JPS62144327A - レジスト液供給装置 - Google Patents
レジスト液供給装置Info
- Publication number
- JPS62144327A JPS62144327A JP28646985A JP28646985A JPS62144327A JP S62144327 A JPS62144327 A JP S62144327A JP 28646985 A JP28646985 A JP 28646985A JP 28646985 A JP28646985 A JP 28646985A JP S62144327 A JPS62144327 A JP S62144327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist liquid
- defoaming
- resist
- nozzle
- defoaming tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェーハに塗布されるレジスト液を供給
するレジスト液供給装置に関・するものｒある。
するレジスト液供給装置に関・するものｒある。
第３図に従来のレジスト液供給装置の配管間を示ず。レ
ジス１−液が貯留される容器３１ど、レジスト液を取り
出すポンプ３２と、レジスト′ａを濾過づるフィルタ３
３と、モータ３６の回転軸に取り付けられたチャック３
４に吸着される半導体つ工−ハ３５にレジスト液を滴下
させるノズル３７ど、これらを順に直列に接続する管路
３８とからなっている。この装置は、ポンプ３２の駆動
で容器３１内のレジスト液が取り出され、フィルタ３３
で塵等の浮遊物が除去され、次いでノズル３７から清浄
なレジスト液が半導体ウェーハ３５に滴下され、半導体
ウェーハ３５上面にレジスト膜が形成されるように作動
する。
ジス１−液が貯留される容器３１ど、レジスト液を取り
出すポンプ３２と、レジスト′ａを濾過づるフィルタ３
３と、モータ３６の回転軸に取り付けられたチャック３
４に吸着される半導体つ工−ハ３５にレジスト液を滴下
させるノズル３７ど、これらを順に直列に接続する管路
３８とからなっている。この装置は、ポンプ３２の駆動
で容器３１内のレジスト液が取り出され、フィルタ３３
で塵等の浮遊物が除去され、次いでノズル３７から清浄
なレジスト液が半導体ウェーハ３５に滴下され、半導体
ウェーハ３５上面にレジスト膜が形成されるように作動
する。
しかしながら、この従来装置では、レジスト液内に気泡
が混入されていると、気泡がそのまま半導体ウェーハ３
５に付着する。このため、均一なレジスト膜の形成がで
きず、不良ウェー八が発生するという問題点がある。
が混入されていると、気泡がそのまま半導体ウェーハ３
５に付着する。このため、均一なレジスト膜の形成がで
きず、不良ウェー八が発生するという問題点がある。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、レジスト
液中の気泡を比重差を利用して除去し、均一なレジスト
膜を形成することができるレジスト液供給装置を提供す
ることを目的としている。
液中の気泡を比重差を利用して除去し、均一なレジスト
膜を形成することができるレジスト液供給装置を提供す
ることを目的としている。
上記の目的を達成するため、本発明によるレタス１〜液
供給装置は、レジスト液を取り出ずポンプとレジスト液
を滴下するノズルとの間に脱泡槽を設けると共に、この
脱泡槽の下端部がノズルに接続されるＪ：うに開口され
、上端部が脱泡口となるように開口され、レジスト液を
これらの中間部から供給するようにし、脱泡槽内でレジ
スト液が貯留されている間に気泡を脱泡口から取り除く
ようにしたことを特徴としている。
供給装置は、レジスト液を取り出ずポンプとレジスト液
を滴下するノズルとの間に脱泡槽を設けると共に、この
脱泡槽の下端部がノズルに接続されるＪ：うに開口され
、上端部が脱泡口となるように開口され、レジスト液を
これらの中間部から供給するようにし、脱泡槽内でレジ
スト液が貯留されている間に気泡を脱泡口から取り除く
ようにしたことを特徴としている。
以下、本発明によるレジスト液供給装置の一実施例を第
１図を参照して具体的に説明する。同図において、容器
１内にはレジスト液が貯留されており、容器１にはポン
プ２、脱泡槽３およびノズル４が管路５にＪ：って順に
連結されている。ポンプ２は容″ａ１内からレジスト液
を取り出してノズル４に供給するものであり、ノズル４
の下方にはモータ６の回転軸に取り付けられたチＶツク
７に半導体ウェーハ８が吸着されるように位ｕしている
。このノズル４は、好ましくは半導体ウェー八８の中心
部上方に設けられ、ノズル４から滴下されたレジスト液
中半導体ウェー八８の回転で周辺部まで均一に被覆され
るようになっている。
１図を参照して具体的に説明する。同図において、容器
１内にはレジスト液が貯留されており、容器１にはポン
プ２、脱泡槽３およびノズル４が管路５にＪ：って順に
連結されている。ポンプ２は容″ａ１内からレジスト液
を取り出してノズル４に供給するものであり、ノズル４
の下方にはモータ６の回転軸に取り付けられたチＶツク
７に半導体ウェーハ８が吸着されるように位ｕしている
。このノズル４は、好ましくは半導体ウェー八８の中心
部上方に設けられ、ノズル４から滴下されたレジスト液
中半導体ウェー八８の回転で周辺部まで均一に被覆され
るようになっている。
脱泡槽３はこのようなノズル４とポンプ２との間に取り
付けられている。この脱泡槽３は下端部が開口されて取
出口３ａとなり、この取出口３ａに取出管９が取り付け
られ、取出管９がノズル４にバルブ１０を介して接続さ
れている。又、上端部が間口されて脱泡口３ｂとなって
おり、この脱泡口３ｂに戻り管１１が連結され、その下
端部が容器１内に挿入されている。さらに脱泡槽３内に
レジスト液を注入するため、取出口３ａと脱泡口３ｂと
の間の側壁に注入口３Ｃが開設され、この注入口３Ｃが
ポンプ２に接続されている。
付けられている。この脱泡槽３は下端部が開口されて取
出口３ａとなり、この取出口３ａに取出管９が取り付け
られ、取出管９がノズル４にバルブ１０を介して接続さ
れている。又、上端部が間口されて脱泡口３ｂとなって
おり、この脱泡口３ｂに戻り管１１が連結され、その下
端部が容器１内に挿入されている。さらに脱泡槽３内に
レジスト液を注入するため、取出口３ａと脱泡口３ｂと
の間の側壁に注入口３Ｃが開設され、この注入口３Ｃが
ポンプ２に接続されている。
かかる脱泡槽３はレジスト液を一時貯留し、貯留時にレ
ジスト液中の気泡を除去するものである。
ジスト液中の気泡を除去するものである。
１ｊなわち、注入口３Ｃから脱泡槽３内に注入されたレ
ジスト液は、脱泡槽３内に貯留されるが、混入した気泡
はレジスト液よりも比重が小さく軽いため、貯留されて
いる間にレジスト液内を上昇して上端部の脱泡口３ｂに
達し、脱泡口３ｂから排出される。従って、取出口３ａ
から取り出されノズル４から滴下されるレジスト液中に
は気泡は存在せず、均一なレジスト液中を形成すること
ができる。
ジスト液は、脱泡槽３内に貯留されるが、混入した気泡
はレジスト液よりも比重が小さく軽いため、貯留されて
いる間にレジスト液内を上昇して上端部の脱泡口３ｂに
達し、脱泡口３ｂから排出される。従って、取出口３ａ
から取り出されノズル４から滴下されるレジスト液中に
は気泡は存在せず、均一なレジスト液中を形成すること
ができる。
なお、本実施例では脱泡口３ｂから取り出された気泡は
戻り管１１から容器１内に戻されるが、戻り管１１には
バルブ１２が設けられて戻り１１の調整が行なわれるよ
うになっている。又、一般に、ノズル４から滴下される
レジスト液はポンプ２の駆動および停止で制御されるが
、ノズル４にバルブ１０が設けられているから、ポンプ
を駆動させた状態のままでバルブ１０で調整することも
可能である。
戻り管１１から容器１内に戻されるが、戻り管１１には
バルブ１２が設けられて戻り１１の調整が行なわれるよ
うになっている。又、一般に、ノズル４から滴下される
レジスト液はポンプ２の駆動および停止で制御されるが
、ノズル４にバルブ１０が設けられているから、ポンプ
を駆動させた状態のままでバルブ１０で調整することも
可能である。
本実施例においては、脱泡槽３内部にフィルタ１３が設
けられている。このフィルタ１３はレジスト液内の塵等
の浮遊物を捕集して、これを清浄なレジスト液とするに
うに濾過するものである。
けられている。このフィルタ１３はレジスト液内の塵等
の浮遊物を捕集して、これを清浄なレジスト液とするに
うに濾過するものである。
従って、本実施例においては、脱泡槽３内では気泡の除
去と浮遊物の除去とが同時性なわれるようになっている
。
去と浮遊物の除去とが同時性なわれるようになっている
。
第２図は本発明の別の実施例を示す要部の配管図であり
、上記実施例と同一の要素は同一の符号で対応させであ
る。この実施例においては、脱泡槽３の下端部に接続さ
れる取出管９にフィルタ１１！１が接続され、脱泡槽３
内にはフィルタが設けられていない。従って、脱泡槽３
出は気泡の除去のみが行なわれ、浮）ｎ物の除去は脱泡
後にフィルタ１４で行なわれるようになっている。なお
、かかるフィルタ１４の接続位置はこの位置に特に限定
されるものではなく、ポンプ２と脱泡槽３との間あるい
は容器１とポンプ２との間でもよい。
、上記実施例と同一の要素は同一の符号で対応させであ
る。この実施例においては、脱泡槽３の下端部に接続さ
れる取出管９にフィルタ１１！１が接続され、脱泡槽３
内にはフィルタが設けられていない。従って、脱泡槽３
出は気泡の除去のみが行なわれ、浮）ｎ物の除去は脱泡
後にフィルタ１４で行なわれるようになっている。なお
、かかるフィルタ１４の接続位置はこの位置に特に限定
されるものではなく、ポンプ２と脱泡槽３との間あるい
は容器１とポンプ２との間でもよい。
以上の通り本発明によれば、比重の差によってレジスＩ
−液内の気泡を除去する脱泡槽を設けたので、半導体ウ
ェーハの上面に気泡を含まない均一なレジスト膜を形成
することができるレジスト液供給装置が得られる。
−液内の気泡を除去する脱泡槽を設けたので、半導体ウ
ェーハの上面に気泡を含まない均一なレジスト膜を形成
することができるレジスト液供給装置が得られる。
第１図は本発明によるレジスト液供給装置の一実施例の
配管図、第２図は本発明の別の実施例の配管図、第３図
は従来装置の配管図である。 １・・・容器、２・・・ポンプ、３・・・脱泡槽、４・
・・ノズル、５・・・管路、８・・・半導体ウェーハ、
１３．１４・・・フィルタ。 処１図 第３図
配管図、第２図は本発明の別の実施例の配管図、第３図
は従来装置の配管図である。 １・・・容器、２・・・ポンプ、３・・・脱泡槽、４・
・・ノズル、５・・・管路、８・・・半導体ウェーハ、
１３．１４・・・フィルタ。 処１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レジスト液が貯留される容器と、この容器内からレ
ジスト液を取り出すポンプと、レジスト液を濾過するフ
ィルタと、半導体ウェーハにレジスト液を滴下させるノ
ズルと、これらを連結する管路とを備えるレジスト液供
給装置において、前記ポンプとノズルとの間にレジスト
液を一時貯留する脱泡槽が設けられ、この脱泡槽の下端
部が前記ノズルに接続され、上端部に脱泡口が開設され
ており、前記ポンプからの管路がこれらの間に接続され
ていることを特徴とするレジスト液供給装置。 ２、前記脱泡槽の脱泡口からの管路が前記容器に接続さ
れている特許請求の範囲第１項記載のレジスト液供給装
置。 ３、前記フィルタが前記脱泡槽内に取り付けられている
特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のレジスト液供
給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28646985A JPS62144327A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | レジスト液供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28646985A JPS62144327A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | レジスト液供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144327A true JPS62144327A (ja) | 1987-06-27 |
Family
ID=17704795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28646985A Pending JPS62144327A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | レジスト液供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144327A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012110844A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Kawaguchi Spring Seisakusho:Kk | シャワー式塗装装置 |
| JP2021533554A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-12-02 | セミコン テク グローバル リミテッド | ケミカル溶液のパーティクルモニタリング装置及び方法 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP28646985A patent/JPS62144327A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012110844A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Kawaguchi Spring Seisakusho:Kk | シャワー式塗装装置 |
| JP2021533554A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-12-02 | セミコン テク グローバル リミテッド | ケミカル溶液のパーティクルモニタリング装置及び方法 |
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