JPS6215449A - マイクロガスセンサ - Google Patents
マイクロガスセンサInfo
- Publication number
- JPS6215449A JPS6215449A JP15548485A JP15548485A JPS6215449A JP S6215449 A JPS6215449 A JP S6215449A JP 15548485 A JP15548485 A JP 15548485A JP 15548485 A JP15548485 A JP 15548485A JP S6215449 A JPS6215449 A JP S6215449A
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- JP
- Japan
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- gas
- sensitive
- film
- gaseous
- gas sensor
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明はガスの棟類を選択して感知する小型にして消費
電力の小さいガスセンサに関するものである。
電力の小さいガスセンサに関するものである。
「従来の技術」
現在市販されている都市ガス及びプロパンガス11′報
器は、約400℃に加熱された酸化物半導体のコンダク
タンスが上記ガスに接触することにより変化する現尿を
利用したものでおる。酸化物中導体としては、メタン系
炭化水素に極めて感度が高い二酸化スズが大中を占めて
いるが、この二酸化スズは料理などで発生するアルコー
ル蒸気に対しても高い感度を有しており、しばしば誤動
作を起し【いた。このためアルコールに感応しないガス
センサが望まれていた。また、都市ガス内のCOガスは
、400ppmで爆発の危険性があり、爆発下限濃度が
パーセントオーダーである他のガス成分と比較して著し
い差があるため、00 を選択的に感知するガスセン
サが望まれていた。
器は、約400℃に加熱された酸化物半導体のコンダク
タンスが上記ガスに接触することにより変化する現尿を
利用したものでおる。酸化物中導体としては、メタン系
炭化水素に極めて感度が高い二酸化スズが大中を占めて
いるが、この二酸化スズは料理などで発生するアルコー
ル蒸気に対しても高い感度を有しており、しばしば誤動
作を起し【いた。このためアルコールに感応しないガス
センサが望まれていた。また、都市ガス内のCOガスは
、400ppmで爆発の危険性があり、爆発下限濃度が
パーセントオーダーである他のガス成分と比較して著し
い差があるため、00 を選択的に感知するガスセン
サが望まれていた。
なお、これらの問題を解決する従来のガスセンサとして
、第3図に示す厚膜ハイブリットガスセンサ(H,ムr
ima、A、Tkegami、T、N0rOan4 M
、Kaneyaau:Proo 、Boo、290(1
9B2)に記載のガスセンサ)か知られている。第3図
に示すガスセンサAは、hl、o、からなる基板6の上
部に、Snug 厚膜2とWO1厚換3を隣接して形
成し基板6の下面にpt厚膜ヒータ8を形成する一方、
Snug 厚膜2の上面にptからなる上部電極1を
、また、WO3厚膜5の上面にptからなる上部電極4
を各々形成するとともに、WO,厚膜3の側方のAA’
、O,基板6の上面にLaNi01厚膜7を、また、そ
の側部にPtからなる端子5を各々形成してなるもので
ある。
、第3図に示す厚膜ハイブリットガスセンサ(H,ムr
ima、A、Tkegami、T、N0rOan4 M
、Kaneyaau:Proo 、Boo、290(1
9B2)に記載のガスセンサ)か知られている。第3図
に示すガスセンサAは、hl、o、からなる基板6の上
部に、Snug 厚膜2とWO1厚換3を隣接して形
成し基板6の下面にpt厚膜ヒータ8を形成する一方、
Snug 厚膜2の上面にptからなる上部電極1を
、また、WO3厚膜5の上面にptからなる上部電極4
を各々形成するとともに、WO,厚膜3の側方のAA’
、O,基板6の上面にLaNi01厚膜7を、また、そ
の側部にPtからなる端子5を各々形成してなるもので
ある。
以上の構成のガスセンサAは、s n O= *m 2
がOH,に、Won 厚膜3がcoに、La N i
On厚膜7はアルコールにそれぞれ大きな感度を有す
ることを利用してガスの選択を行っている。
がOH,に、Won 厚膜3がcoに、La N i
On厚膜7はアルコールにそれぞれ大きな感度を有す
ることを利用してガスの選択を行っている。
「発明が解決しようとする問題点」
しかしながら前述の構成のガスセンサAは一つの基板6
の上面に異なる材料の厚膜2,3.7を作製するため、
工程が増加する欠点に加え、それぞれの材料のコンダク
タンスが異なるため各厚膜の厚さ、形状を変えなければ
ならず製造工程を煩雑にする欠点を有していた。また測
定対象ガスの中に湿度を考えた場合、感応膜の温度を2
00℃前後に設定する必要がおるがvJ2図に示す構造
では他の感応膜の温度も低下さ虻なければならずハイブ
リッド化することは不可能である欠点を有していた。
の上面に異なる材料の厚膜2,3.7を作製するため、
工程が増加する欠点に加え、それぞれの材料のコンダク
タンスが異なるため各厚膜の厚さ、形状を変えなければ
ならず製造工程を煩雑にする欠点を有していた。また測
定対象ガスの中に湿度を考えた場合、感応膜の温度を2
00℃前後に設定する必要がおるがvJ2図に示す構造
では他の感応膜の温度も低下さ虻なければならずハイブ
リッド化することは不可能である欠点を有していた。
一方、炭化水素系のマイクロガスセンサとしては810
4g上にPt膜のヒータ、検出リード及びボンディング
[mパターンを配置し、感応膜として、Sn蒸着膜を6
00℃で酸化したSn0g膜を150μmX30μm1
厚さ0.5μmの寸法に形成したものを使用した例(第
32回 応用物理学会 講演予稿集 31P−A−5に
示されている。)がめる。ところが、この構造において
は加熱電力を下げた場合にアルコールや湿度センサに使
用できるとしているが、炭化水素とアルコール、湿度な
同時に測定することができない欠点を有していた。また
、前述の構成のガスセンサを湿度センサとして使用した
場合は、長期間測定を続行すると吸着した水分子による
劣化を生じ、この劣化な回復するためには、一度温度を
上昇さ、虻て水分子を離脱さぜる操作、いわゆるリフレ
ッシュを行う必要がおり、このリフレッシュの間は湿度
が測定できない欠点を有していた。また前述のガスセン
サをアルコールセンサとして使用した場合も同様な欠点
を有していた。
4g上にPt膜のヒータ、検出リード及びボンディング
[mパターンを配置し、感応膜として、Sn蒸着膜を6
00℃で酸化したSn0g膜を150μmX30μm1
厚さ0.5μmの寸法に形成したものを使用した例(第
32回 応用物理学会 講演予稿集 31P−A−5に
示されている。)がめる。ところが、この構造において
は加熱電力を下げた場合にアルコールや湿度センサに使
用できるとしているが、炭化水素とアルコール、湿度な
同時に測定することができない欠点を有していた。また
、前述の構成のガスセンサを湿度センサとして使用した
場合は、長期間測定を続行すると吸着した水分子による
劣化を生じ、この劣化な回復するためには、一度温度を
上昇さ、虻て水分子を離脱さぜる操作、いわゆるリフレ
ッシュを行う必要がおり、このリフレッシュの間は湿度
が測定できない欠点を有していた。また前述のガスセン
サをアルコールセンサとして使用した場合も同様な欠点
を有していた。
「発明の目的」
本発明の目的は、ガスを選択して感知する特性を四−材
料の薄膜で付与することを可能にしたマイクロガスセン
サを提供することにある。
料の薄膜で付与することを可能にしたマイクロガスセン
サを提供することにある。
「問題点を解決するための手段」
本発明は微細加工により、同一材料で作製したガス感応
部を少なくとも二つ以上設け、各々のガス感応部を異っ
た温度に設定し異なったガスに感応するI/a能を付与
したものである。
部を少なくとも二つ以上設け、各々のガス感応部を異っ
た温度に設定し異なったガスに感応するI/a能を付与
したものである。
「作用」
各々異なった温度に加熱された二つ以上のガス感応部が
個々に各種ガスに感応し、これらの感応状況によって各
種ガスの検出を可能にする。
個々に各種ガスに感応し、これらの感応状況によって各
種ガスの検出を可能にする。
「実施例」
M1図は本発明の紀−の実施例のガスセンサBを説明す
る図であって、9は81基板、10は81基板9の上面
に形成されたS10.薄膜を示している。この日10.
薄膜10の上面中央側には、左右に断定間隔離間して8
nO1からなる平面長方形状のガス感応膜(ガス感応部
)15h、13Bが形成され、各ガス感応膜13A、1
3Bの長さ方向両端部側上面には各々ptからなるヒー
タ12ム。
る図であって、9は81基板、10は81基板9の上面
に形成されたS10.薄膜を示している。この日10.
薄膜10の上面中央側には、左右に断定間隔離間して8
nO1からなる平面長方形状のガス感応膜(ガス感応部
)15h、13Bが形成され、各ガス感応膜13A、1
3Bの長さ方向両端部側上面には各々ptからなるヒー
タ12ム。
12Bが形成され、各電極12A、13Bの側方にはP
tからなる電極11が形成されている。
tからなる電極11が形成されている。
前記構成のガスセンサBを動作させるには、まず一方の
ヒータ12ムに通電してガス感応J[13Aを400℃
に加熱し、他方のヒータ12Bに通電してガス感応膜1
3Bを200℃に加熱する。
ヒータ12ムに通電してガス感応J[13Aを400℃
に加熱し、他方のヒータ12Bに通電してガス感応膜1
3Bを200℃に加熱する。
400℃に加熱されたガス感応膜13Aはメタンガス、
プロパンガス等の炭化水素系のガスあるいはCOガス、
H,ガス、アルコール蒸気に接触することにより、電気
抵抗を低下さ虻、コンダクタンスを増加さぜる。このコ
ンダクタンスの増加は電極11を利用して測定すること
ができる。
プロパンガス等の炭化水素系のガスあるいはCOガス、
H,ガス、アルコール蒸気に接触することにより、電気
抵抗を低下さ虻、コンダクタンスを増加さぜる。このコ
ンダクタンスの増加は電極11を利用して測定すること
ができる。
一方200℃に加熱されたガス感応膜13Bは、感応膜
13Bの温就が低いため炭化水嵩系のガスには感応膜ず
、主に大気中の湿度、00ガス、H1ガス及びアルコー
ル蒸気に感応してコンダクタンスを増加さぜる。このた
めガス感応膜13Bは、アルコール、蒸気00ガス、H
,ガスがない場合は湿度センサとして機能することにな
る。
13Bの温就が低いため炭化水嵩系のガスには感応膜ず
、主に大気中の湿度、00ガス、H1ガス及びアルコー
ル蒸気に感応してコンダクタンスを増加さぜる。このた
めガス感応膜13Bは、アルコール、蒸気00ガス、H
,ガスがない場合は湿度センサとして機能することにな
る。
アルコール蒸気によって、感応膜13Bト/116膜1
3Aが同時に感応した場合は他のガスの場合より特に太
きく感応し、ガス感応膜のコンダクタンスが大巾に変化
するため、信号処理の上でアルコール蒸気であることが
わかり、アルコール蒸気による誤動作を防止できる。と
ころで一般に、200℃の感応913Bによって湿度を
長期間測定すると、水分子の吸着が多くなり感涙が低下
する。感度な回復するためには感応膜を400℃程度に
加熱し、水分子を離脱さ「る、いわゆるリフレッシュを
行う必要がある。このリフレッシュを行うには、ガス感
応膜13Bを400℃に加熱してこれを炭化水素系ガス
セ/すにするとともに、ガス感応膜13Aを200℃に
加熱してこれを湿度センサにすることによって行う。前
記構成のガスセンサBは、第1図に示すように、左右対
称な榊造を採用しているためヒータ温度の設定条件を交
換するだけでガス感応1113ムが炭化水素系ガスセン
サから湿度センサに、ガス感応膜13Bが湿度センサか
ら炭化水素系ガスセンサになる。このリフレッシュ方法
によればリフレッシによって湿度が測定できなくなる時
間、いわゆるデッドタイムを無くすことができる。なお
上記の制御はマイクロコンピュータ(温度調節手段)に
よる通電電圧調節によって可能である。
3Aが同時に感応した場合は他のガスの場合より特に太
きく感応し、ガス感応膜のコンダクタンスが大巾に変化
するため、信号処理の上でアルコール蒸気であることが
わかり、アルコール蒸気による誤動作を防止できる。と
ころで一般に、200℃の感応913Bによって湿度を
長期間測定すると、水分子の吸着が多くなり感涙が低下
する。感度な回復するためには感応膜を400℃程度に
加熱し、水分子を離脱さ「る、いわゆるリフレッシュを
行う必要がある。このリフレッシュを行うには、ガス感
応膜13Bを400℃に加熱してこれを炭化水素系ガス
セ/すにするとともに、ガス感応膜13Aを200℃に
加熱してこれを湿度センサにすることによって行う。前
記構成のガスセンサBは、第1図に示すように、左右対
称な榊造を採用しているためヒータ温度の設定条件を交
換するだけでガス感応1113ムが炭化水素系ガスセン
サから湿度センサに、ガス感応膜13Bが湿度センサか
ら炭化水素系ガスセンサになる。このリフレッシュ方法
によればリフレッシによって湿度が測定できなくなる時
間、いわゆるデッドタイムを無くすことができる。なお
上記の制御はマイクロコンピュータ(温度調節手段)に
よる通電電圧調節によって可能である。
また、ガス感応膜13ム、13Bが同一材料であるため
、真壁蒸着おるいはスパッタリング等の成膜技術により
一回の工程で二ケ所のガス感応部を作製することができ
、製造工程の簡略化をなしうる。
、真壁蒸着おるいはスパッタリング等の成膜技術により
一回の工程で二ケ所のガス感応部を作製することができ
、製造工程の簡略化をなしうる。
以上の結果から明らかなように、従来技術に比べて、同
一材料の薄膜でガスの選択機能を持た虻、湿度測定に必
要なりフレッシュにおいて測定できなくなる時間、いわ
ゆるデッドタイムを無くすることができる効果が得られ
る。
一材料の薄膜でガスの選択機能を持た虻、湿度測定に必
要なりフレッシュにおいて測定できなくなる時間、いわ
ゆるデッドタイムを無くすることができる効果が得られ
る。
第3図は本発明の第二実施例のガスセンサ0をl!2#
JAする図であって、13A、13B、15cはガス感
応膜(ガス感応部)、12A、12B。
JAする図であって、13A、13B、15cはガス感
応膜(ガス感応部)、12A、12B。
120はそれぞれガス感応膜13A、15B。
160を加熱するPt製ヒータである。
本実施例における感応膜はP(iを添加した5nO1薄
膜である。
膜である。
本実施例のガスセンサ0を動作するにはヒータ12ム、
12B、120にそれぞれ異なる電流を流し、ガス感応
膜13ムを400℃、ガス感応膜13Bを200℃、ガ
ス感応・膜130を100℃に設定する。各々のガス感
応膜は第1表に示す様なガス感応性を示す。
12B、120にそれぞれ異なる電流を流し、ガス感応
膜13ムを400℃、ガス感応膜13Bを200℃、ガ
ス感応・膜130を100℃に設定する。各々のガス感
応膜は第1表に示す様なガス感応性を示す。
第 1 表
O: 感応が強い
− : 感応が弱い
設定温度:感応膜16−ム:400℃
感応膜13−B:200℃
感応J[13−o:100℃
第1表から、すべての感応膜13ム、13B。
150が感応するとCOガスを検知したことになり、感
応[13ムだけが感応すると炭化水素系ガスを検知した
ことになり、感応膜15Bだけが感応するとfi度を検
知したことになり、感応a13ム。
応[13ムだけが感応すると炭化水素系ガスを検知した
ことになり、感応膜15Bだけが感応するとfi度を検
知したことになり、感応a13ム。
13Bが感応するとCOガス、H,ガス、アルコール蒸
気を検知したことがわかる。このように各種ガスに関す
る選択性を付与することが可能でおる。なお感応膜13
Aと13Bで00ガス、H。
気を検知したことがわかる。このように各種ガスに関す
る選択性を付与することが可能でおる。なお感応膜13
Aと13Bで00ガス、H。
ガス、アルコール蒸気に対する感応の仕方もそれぞれガ
スにより特徴があるので見分けることができる。
スにより特徴があるので見分けることができる。
また前記第2夾施例にあっては各々のヒータ温度の設定
を周期的に切換えることにより、いわゆるデッドタイム
を生じることなく感応膜16ム。
を周期的に切換えることにより、いわゆるデッドタイム
を生じることなく感応膜16ム。
13B、13oのリフレッシュかできることになる。特
に、マイクロプロセッサ(温度調節手段)を用い″Cm
気パルスにより各ヒータに電流を与える方式をとればパ
ルスのデユーティ比を変えることにより各ヒータの温度
設楚を簡単に行える。以上のように本実施例においては
従来技術に比べて同一材料の薄膜でガス選択機能を持た
虻、かつ、感応膜のリフレッシュをデッドタイムなしに
行える効果を有している。
に、マイクロプロセッサ(温度調節手段)を用い″Cm
気パルスにより各ヒータに電流を与える方式をとればパ
ルスのデユーティ比を変えることにより各ヒータの温度
設楚を簡単に行える。以上のように本実施例においては
従来技術に比べて同一材料の薄膜でガス選択機能を持た
虻、かつ、感応膜のリフレッシュをデッドタイムなしに
行える効果を有している。
「発明の効果」
以上説明したように本発明はマイクロガスセンサにおい
て同一材料のガス感応膜を二ケ所以上設け、それぞれの
ガス感応膜に異なった温度を設定できる構造であるから
、ガスの種類を選択して感知する利点を有し、感応膜の
設定温度を交換することによりガス感知機能を停止さげ
ることなく感応膜のリフレッシュを行うことができる。
て同一材料のガス感応膜を二ケ所以上設け、それぞれの
ガス感応膜に異なった温度を設定できる構造であるから
、ガスの種類を選択して感知する利点を有し、感応膜の
設定温度を交換することによりガス感知機能を停止さげ
ることなく感応膜のリフレッシュを行うことができる。
したがってリフレッシュ時にガスを測定できない時間、
すなわちデッドタイムを無くすることのできる利点があ
る。
すなわちデッドタイムを無くすることのできる利点があ
る。
第1図は本発明の第1の実施例の構成図、第2図は本発
明の第2の実施例の構成図、第3図はガス選択性を備え
た従来の厚膜ノ・イブリッドガスセンサの斜視図である
。 9・・・81基板、10・・・S10.薄膜、11・・
・電極、12−ム、12−B、12−0・・・ヒータ、
13−ム、13−B、13−0・・・ガス感応膜(ガス
感応部)。□
明の第2の実施例の構成図、第3図はガス選択性を備え
た従来の厚膜ノ・イブリッドガスセンサの斜視図である
。 9・・・81基板、10・・・S10.薄膜、11・・
・電極、12−ム、12−B、12−0・・・ヒータ、
13−ム、13−B、13−0・・・ガス感応膜(ガス
感応部)。□
Claims (2)
- (1)SnO_2、ZnO等の酸化物半導体からなるガ
ス感応膜を微細加工して作製されるマイクロガスセンサ
において、同一材料からなるガス感応膜によつて形成さ
れるガス感応部を少なくとも二つ以上有し、各々の感応
部に各々の感応部を別個に加熱するヒータを設けたこと
を特徴とするマイクロガスセンサ。 - (2)各感応部を加熱するヒータに、各感応部の加熱温
度を一定の周期で順次交換して加熱する温度調節手段を
付設した特許請求の範囲第1項記載のマイクロガスセン
サ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15548485A JPS6215449A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | マイクロガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15548485A JPS6215449A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | マイクロガスセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6215449A true JPS6215449A (ja) | 1987-01-23 |
Family
ID=15607052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15548485A Pending JPS6215449A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | マイクロガスセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6215449A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57145741A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-08 | Komori Printing Mach Co Ltd | Paper feeder |
JPH0440041U (ja) * | 1990-08-01 | 1992-04-06 | ||
EP0653632A1 (en) * | 1993-11-08 | 1995-05-17 | New Cosmos Electric Co., Ltd. | Gas detecting method and apparatus |
JP2004003915A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサの熱処理方法、及びそれを用いたガスセンサの製造方法及び検査方法 |
JP2009168463A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | New Cosmos Electric Corp | ガス検知方法及びガス検知装置 |
JP2009210342A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Osaka Gas Co Ltd | ガス検知装置及びガス検知方法 |
CN108414581A (zh) * | 2017-02-09 | 2018-08-17 | 北京市劳动保护科学研究所 | 一种微型多维传感器及制造方法 |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP15548485A patent/JPS6215449A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57145741A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-08 | Komori Printing Mach Co Ltd | Paper feeder |
JPH0134903B2 (ja) * | 1981-03-04 | 1989-07-21 | Komori Printing Mach | |
JPH0440041U (ja) * | 1990-08-01 | 1992-04-06 | ||
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