JPS6211108A - 膜厚測定装置 - Google Patents
膜厚測定装置Info
- Publication number
- JPS6211108A JPS6211108A JP15038085A JP15038085A JPS6211108A JP S6211108 A JPS6211108 A JP S6211108A JP 15038085 A JP15038085 A JP 15038085A JP 15038085 A JP15038085 A JP 15038085A JP S6211108 A JPS6211108 A JP S6211108A
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- Japan
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- film
- light
- film thickness
- measured
- thickness
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明Ｆｉｌｌ’ｌＪえは磁気テープ等の製造ライン
番こおける塗工機の制御、監視を行９ための塗膜の膜厚
を測定する膜厚測定装置に関するものである。
番こおける塗工機の制御、監視を行９ための塗膜の膜厚
を測定する膜厚測定装置に関するものである。
第２図は従来の渦電流式膜厚測定装置の構成図で、（１
）は磁気テープでポリエステル等の母材（１りの上に磁
性体の塗膜（ｌｂ）がついている５ （１１）は検出器
で、コア（Ｌｌａ）に励磁巻線（Ｌｌｂ）を巻き１発掘
器α２で励磁している。
）は磁気テープでポリエステル等の母材（１りの上に磁
性体の塗膜（ｌｂ）がついている５ （１１）は検出器
で、コア（Ｌｌａ）に励磁巻線（Ｌｌｂ）を巻き１発掘
器α２で励磁している。
次に動作について説明する。コア（Ｌｌａ）の開放端間
には励磁の磁界が発生しているが、接近した位置に磁性
体がるると励磁インピーダンスが変わる。
には励磁の磁界が発生しているが、接近した位置に磁性
体がるると励磁インピーダンスが変わる。
この変化は磁性体の特性、サイズ、位置等により変化す
るため、このインピーダンスの変化を検出すれば一定特
性、一定位置、一定幅の条件下で磁性体の厚みが検出で
きることとなる。
るため、このインピーダンスの変化を検出すれば一定特
性、一定位置、一定幅の条件下で磁性体の厚みが検出で
きることとなる。
従来の膜厚測定装置は被測定膜と検出器との距離を一定
に、しかも接近１通常は接触させなければ感度良く、安
定に測定できず、製造ライン中に組込むことができなか
った。
に、しかも接近１通常は接触させなければ感度良く、安
定に測定できず、製造ライン中に組込むことができなか
った。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、非接触にしかも、被測定膜の位置が変化しても
影響を受けない膜厚測定装置を提供する。
もので、非接触にしかも、被測定膜の位置が変化しても
影響を受けない膜厚測定装置を提供する。
この発明に係る膜厚測定装置は、空間中に直線偏光の光
を出射させ、その光がこの光路の直前で一定の磁化を与
えた被測定膜を透過する間に生じるファラデー効果によ
る偏波面の回転を検光子で光強度変化とし受光器で検出
するものである。
を出射させ、その光がこの光路の直前で一定の磁化を与
えた被測定膜を透過する間に生じるファラデー効果によ
る偏波面の回転を検光子で光強度変化とし受光器で検出
するものである。
この発明における膜厚測定装置は、あらかじめ被測定膜
に一定の交番磁界をかけ、この残留磁気による偏波面の
回転を光強度変換して信号処理し膜厚を測定するり 〔発明の実施列ｊ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はその構成図で、第２図と同一番号のものは同一のも
のを示す。図において、（２）は着磁装置で、コア（２
ａ）と巻線（２ｂ）及び駆動電源（２Ｃ）から成る。（
３）は磁性体の塗膜（１ｂ）を透過する波長を持つ光源
、（４）は偏光子、（５）は検光子、（６）は受光器、
（７）は積分器、（８）は交流増幅器、（９）は割算器
である。
に一定の交番磁界をかけ、この残留磁気による偏波面の
回転を光強度変換して信号処理し膜厚を測定するり 〔発明の実施列ｊ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はその構成図で、第２図と同一番号のものは同一のも
のを示す。図において、（２）は着磁装置で、コア（２
ａ）と巻線（２ｂ）及び駆動電源（２Ｃ）から成る。（
３）は磁性体の塗膜（１ｂ）を透過する波長を持つ光源
、（４）は偏光子、（５）は検光子、（６）は受光器、
（７）は積分器、（８）は交流増幅器、（９）は割算器
である。
叫は消磁装置で、消磁コイル（ＬＯａ）と駆動電源（Ｌ
Ｏｂ）とから成る。
Ｏｂ）とから成る。
次に動作について説明するり
光源（３）から出た光は偏光子（４）で直線偏光にされ
、磁気テープ（１）を透過する。磁気テープ（１）の母
材（１ａ）に透明なので大部分透過し、塗膜（１ｂ）で
はめる透過率をもって透過するがこの位置に入る前に着
磁装＆（２）で一定の交番磁界がかけられているため、
その残留磁気によるファラデー効果により。
、磁気テープ（１）を透過する。磁気テープ（１）の母
材（１ａ）に透明なので大部分透過し、塗膜（１ｂ）で
はめる透過率をもって透過するがこの位置に入る前に着
磁装＆（２）で一定の交番磁界がかけられているため、
その残留磁気によるファラデー効果により。
前記直線偏光の偏波面が回転する。磁気テープ（１）は
矢印αＪの方向に一定走行しているので、この回転は一
定周波数の変化をするが、この回転角の大きさＱは Ｑ＝ｖｒＨＬ で表わされる。ここでＶｒは磁性体のベルデ定数。
矢印αＪの方向に一定走行しているので、この回転は一
定周波数の変化をするが、この回転角の大きさＱは Ｑ＝ｖｒＨＬ で表わされる。ここでＶｒは磁性体のベルデ定数。
Ｈに磁界の強さ、Ｌは磁性体の光の進行方向の長さ、即
ち淳みである。Ｖｒは磁性体によって決まる定数で、Ｈ
に一定磁界となるため、結局Ｑ＝ＫＬ （ＫＦｉ定数） となり、回転角ｑを求めることにより厚みを求めること
ができる。そこで偏光子（４）の偏光方向と４５の角度
をなす偏光方向に検光子（５）を配置すれば１＝Ｉ（１
（ｌ ＋ ５ｉｎ２θ） の光強度が検光子（５）から得られる。ここで１ｏは磁
界がゼロのときの光強度である。
ち淳みである。Ｖｒは磁性体によって決まる定数で、Ｈ
に一定磁界となるため、結局Ｑ＝ＫＬ （ＫＦｉ定数） となり、回転角ｑを求めることにより厚みを求めること
ができる。そこで偏光子（４）の偏光方向と４５の角度
をなす偏光方向に検光子（５）を配置すれば１＝Ｉ（１
（ｌ ＋ ５ｉｎ２θ） の光強度が検光子（５）から得られる。ここで１ｏは磁
界がゼロのときの光強度である。
従って、受光器（６）で光電変換後、交流成分と平均値
をそれぞれ交流増幅器（８）と積分器（７）とで求め、
割算器（９）で割算処理をする。割算処理をするのは光
源（３）やその他の光学系での変動を補償するためでる
る。この位置の後で消磁装置（１０１により着磁した残
留磁気を消磁し、磁気テープ（１）として初期の特性に
もどすものである。
をそれぞれ交流増幅器（８）と積分器（７）とで求め、
割算器（９）で割算処理をする。割算処理をするのは光
源（３）やその他の光学系での変動を補償するためでる
る。この位置の後で消磁装置（１０１により着磁した残
留磁気を消磁し、磁気テープ（１）として初期の特性に
もどすものである。
以上のように、この発明によれば２着磁装置と消磁装置
とにより被測定膜の一定部分にのみ残留磁気を存在させ
、この部分に直線偏光の光を透過させてファラデー効果
による偏波面の回転を検出するようにしたので、非接触
でしかも被測定膜の磁気特性に影響を与えることなく、
被測定膜の位置が変化しても影響を受けず正確に膜厚が
測定できる。
とにより被測定膜の一定部分にのみ残留磁気を存在させ
、この部分に直線偏光の光を透過させてファラデー効果
による偏波面の回転を検出するようにしたので、非接触
でしかも被測定膜の磁気特性に影響を与えることなく、
被測定膜の位置が変化しても影響を受けず正確に膜厚が
測定できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における膜厚測定装置の構成
図、第２図は従来の膜厚測定装置の構成図である。図に
おいて、 （ｌｂ）は被測定膜としての磁性体の塗膜、
（２）は着磁装置、（３Ｉは光源、（４）は偏光子、（
５）は検光子、（６）は受光器、（１αは消磁装置であ
る０ なお、各図中同一符号は同一または相描部分を示す。
図、第２図は従来の膜厚測定装置の構成図である。図に
おいて、 （ｌｂ）は被測定膜としての磁性体の塗膜、
（２）は着磁装置、（３Ｉは光源、（４）は偏光子、（
５）は検光子、（６）は受光器、（１αは消磁装置であ
る０ なお、各図中同一符号は同一または相描部分を示す。
Claims (4)
- （１）ファラデー効果を有する被測定膜を透過する波長
を持つ光源、偏光子、被測定膜、検光子、受光器を順次
配置し、上記被測定膜を光の進行方向に対して直角方向
に移動させ、上記被測定膜の移動方向に対して上記光学
系より前の位置に着磁装置、後の位置に消磁装置をそれ
ぞれ配設し、上記受光器の出力を演算して膜厚を測定す
ることを特徴とする膜厚測定装置。 - （２）被測定膜は磁性体であることを特徴とする特許請
求の範囲第一項記載の膜厚測定装置。 - （３）着磁装置は一定値の交番磁界を発生させることを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の膜厚測定装置。 - （４）受光器の出力から平均値と交流値とを取りさらに
これらの比をとって膜厚を演算測定することを特徴とす
る特許請求の範囲第２項または第３項記載の膜厚測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15038085A JPS6211108A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15038085A JPS6211108A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 膜厚測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211108A true JPS6211108A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15495730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15038085A Pending JPS6211108A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 膜厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0545129A (ja) * | 1991-08-15 | 1993-02-23 | Masaaki En | 合成樹脂薄膜の厚みまたは枚数検出装置 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP15038085A patent/JPS6211108A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0545129A (ja) * | 1991-08-15 | 1993-02-23 | Masaaki En | 合成樹脂薄膜の厚みまたは枚数検出装置 |
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