JPS6212802A - 膜厚測定装置 - Google Patents
膜厚測定装置Info
- Publication number
- JPS6212802A JPS6212802A JP15344985A JP15344985A JPS6212802A JP S6212802 A JPS6212802 A JP S6212802A JP 15344985 A JP15344985 A JP 15344985A JP 15344985 A JP15344985 A JP 15344985A JP S6212802 A JPS6212802 A JP S6212802A
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- Japan
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- film
- light
- magnetic field
- film thickness
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えば磁気テープ等の製造ラインｆζおける
塗工機の制御、監視を行うための塗膜の膜厚を測定する
膜厚測定袋はに関するものである。
塗工機の制御、監視を行うための塗膜の膜厚を測定する
膜厚測定袋はに関するものである。
′第２図は従来の渦電流式膜厚測定装置の構成図で、（
１）は磁気テープで、ポリエステル等の母材（１ａ）の
上Ｃζ磁性体の塗膜（１ｂ）がついている。（１υは検
出器で、コアＱｔａ）に励磁巻線（ｌｌｂ）を巻き、発
振器（１２１で励、滋している。
１）は磁気テープで、ポリエステル等の母材（１ａ）の
上Ｃζ磁性体の塗膜（１ｂ）がついている。（１υは検
出器で、コアＱｔａ）に励磁巻線（ｌｌｂ）を巻き、発
振器（１２１で励、滋している。
次に動作Ｃζついて説明する。コア（１１ａ）の開放端
間には励磁の磁界が発生しているが、接近した位置に磁
性体があると励磁インピーダンスが変わる。
間には励磁の磁界が発生しているが、接近した位置に磁
性体があると励磁インピーダンスが変わる。
この変化は磁性体の特性、サイズ、位置等により変化す
るため、このインピーダンスの変化を検出すれば一定特
性、一定位置、一定幅の条件下で磁性体の厚みが検出で
きることとなる。
るため、このインピーダンスの変化を検出すれば一定特
性、一定位置、一定幅の条件下で磁性体の厚みが検出で
きることとなる。
従来の膜厚測定装置は被測定膜と検出器との距離を一定
に、しかも接近、通常は接触させなければ感度良く、安
定に測定できず、製造ライン中に組込むことができなか
った。
に、しかも接近、通常は接触させなければ感度良く、安
定に測定できず、製造ライン中に組込むことができなか
った。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、非接触にオンラインで測定できる膜厚測定装置
を提供する。
もので、非接触にオンラインで測定できる膜厚測定装置
を提供する。
この発明に係る膜厚測定装置は、直線偏光の光を移動方
向と垂直方向の交流磁界で磁化された被測定膜に入射し
、被測定膜面で反射した光の磁気力−効果による偏波面
の回転を検光子で光強度変化として検出し、その平均値
と交流値との比を演算するものである。
向と垂直方向の交流磁界で磁化された被測定膜に入射し
、被測定膜面で反射した光の磁気力−効果による偏波面
の回転を検光子で光強度変化として検出し、その平均値
と交流値との比を演算するものである。
この発明における膜厚測定装置は移動する被測定膜に一
定交流磁界を被測定膜【ζ対して垂直方向に被測定膜の
磁気力−効果による偏波面の回転を光強度変換し、さら
ｆζその平均値と交流値との比をとって膜厚を演算する
。
定交流磁界を被測定膜【ζ対して垂直方向に被測定膜の
磁気力−効果による偏波面の回転を光強度変換し、さら
ｆζその平均値と交流値との比をとって膜厚を演算する
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はその構成図で、第２図と同一番号のものは同一のも
のを示す。図において、（２）は磁界発生装置で、コイ
ル（２ａ） （２ｂ）と駆動電源（２Ｃ）とから成る。
図はその構成図で、第２図と同一番号のものは同一のも
のを示す。図において、（２）は磁界発生装置で、コイ
ル（２ａ） （２ｂ）と駆動電源（２Ｃ）とから成る。
（３）は光源、（４）は偏光子、（５）は検光子、（６
）は受光器、（７）は積分器、（８）は交流増幅器、（
９）は割算器である。
）は受光器、（７）は積分器、（８）は交流増幅器、（
９）は割算器である。
次に動作について説明する。
光源（３）から出た光は偏光子（４）で直線偏光Ｅζさ
れ、磁気テープ（１）の塗膜（１ｂ）の表面に入射する
。塗膜（１ｂ）の表面ではある反射率をもって光は反射
する。
れ、磁気テープ（１）の塗膜（１ｂ）の表面に入射する
。塗膜（１ｂ）の表面ではある反射率をもって光は反射
する。
この反射した光は検光子（５）に入射する。ところで磁
界発生装置（２）では駆動電源（２Ｃ）により、コイル
（２ａ）（２ｂ）に磁界を発生する。この磁界は塗膜（
１ｂ）に対して垂直方向でしかも磁気テープ（１）の走
行に対して十分速い周波数で発生する、塗膜（１ｂ）は
磁性体であるので磁気力−効果により前記直線偏光の偏
波面が回転する。この回転角の大きさθはθ＝ｖｒＨＬ
１ で表わされ、ここにＶｒ は磁性体のベルデ定数、Ｈは
磁界の強さ、Ｌは磁性体の厚みである。Ｖｒは磁性体に
よって決まる定数でＨは一定磁界とな □るため
、結局 θ＝ＫＬ（Ｋは定数） となり、回転角θを求めることＣζより厚みを求めるこ
とができる。そこで偏光子（４）の偏光方向と４５’の
角度をなす偏光方向に検光子（５）が配置されており、 Ｉ ＝ Ｉ□ （１＋５ｉｎ２θ） の光強度が検光子（５）から得られる。ここでＩＯは磁
界がゼロのときの光強度である。この光を受光器（６）
で光電変換し、積分器（７）で平均値を交流増幅器（８
）で交流成分をとり出し、割算器（９）で比をとる。
界発生装置（２）では駆動電源（２Ｃ）により、コイル
（２ａ）（２ｂ）に磁界を発生する。この磁界は塗膜（
１ｂ）に対して垂直方向でしかも磁気テープ（１）の走
行に対して十分速い周波数で発生する、塗膜（１ｂ）は
磁性体であるので磁気力−効果により前記直線偏光の偏
波面が回転する。この回転角の大きさθはθ＝ｖｒＨＬ
１ で表わされ、ここにＶｒ は磁性体のベルデ定数、Ｈは
磁界の強さ、Ｌは磁性体の厚みである。Ｖｒは磁性体に
よって決まる定数でＨは一定磁界とな □るため
、結局 θ＝ＫＬ（Ｋは定数） となり、回転角θを求めることＣζより厚みを求めるこ
とができる。そこで偏光子（４）の偏光方向と４５’の
角度をなす偏光方向に検光子（５）が配置されており、 Ｉ ＝ Ｉ□ （１＋５ｉｎ２θ） の光強度が検光子（５）から得られる。ここでＩＯは磁
界がゼロのときの光強度である。この光を受光器（６）
で光電変換し、積分器（７）で平均値を交流増幅器（８
）で交流成分をとり出し、割算器（９）で比をとる。
比をとることで、光源（３）や他の光学系での光パワー
の変動やロス変動による出力の変動を補償する。また、
テープ（１）の走行に対して十分速い周波数で磁界がか
けられるのでテープ位置による反射率の変動が割算処理
で補償される。
の変動やロス変動による出力の変動を補償する。また、
テープ（１）の走行に対して十分速い周波数で磁界がか
けられるのでテープ位置による反射率の変動が割算処理
で補償される。
以上のようＣζこの発明によれば交流磁界中の被測定膜
面に直線偏光した光を反射させ、磁気力−効果による塗
膜の厚さに依存する偏波面の回転を光強度変換し、しか
もその平均値と交流値との比から膜厚を演算する構成と
したので、非接触でかつ光学系での変動が補償される正
確な膜厚の測定ができる。
面に直線偏光した光を反射させ、磁気力−効果による塗
膜の厚さに依存する偏波面の回転を光強度変換し、しか
もその平均値と交流値との比から膜厚を演算する構成と
したので、非接触でかつ光学系での変動が補償される正
確な膜厚の測定ができる。
第１図は本発明の一実施例における膜厚測定装置の構成
図、第２図は従来の膜厚測定装置の構成図である。図に
おいて、（ｌｂ）は被測定膜としての磁性体の塗膜、（
２）は磁界発生装置、−３）は光源、＋４１は偏光子、
（５）は検光子、（６）は受光器、（７）は積分器、（
８）は交流増幅器、（９）は割算器である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図は従来の膜厚測定装置の構成図である。図に
おいて、（ｌｂ）は被測定膜としての磁性体の塗膜、（
２）は磁界発生装置、−３）は光源、＋４１は偏光子、
（５）は検光子、（６）は受光器、（７）は積分器、（
８）は交流増幅器、（９）は割算器である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）光源からの光を偏光子を介して直線偏光の光とし
、この光を磁気力−効果を有し一定の方向に移動する被
測定膜に入射させ、この被測定膜から反射した光を検光
子を介して受光器で受光し、上記被測定膜の入射面に上
記被測定膜の移動方向に対して垂直方向の一定交流磁界
をかける磁界発生装置を配設し、上記受光器の出力の平
均値と交流値とを取り、これら両値の比から上記被測定
膜の膜厚を演算する膜厚測定装置。 - （２）磁界発生装置は被測定膜の走行に対してほぼ同じ
位置で繰り返し一定交流磁界がかかるように十分速い周
波数の一定交流磁界を発生することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の膜厚測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15344985A JPS6212802A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15344985A JPS6212802A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 膜厚測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212802A true JPS6212802A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15562795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15344985A Pending JPS6212802A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 膜厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864042B1 (en) | 2000-07-25 | 2005-03-08 | Seagate Technology Llc | Patterning longitudinal magnetic recording media with ion implantation |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15344985A patent/JPS6212802A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864042B1 (en) | 2000-07-25 | 2005-03-08 | Seagate Technology Llc | Patterning longitudinal magnetic recording media with ion implantation |
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