JPS62141021A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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Publication number
JPS62141021A
JPS62141021A JP28156985A JP28156985A JPS62141021A JP S62141021 A JPS62141021 A JP S62141021A JP 28156985 A JP28156985 A JP 28156985A JP 28156985 A JP28156985 A JP 28156985A JP S62141021 A JPS62141021 A JP S62141021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin
silicon carbide
phenolic
resin composition
Prior art date
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Pending
Application number
JP28156985A
Other languages
English (en)
Inventor
Takuji Ito
伊藤 拓二
Etsuji Kubo
久保 悦司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication of JPS62141021A publication Critical patent/JPS62141021A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、高熱伝4性を有する半導体装置封止用エポキ
シ樹脂成形材料(封止材)に関するものである。
(従来の技術) 封止材を用いたトランスファ成形法による半導体装置の
樹脂封止は、生産性の良さから封止法の主流を占めてい
る。さらに封止材の信頼性向上に伴ない適用範囲もメモ
リ、マイコンなどのVLSI’!で拡大し、より一ノー
の信頼性向上が要求さnている。
特に最近では、集積度向上のための素子サイズの大型化
や、パッケージ形状の薄肉小型化、フルバツク化に伴い
、高熱伝尋性紫有し、熱放散性の優れた封止材が要求さ
れるに至っている。
従来、こnら要Xに対し、熱伝導性に曖nた結晶性シリ
カ、アルミナ、ジルコン等を光項酌にした封止材で対処
していた。
(発明が解決しようとする間h1点り しかし、結晶性シリカの充填ii&(f−増すことは、
yIA膨張率が太きく(1j行熱倫撃性を低下させるう
えに流動性も損なわ17、またアルミナ、ジルコン等は
金型j¥粍が激しく、いすnの方法も満足すべきもので
はなかった。
本発明は、上記問題点について検討した結朱得らnたも
のであり、その目的は熱伝導性に没n1かつ熱膨張率が
小さく、成形作栗注にも優2−L之有用な封止材?提供
することにある。
(問題点を着決するための手段う すなわち本発明は(a)エポキシ樹脂と、(b)1分子
中に少なくとも2個のフェノール注水酸基を有するフェ
ノール樹脂系硬化剤と、(C)水に可溶な不純物の中で
Naイオンが5IIIpH以下、 Clイオンが10卿
以下の繊維状炭化ケイ素光項剤とを必須成分としてなる
半専体封土用エポキシ側脂組成v!Jに関するものであ
る。
本発明で用いる炭化ケイ素光墳剤としては、短繊維状の
もので稙維径が5μm以下のもので、プレッシャークツ
カー試験により容易にイオン化する不純物、丁なわち、
クロルイオン、ナトリウムイオンが少いものが良く、好
ましくはクロルイオンが10−以下、ナトリウムイオン
が5p戸以下のものがよい。
また光墳刑としては、この穢維状炭化ケイ素光填剤単独
、または結晶性シリカ、溶融シリカ等信の充填剤と組合
せて使用できる。
本発明に用いることができるエポキシ樹脂としては、た
とえばビスフェノールA、ビスフェノールFルゾルシノ
ール、フェノールノボラック、クレゾールノボラックな
どのフェノール類のグリシジルエーテル、ブタンジオー
ル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコー
ルなどのアルコール類のグリシジルエーテル、7タル酸
、インフタル酸、テレフタル@、テトラヒドロフタル酸
などのカルボンmMのグリシジルエステル、アニリン、
イソシアヌール俄すどの窒素原子に結合した活性水素を
グリシジル基で置換したものなどのグリシジル型エポキ
シ樹脂、分子内のオレフィン結付を過改吟でエポキシ化
して得らnるいわゆる脂環型エポキシドなどがあげらn
る。中でもエポキシ当量180〜205のO−クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂が好適である。
また、硬化剤としては1分子中に少なくとも2個以上の
フェノール性水酸基を有するノボラック型フェノール樹
脂、ノボラック型クレゾール樹脂などのフェノール樹脂
が用いらnる。
さらに硬化促進剤としては、たとえば、2メチルイミダ
ゾール、2エチル−4−メチルイミダゾールなどのイミ
ダゾール類、ベンジルジメチルアミンなどの三級アミン
類、トリブチルホスフィンやトリフェニルホスフィンな
どの有機リン化付物などを用いることが好ましく、その
細石色剤、離型剤、難燃剤、カップリング剤などを必要
に応じて用いることができる。
本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂成形材料の製造
方法としては、ミキシングロールや押出→音用いた浴融
混せ法が好適であり、こnら方法によすHr望の流動性
の組成物ケ製造することができる。
(実施例) 以下実施例ケもって具体的に呪明するっ美旌例1〜5、
比較例1〜2 表1に示す欅維状(療雄径1μm以下)の炭化ケイ素光
墳剤、軟化点82℃、エポキシ当量198の0−クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂(1)、軟化点76℃、
エポキシ当量400のブロム化、ビスフェノール型エポ
キシfit B’H(2) 、その池表2に示す添加剤
を表2VC示す量で配合し、80℃のミキシングロール
で5分間混曾した。
浴融油付した材料はシート状で取出し、冷却後粉砕して
成形に供した。
、ユ1:、7:1″″I 表1 充填剤 表2  実施例及び比較例配合と特性 比戟例2は結晶性シリカで充填剤を増量した従来の高熱
伝導タイプの材料であり、流動性の低下、ならびに線#
張係数が大きい欠点がある。
また比較例1は浴融シリカを用いた材料であるが、熱伝
導率が小さい。こnに対し、実施?111〜3で示した
本発明による例では、熱伝導率が良好で、線膨張係数が
小さく、優nでいることがわかる。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように不発明によれば熱伝導性にす
ぐn、熱膨張係数が小さく、作業性に優nた半専体封止
が可能となりfc。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a)エポキシ樹脂と、 (b)1分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基
    を有するフェノール樹脂系硬化剤 と、 (c)水に可溶な不純物の中でNaイオンが5ppm以
    下、Clイオンが10ppm以下の繊維状炭化ケイ素充
    填剤とを必須成分としてなる 半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
JP28156985A 1985-12-13 1985-12-13 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPS62141021A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63142025A (ja) * 1986-12-05 1988-06-14 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物
WO2018181600A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 日立化成株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Cited By (3)

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JPS63142025A (ja) * 1986-12-05 1988-06-14 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物
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JPWO2018181600A1 (ja) * 2017-03-31 2020-02-13 日立化成株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

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