JPS6214318A - 磁気読取装置 - Google Patents
磁気読取装置Info
- Publication number
- JPS6214318A JPS6214318A JP60152213A JP15221385A JPS6214318A JP S6214318 A JPS6214318 A JP S6214318A JP 60152213 A JP60152213 A JP 60152213A JP 15221385 A JP15221385 A JP 15221385A JP S6214318 A JPS6214318 A JP S6214318A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- heat
- magnetoresistance effect
- ferrite
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気記憶装置に係り、特に磁気ディス（＋）
り、磁気テープ装置に好適な再生用磁気ヘッドに関する
。
。
従来の装置は米特許第３，９４０．７（１７号明細書に
記載のように、磁気抵抗効果膜をＳ ｉ Ｏ２あるいは
ＡＭ、Ｏ，などの絶縁膜を介して高透磁率フェライト（
Ｎｉ−ＺｎあるいはＭ ｎ −７，ｎフェライト）上に
形成していた。磁気抵抗効果膜には１０’〜１０＠Ａ／
ａＪ以上の高電流が通電されるので発熱量が極めて多い
８発熱により素子温度は上昇し特性劣化を来たすが、こ
の発熱による熱を速やかに逃し、素子温度を低温に保つ
点については配慮されていなかった。
記載のように、磁気抵抗効果膜をＳ ｉ Ｏ２あるいは
ＡＭ、Ｏ，などの絶縁膜を介して高透磁率フェライト（
Ｎｉ−ＺｎあるいはＭ ｎ −７，ｎフェライト）上に
形成していた。磁気抵抗効果膜には１０’〜１０＠Ａ／
ａＪ以上の高電流が通電されるので発熱量が極めて多い
８発熱により素子温度は上昇し特性劣化を来たすが、こ
の発熱による熱を速やかに逃し、素子温度を低温に保つ
点については配慮されていなかった。
本発明の目的は、磁気抵抗効果型薄膜センサ部の温度上
昇を低減させた高出力で、かつ寿命の長い磁気抵抗効果
型再生ヘッドを提供することにある。
昇を低減させた高出力で、かつ寿命の長い磁気抵抗効果
型再生ヘッドを提供することにある。
本発明に於ては、熱伝導率の極めて低いフエライト磁石
の上に同様の磁気特性を有する熱伝導率の高い金属磁性
体を形成することにより、磁気シールド特性は全く変え
ずに磁気抵抗効果膜より発生する熱を速やかに放散せし
めて磁気抵抗効果膜の発熱による出力の低下、寿命の劣
化を防止することを特徴としている。
の上に同様の磁気特性を有する熱伝導率の高い金属磁性
体を形成することにより、磁気シールド特性は全く変え
ずに磁気抵抗効果膜より発生する熱を速やかに放散せし
めて磁気抵抗効果膜の発熱による出力の低下、寿命の劣
化を防止することを特徴としている。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図は本発明における磁気抵抗効果型磁気読取装置の
断面図で、１，２は磁気シールド兼磁気ヘッド頭部構成
用フェライト磁石、３，４は高透磁率金属磁性体、５，
６は絶縁物、７は磁気抵抗効果膜（Ｎｉ−１９％Ｆｅ膜
）、８は磁気バイアス膜兼端子用導体（Ｍｏ、Ｔｉ、Ａ
ｕなど）である、１および２のフェライトは例えばＮｉ
−Ｚｎフェライトで厚さは２ｍで、このフェライトの磁
気抵抗効果膜が存在する側に３．４で示す高透磁率膜、
例えばパーマロイ（Ｎｊ−１９％Ｆ８など）を０．１〜
２μｍ形成する。磁気抵抗効果型素子には、通常５ Ｘ
１０’ 〜５ Ｘ １０’Ａ／ａＪの通電を行うが、
このとき発生した熱の大部分は周囲の固体部分への熱伝
導により放散する。もし、第１図３．４に示す金属磁性
体の存在しない場合には、熱伝導率の低い酸化物部分だ
けを伝導放散するので、磁気抵抗効果型素子および磁気
バイアス用金属膜部分での温度ｌ―昇は極めて大きく、
素子の熱的劣化が起こる。例えば、素子の温度は５Ｘ］
Ｏ’Ａ／ｄの通電では約７５℃、５ Ｘ １０’Ａ／−
の通電では約１５０℃となる。勿論、この温度上昇の程
度は素子の形状、場所によって局部的変動があるが、平
均的にはＬ記の値と大差ない。これに対して、本発明の
ように、フェライト部分に金属磁性体を形成すると、こ
の部分での熱の拡散が極めて良好となり、素子の昇温か
効果的に押えられる１例えば、磁性体としてＮｉ−１９
％Ｆ ｅ膜を使用した場合、素子の温度は５ Ｘ １
（’ｌ’Ａ／−で約２５℃、５Ｘ１０’Ａ／−でも約８
０℃である。
断面図で、１，２は磁気シールド兼磁気ヘッド頭部構成
用フェライト磁石、３，４は高透磁率金属磁性体、５，
６は絶縁物、７は磁気抵抗効果膜（Ｎｉ−１９％Ｆｅ膜
）、８は磁気バイアス膜兼端子用導体（Ｍｏ、Ｔｉ、Ａ
ｕなど）である、１および２のフェライトは例えばＮｉ
−Ｚｎフェライトで厚さは２ｍで、このフェライトの磁
気抵抗効果膜が存在する側に３．４で示す高透磁率膜、
例えばパーマロイ（Ｎｊ−１９％Ｆ８など）を０．１〜
２μｍ形成する。磁気抵抗効果型素子には、通常５ Ｘ
１０’ 〜５ Ｘ １０’Ａ／ａＪの通電を行うが、
このとき発生した熱の大部分は周囲の固体部分への熱伝
導により放散する。もし、第１図３．４に示す金属磁性
体の存在しない場合には、熱伝導率の低い酸化物部分だ
けを伝導放散するので、磁気抵抗効果型素子および磁気
バイアス用金属膜部分での温度ｌ―昇は極めて大きく、
素子の熱的劣化が起こる。例えば、素子の温度は５Ｘ］
Ｏ’Ａ／ｄの通電では約７５℃、５ Ｘ １０’Ａ／−
の通電では約１５０℃となる。勿論、この温度上昇の程
度は素子の形状、場所によって局部的変動があるが、平
均的にはＬ記の値と大差ない。これに対して、本発明の
ように、フェライト部分に金属磁性体を形成すると、こ
の部分での熱の拡散が極めて良好となり、素子の昇温か
効果的に押えられる１例えば、磁性体としてＮｉ−１９
％Ｆ ｅ膜を使用した場合、素子の温度は５ Ｘ １
（’ｌ’Ａ／−で約２５℃、５Ｘ１０’Ａ／−でも約８
０℃である。
磁気抵抗効果膜の出力は温度上昇とともに直線的に低下
するので、温度上昇を抑制することによる出力の増大は
高電流密度動作の場合２〜３倍に達する、また、素子の
通電に起因するエレクトロマイグレーションによる素子
の破壊、すなわち素子の寿命も熱活性化により温度に対
して指数函数的に促進されるので、温度−ト昇を抑える
ことにより素子寿命は５〜１０倍となる。第１図３，４
で示した磁性体はＮｉ−Ｆｅ膜のほか、Ｆｅ−８ｉ系。
するので、温度上昇を抑制することによる出力の増大は
高電流密度動作の場合２〜３倍に達する、また、素子の
通電に起因するエレクトロマイグレーションによる素子
の破壊、すなわち素子の寿命も熱活性化により温度に対
して指数函数的に促進されるので、温度−ト昇を抑える
ことにより素子寿命は５〜１０倍となる。第１図３，４
で示した磁性体はＮｉ−Ｆｅ膜のほか、Ｆｅ−８ｉ系。
Ｃｏ−Ｎｉ系ＨＦ ｅ−８ｉＡ Ｑ系、これらに他の元
素を加えた高透磁率磁性体であれば同様の効果がある。
素を加えた高透磁率磁性体であれば同様の効果がある。
さらに、Ｇｏ、Ｆｅ、Ｎｉを主成分とし、これに非晶質
化元素であるＳｉ、ＧｏｔＢｔＴｉ、７．ｒ、Ｍｏ、Ｎ
ｂ、Ｗ、Ｔａなどを添加した非晶質金属の高透磁率磁性
体であっても同様の効果がある。特に非晶質金属は結晶
に比較して硬度が高いので、ヘッド走行面での摩耗量が
小さく好ましい材料である。熱放散のために使う第１図
で示した３、４の金属膜は、使用電流密度が比較的小さ
い場合には３，４の何れか片側だけでもよい、また、金
属磁性膜は０．１μｍ程度より厚い場合に顕著に熱放散
の効果が出てくる。また、金属磁性膜は熱放散の面から
みれば厚いほど良いが、ヘッドの磁気媒体との摺動や摩
耗、薄膜の内部応力によるはく離等の点を考慮すると２
〜３μｍまでが適当である。さらに、本発明では、磁気
抵抗効果膜に磁気バイアスを印加する方式がどのような
方式のものでも適用することができる特徴がある。
化元素であるＳｉ、ＧｏｔＢｔＴｉ、７．ｒ、Ｍｏ、Ｎ
ｂ、Ｗ、Ｔａなどを添加した非晶質金属の高透磁率磁性
体であっても同様の効果がある。特に非晶質金属は結晶
に比較して硬度が高いので、ヘッド走行面での摩耗量が
小さく好ましい材料である。熱放散のために使う第１図
で示した３、４の金属膜は、使用電流密度が比較的小さ
い場合には３，４の何れか片側だけでもよい、また、金
属磁性膜は０．１μｍ程度より厚い場合に顕著に熱放散
の効果が出てくる。また、金属磁性膜は熱放散の面から
みれば厚いほど良いが、ヘッドの磁気媒体との摺動や摩
耗、薄膜の内部応力によるはく離等の点を考慮すると２
〜３μｍまでが適当である。さらに、本発明では、磁気
抵抗効果膜に磁気バイアスを印加する方式がどのような
方式のものでも適用することができる特徴がある。
本発明によれば、磁気抵抗効果型磁気読取ヘッドの磁気
抵抗効果膜の発熱を速やかに放散することができるので
、素子の特性劣化防止に著しい効果があり、実効的に素
子特性を向上せしめる効果がある。
抵抗効果膜の発熱を速やかに放散することができるので
、素子の特性劣化防止に著しい効果があり、実効的に素
子特性を向上せしめる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の磁気読取装置の断面を示す図である。
１．２・・・フェライト磁性体、３，４・・・金属磁性
体、５．６・・・酸化物等の絶縁体、７・・・磁気抵抗
効果膜、８・・・磁気バイアス用導体。
体、５．６・・・酸化物等の絶縁体、７・・・磁気抵抗
効果膜、８・・・磁気バイアス用導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気抵抗効果型薄膜を用い、かつ高透磁率のフェラ
イト磁石を磁気シールドに用いた磁気読取装置に於て、
前記フェライト磁石の磁気抵抗効果膜に近い部分に強磁
性金属膜を形成したことを特徴とする磁気読取装置。 ２、前記強磁化金属膜がＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏを主成分とす
る高透磁率磁性体であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の磁気読取装置。 ３、前記強磁性金属膜がＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏを主成分とす
る結晶性磁性体であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の磁気読取装置。 ４、前記強磁性金属膜がＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅを主成分とす
る非晶質磁性体であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の磁気読取装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152213A JPS6214318A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 磁気読取装置 |
| US06/879,567 US4783711A (en) | 1985-07-12 | 1986-06-27 | Magnetoresistive sensor having magnetic shields of ferrite |
| DE19863622241 DE3622241A1 (de) | 1985-07-12 | 1986-07-02 | Magnet-widerstandssensor |
| KR1019860005381A KR900006636B1 (ko) | 1985-07-06 | 1986-07-03 | 자기 저항 효과형 자기 독취 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152213A JPS6214318A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 磁気読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214318A true JPS6214318A (ja) | 1987-01-22 |
Family
ID=15535541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60152213A Pending JPS6214318A (ja) | 1985-07-06 | 1985-07-12 | 磁気読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214318A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01223614A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JPH06259739A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗読取りセンサを備えた接触磁気記録ディスク・ファイル |
| JPH0836717A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
| TWI381902B (zh) * | 2008-02-07 | 2013-01-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Working Machinery |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60152213A patent/JPS6214318A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01223614A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JPH06259739A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗読取りセンサを備えた接触磁気記録ディスク・ファイル |
| JPH0836717A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
| TWI381902B (zh) * | 2008-02-07 | 2013-01-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Working Machinery |
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