JPS62132377A - Photomicrosensor - Google Patents
PhotomicrosensorInfo
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- JPS62132377A JPS62132377A JP60273886A JP27388685A JPS62132377A JP S62132377 A JPS62132377 A JP S62132377A JP 60273886 A JP60273886 A JP 60273886A JP 27388685 A JP27388685 A JP 27388685A JP S62132377 A JPS62132377 A JP S62132377A
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- Japan
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- light
- chip
- light emitting
- transparent resin
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は発光素子チップと受光素子チップとを同一のパ
ッケージ内に封入し、反射光によって物体を検出する反
射型のフォトマイクロセンサに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of the Invention] The present invention relates to a reflective photomicrosensor in which a light-emitting element chip and a light-receiving element chip are enclosed in the same package and detect an object using reflected light.
本発明によるフォトマイクロセンサは、発光素子及び受
光素子のチップを相対向するリードフレーム上に形成し
、透明樹脂によってモールド成形すると共に中央部に溝
を設けて分離し、反射光の有無によって物体を検出する
フォトマイクロセンサである。In the photomicrosensor according to the present invention, chips of a light emitting element and a light receiving element are formed on opposing lead frames, molded with transparent resin, separated by a groove in the center, and objects are detected depending on the presence or absence of reflected light. It is a photomicrosensor for detection.
従来反射型のフォトセンサは、発光ダイオード等の発光
素子とフォトトランジスタ等の受光素子を夫々別の素子
にモールド成形し、その後1つのケースに組立てたもの
が知られている。このような従来の反射型フォトセンサ
ではケースへの取付位置によって投受光素子の位置決め
を行っているため、ケースの構造が複雑となったり投受
光素子の位置にばらつきが発生し易いという問題点があ
った。又発光素子と受光素子を別々にモールドする必要
があるため製造に手間がかかり、組立作業性が悪くなる
という問題点があった。Conventionally, a reflective photosensor is known in which a light emitting element such as a light emitting diode and a light receiving element such as a phototransistor are molded into separate elements, and then assembled into one case. In such conventional reflective photosensors, the positioning of the light emitting and receiving elements is determined by the mounting position on the case, which causes problems such as the structure of the case being complicated and the position of the light emitting and receiving elements tending to vary. there were. Furthermore, since it is necessary to mold the light emitting element and the light receiving element separately, there is a problem in that the manufacturing process is time-consuming and the assembly workability is poor.
そこで投受光素子を同一のパッケージ上に封入したフォ
トマイクロセンサも知られている。第2図はこのような
従来のフォトマイクロセンサを示す斜視図であって、パ
ンケージ1内に発光ダイオードチップ2及びフォトトラ
ンジスタチップ3を設け、夫々のチップの両端をリード
fI4に接続すると共に遮光壁を有するキャップ5によ
って投受光部を分離し、キャップ5の上面に透明樹脂6
を設けて構成したものである。このような反射型フォト
マイクロセンサは位置決めを精度を向上させることがで
きるが、投受光素子の上面にレンズを形成することが困
難であり、又リードフレームを用いていないため生産性
が悪(なるという問題点があった。Therefore, a photomicrosensor in which a light emitting/receiving element is enclosed in the same package is also known. FIG. 2 is a perspective view showing such a conventional photomicrosensor, in which a light-emitting diode chip 2 and a phototransistor chip 3 are provided in a pan cage 1, both ends of each chip are connected to a lead fI4, and a light-shielding wall is provided. The light emitting and receiving parts are separated by a cap 5 having a transparent resin 6 on the top surface of the cap 5.
It is configured by providing. Such a reflective photomicrosensor can improve positioning accuracy, but it is difficult to form a lens on the top surface of the light emitting/receiving element, and productivity is poor because it does not use a lead frame. There was a problem.
本発明はこのような従来の反射型フォトマイクロセンサ
の問題点に鑑みてなされたものであって、投受光素子を
透明樹脂上に一体化してモールドすることによって容易
に製造することができるフォトマイクロセンサを提供す
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the problems of conventional reflective photomicrosensors, and is a photomicrosensor that can be easily manufactured by integrally molding a light emitting and receiving element on a transparent resin. The purpose is to provide sensors.
本発明は発光素子チップからの光を外部に照射すると共
に、受光素子チップによりその反射光の有無に基づいて
物体を検出する反射型のフォトマイクロセンサであって
、相対向するリードフレーム上に夫々ボンディングされ
た発光素子チップと受光素子チップとを透明樹脂内に一
体にモールド成形し、該透明樹脂の中央部に溝を設けて
構成したことを特徴とするものである。The present invention is a reflective photomicrosensor that irradiates light from a light emitting element chip to the outside and detects an object based on the presence or absence of the reflected light using a light receiving element chip. This device is characterized in that a bonded light emitting element chip and a light receiving element chip are integrally molded in a transparent resin, and a groove is provided in the center of the transparent resin.
このような特徴を有する本発明によれば、相対向するリ
ードフレーム上に発光素子と受光素子のチップを配置し
て透明樹脂によって一体に成形し、その間に溝を設けて
構成しており発光素子チップからの光が物体に反射して
受光素子チップに与えられたときに物体を検知するよう
にしている。こうすれば各チップの位置や角度等がモー
ルド成形時に規定されるため、ばらつきを極めて少なく
することができる。又製造工程が大幅に削減されるため
、量産により価格の低減を図ることができる。According to the present invention having such features, the chips of the light emitting element and the light receiving element are disposed on opposing lead frames and integrally molded with transparent resin, and a groove is provided between them. The object is detected when the light from the chip is reflected by the object and applied to the light receiving element chip. In this way, the position, angle, etc. of each chip are defined during molding, so variations can be extremely reduced. Furthermore, since the manufacturing process is significantly reduced, it is possible to reduce the price through mass production.
そしてフォトマイクロセンサをケースに収納する場合に
は投受光素子の位置を規定する必要はなく製造が極めて
容易となる。更に外乱光が少ない状況下で使用する場合
にもケースを用いる必要がな(なり、透明樹脂による封
入成形のみで構成することができるため大幅に価格を低
減すること可能となる。When the photomicrosensor is housed in a case, it is not necessary to specify the positions of the light emitting and receiving elements, making manufacturing extremely easy. Furthermore, there is no need to use a case even when used under conditions with little ambient light (this makes it possible to construct the device only by encapsulation molding with transparent resin, making it possible to significantly reduce the price).
第1図は本発明によるフォトマイクロセンサの一実施例
を示す縦断面図及び立面図である。本図において発光ダ
イオードチップ11とフォトトランジスタチップ12と
を夫々リードフレーム13゜14上にボンディングして
形成する。そして発光ダイオードチップ11及びフォト
トランジスタチップ12が形成されたリードフレーム1
3.14の先端部を透明樹脂15による低圧成形によっ
て中央部に溝16を設けて断面コ字状にモールド成形す
る。リードフレーム13.14は一直線上に配置せず、
発光ダイオードチップ11から照射された光が物体に反
射してフォトトランジスタチップ12に与えられるよう
にするために図示のように鈍角となるように配置するも
のとする。溝16は発光ダイオードチップ11からの光
が直接樹脂内を通ってフォトトランジスタチップ12に
到達しないように中央を分離するものである。そして透
明樹脂15上部の発光ダイオードチップ11及びフォト
トランジスタチップ12上に夫々図示のようにレンズ1
7.18を形成する。又透明樹脂15の下面には全反射
を防止するため表面に微細な反射防止溝19を形成する
ことが好ましい。FIG. 1 is a longitudinal sectional view and an elevational view showing an embodiment of a photomicrosensor according to the present invention. In this figure, a light emitting diode chip 11 and a phototransistor chip 12 are bonded and formed on lead frames 13 and 14, respectively. And a lead frame 1 on which a light emitting diode chip 11 and a phototransistor chip 12 are formed.
The tip of 3.14 is molded into a U-shaped cross section with a groove 16 in the center by low-pressure molding with transparent resin 15. The lead frames 13 and 14 are not arranged in a straight line,
In order to allow the light emitted from the light emitting diode chip 11 to be reflected by an object and applied to the phototransistor chip 12, the light emitting diode chip 11 is arranged at an obtuse angle as shown in the figure. The groove 16 separates the light from the light emitting diode chip 11 in the center so that it does not directly pass through the resin and reach the phototransistor chip 12. A lens 1 is placed on the light emitting diode chip 11 and the phototransistor chip 12 on the transparent resin 15, respectively, as shown in the figure.
Form 7.18. Further, it is preferable to form fine anti-reflection grooves 19 on the lower surface of the transparent resin 15 in order to prevent total reflection.
そして外乱光が少ない状態ではケースは不要であるので
透明樹脂15によって成形されたフォトマイクロセンサ
をそのまま用い、必要に応じてリードフレーム13.1
4を図中破線で示すように折り曲げる。そうすれば発光
ダイオードチップ11より発光した光は透明樹脂15と
レンズ17を透過して外部に照射され、焦点位置に物体
20が存在する場合にはそこからの反射光がレンズ1日
を介してフォトトランジスタチップ12に与えられる。Since a case is not necessary in a state where there is little disturbance light, the photomicrosensor molded from transparent resin 15 is used as is, and lead frame 13.1 is attached as needed.
4 as shown by the broken line in the figure. Then, the light emitted from the light emitting diode chip 11 passes through the transparent resin 15 and the lens 17 and is irradiated to the outside, and if there is an object 20 at the focal position, the light reflected from it passes through the lens 17. applied to the phototransistor chip 12.
従って物体の有無によって光が断続されるためフォトト
ランジスタチップ12からの出力によって物体を検出す
る反射型のフォトマイクロセンサとすることができる。Therefore, since the light is interrupted depending on the presence or absence of an object, it is possible to use a reflective photomicrosensor that detects an object based on the output from the phototransistor chip 12.
こうすればリードフレームを用いているため製造工程を
大幅に軽減させることができ、商い位置決め精度で発光
ダイオードチップ及びフォトトランジスタチップを配置
したフォトマイクロセンサを構成することができる。In this way, since a lead frame is used, the manufacturing process can be significantly reduced, and a photomicrosensor in which a light emitting diode chip and a phototransistor chip are arranged with high positioning accuracy can be constructed.
尚本実施例は透明樹脂15をそのまま用いたが、外乱光
が入射される可能性がある環境下で使用する場合には、
このフォトマイクロセンサを所定のケース内に封入して
用いるようにしてもよい。こつ場合には前述した従来例
と同様に透明樹脂15の中央部に設けられた溝に破線で
示すように遮光板を挿入するようにすれば、発光ダイオ
ードチップ11からの光が直積フォトトランジスタチッ
プ12に伝わることがなくなり、物体検出の信頼性を向
上させることが可能となる。In this embodiment, the transparent resin 15 was used as is, but when used in an environment where there is a possibility of incident disturbance light,
This photomicrosensor may be used by being enclosed in a predetermined case. In this case, as in the conventional example described above, insert a light-shielding plate into the groove provided in the center of the transparent resin 15 as shown by the broken line, and the light from the light-emitting diode chip 11 will pass through the direct phototransistor chip. 12, making it possible to improve the reliability of object detection.
第1図は本発明によるフォトマイクロセンサの一実施例
を示す断面図、第2図は従来のフォトマイクロセンサの
一例を示す斜視図である。
1−・・・パッケージ 2 、 11−−−−−−・
−発光ダイオードチップ 3.12−・・・・−・フ
ォトトランジスタチップ 6,15−・−・・−透明
樹脂 13.14・−・−・リードフレーム 17
.18−−−−−・・レンズ19−・・・−・・反射防
止溝
特許出願人 立石電機株式会社
代理人 弁理士 岡本官喜(他1名)
第1図
11−−−−−−・−発たダイオード+、、デ12−−
−−−・−フォトトランジ°スタ号、、デ1B、14−
−−−− ’J−ドフレーム15−−−−−−−透明針
11ft
19・−一−−−−艮耐彷火ゑ
第2図FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a photomicrosensor according to the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing an example of a conventional photomicrosensor. 1-...Package 2, 11--------
-Light emitting diode chip 3.12-...-Phototransistor chip 6,15--Transparent resin 13.14--Lead frame 17
.. 18-------- Lens 19-- Anti-reflection groove Patent applicant Tateishi Electric Co., Ltd. Agent Patent attorney Kanki Okamoto (and one other person) Figure 1 11-- -Emitted diode +,, de12--
---・-Phototransistor Star No., 1B, 14-
---- 'J-do frame 15----------Transparent needle 11ft 19・--1----- Figure 2
Claims (3)
、受光素子チップによりその反射光の有無に基づいて物
体を検出する反射型のフォトマイクロセンサであって、 相対向するリードフレーム上に夫々ボンディングされた
発光素子チップと受光素子チップとを透明樹脂内に一体
にモールド成形し、該透明樹脂の中央部に溝を設けて構
成したことを特徴とするフォトマイクロセンサ。(1) A reflective photomicrosensor that irradiates light from a light-emitting element chip to the outside and detects an object based on the presence or absence of reflected light using a light-receiving element chip. A photomicrosensor characterized in that a bonded light-emitting element chip and a light-receiving element chip are integrally molded in a transparent resin, and a groove is provided in the center of the transparent resin.
溝を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のフォトマイクロセンサ。(2) The photomicrosensor according to claim 1, wherein the transparent resin has fine anti-reflection grooves formed on its lower surface.
子チップの上部位置にレンズを形成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のフォトマイクロセンサ。(3) The photomicrosensor according to claim 1, wherein the transparent resin has a lens formed above the light emitting element chip and the light receiving element chip.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60273886A JPS62132377A (en) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | Photomicrosensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60273886A JPS62132377A (en) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | Photomicrosensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62132377A true JPS62132377A (en) | 1987-06-15 |
Family
ID=17533940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60273886A Pending JPS62132377A (en) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | Photomicrosensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62132377A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP0790654A2 (en) * | 1995-09-20 | 1997-08-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoreflective detector and method for producing the same |
CN111312850A (en) * | 2020-04-07 | 2020-06-19 | 向军 | Photoelectric triode anti-saturation circuit |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP60273886A patent/JPS62132377A/en active Pending
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EP0790654A3 (en) * | 1995-09-20 | 1998-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoreflective detector and method for producing the same |
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US6060337A (en) * | 1995-09-20 | 2000-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoreflective detector including a light emitting element and a light receiving element located at different distances from an object reflecting light from the emitting element |
CN111312850A (en) * | 2020-04-07 | 2020-06-19 | 向军 | Photoelectric triode anti-saturation circuit |
CN111312850B (en) * | 2020-04-07 | 2021-10-26 | 上海权策微电子技术有限公司 | Photoelectric triode anti-saturation circuit |
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