JPS6214928B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はセラミツク電子部品の製造方法に関
し、たとえばセラミツク基体の両面に電極が形成
されたセラミツクコンデンサを始めとするセラミ
ツク電子部品の製造方法に関する。

最近の電子機器においては、高い周波数の利用
が盛になつてきている。ところが、周波数が数十
MHz以上の信号を受信するような受信機におい
て、たとえばリード線を有するセラミツクコンデ
ンサを用いると、そのリード線で生じる残留イン
ダクタンスが無視できなくなる。このため、この
セラミツクコンデンサにリード線を設けずに、セ
ラミツクコンデンサの電極をたとえばプリント基
板などに直接半田付けするいわゆる直付けコンデ
ンサが汎用されるようになつている。

ところで、従来のこの種のセラミツクコンデン
サは、容量用電極として、銀を塗布、焼付けした
り、ニツケル、銅などの安価な金属を無電解めつ
きしたりして形成していた。ところが、前記銀を
用いるものにあつては、これを半田付けする場
合、半田中へ銀が拡散し、所定膜厚の電極が得ら
れなくなつて電極強度が低下したり、所定の容量
が得られなくなつたりするという欠点があつた。
このため、銀電極を２度あるいは３度塗りして膜
厚を厚くすることも行なわれているが、これは高
価な貴金属を多量に使用しなくてはならないの
で、コスト的に実用的ではなかつた。

また、ニツケルめつき膜を施すものにあつて
は、ニツケルの表面が酸化され易くて半田付性が
悪いという欠点があつた。このため、ニツケルめ
つき膜を形成した後に、銀電極をニツケルめつき
膜上に重層して塗布、焼付けすることが行われて
いるが、工程が煩雑になるのみならず、半田への
拡散やコストが高価になるという問題がやはり生
じ、これとても最善なものではなかつた。さら
に、銅電極をセラミツク基体に無電解めつきする
ことも行われているが、これはニツケルよりも電
極膜の酸化がさらに激しいという欠点を有してい
る。

さらに、セラミツク基体に銀の焼付け電極を形
成したものに、ニツケルの電解めつきを行つて、
銀−ニツケルの重層電極を形成したものもある
が、これはニツケルのメツキ膜が銀電極の周囲か
らはみ出て付着してしまうため、容量の管理が困
難であるのみならず、電極形成工程も、銀の塗
布、焼付け、めつきという煩雑な工程を必要とす
るため、実用性に欠けるという欠点を有してい
た。さらに、銀を使用する限りコストが高価であ
る。

それゆえに、この発明の主たる目的は、比較的
簡単な製造工程で、半田のぬれ性が良好でありか
つ信頼性を向上し得る安価なセラミツク電子部品
を製造し得る製造方法を提供することである。

この発明は、要約すれば、セラミツク基体に付
与した電極上にフラツクス作用を有する樹脂を重
ねて形成したものであり、その製造工程において
は、まずセラミツク基体を準備し、このセラミツ
ク基体の全表面に無電解めつき膜を施し、さらに
このめつき膜上に所定の大きさのフラツクス作用
を有する樹脂を形成した後、不要な無電解めつき
膜を除去して製造するものである。

この発明の上述の目的およびその他の目的と特
徴は以下に図面を参照して行う詳細な説明から一
層明らかとなろう。

第１図ないし第４図はこの発明の一実施例の製
造方法を説明するための図解図である。まず、焼
結を行つたセラミツク基体１を準備する。次に、
この焼結済みのセラミツク基体１の全表面にたと
えばニツケルの無電解めつき膜２を施す。次に、
スクリーン印刷やスプレ印刷やオフセツト印刷な
どによつて、無電解めつき膜２表面上の所定の部
分に、フラツクス作用を有する樹脂たとえば樹脂
酸や脂肪酸を含む高分子、たとえばロジン変性ア
ルキツド樹脂やエチルセルロースと脂肪酸（ステ
アリン酸など）を相溶させたものなどを印刷して
レジスト膜３を形成する。この場合このレジスト
膜３は後述するように必要な電極の大きさを決定
することになる。さらに、第３図に示す無電解メ
ツキ膜２およびレジスト膜３が形成されたセラミ
ツク基体１をエツチング液に浸漬する。それによ
つて、レジスト膜３で覆われていないニツケルめ
つき膜２を化学的に溶解除去し、セラミツク電子
部品を得る。

この実施例のセラミツク電子部品たとえばセラ
ミツクコンデンサはこのような製造方法により、
電極２と、この電極２を覆うフラツクス作用を有
するレジスト膜３とを重層形成して構成されるも
のであつて、これを実際にたとえばプリント基板
（図示せず）などに半田付けするに当つては、プ
リント基板の配線電極を前記レジスト膜３で覆わ
れた電極２を配置させて仮固定し、その後溶融半
田中に浸漬し、前記レジスト膜３を半田の熱で溶
融除去して電極２を露出させて引上げれば、この
電極と前記配線電極とが半田付けされるのであ
る。この場合、前記レジスト膜３としてフラツク
ス作用を有する樹脂を用いているので、前記半田
付けは非常に良好に行われることになる。このこ
とから、前記フラツクス作用を有するレジスト膜
３は、少なくとも半田付け時への熱により容易で
除去できるものを選ばなければならないことが容
易に理解できよう。また、この発明に係るセラミ
ツク電子部品の半田付けは、前述の溶融半田中へ
の浸漬法に限ることはなく、いかなる方法により
行つてもよい。

このように、この実施例では、電極としてニツ
ケルなどの比較的安価な材料の使用のみで足り、
またセラミツク基体１の全表面にニツケルなどの
めつき膜２を施した後、レジスト膜３を印刷して
その後除去するだけでよいため、製造工程を簡単
にすることができかつ安価なセラミツク電子部品
を得ることができる。また、この実施例のものに
よれば、ニツケルなどのめつき膜２の上に樹脂を
印刷し、その後不要めつき膜を除去するだけで任
意の大きさの電極を形成することができ、容量の
調整も容易であるという利点がある。

なお、上述の実施例は、この発見を具体化させ
るためのものであつて、何らこれに限定されるこ
とはない。たとえば無電解めつき金属としては、
ニツケルに限ることなく、銅などであつてもよ
く、レジスト膜用樹脂も要は半田付け時の熱でも
溶融除去できかつフラツクス作用を有するもので
あればいかなるものでもよい。また、この実施例
により得られたセラミツク電子部品は、上述のよ
うなプリント基板へ半田付けするものに限らず、
その電極にリード線を半田付けするものにも適用
可能である。

さらに、セラミツク基体に付与する電極上に、
半田付け性をさらに向上させるために錫や半田の
膜を成形させることや、たとえばニツケル電極の
直流抵抗分を少なくして損失をなくさせるため
に、銅めつきなどを重層して施してもよい。さら
に、この発明により得られるセラミツク電子部品
は、コンデンサのほか正特性サーミスタでもあつ
てもよい。この正特性サーミスタの場合には、無
電解めつき膜として、ニツケルがもつぱら用いら
れることはいうまでもない。

以上のように、この発明によれば、セラミツク
基体の電極の表面にフラツクス作用を有する樹脂
を形成したことによつて、半田付け時のぬれ性を
良好にすることができ、高価な銀の使用を一切必
要としない安価なものを得ることができる。ま
た、それによつてセラミツク電子部品をたとえば
プリント基板に直接半田付けする場合などの半田
付けに要する時間を短縮することができ、電極が
剥離したり静電容量を変化したりするのを防止す
ることができる。また、樹脂レジスト膜がフラツ
クス作用を有しているため、セラミツク電子部品
をプリント基板などに取り付けたり、リード線を
取り付けるときなどにおいて、新たにフラツクス
を用いる必要がないため、作業性を著しく良好に
することができる。さらに、電極の付与に無電解
めつきという量産的な手法を採用できるので、そ
の製造工程も簡単であり、製造コストを安価にす
ることができる。さらに、無電解めつき膜の上の
電極に見合う部分に樹脂を形成した後、エツチン
グ処理などを行うようにするのみでよいため、電
極の面積の大小によつて製造工程や製造時間が異
なることがないのみならず、レジスト膜によつて
電極の保護を行わせることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図はこの発明の一実施例の製
造方法を説明するための図解図であり、特に第１
図はセラミツク基体を示し、第２図はセラミツク
基体に無電解めつきを施した状態を示し、第３図
は第２図のものに樹脂を塗布してレジスト膜を形
成した状態を示し、第４図は不要電極を除去した
状態を示す。また、第５図は第４図に示すものの
レジスト膜を除去した状態を示す。 図において、１はセラミツク基体、２は無電解
めつき膜、３はレジスト膜を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ セラミツク基体を準備する工程、 前記セラミツク基体の全表面に無電解めつき膜
   を施す工程、 前記セラミツク基体の前記無電解めつき膜上に
   所定の大きさのフラツクス作用を有する樹脂を形
   成する工程、および 前記樹脂が形成されたセラミツク基体をエツチ
   ング液に浸漬して、前記樹脂で覆われていない無
   電解めつき膜をエツチング除去する工程を含む、
   セラミツク電子部品の製造方法。