JPS6215212Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6215212Y2 JPS6215212Y2 JP4883482U JP4883482U JPS6215212Y2 JP S6215212 Y2 JPS6215212 Y2 JP S6215212Y2 JP 4883482 U JP4883482 U JP 4883482U JP 4883482 U JP4883482 U JP 4883482U JP S6215212 Y2 JPS6215212 Y2 JP S6215212Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- chamber
- hydrogen
- vacuum
- silicon material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 23
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 9
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910004469 SiHx Inorganic materials 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は水素含有珪素物質の連続製造装置に関
するものである。特に本考案は特願昭56−114402
号に係る水素含有珪素物質の連続製造装置の改良
に関するものである。
するものである。特に本考案は特願昭56−114402
号に係る水素含有珪素物質の連続製造装置の改良
に関するものである。
特願昭56−114402号に記載されている製造装置
は駆動ロールにより連続的に回動される無端ベル
ト基体と、直列に配置された予備真空室、反応室
および安定化室と、掻取器とからなり、反応室内
には水素スパタリングを行うための台とこれに対
向する１個以上のターゲツトとが設けられてい
る。この装置によれば水素圧５×10-1〜10-2Torr
の反応室内で珪素ターゲツトとこれに対向する台
との間に加周波放電を行うことにより、ベルト基
体上に、SiH2または／およびSiH3の殻の中に四
配位Si格子を有しこのSi格子間に多量の原子状水
素を包蔵した水素含有珪素物質が得られる。
は駆動ロールにより連続的に回動される無端ベル
ト基体と、直列に配置された予備真空室、反応室
および安定化室と、掻取器とからなり、反応室内
には水素スパタリングを行うための台とこれに対
向する１個以上のターゲツトとが設けられてい
る。この装置によれば水素圧５×10-1〜10-2Torr
の反応室内で珪素ターゲツトとこれに対向する台
との間に加周波放電を行うことにより、ベルト基
体上に、SiH2または／およびSiH3の殻の中に四
配位Si格子を有しこのSi格子間に多量の原子状水
素を包蔵した水素含有珪素物質が得られる。
しかしながらこの装置によつて製造された水素
含有珪素物質（以下SiHxと記載する）中には場
合により例えば0.1％〜数％の炭素（Ｃ）や酸素
（Ｏ）が混入して来るので、珪素物質を加熱して
包蔵されている水素（H2）を放出させるときにＣ
やＯがCO，CO2，O2の形でH2と共に放出されて
H2の純度を低下させる欠点があつた。本考案者
等はこのような欠点を排除するために研究した結
果、水素スパタリングを行う前に加熱により装置
を浄化することにより高純度の水素含有珪素物質
の得られることがわかつた。
含有珪素物質（以下SiHxと記載する）中には場
合により例えば0.1％〜数％の炭素（Ｃ）や酸素
（Ｏ）が混入して来るので、珪素物質を加熱して
包蔵されている水素（H2）を放出させるときにＣ
やＯがCO，CO2，O2の形でH2と共に放出されて
H2の純度を低下させる欠点があつた。本考案者
等はこのような欠点を排除するために研究した結
果、水素スパタリングを行う前に加熱により装置
を浄化することにより高純度の水素含有珪素物質
の得られることがわかつた。
すなわち、本考案は駆動ロールにより連続的に
回動される水素含有珪素物質蒸着用無端ベルト基
体と、直列に配置された予備真空室、反応室およ
び安定化室と、無端ベルト基体に蒸着した水素含
有珪素物質を掻き取るための掻取器とからなり、
予備真空室の真空度は大気圧から反応室の真空度
まで順次高められ、基体に蒸着した水素含有珪素
物質を安定化するための安定化室の真空度は反応
室の真空度から大気圧まで順次低められており、
反応室内には水素スパタリングを行う台とこれに
対向する１個以上のターゲツトが設けられている
水素含有珪素物質の連続製造装置において、予備
真空室および反応室に外部加熱手段を付与したこ
とを特徴とする装置を提供するものである。
回動される水素含有珪素物質蒸着用無端ベルト基
体と、直列に配置された予備真空室、反応室およ
び安定化室と、無端ベルト基体に蒸着した水素含
有珪素物質を掻き取るための掻取器とからなり、
予備真空室の真空度は大気圧から反応室の真空度
まで順次高められ、基体に蒸着した水素含有珪素
物質を安定化するための安定化室の真空度は反応
室の真空度から大気圧まで順次低められており、
反応室内には水素スパタリングを行う台とこれに
対向する１個以上のターゲツトが設けられている
水素含有珪素物質の連続製造装置において、予備
真空室および反応室に外部加熱手段を付与したこ
とを特徴とする装置を提供するものである。
以下図面を参照して本考案を詳細に説明する。
第１図は本考案に係る製造装置を示す図である。
この装置によりSiHxを製造するに当り、先づ珪
素ターゲツト２、珪素物質蒸着用無端ベルト基体
６を装着した後、予備真空室４１，４２および反
応室５を真空（約10-3Torr以下、反応室５は
10-5Torr以下が好ましい。）にし、反応室の前に
ある予備真空室および反応室を外部加熱手段２０
により100℃以上の温度で数時間加熱して装置内
および基体上に付着している残留ガス（CO，
CO2，O2など）および水分を除去する。この加熱
時間は温度が高ければ高い程短かくてよいが、実
際の操業では300℃で14時間加熱するのが好まし
い。加熱手段２０は反応室の前にある予備真空室
４１，４２と反応室５の外側に例えば電熱ヒータ
ーの形で施こされ、加熱時間中は無端ベルト基体
を回転させて基体全体を浄化するが、このときに
反応室の後にある安定化室４３，４４，４５も間
接的に加熱されて浄化が行われる。予備真空室４
１内の圧力は例えば数101〜数102Torrであり、予
備真空室４２内の圧力は例えば100〜101Torrとし
て順次真空度を高め、反応室の真空度を一定に保
つようにする。予備真空室の数は多い方が反応室
の条件を一定に維持するのに有利であるが、装置
の寸法、効率の点からは２〜３個にするのがよ
く、各予備真空室にはそれぞれ排気装置が取付け
られていて所望の真空度が得られるようになつて
いる。反応室内には電源１に接続されている珪素
ターゲツト２とこれに対向して配置された台３が
あり、ターゲツトと台との間に高周波放電を行う
ことにより基体６に珪素物質が蒸着する。所定の
加熱温度および加熱時間で予備真空室および反応
室の浄化を完了したならばSiHxの製造操作が次
のようにして行われる。動力源に接続されている
駆動ロール１４により無端ベルト基体６は矢印の
方向に移動し、一対の気密ロール１３の間を通つ
て予備真空室４１，４２に入る。最後の予備真空
室を出た基体６は反応室５に入り、ここでスパタ
リングにより基体表面上に珪素が蒸着される。反
応室内には電源１に接続されている珪素ターゲツ
ト２とこれに対向して配置された台３があり、タ
ーゲツトと台との間に高周波放電を行つて基体６
にSiHxを蒸着させる。蒸着生成物が高温に加熱
されて水素が放出されるのを防ぐために台３は冷
媒により冷却されている。SiHxの基体６への蒸
着速度は約1000Å／分であり、基体の移動速度は
通常約25mm／時である。反応室から出た基体６は
安定化室４３，４４，４５を通化してSiHxは安
定化される。最後の安定化室４５には基体の出口
を形成するスリツト１３ならびに排気等に連絡す
るダクト７が取付けられている。最後の安定化室
４５を出た基体はロール１６に密着しながら下方
に向い、基体上に蒸着した水素含有珪素物質は掻
取器１０のナイフエツジ１１により掻き取り捕集
され、一方ベルト状基体６は駆動ロール１４によ
り再び予備真空室に入り連続的にSiHxの製造が
行われる。
第１図は本考案に係る製造装置を示す図である。
この装置によりSiHxを製造するに当り、先づ珪
素ターゲツト２、珪素物質蒸着用無端ベルト基体
６を装着した後、予備真空室４１，４２および反
応室５を真空（約10-3Torr以下、反応室５は
10-5Torr以下が好ましい。）にし、反応室の前に
ある予備真空室および反応室を外部加熱手段２０
により100℃以上の温度で数時間加熱して装置内
および基体上に付着している残留ガス（CO，
CO2，O2など）および水分を除去する。この加熱
時間は温度が高ければ高い程短かくてよいが、実
際の操業では300℃で14時間加熱するのが好まし
い。加熱手段２０は反応室の前にある予備真空室
４１，４２と反応室５の外側に例えば電熱ヒータ
ーの形で施こされ、加熱時間中は無端ベルト基体
を回転させて基体全体を浄化するが、このときに
反応室の後にある安定化室４３，４４，４５も間
接的に加熱されて浄化が行われる。予備真空室４
１内の圧力は例えば数101〜数102Torrであり、予
備真空室４２内の圧力は例えば100〜101Torrとし
て順次真空度を高め、反応室の真空度を一定に保
つようにする。予備真空室の数は多い方が反応室
の条件を一定に維持するのに有利であるが、装置
の寸法、効率の点からは２〜３個にするのがよ
く、各予備真空室にはそれぞれ排気装置が取付け
られていて所望の真空度が得られるようになつて
いる。反応室内には電源１に接続されている珪素
ターゲツト２とこれに対向して配置された台３が
あり、ターゲツトと台との間に高周波放電を行う
ことにより基体６に珪素物質が蒸着する。所定の
加熱温度および加熱時間で予備真空室および反応
室の浄化を完了したならばSiHxの製造操作が次
のようにして行われる。動力源に接続されている
駆動ロール１４により無端ベルト基体６は矢印の
方向に移動し、一対の気密ロール１３の間を通つ
て予備真空室４１，４２に入る。最後の予備真空
室を出た基体６は反応室５に入り、ここでスパタ
リングにより基体表面上に珪素が蒸着される。反
応室内には電源１に接続されている珪素ターゲツ
ト２とこれに対向して配置された台３があり、タ
ーゲツトと台との間に高周波放電を行つて基体６
にSiHxを蒸着させる。蒸着生成物が高温に加熱
されて水素が放出されるのを防ぐために台３は冷
媒により冷却されている。SiHxの基体６への蒸
着速度は約1000Å／分であり、基体の移動速度は
通常約25mm／時である。反応室から出た基体６は
安定化室４３，４４，４５を通化してSiHxは安
定化される。最後の安定化室４５には基体の出口
を形成するスリツト１３ならびに排気等に連絡す
るダクト７が取付けられている。最後の安定化室
４５を出た基体はロール１６に密着しながら下方
に向い、基体上に蒸着した水素含有珪素物質は掻
取器１０のナイフエツジ１１により掻き取り捕集
され、一方ベルト状基体６は駆動ロール１４によ
り再び予備真空室に入り連続的にSiHxの製造が
行われる。
こうして得られた水素含有珪素物質は極めて純
粋であり、例えば加熱温度300℃で浄化を行つた
場合の生成物中のＣおよびＯの量は加熱時間の増
大と共に急速に低下する（第２図参照）。第２図
において縦軸には加熱温度300℃における加熱前
の予備真空室（または反応室）内のＣまたはＯの
原子数を基準（第２図では酸素原子数を基準にし
て１とした）にした相対的原子比がとつてあり、
約16〜20時間の加熱時間でSiHx中のＯ（鎖線）
およびＣ（実線）は殆んど零になることがわか
る。
粋であり、例えば加熱温度300℃で浄化を行つた
場合の生成物中のＣおよびＯの量は加熱時間の増
大と共に急速に低下する（第２図参照）。第２図
において縦軸には加熱温度300℃における加熱前
の予備真空室（または反応室）内のＣまたはＯの
原子数を基準（第２図では酸素原子数を基準にし
て１とした）にした相対的原子比がとつてあり、
約16〜20時間の加熱時間でSiHx中のＯ（鎖線）
およびＣ（実線）は殆んど零になることがわか
る。
本考案の装置によれば、SiHxの製造開始前に
予備真空室および反応室を加熱して浄化すること
により反応室内の残留ガス、特に反応室壁面に吸
着された水分が除去されるので生成されたSiHx
中のＣおよびＯ含有量は著しく低下し、従つて
SiHxを加熱してH2を放出させるときにCO，
CO2，O2等のガスの放出がなく、燃料として極め
て純粋なH2ガスが得られる。
予備真空室および反応室を加熱して浄化すること
により反応室内の残留ガス、特に反応室壁面に吸
着された水分が除去されるので生成されたSiHx
中のＣおよびＯ含有量は著しく低下し、従つて
SiHxを加熱してH2を放出させるときにCO，
CO2，O2等のガスの放出がなく、燃料として極め
て純粋なH2ガスが得られる。
第１図は本考案に係る連続製造装置を示す図で
あり、第２図は加熱時間と生成珪素物質中のＣお
よびＯ含有量の変化を示すグラフである。 図中符号：１……電源、２……ターゲツト、３
……台、４１，４２……予備真空室、４３，４
４，４５……安定化室、５……反応室、６……無
端ベルト基体、１０……掻取器、１４……駆動ロ
ーラ、２０……外部加熱手段。
あり、第２図は加熱時間と生成珪素物質中のＣお
よびＯ含有量の変化を示すグラフである。 図中符号：１……電源、２……ターゲツト、３
……台、４１，４２……予備真空室、４３，４
４，４５……安定化室、５……反応室、６……無
端ベルト基体、１０……掻取器、１４……駆動ロ
ーラ、２０……外部加熱手段。
Claims (1)
- 駆動ロールにより連続的に回動される水素含有
珪素物質蒸着用無端ベルト基体と、直列に配置さ
れた予備真空室、反応室および安定化室と、無端
ベルト基体に蒸着した水素含有珪素物質を掻き取
るための掻取器とからなり、予備真空室の真空度
は大気圧から反応室の真空度まで順次高められ、
基体に蒸着した水素含有珪素物質を安定化するた
めの安定化室の真空度は反応室の真空度から大気
圧まで順次低められており、反応室内には水素ス
パタリングを行う台とこれに対向する１個以上の
ターゲツトが設けられている水素含有珪素物質の
連続製造装置において、予備真空室および反応室
に外部加熱手段を付与したことを特徴とする装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4883482U JPS58151638U (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 水素含有珪素物質の連続製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4883482U JPS58151638U (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 水素含有珪素物質の連続製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151638U JPS58151638U (ja) | 1983-10-11 |
| JPS6215212Y2 true JPS6215212Y2 (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=30059734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4883482U Granted JPS58151638U (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 水素含有珪素物質の連続製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151638U (ja) |
-
1982
- 1982-04-06 JP JP4883482U patent/JPS58151638U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58151638U (ja) | 1983-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0424284B2 (ja) | ||
| JPH04302145A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2004018370A (ja) | シリコンの製造装置および方法 | |
| JP2884968B2 (ja) | シリコン酸化膜の製造方法 | |
| TW201330923A (zh) | Ｂ２ｆ４之製造程序 | |
| JPH04302144A (ja) | 洗浄方法 | |
| JPS5884111A (ja) | ケイ素の改良されたプラズマ析出法 | |
| JPS6235807B2 (ja) | ||
| JPH02159021A (ja) | 微結晶の配向性制御方法 | |
| JPH07138009A (ja) | フラーレンの製造装置およびその回収方法 | |
| JPH07235506A (ja) | 薄膜形成法 | |
| JPS60241214A (ja) | アモルフアスシリコン膜の生成法 | |
| JP2646439B2 (ja) | ダイヤモンドの気相合成方法および装置 | |
| JPS5623736A (en) | Vapor phase growing method | |
| RU2061095C1 (ru) | Способ получения пленок двуокиси кремния | |
| JPS6150372B2 (ja) | ||
| JP2636377B2 (ja) | ダイヤモンド膜合成方法 | |
| JPH0129052B2 (ja) | ||
| CN1107900A (zh) | 热阴极辉光等离子体化学相沉积制备金刚石膜的工艺 | |
| JPH06168939A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法および製造装置 | |
| JPH0590162A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS60127214A (ja) | ジシランの製造方法 | |
| JPH08225394A (ja) | ダイヤモンドの気相合成方法 | |
| JPH0463154B2 (ja) | ||
| JPS6040497B2 (ja) | 高清浄雰囲気生成機構を有する真空熱処理炉 |