JPS62132313A - 分子ジエツト発生装置 - Google Patents
分子ジエツト発生装置Info
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- JPS62132313A JPS62132313A JP60271279A JP27127985A JPS62132313A JP S62132313 A JPS62132313 A JP S62132313A JP 60271279 A JP60271279 A JP 60271279A JP 27127985 A JP27127985 A JP 27127985A JP S62132313 A JPS62132313 A JP S62132313A
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- Japan
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- cracking
- gas
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- molecules
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、エピタキシャル堆積を用いて半導体を製造す
るための熱分解の場合の分子ジェット発生装置である。
るための熱分解の場合の分子ジェット発生装置である。
より詳細には本発明は、例えばＧａＡｓ、ＧａＡｊ！Ａ
ｓ、ＩｎＧａＡＳ。
ｓ、ＩｎＧａＡＳ。
ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｊ！Ａｓの如き合金から形
成され単結晶質ヘテロ構造に組込まれてオプトエレクト
ロニック素子を構成するためのｍ−ｖ族半導体層の製造
に使用される。かかる層の形成には、ヒ素及びリンの如
き、極めて揮発性のＶ族元素の分子ジェットを使用する
必要があり、しかもこれら元素が極めて高純度（７Ｎ）
でな（プればならない。
成され単結晶質ヘテロ構造に組込まれてオプトエレクト
ロニック素子を構成するためのｍ−ｖ族半導体層の製造
に使用される。かかる層の形成には、ヒ素及びリンの如
き、極めて揮発性のＶ族元素の分子ジェットを使用する
必要があり、しかもこれら元素が極めて高純度（７Ｎ）
でな（プればならない。
分子ジェットによるエピタキシャル１ｆｆｌ（対応英ｉ
Ｑ ［Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｃｐｉｔａｘｙ
（分子ビームエピタキシー）」）では、５００℃のオー
ダの温度に加熱した単結晶質基体に、超高真空（１０−
１０トル）下で形成ずべぎ層の元素を凝縮させる。
Ｑ ［Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｃｐｉｔａｘｙ
（分子ビームエピタキシー）」）では、５００℃のオー
ダの温度に加熱した単結晶質基体に、超高真空（１０−
１０トル）下で形成ずべぎ層の元素を凝縮させる。
合金の各元素の分子ジェットの流量は、精密に調整され
る必要がある。わずか２種類の元素が使用される場合に
も、一方が周ＩＩ律表の■族に属し他方がＶ族に属する
場合には、各元素の分子ジェッ］−の流量の違いは大き
い。何枚なら蒸気圧及び凝縮確率の違いが極めて大きい
からである。このためＶ族元素に関しては、例えば熱分
解形成窒化ボウ索から成る耐火性ルツボ内でリン又はヒ
素の固体状材料を胃華させて分子を形成する方法よりも
、分子ジェット発生装置を使用するほうが好ましい。
る必要がある。わずか２種類の元素が使用される場合に
も、一方が周ＩＩ律表の■族に属し他方がＶ族に属する
場合には、各元素の分子ジェッ］−の流量の違いは大き
い。何枚なら蒸気圧及び凝縮確率の違いが極めて大きい
からである。このためＶ族元素に関しては、例えば熱分
解形成窒化ボウ索から成る耐火性ルツボ内でリン又はヒ
素の固体状材料を胃華させて分子を形成する方法よりも
、分子ジェット発生装置を使用するほうが好ましい。
分子ジェット発生装置は以下の素子を含む。
−半導体層の形成に寄与すべく結晶質基板にエピタキシ
ャル的に堆積し得る種々の二次分子を分解によって形成
し１ｑる一次ガスのソース。
ャル的に堆積し得る種々の二次分子を分解によって形成
し１ｑる一次ガスのソース。
−前記ソースの流量を制御する弁。
−耐火壁をもち且つ入口と出口とを有しており、前記ガ
スを導入し前記壁との接触によって前記ガスの熱分解を
確保し、これにより前記弁によって制御される流ｍで前
記二次分子を形成すべく前記弁の下流に配置された熱分
解管。
スを導入し前記壁との接触によって前記ガスの熱分解を
確保し、これにより前記弁によって制御される流ｍで前
記二次分子を形成すべく前記弁の下流に配置された熱分
解管。
一前記半導体層の形成に最も効果的に寄与し得る二次分
子が選択的に形成される温度で輻射によって１１ｎ記分
解管の壁を実質的に均質に加熱するために分解管を包囲
して電流を通す加熱フィラメント。
子が選択的に形成される温度で輻射によって１１ｎ記分
解管の壁を実質的に均質に加熱するために分解管を包囲
して電流を通す加熱フィラメント。
と。
一加熱フィラメントの効率を高め、且つ分解管の壁の温
度をより均質にするために前記加熱フイラメントを包囲
している熱反射装置。
度をより均質にするために前記加熱フイラメントを包囲
している熱反射装置。
−排気下のチャンバ内で前記基板に向って案内される分
子ジェットを前記二次分子によって形成づるために、分
解管の下流に配回された指向性ジェット形成手段。
子ジェットを前記二次分子によって形成づるために、分
解管の下流に配回された指向性ジェット形成手段。
上記の如きガス発生装置は、応用物理ジャーナル（Ｊｏ
ｕｓｔ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ）
、 ５５１゜１０号、 １９８４年 ５月１５日、
３５７１〜３５７６頁、米国物理学協会（Ａｍｅｒｉｃ
ａｎ Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
。
ｕｓｔ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ）
、 ５５１゜１０号、 １９８４年 ５月１５日、
３５７１〜３５７６頁、米国物理学協会（Ａｍｅｒｉｃ
ａｎ Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
。
ニューヨーク、米国；に所収の論文エム・ビー・バニツ
シ１（Ｍ、 Ｂ、 Ｐａｎ１ｓｈ）等二ｒＧａ Ｉｎ
Ｐ Ａｓ のガスソース分Ｘ １−Ｘ
ｙ １−ｙ 子ビームエピタキシー（ＱａＳ ５ｏｕｒｃｅ ｌｌｏ
Ｉｅｃｕｌａｒｂｅａｍ ｅＤ ｊ ｊａＸＶ Ｏｒ
Ｇ ａ Ｘ Ｉ ｎ １−Ｘ Ｐ ｙ Ａ Ｓ １−ｖ
）Ｊより公知である。
シ１（Ｍ、 Ｂ、 Ｐａｎ１ｓｈ）等二ｒＧａ Ｉｎ
Ｐ Ａｓ のガスソース分Ｘ １−Ｘ
ｙ １−ｙ 子ビームエピタキシー（ＱａＳ ５ｏｕｒｃｅ ｌｌｏ
Ｉｅｃｕｌａｒｂｅａｍ ｅＤ ｊ ｊａＸＶ Ｏｒ
Ｇ ａ Ｘ Ｉ ｎ １−Ｘ Ｐ ｙ Ａ Ｓ １−ｖ
）Ｊより公知である。
この公知の発生装置では、一次ガスが管状分解管面内で
循環する。従って、形成された分子ジェッ１−中では異
なる原子数をもつ分子、例えばＰ２．Ｐ４等の比率が多
少とも不正確になるという欠点が見られる。この欠点は
、いかなる加熱電力を選択した場合にもある程度生じる
。
循環する。従って、形成された分子ジェッ１−中では異
なる原子数をもつ分子、例えばＰ２．Ｐ４等の比率が多
少とも不正確になるという欠点が見られる。この欠点は
、いかなる加熱電力を選択した場合にもある程度生じる
。
本発明の目的は、所定の組成をもつ分子ジェット、特に
ヒ素又はリンの分子ジェットを簡単に発生させることで
ある。
ヒ素又はリンの分子ジェットを簡単に発生させることで
ある。
即ち本発明の目的は、エピタキシャル堆積による半導体
製造のために熱分解による分子ジェット発生装置を提供
することであり、本発明装置は、−半導体層の形成に寄
与すべく結晶Ｍ Ｗ板にエピタキシャル的に堆積し得る
種々の二次分子を分解によって形成し得る一次ガスのソ
ース（２２）と、−前記ソースの流量を制御する弁（２
０）と、−耐火壁をもち且つ入口（１１ｂ）と出口（１
１ａ）とを有しており、前記ガスを導入し前記壁との接
触によって前記ガスの熱分解を確保し、これにより前記
弁によって制御される流量で前記二次分子を形成すべく
前記弁の下流に配置された熱分解管（１１）と、 一前記半導体層の形成に最も効果的に寄与し得る二次分
子が選択的に形成される温度で前記分解管の壁を実質的
に均質に加熱するために分ｗＩ管を包囲して電流を通ず
加熱フィラメント（３０）と、−排気下のチャンバ内で
前記基板に向って案内される分子ジェットを前記二次分
子によって形成するために分解管の下流に配置された指
向性ジェット形成手段γ（６ｓ、 １１ａ）と、 前記分解管（１１）が実質的に円筒状又は角柱状の細長
いボディの形状を有しており、一連の連通用開孔（６ｐ
、 ６Ｇ、 ６ｒ、 ６３）を介して連通ずる一連の隔
蛮を形成する横断内部隔壁（６ａ、Ｇｂ、６ｃ、６ｄ）
がボディの長手方向に順次設けられており、 前記分＠管の壁に対する一次ガスの分子の衝突回数を増
加するように前記開孔の通路横断面積がボディの内部横
断面積の１／４より小さいことである。
製造のために熱分解による分子ジェット発生装置を提供
することであり、本発明装置は、−半導体層の形成に寄
与すべく結晶Ｍ Ｗ板にエピタキシャル的に堆積し得る
種々の二次分子を分解によって形成し得る一次ガスのソ
ース（２２）と、−前記ソースの流量を制御する弁（２
０）と、−耐火壁をもち且つ入口（１１ｂ）と出口（１
１ａ）とを有しており、前記ガスを導入し前記壁との接
触によって前記ガスの熱分解を確保し、これにより前記
弁によって制御される流量で前記二次分子を形成すべく
前記弁の下流に配置された熱分解管（１１）と、 一前記半導体層の形成に最も効果的に寄与し得る二次分
子が選択的に形成される温度で前記分解管の壁を実質的
に均質に加熱するために分ｗＩ管を包囲して電流を通ず
加熱フィラメント（３０）と、−排気下のチャンバ内で
前記基板に向って案内される分子ジェットを前記二次分
子によって形成するために分解管の下流に配置された指
向性ジェット形成手段γ（６ｓ、 １１ａ）と、 前記分解管（１１）が実質的に円筒状又は角柱状の細長
いボディの形状を有しており、一連の連通用開孔（６ｐ
、 ６Ｇ、 ６ｒ、 ６３）を介して連通ずる一連の隔
蛮を形成する横断内部隔壁（６ａ、Ｇｂ、６ｃ、６ｄ）
がボディの長手方向に順次設けられており、 前記分＠管の壁に対する一次ガスの分子の衝突回数を増
加するように前記開孔の通路横断面積がボディの内部横
断面積の１／４より小さいことである。
本発明によれば、少くともいくつかの場合には特に以下
の構成を用いるのがより有利であると思われる。
の構成を用いるのがより有利であると思われる。
一一次ガス分子が分解管を直線通過しないように、継続
的連通用開孔（６ｐ、６Ｑ、６ｒ、６３）は分解管ボデ
ィ（１１）の別々の母線の近傍に〆配置されている。
的連通用開孔（６ｐ、６Ｑ、６ｒ、６３）は分解管ボデ
ィ（１１）の別々の母線の近傍に〆配置されている。
−指向性ジェット形成手段は、最終内部隔壁（６ｄ）の
表面に分配配置された複数個の前記の如き開孔（６Ｓ）
と前記隔壁の下流側の分解管ボディ（１１）の末端部分
（１１ａ）とを有しており、所定の角度範囲の均質ジツ
エトを形成する。
表面に分配配置された複数個の前記の如き開孔（６Ｓ）
と前記隔壁の下流側の分解管ボディ（１１）の末端部分
（１１ａ）とを有しており、所定の角度範囲の均質ジツ
エトを形成する。
−前記加熱フィラメント（３０）は、分解管１１を輻射
によって加熱すべく前記分解管を非接触的に包囲してお
り、加熱フィラメント（３０）の効率を向上させ分解管
（１１）の壁の温度をより均質にするために熱反射装置
（９）が前記加熱フィラメントを包囲している。
によって加熱すべく前記分解管を非接触的に包囲してお
り、加熱フィラメント（３０）の効率を向上させ分解管
（１１）の壁の温度をより均質にするために熱反射装置
（９）が前記加熱フィラメントを包囲している。
一前記論法ガスの流量を調整するために前記弁の下流に
金属製毛細管（２）が接続されており、前記毛ｍ管は加
熱されないように分解管（１１）から離間る。
金属製毛細管（２）が接続されており、前記毛ｍ管は加
熱されないように分解管（１１）から離間る。
添付図面に示す非限定具体例に基いて、本発明をより詳
細に以下に説明する。図示及び記載の素子が同じ技術的
機能を確保する別の素子で置換されｉ％ることを理解さ
れたい。また、異なる図面中の等しい素子は同じ参照符
号で示される。
細に以下に説明する。図示及び記載の素子が同じ技術的
機能を確保する別の素子で置換されｉ％ることを理解さ
れたい。また、異なる図面中の等しい素子は同じ参照符
号で示される。
記載の具体例に於いて論法ガスはホスフィンρ１−１３
から成り、 該ガスから発生したリンの分子ジェットと同様に下から
上に向って流れる。発生装置は以トの糸子を含む。
から成り、 該ガスから発生したリンの分子ジェットと同様に下から
上に向って流れる。発生装置は以トの糸子を含む。
１、ガスソースが配置される図示しない超高真空チャン
バの齋閉性を確保する／ステンレススチールの支持フラ
ンジ。超高真空チャンバと一体的な対向フランジと２フ
ランジ１との間で押圧された銀メッキ鋼シールによって
密ｔ＝ｒが確保される。
バの齋閉性を確保する／ステンレススチールの支持フラ
ンジ。超高真空チャンバと一体的な対向フランジと２フ
ランジ１との間で押圧された銀メッキ鋼シールによって
密ｔ＝ｒが確保される。
２、フランジ１に溶接された外径３．２ｍｍのステンレ
ススチールＮ５２２５の毛細管。この毛細管は、超高真
空チャンバ内に配置された図示しない圧力計で制御され
るサーボ弁２０を介して発生装置によって形成される分
子ジェットの軌道上でチャンバ外部から分解管に向って
ガスを噴射し１ｑる。
ススチールＮ５２２５の毛細管。この毛細管は、超高真
空チャンバ内に配置された図示しない圧力計で制御され
るサーボ弁２０を介して発生装置によって形成される分
子ジェットの軌道上でチャンバ外部から分解管に向って
ガスを噴射し１ｑる。
３、ステンレススチール毛細管２と石英毛細管５とを接
続し得るステンレススチールＮ５２２５のスリーブ。該
スリーブはアルゴン下の自溶性溶接（５ｏｕｄｕｒｅ
ａｕｔｏｏａｎｏ＞によってステンレススチール毛細管
に接続される。石英毛細管側の密１」性はガラス−金属
溶接部１０によって確保される。
続し得るステンレススチールＮ５２２５のスリーブ。該
スリーブはアルゴン下の自溶性溶接（５ｏｕｄｕｒｅ
ａｕｔｏｏａｎｏ＞によってステンレススチール毛細管
に接続される。石英毛細管側の密１」性はガラス−金属
溶接部１０によって確保される。
４、一次ガスソースを構成する加圧タンク２２のガス流
出量を制御するサーボ弁２０と毛細管とを接続し得るス
ェージロック型のステンレススチール継手。
出量を制御するサーボ弁２０と毛細管とを接続し得るス
ェージロック型のステンレススチール継手。
５、毛細管２の過熱を生じることなく分Ｖｌｌ管１１ま
でガスを輸送する石英毛細管。
でガスを輸送する石英毛細管。
６ａ、 ６ｂ、 ６ｃ、 ６ｄ。ガス分子の高温イとと
分解とを確保すべく分解管に内蔵されてバッフルを形成
している厚さ０．５ｍｍの石英隔壁。
分解とを確保すべく分解管に内蔵されてバッフルを形成
している厚さ０．５ｍｍの石英隔壁。
３つの隔壁６ａ、 ６ｂ、 ６ｃの各々は周縁開孔６ｐ
、６ｑ、Ｏｒを有しており、これらの開孔は一直線上で
位置合せされない。このため、分子が真直な軌跡で直接
飛出ずことは■止される。上端の隔壁６ｄは１２０°ず
つ離間した３つの開孔６Ｓを有しており、従って分子ジ
エツ］・は分解管１１の鉛直軸線２４に関しＣス・１称
になる。分解管ボディの上部部分１１ａは該３つの開孔
と協働して前記の如きジェット形成手段を形成する。各
隔壁の直径は先行する隔壁の直径よりも少しずつ大きく
なるように設計されており、分解管１１の少くとも内面
が少しだけテーバ！状に形成されているので、これら隔
壁をボディ部分１１ａから分解管１１に導入し内面で係
止されるまで押込むと隔壁が固定できる。
、６ｑ、Ｏｒを有しており、これらの開孔は一直線上で
位置合せされない。このため、分子が真直な軌跡で直接
飛出ずことは■止される。上端の隔壁６ｄは１２０°ず
つ離間した３つの開孔６Ｓを有しており、従って分子ジ
エツ］・は分解管１１の鉛直軸線２４に関しＣス・１称
になる。分解管ボディの上部部分１１ａは該３つの開孔
と協働して前記の如きジェット形成手段を形成する。各
隔壁の直径は先行する隔壁の直径よりも少しずつ大きく
なるように設計されており、分解管１１の少くとも内面
が少しだけテーバ！状に形成されているので、これら隔
壁をボディ部分１１ａから分解管１１に導入し内面で係
止されるまで押込むと隔壁が固定できる。
７、石英分解管１１の温度を測定し得る熱電対８を収納
するために該分解管の下部に設けられたスロット。
するために該分解管の下部に設けられたスロット。
８、分解管の温度を０．１℃の中位まで測定及び調整し
得るタングステン−レニウム５％熱電対。
得るタングステン−レニウム５％熱電対。
９、ジュール効菓によって加熱されたタンタル製加熱フ
ィラメント３０の熱輻射を分解管に向って反射し熱反射
装置を構成している積層タンタルシート。いくつかのシ
ートは分解管を包囲しており、残りのシートは分解管の
ベース下方に配置されている。
ィラメント３０の熱輻射を分解管に向って反射し熱反射
装置を構成している積層タンタルシート。いくつかのシ
ートは分解管を包囲しており、残りのシートは分解管の
ベース下方に配置されている。
１０、ガラス−金属溶接部。
１１、隔壁６を受容し連続する４つの分解チャンバを形
成する石英分解管。しかし乍ら分解管と隔壁とは熱蒸分
解形成窒化ホウ素から成るのが有利であろうと考えられ
る。分解管は壁厚１１Ｉ１１１長さ８９１ｍで外径２Ｏ
ｎ＋ｍである。入口１１ｂは毛細管５に接続されており
、出口は管ボディの上部部分１１ａから形成される。
成する石英分解管。しかし乍ら分解管と隔壁とは熱蒸分
解形成窒化ホウ素から成るのが有利であろうと考えられ
る。分解管は壁厚１１Ｉ１１１長さ８９１ｍで外径２Ｏ
ｎ＋ｍである。入口１１ｂは毛細管５に接続されており
、出口は管ボディの上部部分１１ａから形成される。
１２ａ、 １２ｂ支持フランジと分解管との機械的連結
を確保する支柱。
を確保する支柱。
１３、熱雷対の電気接続部。
１４、加熱フィラメント３０の電流取入口。
１５、熱雷対の支持プレート。
２０、発生Ｓ！！ｉ置の原石調整用サーボ弁。
２２、ホスフィン収容クンク。
２４、分ｗ？管１ｉとこの管から出る分子ジェットとの
軸線。
軸線。
２６、分解管１１と反射装置９とを収納した金属管２８
の金属ベースプレート。
の金属ベースプレート。
３０、分解管の温度夛を８００℃以上例えば９００℃に
確保するタンタル製加熱フィラメント。
確保するタンタル製加熱フィラメント。
輻射加熱が行なわれ均質温度が与えられるようにフィラ
メントは壁から５ＩＩＩＩＤｌｌｌシて配置される。
メントは壁から５ＩＩＩＩＤｌｌｌシて配置される。
消費電力は例えば８０ワツトである。
第１図は本発明の発生装置の全体側面図、第２図は発生
装置の分解管の鉛直軸を通る平面の断面拡大図、第３図
は第２図の■−■図面に沿った分解管の水平断面図、第
４図は第２図のｒＶ−ｒＶ面に沿った分解管の第３図同
様の水平断面図、第５゜第９図は分解管の支持手段と供
給手段とを示す第１図のＩＸ −ＩＸ面に沿った水平断
面図拡大図である。 ２・・・・・・金属製ＬｗＵ管、５・・・・・・連結管
、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ ・−・−・・隔壁、６ｐ、
ｈ、６ｒ、６ｓ ・−・−開孔、９・・・・・・熱反射
装置、１１・・・・・・分解管、２０・・・・・・弁、
２２・・・・・・ガスソース、３０・・・・・・加熱フ
ィラメント。
装置の分解管の鉛直軸を通る平面の断面拡大図、第３図
は第２図の■−■図面に沿った分解管の水平断面図、第
４図は第２図のｒＶ−ｒＶ面に沿った分解管の第３図同
様の水平断面図、第５゜第９図は分解管の支持手段と供
給手段とを示す第１図のＩＸ −ＩＸ面に沿った水平断
面図拡大図である。 ２・・・・・・金属製ＬｗＵ管、５・・・・・・連結管
、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ ・−・−・・隔壁、６ｐ、
ｈ、６ｒ、６ｓ ・−・−開孔、９・・・・・・熱反射
装置、１１・・・・・・分解管、２０・・・・・・弁、
２２・・・・・・ガスソース、３０・・・・・・加熱フ
ィラメント。
Claims (6)
- （１） −半導体層の形成に寄与すべく結晶質基板にエピタキシ
ャル的に堆積し得る種々の二次分子を分解によつて形成
し得る一次ガスのソースと、 −前記ソースの流量を制御する弁と、 −耐火壁をもち且つ入口と出口とを有しており、前記ガ
スを導入し前記壁との接触によって前記ガスの熱分解を
確保し、これにより前記弁によつて制御される流量で前
記二次分子を形成すべく前記弁の下流に配置された熱分
解管と、 −前記半導体層の形成に最も効果的に寄与し得る二次分
子が選択的に形成される温度で前記分解管の壁を実質的
に均質に加熱するために分解管を包囲して電流を通す加
熱フィラメントと、 −排気下のチヤンバ内で前記基板に向って案内される分
子ジェットを前記二次分子によつて形成するために分解
管の下流に配置された指向性ジェット形成手段と、 を含む分子ジェット発生装置であって、前記分解管が実
質的に円筒状又は角柱状の細長いボディの形状を有して
おり、一連の連通用開孔を介して連通する一連の隔室を
形成する横断内部隔壁がボディの長手方向に順次設けら
れており、 前記分解管の壁に対する一次ガスの分子の衝突回数を増
加するように前記開孔の通路横断面積がボディの内部横
断面積の１／４より小さいことを特徴するエピタキシャ
ル堆積を用いて半導体を製造するための熱分解による分
子ジェット発生装置。 - （２）一次ガスの分子が分解管を直線通過しないように
、前記の継続的連通用開孔が分解管のボディの別々の母
線の近傍に配置されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の発生装置。 - （３）所定の角度範囲の均質ジェットを形成するために
、前記指向性ジェット形成手段が、最終内部隔壁の表面
に分配配置された複数個の前記開孔と前記隔壁の下流側
の分解管ボディの末端部分とを含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の発生装置。 - （４）前記加熱フィラメントが分解管を輻射によって加
熱するために分解管を非接触的に包囲しており、前記加
熱フィラメントの効率を向上させ前記分解管の壁の温度
をより均質にするために熱反射装置が前記加熱フィラメ
ントを包囲することを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の発生装置。 - （５）前記一次ガスの流量を調整するために前記弁の下
流に金属製毛細管が接続されており、前記毛細管は加熱
されないように分解管から離間して配置されており、前
記ガスを分解管に案内する連結管が前記毛細管に接続さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の発生装置。 - （６）前記内部隔壁の数が４つ以上であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の発生装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8416319A FR2572099B1 (fr) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | Generateur de jets moleculaires par craquage thermique pour la fabrication de semi-conducteurs par depot epitaxial |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132313A true JPS62132313A (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=9308981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60271279A Pending JPS62132313A (ja) | 1984-10-24 | 1985-12-02 | 分子ジエツト発生装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4699083A (ja) |
| EP (1) | EP0232436B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62132313A (ja) |
| FR (1) | FR2572099B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63120413A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分子線セル |
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- 1985-12-02 JP JP60271279A patent/JPS62132313A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US4699083A (en) | 1987-10-13 |
| EP0232436A1 (fr) | 1987-08-19 |
| FR2572099B1 (fr) | 1987-03-20 |
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