JPH02269956A - 非破壊検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 この発明は非破壊検査装置に関し、より詳細には、磁気
光学効果または電気光学効果を利用して金属材料等の各
種材料の欠陥を検出する非破壊検査装置に関するもので
ある。

（従来の技術） 金属材料の欠陥を検出する非破壊検査法としては、従来
より、放射線検査法、超音波探傷法、浸透探傷法、磁気
探傷法、電磁誘導検査法等、種々の方法が知られており
、前記方法を実施するための非破壊検査装置も種々考案
されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、前記従来の検査方法では、欠陥の部位及び検査
対象素材の種類に応じて検査方法を変えなければ、正確
な検査結果が得られないという不都合がある。

すなわち、内部欠陥を検出する場合には放射線検査法や
超音波探傷法が有効であるが、反面、これらの方法は表
層部分の欠陥に対しては有効ではない。また、浸透探傷
法、磁気探傷法及び電磁誘導検査法は、表層欠陥を検出
する場合には有効であるが、内部欠陥に対してはあまり
有効ではない。

さらに前記方法は、検査装置を操作する者や検査員の熟
練度によって検出精度にばらつきが生じることが多く、
しかも被検査体の置かれている状況によっては検査自体
ができないという問題もあった。

この発明は、上記した従来方法及び装置の難点を解決す
べくなされたもので、その目的とするところは、表層欠
陥及び内部欠陥のいずれを検出する場合にも有効であり
、しかも欠陥を高精度にばらつきなく検出できる非破壊
検査装置を提供することにある。

この発明の他の目的は、検査に際して熟練を要しないと
共に、被検査体の周囲の状況によって悪影響を受ける恐
れのない非破壊検査装置を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、この発明では次のような技術
的手段を講じている。

すなわち、鉄等の磁性材料の欠陥を検査する非破壊検査
装置としては、 被検査体を磁化する磁化手段と、前記被検査体の近傍で
磁界を感知する磁界感知手段と、前記磁界感知手段に光
を入射させる投光手段と、前記磁界感知手段からの透過
光を受光して電気信号に変換する受光手段と、前記電気
信号を記録する記録手段とを備え、 前記磁界感知手段を磁気光学効果素子によって構成し、 被検査体の周囲の磁界を感知して欠陥を検出するように
している。

前記磁気光学効果素子としては、例えばＹＩＧ、ＧＩＧ
、ＢＣ；０１ＢＳＯ，Ｚｎ５ｅ、ＣｄＭｎＴｅ、ＬＮ　
（Ｌ　１Ｎｂｏｚ　）　、多結晶ＢｉＣａＦｅＶｏ等の
ようなファラデー効果を生起する素子を使用できる。

前記磁化手段は、被検査体表面に沿って移動可能な略コ
字状のヨークと、前記ヨークに内蔵されたコイルから構
成するのが好ましい。このヨークの極数は、２個、４個
、６個というように偶数であれば任意に設定することが
できる。

また、前記磁化手段に通電するための電源として、交流
電源及び直流電源の双方を設けて、表層欠陥の検出には
交流電源を接続し、内部欠陥の検出には直流電源を接続
するように構成することができる。こうすると、交流磁
界の表皮効果によって表層欠陥が、直流磁界の浸透効果
によって内部欠陥が高精度に検出される。

さらに浮遊磁界の影響を避けるため、前記磁界感知手段
には、感知面取外の部分に磁気シールドを施すのが好ま
しい。

また、アルミニウム等の非磁性材料の欠陥を検査する非
破壊検査装置としては、 被検査体に電流を供給する電流供給手段と、前記被検査
体内の電界を感知する電界感知手段と、前記電界感知手
段に光を入射させる投光手段と、前記電界感知手段から
の透過光を受光して電気信号に変換する受光手段と、前
記電気信号を記録する記録手段とを備え、 前記電界感知手段を電気光学効果素子によって構成し、 被検査体の内部の電界の変化を感知して欠陥を検出する
ようにしている。

前記電気光学効果素子は、ポッケルス効果、カー効果等
の電気光学効果を生起する素子であればよいが、ポッケ
ルス効果を生起する素子とするのが好ましい。

ポッケルス効果を示す素子としては、例えばＢＳｏ、Ｌ
Ｎ等が挙げられる。またカー効果を示す素子としては、
例えばコバルト（ＧｄＣｏ）、単結晶Ｇｄ１Ｇ、多結晶
Ｂ１Ｇａ、ＹＩＧ等を使用できる。

前記電流供給手段は、電源に接続されかつ保持部材に保
持された二本の電流供給用接触子から構成することがで
き、この場合は両接触子の間に電界検出用の接触子を配
置するのがよい。

前記磁界感知手段または電界感知手段は、光ノイズ防護
用ケーシング内に設けるのが好ましい。

なお、前記磁性体用の装置と非磁性体用の装置を一体的
に組み込んで、被検査体の種類に応じて両者を使い分け
るようにすることも可能である。

［作用］ 磁性材料の非破壊検査装置では、検出部を、磁化手段に
よって被検査体を磁化しながらその表面に沿って移動す
ると、被検査体に欠陥がない部分では、被検査体の内部
の磁束が外部に漏れず、外部に磁界が生じないので、検
出部からの出射光強度は一定である。

しかし、被検査体の表層あるいは内部に欠陥があると、
被検査体の近傍に漏洩磁束が発生し、この磁界は磁気光
学効果素子からなる磁界感知手段によって感知される。

すると、前記素子に磁気光学効果（ファラデー効果）が
発生し、直線偏光の偏光面を回転させるので、前記素子
に直線偏光を入射しておき、前記素子の透過光の垂直成
分のみを取り出せば、磁界の強さに比例して透過光強度
が変化する。

そこで、透過光強度の変化を電気信号に変換すれば、こ
れによって被検査体の欠陥を検出・記録することができ
る。

非磁性材料の非破壊検査装置では、検出部を被検査体に
電流を供給しながら移動させると、検出部には被検査体
の内部の二点間の電圧が人力され、電気光学効果素子か
ら成る電界感知手段が前記二点間の電界を感知する。こ
の電界によって、当該素子内には電気光学効果が生起し
、電界がない場合に比べて屈折率が変化しているが、被
検査体内部に欠陥がない場合には電界は一定であるため
、前記屈折率も一定であり、透過光強度も一定に保たれ
る。

しかし、非検査体に欠陥があると、その場所で電界が変
化するので、この電界の変化により電気光学効果素子の
屈折率が変化し、電界の強さに応じて透過光の強度が変
化する。

そこで、この電界の変化を透過光強度さらには電気信号
に変換して検出すれば、被検査体の欠陥を検出・記録す
ることができる。

［実施例］ 以下、添付図面に基づいてこの発明の詳細な説明する。

第１図ないし第３図は、この発明に係る磁性材料用の非
破壊検査装置を示したもので、被検査体に存在する欠陥
を検出して光信号を出力する検出部（１０）と、被検査
体を磁化する磁化部（２０）と、前記検出部（１０）に
光を送ると共に検出部（１０）からの出力光信号を受け
てこれを増幅・処理する処理部（３０）とを備え、前記
検出部（１０）と処理部（３０）は二本の光ファイバー
（４０）によって互いに接続されている。

前記検出部（１０）は、第３図に示すように４個の光学
部品を備えている。すなわち、光が送られる上流側から
下流側に向かって、偏光子（１１）、π／４旋光子（１
２）、磁気光学効果素子（１３）及び検光子（１４）が
配置されており、これらの光学部品はすべてセラミック
製のケーシング（１５）内に収容されている。

偏光子（１１）には、処理部（３０）に設けた発光素子
（３１）から生じた自然光が、前記光ファイバー（４０
）を通って入射され、偏光子（１１）はこの自然光を直
線偏光に変換する作用を行う。この直線偏光は次にπ／
４旋光子（１２）に入射される。

π／４旋光子（１２）は、前記直線偏光の偏光面をπ／
４（４５°）だけ回転させる作用をする。こうして、磁
気光学効果素子（１３）にはπ／４だけ回転した直線偏
光が入射される。

この実施例では、もイ１気光学効果素子（１３）として
ファラデー効果を示すＺｎ５ｅの多結晶を使用している
。このＺｎ５ｅ結晶は、外部磁界の影響を受けてファラ
デー効果を発生し、入射した直線偏光の偏光面を、影響
された磁界の強さに応じて回転させる作用をする。こう
して、偏光面が回転した直線偏光が検光子（１４）に入
射される。

磁気光学効果素子（１２）としては、磁気光学効果を示
す素子であればいずれも適用可能である。

検光子（１４）は、偏光面が回転した光の垂直成分のみ
を取り出す作用をする。この出力光は、光ファイバー（
４０）を通って処理部（３０）の受光素子（３２）に送
られる。

ファラデー効果により、磁気光学効果素子（１２）内に
入射した直線偏光の偏光面が角度αだけ回転する。この
回転角αは、加えられた磁界の強さに比例して次式に従
って変化する。

α−Ｖｅ−Ｈ−Ｌ ここでＶｅはベルデ定数と呼ばれる材料固有の定数、１
］は磁界の強さ、Ｌは磁気光学効果素子の結晶の長さで
ある。

検光子角がπ／４の場合、透過光の強さＰは次式に従っ
て変化する。

Ｐ＝Ｐｏ　（１＋ｓ　１ｎ２ｃｙ） ＝Ｐｏ　（１＋ｓ　ｉ　ｎ２ＶｅＨＬ）＝Ｐｏ　（１＋
ｍ） ここで、ｍは変調度、ＰＯは磁界がＯのときの透過光強
さである。

回転角αがπ／４よりも十分小さい場合、変調度ｍは磁
界の強さＩＩに比例する。従って、石ｎ界［Ｉの変化に
よって透過光強度を変調することが可能となる（第４図
参照）。

この実施例では、磁気光学効果素子としてＺｎ５ｅの多
結晶を用いており、偏光子（１１）と検光子（１４）と
の角度がπ／４だけずれるため、Ｂ５０（Ｂ　ｔ　＋ｔ
Ｓ　ｉ　０２０）単結晶をπ／４旋光子（１２）として
用いて入射光と透過光を平行にしている。このため、検
出部（１０）の構造を簡単にすることができる。

こうすると、回転角αは、次式のようになる。

α＝Ｖ　ｅ　Ｌ＋　　Ｈ＋Ｖ　ｅ　２　Ｌ２　　Ｈここ
でＬｌは旋光子（１２）の長さ、Ｌ２は磁気光学効果素
子（１３）の長さである。

磁化部（２０）は、第１図に見るように、コ字形とした
積層鉄板から成るヨーク（２１）と、当該ヨーク（２１
）の上下方向に延びる二つの腕部（２１ａ）の内部に設
けたコイル（２２）と、前記コイル（２２）に電流を供
給する電源（図示せず）とを備えている。ヨーク（２１
）の各腕部（２１ａ）の下端には、ローラ（２３）が回
転自在に取り付けてあり、ローラ（２３）を転がせば被
検査体上においてヨーク（２１）を任意の方向に移動で
きるようにしている。各腕部（２１ａ）の下端は、電磁
石の十−両極となる。

ヨーク（２１）の中央には、支持部（２４）が吊り下げ
るようにして取り付けてあり、この支持部（２４）の下
端に前記検出部（１０）のケーシング（１５）が固定し
である。ケーシング（１５）は、ローラ（２３）の高さ
よりも少し高い位置に設けてあり、被検査体の上にヨー
ク（２１）を載せた場合に被検査体の表面に近接するよ
うにしている。検出部（１０）より出ている光ファイバ
ー（４０）は、支持部（２４）内部を通って処理部（３
０）に接続されている。なお、（２５）は前記コイル（
２２）と電源を接続するリード線である。

処理部（３０）には、発光ダイオード等からなる発光素
子（３１）とＰＩＮフォトダイオード等からなる受光素
子（３２）が設けてあり、発光素子（３１）により生じ
た光は一方の光ファイバー（４０）を介して検出部（１
０）の偏光子（１１）に送られる。また検出部（１０）
の検光子（１４）からの出力光は、他方の光ファイバー
　（４０）を介して受光素子（３２）に送られ、ここで
電気信号に変換される。この電気信号は、その後、増幅
器（３３）によって増幅され、演算器（３４）に入力さ
れる。演算器（３４）は、前記電気信号を解析して磁界
値に変換する。

演算器（３４）の出力信号は、オシロスコープ等のＣＲ
Ｔ表示器（３５）及びレコーダー（３６）に出力される
。こうして、検査結果の確認及び記録を行うことができ
る。

以上の構成を持つ処理部（３０）は、従来より公知の装
置を用いて任意に構成することができる。

また光ファイバー（４０）としては、公知のものを使用
することができるが、マルチモードステップインデック
ス型石英ファイバーが好ましい。

次に、以上のように構成した非破壊検査装置の使用状態
を説明する。

まず、第１図に示すように、ローラ（２３）を介して金
属板から成る被検査体（４１）の上にヨーク（２１）を
載せる。このとき、ヨーク（２１）の腕部（２１ａ）の
下面は被検査体（４１）の表面に近接しており、また、
検出部（１０）のケーシング（１５）も同様に近接して
いる。

次に、電源をＯＮにして磁化部（２０）のコイル（２２
）に通電し、被検査体（４１）に磁束を通してこれを磁
化する。これと同時に処理部（３０）も作動状態にして
、検出部（１０）に光を入射する。

この状態で、被検査体（４１）の表面上で前記ヨーク（
２１）を移動すると、被検査体（４１）に欠陥がない場
所では表面に漏洩磁束が生じないので、検出部（１０）
の磁気光学効果素子（１３）にはファラデー効果が発生
せず、透過光の強度は変化しない。

しかし、被検査体（４１）の表面ないし内部に欠陥があ
ると、表面に漏洩磁束が生じているので、磁気光学効果
素子（１３）にファラデー効果が発生し、入射光の偏光
面を回転させる。このため、磁気光学効果素子（１３）
の透過光の強度が変化するので、これを処理部（３０）
で電気信号に変換し、処理すると、前記漏洩磁束を介し
て被検査体（４１）の欠陥を検出することができること
になる。

なお光ノイズを除去するため、第５図に示すように、検
出部（１０）、発光素子（３１）及び受光素子（３２）
を増幅器（３３）と共に磁気シールド用ケーシング（４
２）内に収容してもよい。このケーシング（４２）の下
面は、検出部（１０）が磁界を検出できるように、開口
しておく必要がある。

第６図は、磁性材料用の装置の他の実施例を示している
。この実施例が前記実施例と異なるのは、ヨーク（２１
）がコイル（２２）を内蔵した四つの腕部（２１ａ）を
持っている点のみである。この場合には、周方向に等間
隔で四つの極が配置されていることになり、互いに対向
する二つの極間で磁束が生じる。

このように、ヨーク（２１）の腕部（２１ａ）すなわち
極の数は適宜設定することが可能である。

なお、磁化用電源として交流電源と直流電源の双方を備
えて、両型源を切替できるようにしておくのが好ましい
。そして、磁性材料の表層欠陥を検査する場合には交流
電源を使用し、内部欠陥を検査する場合には直流電源を
使用する。交流磁場の表皮効果と直流磁場の浸透効果に
よって、欠陥を非常に高精度に検出することができる。

第７図及び第８図は、この発明の非磁性材料用の非破壊
検査装置の実施例を示している。

この装置は、検査時に被検査体（４１）内部に電界を発
生させ、欠陥があるとこの電界が変化することにより欠
陥を感知しようとするものである。

電流供給部（６０）は、被検査体（４１）上を移動せし
められる二つの接触子（６２）を備えた保持部材（６１
）と、図示しないＤＣ電源とから成っている。電流供給
用接触子（６２）は金属棒から成っており、保持部材（
６１）は絶縁性材料から成っている。各接触子（６２）
の基端には、図示していない電源に通じるリード線（６
３）が接続しである。通電時には、両接触子（６２）の
先端を被検査体（４１）の表面に接触すればよい。両接
触子（６２）は離れて設けてあり、その間には、検出部
（５０）の二つの検出用接触子（５７）が取り付けであ
る。

またこの装置は、前記検出部（１０）と同様の検出部（
５０）を持っている。

すなわち、第８図に見るように、入射した自然光を直線
偏光に変換する偏光子（５１）と、入射した直線偏光に
π／４の位相差を与えて直線偏光を円偏光に変換する作
用をするπ／４旋光子（５２）と、電界を感知して入射
した円偏光を楕円偏光に変換する電気光学効果素子（５
３）と、楕円偏光を光強度に変換する検光子（５４）と
から構成されている。各光学部品はセラミック製のケー
シング（５５）に収容されている。

電気光学効果素子（５３）は、電気光学効果を示す素子
であればいずれも適用可能であるが、この実施例では、
ポッケルス効果を示す薄板状のＢ５０（Ｂｉ、□５ｉＯ
ｚｏ）単結晶から形成されている。

当該結晶の二つの面には透明電極（５３ａ）　（５３ｂ
）が形成してあり、当該電極（５３ａ）　（５３ｂ）に
は前述したリード線（５６）の一端が接続しである。従
って、両透明電極（５３ａ）　（５３ｂ）　は、リード
線（５６）を介して前記検出用接触子（５７）とそれぞ
れ接続されていることになる。

両検出用接触子（５７）は、検査時に内部電界を検出す
るため被検査体に接触するもので、前記電流供給用接触
子（６２）と同じ材質で形成しである。検査時には、両
検出用接触子（５７）間の電圧が電気光学効果素子（１
３）の電極（５３ａ）　（５３ｂ）間に印加され、この
電圧により当該素子（５３）内に電界が発生する。

ＢＳＯ単結晶は、ポッケルス効果により、前記電極（５
３ａ）　（５３ｂ）間に電圧を印加した状態ではその二
つの結晶軸例えば＜０１１＞と＜０１１＞との間に屈折
率差が生じており、この単結晶に入射した円偏光が楕円
偏光に変換される。このとき、前記屈折率差は単結晶内
に生じる電界に比例するため、両電極（５３ａ）　（５
３ｂ）間の電圧変化を透過光の屈折率変化に変換して、
単結晶の透過光によって検出することができることにな
る。

電気光学効果素子（１３）によって円偏光が楕円偏光に
変換されたときには、検光子（５４）を透過した光の強
度が、前記電極（５３ａ）　（５３ｂ）間の電圧の大き
さに比例して変動する。従って、電気光学効果素子（５
３）の両電極（５３ａ）　（５３ｂ）間に印加される電
圧によって、検光子（５４）の透過光の強度を変調させ
ることができることになり、この透過光強度を検出すれ
ば、電気光学効果素子（５３）の電極（５３ａ）（５３
ｂ）間の電圧を検出することができる。

被検査体（４１）に欠陥がある場合、内部電界ひいては
両電極（５３ａ）　（５３ｂ）間の電圧が変化するので
、これによって欠陥を検出することができる。

入力電圧が交流の場合、直流光Ｐｄｃに交流光Ｐａｃが
重畳し、透過光強度Ｐは第９図に示すようになる。この
振幅変調の特性は次式で与えられる。

Ｐ＝Ｐｏ　（１＋ｍ） ｍ＝π・Ｖ／Ｖπ・ｆ　（Ｖ） ｆ（ν）　　＝ｓｉｎ　　（ｇ　　（Ｖ）　　ｌ　／　
ｇ　（Ｖ）ｇ（ν）− （（π　・　Ｖ／Ｖ　　π　）　　２　＋　　（２θｏ
　　　・　ｄ）　　２　〕　”　ｚここで、Ｐｏは基準
光強度、ｍは変調度（＝ｐｄｃ／Ｐａｃ）、ＶはＢＳＯ
単結晶への印加電圧、■πは半波長電圧と呼ばれる材料
固有の定数、θ。は自然旋光能、ｄはＢＳＯ単結晶の厚
さである。

波長０．８７μｍの光をＢＳＯ単結晶に透過させる場合
、■πは６８００Ｖ、θ。は１０．５゜／　ｍ　ｍであ
る。

印加電圧■が半波長電圧Ｖπより十分小さい範囲では、
変調度ｍは印加電圧■にほぼ比例する。

・印加電圧Ｖと出力電圧の関係を第１０図に示す。

なおこの装置の処理部は、前記した磁性材料用装置に使
用したものとまったく同じである。

この装置の使用方法は、前記した磁性体用の装置と同様
であり、４本の接触子（５７）　（６２）を被検査体（
４１）の表面に接触させながら移動すればよい。

欠陥があるところでは、内部電界が変化しているので、
これを電気光学効果素子（５３）によって感知すれば、
容易に欠陥を検出することができる。

なお上記した磁性材料用の装置と非磁性材料用の装置を
別個に構成することもできるが、これらを一体的に構成
して、検査対象に応じて二つの検出部（１０）　（５０
）を適宜使い分けるようにしてもよい。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、この発明の非破壊検査
装置は、被検査体（４１）の漏洩磁束の有無または内部
電界の変化を感知して欠陥を検出すると共に、検出部（
１０）　（５０）を被検査体（４１）の表面に沿って移
動するだけで検査できるので、表層欠陥及び内部欠陥の
いずれを検出する場合にも有効であると共に、欠陥を高
精度にばらつきなく検出することができる。

また、上述のようにして簡単に検査することができるた
め、検査に際して熟練を要しないと共に、被検査体の周
囲の状況によって悪影響を受ける恐れがない。

また、前記磁化手段のコイル（２２）に通電するための
電源として、交流電源及び直流電源の双方を設けた場合
には、表層欠陥の検出には交流電源を、内部欠陥の検出
には直流電源を接続して欠陥をより高精度に検出するこ
とができる。

さらに前記磁界感知手段に、感知面以外の部分に磁気シ
ールドを施すと、浮遊磁界の影響を受けず誤差のない検
出ができる。

前記電流供給手段を、電源に接続されかつ保持部材（６
１）に保持された二本の電流供給用接触子（６２）から
構成し、両接触子（６２）の間に検出用接触子（５７）
を配置すると、非常に簡単な構成として実施することが
できるという効果がある。

前記磁界感知手段及び電界感知手段を、光ノイズ防護用
ケーシング内に設けると、さらに誤差のない検出ができ
る。

なお、前記磁性体用の装置と非磁性体用の装置を一体的
に組み込んで、被検査体の種類に応じて両者を使い分け
るように構成すると、検査対象の種類を問わず検査する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図はこの発明の非破壊検査装置を磁性
材料用として構成した一実施例を示すもので、第１図は
磁化部の全体構成を示す正面説明図、第２図は同装置の
検出部の内部構成を示す説明図、第３図は検出部と処理
部の構成を示すブロック図、第４図は磁気光学効果素子
への印加磁場と透過光強度の関係を示すグラフ、第５図
は他の実施例を示す断面説明図、第６図はさらに他の実
施例を示す斜視図である。 第７図ないし第１Ｏ図はこの発明の非破壊検査装置を非
磁性材料用として構成した一実施例を示すもので、第７
図は電流供給部及び検出部を示す要部斜視図、第８図は
検出部の内部構成を示す説明図、第９図は電気光学効果
素子への印加電圧と透過光強度の関係を示すグラフ、第
１０図は電気光学効果素子への入力電圧と透過光強度の
関係を示すグラフである。 （１０）　（５０）・・・検出部　　　（１１）　（５
１）・・・偏光子（１２）　（５２）・・・π／４旋光
子（１３）・・・電気光学効果素子（５３）・・・磁気
光学効果素子（５３ａ）　（５３ｂ）・・・電極（１４
）　（５４）・・・検光子　　　（１５）　（５５）・
・・ケーシング（５７）・・・電界検出用接触子 （２０）・・・磁化部　　　　　（２１）・・・ヨーク
（２１ａ）・・・腕部　　　　　（２２）・・・コイル
（２３）・・・ローラ （３０）・・・処理部　　　　　（３１）・・・発光素
子（３２）・・・受光素子　　　　（３３）・・・増幅
器（３４）・・・演算器　　　　　（３５）・・・表示
器（３６）・・・レコーダー （４０）・・・光ファイバー　　（４１）・・・被検査
体（４２）・・・磁気シールド用ケーシング（６０）・
・・電流供給部　　　（６１）・・・保持部材（６２）
・・・電流供給用接触子

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁性材料の欠陥を検査する非破壊検査装置であって
   、 被検査体を磁化する磁化手段と、前記被検査体の近傍で
   磁界を感知する磁界感知手段と、前記磁界感知手段に光
   を入射させる投光手段と、前記磁界感知手段からの透過
   光を受光して電気信号に変換する受光手段と、前記電気
   信号を記録する記録手段とを備え、 前記磁界感知手段が磁気光学効果素子によって構成され
   、 被検査体の周囲の磁界を感知して欠陥を検出するように
   したことを特徴とする非破壊検査装置。 ２、前記磁化手段が、被検査体表面に沿って移動可能な
   略コ字状のヨークと、前記ヨークに内蔵されたコイルか
   ら構成されている請求項１に記載の非破壊検査装置。 ３、前記磁化手段に通電するための電源として、交流電
   源及び直流電源の双方が設けてあり、両者を切り替える
   ことができる請求項１または２に記載の非破壊検査装置
   。 ４、前記磁界感知手段に、感知面を除いて磁気シールド
   が施されている請求項１ないし３のいずれかに記載の非
   破壊検査装置。 ５、非磁性材料の欠陥を検査する非破壊検査装置であっ
   て、 被検査体に電流を供給する電流供給手段と、前記被検査
   体内の電界を感知する電界感知手段と、前記電界感知手
   段に光を入射させる投光手段と、前記電界感知手段から
   の透過光を受光して電気信号に変換する受光手段と、 前記電気信号を記録する記録手段とを備え、前記電界感
   知手段が電気光学効果素子によ って構成され、 被検査体の内部の電界の変化を感知して欠陥を検出する
   ようにしたことを特徴とする非破壊検査装置。 ６、前記電流供給手段が、電源に接続されかつ保持部材
   に保持された二本の電流供給用接触子から構成され、当
   該両接触子の間に電界検出用接触子が配置されている請
   求項５に記載の非破壊検査装置。 ７、前記磁界感知手段または電界感知手段が、光ノイズ
   防護用ケーシング内に設けてある請求項１または５に記
   載の非破壊検査装置。 ８、請求項１に記載の前記磁性体用の装置と、請求項５
   に記載の前記非磁性体用の装置を一体的に組み込んで成
   ることを特徴とする非破壊検査装置。