JPS6212690A - 結晶成長方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、宇宙空間における無重量な状態中での各種半
導体結晶や誘電体結晶などの製造に用いることのできる
結晶成長方法に関するものである。

従来の技術 宇宙空間における無重量状態を利用した結晶成長に近年
、大きな関心が寄せられるようになってきた。

化合物や合金の結晶成長を地上で行なう場合には、成分
元素の比重の違いや対流等に起因する、成分の不均一や
、欠陥の発生を防止するのが非常に困難であるが、無重
量状態における結晶成長では対流の発生がなく、均質性
のよい化合物結晶や合金が得られるものと期待されてい
る。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、対流等がなくなったとしても、結晶成長
中の被成長物質表面からの被成長物質の蒸発や熱放散に
よって、結晶の均質性が著しくそこなわれる。例えばＧ
ａＡｓの結晶成長では、人Ｓの蒸気圧がＧａの蒸気圧に
比べて著しく大きいために、表面からのＡｓの散逸が甚
しく、良好な結晶成長が困難になる。

本発明は上記の問題点に鑑み、被成長物質表面からの被
成長物質の蒸発や、熱の放散を著しく低減することので
きる結晶成長方法を提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するためて、本発明の結晶成長方法は
無重量状態において被成長物質の表面を、被成長物質よ
りも表面張力の小さい物質で覆うことから構成されてい
る。

作用 この構成によって、被成長物質の表面が覆われているの
で被成長物質表面からの被成長物質の蒸発が抑制され、
また熱の放散を少なくすることができる。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。

第１図は本発明の第１の実施例における結晶成長法の構
成を示す断面図である。第１図において、１は例えばａ
＆ムｓ＋ｓｉなどの被成長物質、２は外囲物質や被成長
物質よりも表面張力が小さく、かつ被成長物質に対して
難溶な物質である。まだ３は外囲器、４は高周波加熱コ
イルである。

被成長物質１は、無重量状態ではその表面張力により球
状になる。これに、被成長物質よりも表面張力が小さく
、かつ被成長物質に対して難溶な物質２を接触させると
、物質１と物質２の表面張力の違いから、物質２が物質
１の表面に拡がりついには第１図に示されているように
物質１を物質２が囲むようになる。その結果、物質１か
らの蒸発や熱放散が物質２によって防止され、また、物
質２の熱伝導率が物質１よりも充分小さければ物質１中
の温度分布の均一性が著しく改善される。

なお、第２の実施例として外囲物質２は、第２図に示す
ごとく、被成長物質１と外囲器３との間を満たすように
なっていてもよい。

以上のように、本発明によれば、被成長物質中の成分物
質の分布や温度分布の均一性が著しく改善され、欠陥の
少ない良好な結晶の成長が可能となる。

発明の効果 以上のように本発明は、無重量状態における結晶成長に
おいて、被成長物質の表面を被成長物質よりも表面張力
の小さい物質で覆うことにより、成分均一性がよく欠陥
の少ない結晶の成長が可能となり、その実用的効果は犬
なるものがある。

１・・・・・・被成長物質、２・・・・・・外囲物質、
３・・・・・・外囲器。

代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名イ　
　　２　　　　３

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）無重量状態における結晶成長であって、被成長物
   質の表面を、前記被成長物質よりも表面張力の小さい物
   質で覆うことを特徴とする結晶成長方法。
2. （２）被成長物質の表面を覆う物質が、被成長物質より
   も充分小さい熱伝導率を有することを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の結晶成長方法。