から燐化ニッケルでメッキされる。電流密度は約
150mA/−である。そして、約1分間継続してメッ
キされる。メッキされた通路は、燐化ニッケルの銀白色
の様相を持っていた。
第1図は、本発明を実施するための装置;第2図は、本
発明を実施するための他の装置である。 〔主要部分の符号の説明〕 レーザ ・・・11 テーブル ・・・12 ポリマーの基板・・・13 焦点レンズ ・・・14 FIG、 2
発明を実施するための他の装置である。 〔主要部分の符号の説明〕 レーザ ・・・11 テーブル ・・・12 ポリマーの基板・・・13 焦点レンズ ・・・14 FIG、 2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも表面部が本質的にポリマー物質よりなる
基板上の伝導性のパターンの製造方法において、前記表
面部にレーザビームを向け、前記表面部上のポリマー物
質の選択された部分のパターンを描くように前記ビーム
と前記基板とを相対移動させ、 前記物質の選択された部分の熱的分解を生ぜしめるよう
に前記移動を制御し、 これにより前記選択された部分が、電気的に伝導性のあ
るカーボン物質に変換されることを特徴とする基板上の
伝導性パターンの製造方法。 2、特許請求の範囲第1項に記載の方法であって、前記
レーザビームが光学レンズを横切ることを特徴とする製
造方法。 3、特許請求の範囲第2項に記載の方法であって、前記
レーザビームが前記レンズによって焦点がぼかされるこ
とを特徴とする製造方法。 4、特許請求の範囲第1項に記載の方法であって、前記
レーザビームが可動ミラーによって偏向されることを特
徴とする製造方法。 5、特許請求の範囲第1項、第2項、第3項又は第4項
に記載の方法であって、前記レーザビームがCO_2レ
ーザ又はNd:YAGレーザによって作られることを特
徴とする製造方法。 6、特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項又
は第5項に記載の方法であって、前記電気的に伝導性の
ある選択された部分に金属をメッキすることを特徴とす
る製造方法。 7、特許請求の範囲第1項から第6項までのいずれかに
記載された方法であって、前記基板が回路基板であるこ
とを特徴とする製造方法。 8、特許請求の範囲第1項から第6項までのいずれかに
記載の方法であって、前記基板が相互接続ブロックであ
ることを特徴とする製造方法。 9、特許請求の範囲第1項から第6項までのいずれかに
記載の方法であって、前記基板がモジュール/ドータ基
板であることを特徴とする製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US814986 | 1985-12-31 | ||
US06/814,986 US4691091A (en) | 1985-12-31 | 1985-12-31 | Direct writing of conductive patterns |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62159493A true JPS62159493A (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=25216536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61308070A Pending JPS62159493A (ja) | 1985-12-31 | 1986-12-25 | 基板上の伝導性パタ−ンの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4691091A (ja) |
EP (1) | EP0230128A3 (ja) |
JP (1) | JPS62159493A (ja) |
CA (1) | CA1253629A (ja) |
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