JPS6212803A - 膜厚測定装置 - Google Patents
膜厚測定装置Info
- Publication number
- JPS6212803A JPS6212803A JP15345085A JP15345085A JPS6212803A JP S6212803 A JPS6212803 A JP S6212803A JP 15345085 A JP15345085 A JP 15345085A JP 15345085 A JP15345085 A JP 15345085A JP S6212803 A JPS6212803 A JP S6212803A
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- film
- film thickness
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えば磁気テープ等の製造ラインにおける塗
工Ｐ文の制御、監視を行うための塗膜の膜 ・厚を測
定する膜厚測定装置に関するものである。 ）〔従
来の技術〕 第８図は従来の渦電流式膜厚測定装置の構成図で、（υ
は磁気テープで、ポリエステル等の母材（ｌａ）の上に
磁性体の塗膜（１ｂ）がついている。Ｑ刀は検出器で、
コア（ｌｌａ）に励磁巻線（ｌｌｂ）を巻き、発振器（
６）で励磁している。
工Ｐ文の制御、監視を行うための塗膜の膜 ・厚を測
定する膜厚測定装置に関するものである。 ）〔従
来の技術〕 第８図は従来の渦電流式膜厚測定装置の構成図で、（υ
は磁気テープで、ポリエステル等の母材（ｌａ）の上に
磁性体の塗膜（１ｂ）がついている。Ｑ刀は検出器で、
コア（ｌｌａ）に励磁巻線（ｌｌｂ）を巻き、発振器（
６）で励磁している。
次に動作について説明する。コア（ｌｌａ）の開放端間
には励磁の磁界が発生しているが、接近した位置に磁性
体があると励磁インピーダンスが変わる。この変化は磁
性体の特性、サイズ、位置等により変化するため、この
インピーダンスの変化を検出すれば一定特性、一定位置
、一定幅の条件下で磁性体の厚みが検出できることとな
る。
には励磁の磁界が発生しているが、接近した位置に磁性
体があると励磁インピーダンスが変わる。この変化は磁
性体の特性、サイズ、位置等により変化するため、この
インピーダンスの変化を検出すれば一定特性、一定位置
、一定幅の条件下で磁性体の厚みが検出できることとな
る。
従来の膜厚測定装置は被測定膜と検出器との距離を一定
に、しかも接近、通常は接触させなければ感度良く、安
定に測定できず、製造ライン中に組込むことができなか
った。
に、しかも接近、通常は接触させなければ感度良く、安
定に測定できず、製造ライン中に組込むことができなか
った。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、非接触にしかも、受光器の暗電流の影響を受け
ない膜厚測定装置を提供する。
もので、非接触にしかも、受光器の暗電流の影響を受け
ない膜厚測定装置を提供する。
この発明に係る膜厚測定装置は、直線偏光の光を移動方
向と垂直な方向の交流磁界で磁化された被測定膜に入射
し被測定膜面で反射した光の磁気力−効果による偏波面
の回転を検光子で光強度変化とし、さらに受光器に入る
光を点滅させて検出するものである。
向と垂直な方向の交流磁界で磁化された被測定膜に入射
し被測定膜面で反射した光の磁気力−効果による偏波面
の回転を検光子で光強度変化とし、さらに受光器に入る
光を点滅させて検出するものである。
この発明における膜厚測定装置は、移動する被測定膜に
一定の交流磁界を被測定族に対して出直方向にかけ、被
測定膜の磁気力−効果による偏波向の回転を光強度変換
し、しかも受光器に入る光を点滅させて信号処理して膜
厚を演算する。
一定の交流磁界を被測定族に対して出直方向にかけ、被
測定膜の磁気力−効果による偏波向の回転を光強度変換
し、しかも受光器に入る光を点滅させて信号処理して膜
厚を演算する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はその構成図で、第２因と同一番号のものは同一のも
のを示す。凶において、（２）は磁界発生装置で、コイ
ル（２ａ）、 （２ｂ）と駆動電源（２Ｃ）から成る。
図はその構成図で、第２因と同一番号のものは同一のも
のを示す。凶において、（２）は磁界発生装置で、コイ
ル（２ａ）、 （２ｂ）と駆動電源（２Ｃ）から成る。
（３）は光源、（４）は偏光子、（５）は検光子、（６
）は受光器、（７）はＡ／Ｄ変換器、（８）はディジタ
ル処理圏゛路、（９）は光源（３）をパルス駆動させる
ための駆動回路である。
）は受光器、（７）はＡ／Ｄ変換器、（８）はディジタ
ル処理圏゛路、（９）は光源（３）をパルス駆動させる
ための駆動回路である。
次に動作について説明する。光源（３）から出た光は偏
光子（４）で直線偏光にされ、磁気テープ（１）の塗膜
（１ｂ）の表面に入射する。塗膜（１ｂ）の表面ではあ
る反射率をもって光は反射する。この反射した光は検光
子（５）に入射する。ところで磁界発生装置（２）では
駆動電源（２ｃ）により、コイル（２ａＸ２ｂ）に磁界
を発生する。仁の磁界は塗膜（１ｂ）に対して垂直方向
でしかも磁気テープ（１）の走行に対して十分速い周波
数で発生する。ｍ［（ｌｂ）は磁性体であるので磁気力
−効果により前記直線偏光の偏波面が回転する。この回
転角の大き、さ０は α＝ ＶｒＨＬ で表わされ、ここにＶｒ は磁性体のベルデ定数、Ｈ
は磁界の強さ、Ｌは磁性体の厚みである。Ｖｒは磁性体
によって決まる定数でＨは一定磁界となるため、結局 ＆＝ＫＬ （Ｋは定数） となり、回転角０を求めることにより厚みを求めること
ができる。そこで偏光子（４）の偏光方向と４５゜の角
度をなす偏光方向に検光子（５）が配置されており Ｉ＝１ｏ （１＋５ｉｎ２＆） の光強度が検光子（５）から得られる。ここでＩＯは磁
界がゼロのときの光強度である。
光子（４）で直線偏光にされ、磁気テープ（１）の塗膜
（１ｂ）の表面に入射する。塗膜（１ｂ）の表面ではあ
る反射率をもって光は反射する。この反射した光は検光
子（５）に入射する。ところで磁界発生装置（２）では
駆動電源（２ｃ）により、コイル（２ａＸ２ｂ）に磁界
を発生する。仁の磁界は塗膜（１ｂ）に対して垂直方向
でしかも磁気テープ（１）の走行に対して十分速い周波
数で発生する。ｍ［（ｌｂ）は磁性体であるので磁気力
−効果により前記直線偏光の偏波面が回転する。この回
転角の大き、さ０は α＝ ＶｒＨＬ で表わされ、ここにＶｒ は磁性体のベルデ定数、Ｈ
は磁界の強さ、Ｌは磁性体の厚みである。Ｖｒは磁性体
によって決まる定数でＨは一定磁界となるため、結局 ＆＝ＫＬ （Ｋは定数） となり、回転角０を求めることにより厚みを求めること
ができる。そこで偏光子（４）の偏光方向と４５゜の角
度をなす偏光方向に検光子（５）が配置されており Ｉ＝１ｏ （１＋５ｉｎ２＆） の光強度が検光子（５）から得られる。ここでＩＯは磁
界がゼロのときの光強度である。
ここに光源（３）は駆動回路（９）でパルス駆動されて
いるため、光！ （３）の駆動と周期して点灯している
とき及び消灯しているときの出力をＡ／Ｄ変換器鳳 （７）でディジタル値にして処理回路（８）で受光器（
６）の出力の磁気力−効果による回転角の交流信号と、
その平均値との比を演算する。この場合、交流磁界のサ
イクルに対して、光源の点滅は十分速いサイクルにする
ことにより、受光器（６）の暗電流の影響を受けないよ
うに処理できる。即ち光源（３）が点灯しているときの
Ａ／Ｄ変換器（７）の出力値から次に消灯したときのＡ
／Ｄ変換器（７）の出力値を引き算することにより真の
光の値を求めることができる。
いるため、光！ （３）の駆動と周期して点灯している
とき及び消灯しているときの出力をＡ／Ｄ変換器鳳 （７）でディジタル値にして処理回路（８）で受光器（
６）の出力の磁気力−効果による回転角の交流信号と、
その平均値との比を演算する。この場合、交流磁界のサ
イクルに対して、光源の点滅は十分速いサイクルにする
ことにより、受光器（６）の暗電流の影響を受けないよ
うに処理できる。即ち光源（３）が点灯しているときの
Ａ／Ｄ変換器（７）の出力値から次に消灯したときのＡ
／Ｄ変換器（７）の出力値を引き算することにより真の
光の値を求めることができる。
、以上の実施例では光源（３）を点滅させて、受光器（
６）の暗電流の影響を補償した例であるが、第２図に示
す構成内のようにしても同様の効果を奏する。
６）の暗電流の影響を補償した例であるが、第２図に示
す構成内のようにしても同様の効果を奏する。
第２図において四はモータ軸にスリットを切った回転板
をつけて構成したじゃ光板で、そのスリットが光学路に
合うように設定することにより、点滅した光を受光器（
６）に入れることができる。第１図と同一番号のものは
同一のものを示し、第１図の場合と同様に処理するもの
である。
をつけて構成したじゃ光板で、そのスリットが光学路に
合うように設定することにより、点滅した光を受光器（
６）に入れることができる。第１図と同一番号のものは
同一のものを示し、第１図の場合と同様に処理するもの
である。
以上のようにこの開明によれば、交流磁界中の仮測定膜
面に直線偏光した光を反射させ磁気力−効果による塗膜
の厚さに依存する偏波面の回転を光強度変換し、しかも
受光器に入る光を点滅させて信号処理するため、非接触
で、また受光器の暗電流の影普も受けず正確に膜厚が測
定できる。
面に直線偏光した光を反射させ磁気力−効果による塗膜
の厚さに依存する偏波面の回転を光強度変換し、しかも
受光器に入る光を点滅させて信号処理するため、非接触
で、また受光器の暗電流の影普も受けず正確に膜厚が測
定できる。
第１因は本発明の一実施例における膜厚測定装置の構成
図、第２図は本発明の他の実施例の構成図、第８図は従
来の膜厚測定装置の構成図である。 図において、（ｌｂ）は被測定膜としての磁性体の塗膜
、（２）は磁界発生装置、（３）は光源、（４）は偏光
子、（５〕は検光子、（６）は受光器、（９）は駆動回
路である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図は本発明の他の実施例の構成図、第８図は従
来の膜厚測定装置の構成図である。 図において、（ｌｂ）は被測定膜としての磁性体の塗膜
、（２）は磁界発生装置、（３）は光源、（４）は偏光
子、（５〕は検光子、（６）は受光器、（９）は駆動回
路である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）光源からの光を偏光子を介して直線偏光の光とし
、この光を磁気力−効果を有し一定の方向に移動する被
測定膜に入射させ、この被測定膜から反射した光を検光
子を介して受光器で受光し、上記被測定膜の入射面に上
記被測定膜の移動方向に対して垂直方向の一定交流磁界
をかける磁界発生装置を配設し、さらに上記受光器に入
る光を点滅させる手段を設け、上記受光器の出力から上
記被測定膜の膜厚を演算測定する膜厚測定装置。 - （２）受光量を点滅させる手段として、光源をパルス駆
動することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜
厚測定装置。 - （３）受光量を点滅させる手段として、光学系のいずれ
かの箇所にしゃ光板を設け、このしゃ光板を移動させて
光路を断続的にしゃ断することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の膜厚測定装置。 - （４）受光量の点滅と同期して受光器出力をＡ／Ｄ変換
し、交流成分と平均値とを求め、割算演算をディジタル
処理して膜厚を演算測定することを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の膜厚測定
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15345085A JPS6212803A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15345085A JPS6212803A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 膜厚測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212803A true JPS6212803A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15562817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15345085A Pending JPS6212803A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 膜厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212803A (ja) |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15345085A patent/JPS6212803A/ja active Pending
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