JPS6213073A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6213073A JPS6213073A JP15273085A JP15273085A JPS6213073A JP S6213073 A JPS6213073 A JP S6213073A JP 15273085 A JP15273085 A JP 15273085A JP 15273085 A JP15273085 A JP 15273085A JP S6213073 A JPS6213073 A JP S6213073A
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- Japan
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- type
- single crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、靜vL誘導Ctイリスタなどの半導体装置の
製造方法≦;関する。
製造方法≦;関する。
(り従来の技術
スイッチング特性の特6;優れたtイリスタとして、近
年、靜電鰐導型サイリスタが種々提案されている。例え
ば、特公昭59−.54988号公報C二詳しい。
年、靜電鰐導型サイリスタが種々提案されている。例え
ば、特公昭59−.54988号公報C二詳しい。
その一般的構造は第1図で示すようC1格子状あるいは
網目状のP+型半導体層(1)ft埋込んでいるN−f
i牛牛体体層2)の表裏面(;それぞれP+型半導体層
(3)およびN+型型温導体層4)を形成したものであ
る。
網目状のP+型半導体層(1)ft埋込んでいるN−f
i牛牛体体層2)の表裏面(;それぞれP+型半導体層
(3)およびN+型型温導体層4)を形成したものであ
る。
前記P+型半導体層(3)、N+型牛導体層(4)はそ
れぞれ7ノ一ド層、カソード層と称され、この間に電流
を流すよう(:、それぞれの表面C:はアノード電極(
5)およびカソード電極(6)が形成されている。
れぞれ7ノ一ド層、カソード層と称され、この間に電流
を流すよう(:、それぞれの表面C:はアノード電極(
5)およびカソード電極(6)が形成されている。
そして前記P+型半導体層(1)はゲート層と称され、
ここ−二前記カソード電極(6)1;対し負の電圧を印
加すると、P+型半導体層(1)の周囲C:空乏層が発
生し、7ノード電極(5)、カソード電極(6)間を流
れる電流が制御される。
ここ−二前記カソード電極(6)1;対し負の電圧を印
加すると、P+型半導体層(1)の周囲C:空乏層が発
生し、7ノード電極(5)、カソード電極(6)間を流
れる電流が制御される。
ところで仁の種半導体装置は、N+型型温導体層40;
N−型半導体層(2)をエピタキシャル成長させ、P+
型半導体層(1)を選択的に形成し、更g二N−型半導
体層(2)t?エピタキシャル成長させて、N−型半導
体層(2)内E−,P+型牛導体層(1)を埋込んでい
る。
N−型半導体層(2)をエピタキシャル成長させ、P+
型半導体層(1)を選択的に形成し、更g二N−型半導
体層(2)t?エピタキシャル成長させて、N−型半導
体層(2)内E−,P+型牛導体層(1)を埋込んでい
る。
(ハ)発明が解消しようとする問題点
しかしながら、埋込み半導体層上6;不純物を若干ドー
ピングしながら所望の比抵抗のエピタキシャル層を形成
するのであるが、このエピタキシャル成長の際、十分な
オートトビyグの制御ができず、高抵抗な半導体層が得
られなりという問題点があった。
ピングしながら所望の比抵抗のエピタキシャル層を形成
するのであるが、このエピタキシャル成長の際、十分な
オートトビyグの制御ができず、高抵抗な半導体層が得
られなりという問題点があった。
に)問題点を解決するための手段
本発明は、一導電型の高抵抗シリコン基板の一面に、堀
め込み半導体領域となる高濃度の逆導電型半導体層を選
択的C:形成し、IViJ記シリコン基板の−tI c
s気相成長によりシリコン単結晶層を成長させた後、
この単結晶層をシリコン基板の−rTJ1=少許残して
エツチングで除去し、続iて、気相成長−二より前記単
結晶層上置;、一導電型の高抵抗エピタキシャル層を形
成することを特徴とする。
め込み半導体領域となる高濃度の逆導電型半導体層を選
択的C:形成し、IViJ記シリコン基板の−tI c
s気相成長によりシリコン単結晶層を成長させた後、
この単結晶層をシリコン基板の−rTJ1=少許残して
エツチングで除去し、続iて、気相成長−二より前記単
結晶層上置;、一導電型の高抵抗エピタキシャル層を形
成することを特徴とする。
(ホ)作 用
シリコン単結層C:は、高濃度の半導体層の不純物がオ
ートドーピングされるが、この単結晶層の不純物濃度は
、高濃度半導体層に比べて低い。
ートドーピングされるが、この単結晶層の不純物濃度は
、高濃度半導体層に比べて低い。
従って、この単結晶層上酸二エピタキシャル層を形成す
ると、オーシト−ピングがほとんどなくなり、高抵抗な
エピタキシャル層が得られる。
ると、オーシト−ピングがほとんどなくなり、高抵抗な
エピタキシャル層が得られる。
(へ)実 施 例
以下、本発明の一実施例を#I2図(イ)ないし第2図
に)口従い説明する。
に)口従い説明する。
比抵抗250〜5001JmのN−型シリコン牛導体基
板QQの裏面には、カソード層となるN+型半導体層(
4)が拡散C二よって形成される。このN−m牛導体基
板CIQ上の酸化膜αυをパターニングして、この酸化
膜αυをマスクとしてボロン0などのP型(1)を形成
する(第2図(イ)参照)。
板QQの裏面には、カソード層となるN+型半導体層(
4)が拡散C二よって形成される。このN−m牛導体基
板CIQ上の酸化膜αυをパターニングして、この酸化
膜αυをマスクとしてボロン0などのP型(1)を形成
する(第2図(イ)参照)。
次−で、プラズマエツチングC:より酸化膜Ut−除去
した後、水素環元法C:よる気相成長により、シリコン
単結晶層αりを2〜3声麿成長させる(#I2図(ロ)
参照)。この気相成長の際N型不純物をドーピングしな
がら単結晶層働を成長させると、オートドーピングする
P型不純物とN型不純物が中和されるので好まし一〇 この単結晶層αl;は、P+型半導体領域(1)からの
P型不純物がオートドビーングされているが、この不純
物濃度は半導体領域(1)の濃度響二比べて極めて少な
い。
した後、水素環元法C:よる気相成長により、シリコン
単結晶層αりを2〜3声麿成長させる(#I2図(ロ)
参照)。この気相成長の際N型不純物をドーピングしな
がら単結晶層働を成長させると、オートドーピングする
P型不純物とN型不純物が中和されるので好まし一〇 この単結晶層αl;は、P+型半導体領域(1)からの
P型不純物がオートドビーングされているが、この不純
物濃度は半導体領域(1)の濃度響二比べて極めて少な
い。
次CSプラズマエツチング≦二より、単結晶層0を0.
5声m程度残して除去する(第2図39参照)。
5声m程度残して除去する(第2図39参照)。
続いて、水素環元法C:よる気相成長C二より、所定の
比抵抗になるようcN型の不純物をドーピングしながら
、例えば、比抵抗10Ω鋼のN−型エピタキシャル層α
謙を成長させる(第2図に)参照)。
比抵抗になるようcN型の不純物をドーピングしながら
、例えば、比抵抗10Ω鋼のN−型エピタキシャル層α
謙を成長させる(第2図に)参照)。
このエピタキシャル層0階の形成の際、前述したようC
:単結晶層(Iaは、オートドーピングのソースとなる
不純物が極めて少ないので、オートドビーングが制御さ
れ、所望の高抵抗なエピタキシャル層Iを形成すること
ができる。
:単結晶層(Iaは、オートドーピングのソースとなる
不純物が極めて少ないので、オートドビーングが制御さ
れ、所望の高抵抗なエピタキシャル層Iを形成すること
ができる。
然る後、エピタキシャル層Qlにアノード層となるP+
型半導体層(3)t−形成し、N中型半導体基板(4)
とP+型半導体層(3)の夫々の表面t:カンード電極
(6)およびアノード電極(5)を形成して第1図に示
Tような静電誘導型サイリスタが形成される。
型半導体層(3)t−形成し、N中型半導体基板(4)
とP+型半導体層(3)の夫々の表面t:カンード電極
(6)およびアノード電極(5)を形成して第1図に示
Tような静電誘導型サイリスタが形成される。
(ト)発明の詳細
な説明したようI:、エピタキシャル層形成の際、オー
トドーピングが制御され、所望の高抵抗なエピタキシャ
ル層を形成することができる。
トドーピングが制御され、所望の高抵抗なエピタキシャ
ル層を形成することができる。
第1図は静電誘導型サイリスタの構造を示す断面図、第
2図(イ)乃至!2図に)は本発明の製造方法を示T各
工程(−おける断面図である。 (1)・・・P+型半導体層(ゲート層)、四・・・シ
リコン基板、a凌・・・単結晶層、Oa+・・・エピタ
キシャル層、(3)・・・P+型半導体層(アノード層
)、(4)・・・N中型半導体層(カソード層)。
2図(イ)乃至!2図に)は本発明の製造方法を示T各
工程(−おける断面図である。 (1)・・・P+型半導体層(ゲート層)、四・・・シ
リコン基板、a凌・・・単結晶層、Oa+・・・エピタ
キシャル層、(3)・・・P+型半導体層(アノード層
)、(4)・・・N中型半導体層(カソード層)。
Claims (1)
- (1)一導電型の高抵抗シリコン基板の一面に、埋め込
み半導体領域となる高濃度の逆導電型半導体層を選択的
に形成し、前記シリコン基板の一面に、気相成長により
シリコン単結晶層を成長させた後、この単結晶層を前記
シリコン基板の一面に少許残してエッチングで除去し、
続いて、気相成長により前記単結晶層上に、一導電型の
高抵抗エピタキシャル層を形成することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15273085A JPS6213073A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15273085A JPS6213073A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6213073A true JPS6213073A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15546902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15273085A Pending JPS6213073A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6213073A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02130965A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Komatsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-11 JP JP15273085A patent/JPS6213073A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02130965A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Komatsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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