JPS62126630A - レ−ザ加工装置 - Google Patents
レ−ザ加工装置Info
- Publication number
- JPS62126630A JPS62126630A JP60267005A JP26700585A JPS62126630A JP S62126630 A JPS62126630 A JP S62126630A JP 60267005 A JP60267005 A JP 60267005A JP 26700585 A JP26700585 A JP 26700585A JP S62126630 A JPS62126630 A JP S62126630A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- crystal growth
- optical system
- patterns
- Prior art date
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- Pending
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はレーザビームを用いた加工装置に関し、特に半
導体集積回路の製造に使用する半導体ウェハのレーザア
ニーリング装置に関する。
導体集積回路の製造に使用する半導体ウェハのレーザア
ニーリング装置に関する。
従来技術
従来、半導体集積回路の製造に使用する半導体ウェハの
結晶性を回復する手段として使用されるレーザアニーリ
ング装置においては、レーザ発振器よりレーザビームを
出射し、このビームを２個の光軸調整ミラーで折返し、
ビームエキスパンダでビーム径が拡大され、走査光学系
の対物レンズにより試料に集光される方式が一般的であ
る。
結晶性を回復する手段として使用されるレーザアニーリ
ング装置においては、レーザ発振器よりレーザビームを
出射し、このビームを２個の光軸調整ミラーで折返し、
ビームエキスパンダでビーム径が拡大され、走査光学系
の対物レンズにより試料に集光される方式が一般的であ
る。
第７図はこのレーザアニーリングを目的とした装置の一
般的構成例である。レーザ発振器１から出射されたレー
ザビームは２個の光軸調整ミラーで折返されたあと、ビ
ームエキスパンダ２０でビーム径が拡大される。その倍
率は目的に応じて任意に選択される。この拡大されたレ
ーザビームは次に走査光学系３に導かれ、対物レンズ３
１により試料５に集光される。走査光学系３はＸ−Ｙ方
向に移動できる移動台上に載圃されており、試料上をＸ
−Ｙ方向に走査できるようになっている。
般的構成例である。レーザ発振器１から出射されたレー
ザビームは２個の光軸調整ミラーで折返されたあと、ビ
ームエキスパンダ２０でビーム径が拡大される。その倍
率は目的に応じて任意に選択される。この拡大されたレ
ーザビームは次に走査光学系３に導かれ、対物レンズ３
１により試料５に集光される。走査光学系３はＸ−Ｙ方
向に移動できる移動台上に載圃されており、試料上をＸ
−Ｙ方向に走査できるようになっている。
このような方式では、ガウス形のレーザビームをそのま
ま用いているので、試料上でのビームスポットの温度分
布は周辺部より中心部が高いものとなり、結晶成長は周
辺部から中心部に向って進むため、大面積の結晶成長を
得ることができないという欠点がある。
ま用いているので、試料上でのビームスポットの温度分
布は周辺部より中心部が高いものとなり、結晶成長は周
辺部から中心部に向って進むため、大面積の結晶成長を
得ることができないという欠点がある。
尺」１０上的
本発明は上記のような従来のものの欠点を除去Ｊべくな
されたもので、従来行われたことのないビーム整形によ
り大面積の結晶成長を得ることのできるレーザ加■装置
を提供することを目的とする。
されたもので、従来行われたことのないビーム整形によ
り大面積の結晶成長を得ることのできるレーザ加■装置
を提供することを目的とする。
灸貝の構成
本発明によるレーザ加■装置は、レーザビームを出射す
るレーザ発振手段と、前記レーザビームの光束を整形す
るビーム整形手段と、前記整形されたレーザビームを分
離して分離幅を調整するビｌｚ分前手段と、レーザど−
ムを集光して試料土を走査する光学手段とを具備するこ
とを特徴とする。
るレーザ発振手段と、前記レーザビームの光束を整形す
るビーム整形手段と、前記整形されたレーザビームを分
離して分離幅を調整するビｌｚ分前手段と、レーザど−
ムを集光して試料土を走査する光学手段とを具備するこ
とを特徴とする。
実施例
次に本発明の実施例を示した図面を参照して、本発明を
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例によるレーザアニーリング装置
を示すブロック図である。図において、レーザ発振器１
から出射されたレーザビームはビーム整形光学系２０２
個の光軸調整ミラーで折返されたあど、ビームＪ゛４−
スパンダ２０でビー１１形が拡大される。この拡大され
たレーザ゛じ−ムは、ビーム分１１ｆｌｌＪｆＭ２１Ｃ
・分離され、走査光学系３０対物レンズ３１で集光され
Ｃ試料５に照射される。
を示すブロック図である。図において、レーザ発振器１
から出射されたレーザビームはビーム整形光学系２０２
個の光軸調整ミラーで折返されたあど、ビームＪ゛４−
スパンダ２０でビー１１形が拡大される。この拡大され
たレーザ゛じ−ムは、ビーム分１１ｆｌｌＪｆＭ２１Ｃ
・分離され、走査光学系３０対物レンズ３１で集光され
Ｃ試料５に照射される。
本実施例では、ビームコ−キスパンダ２０の直後にビー
ム分１１１機構２１を設置フである。このビーム分１ｌ
Ｉｔｌｌ構２１の働きを第２図を参照して説明する。
ム分１１１機構２１を設置フである。このビーム分１ｌ
Ｉｔｌｌ構２１の働きを第２図を参照して説明する。
この機構は固定プリズム２２と２つの可動プリズム２３
とから構成されており、固定プリズム２２の出射側端面
２７と可動プリズム２３の入射側端面２８とは常に平行
を保って可動プリズム２３が移動可能なようになってい
る。このビーム分１１１１ｔａｍ構２１によって入射ビ
ーム２４は２つのビーム２５．２６に分離される。ビー
ムの分離幅δは固定プリズム２２の出射側端面２７の傾
斜０１可動プリズム２３の入射側端面２８と固定プリズ
ム２２の出射側端面２−７との距１１ｄによって決まる
。プリズムのレーザビームに対する屈曲率をｎとづると
分離幅δは次式で与えられる。
とから構成されており、固定プリズム２２の出射側端面
２７と可動プリズム２３の入射側端面２８とは常に平行
を保って可動プリズム２３が移動可能なようになってい
る。このビーム分１１１１ｔａｍ構２１によって入射ビ
ーム２４は２つのビーム２５．２６に分離される。ビー
ムの分離幅δは固定プリズム２２の出射側端面２７の傾
斜０１可動プリズム２３の入射側端面２８と固定プリズ
ム２２の出射側端面２−７との距１１ｄによって決まる
。プリズムのレーザビームに対する屈曲率をｎとづると
分離幅δは次式で与えられる。
δ−（１ｃａＳｅ （１−（ｎ ｓｉｎθ１５扁ｑ ’
ｃｏｓ ’ ／ｊ’））したがって、分離幅δはθが
小ざいほど大きく仕り、ｄが大きいほど大きくなること
がわかる。実用的にはθを一定とし、距離ｄを変化させ
ることができる。
ｃｏｓ ’ ／ｊ’））したがって、分離幅δはθが
小ざいほど大きく仕り、ｄが大きいほど大きくなること
がわかる。実用的にはθを一定とし、距離ｄを変化させ
ることができる。
従来のもののレーザビームの強度分布は第３図に示すよ
うにかウス形で、ビームパターンは第５図に示すように
円形であり、本発明によるものの強度分布は第４図に示
すような形になり、ビームパターンは第６図に示すよう
なパターンが得られる。このように、本発明によるもの
のビームスポットの温度分布は、従来のものと異なり、
中心部が低く、左右の半月状パターンの中心部が高くな
るので、半導体ウェハの結晶成長は左右の半月状パター
ンの最高温度の箇所へ向かって進むことになり、ビーム
の分離幅δを任意に変えることにより従来のものに比し
て大面積の結晶成長を実現することができる。
うにかウス形で、ビームパターンは第５図に示すように
円形であり、本発明によるものの強度分布は第４図に示
すような形になり、ビームパターンは第６図に示すよう
なパターンが得られる。このように、本発明によるもの
のビームスポットの温度分布は、従来のものと異なり、
中心部が低く、左右の半月状パターンの中心部が高くな
るので、半導体ウェハの結晶成長は左右の半月状パター
ンの最高温度の箇所へ向かって進むことになり、ビーム
の分離幅δを任意に変えることにより従来のものに比し
て大面積の結晶成長を実現することができる。
尚、上記においては、レーザアニーリング装置につき述
べたが、他のレーザ加１−装置適用可能である。
べたが、他のレーザ加１−装置適用可能である。
ル」」」１里
以−［説明したように、本発明によれば、従来のものに
ビーム分離機構を追加するだけでレーザ“ビームを分離
することかでき、かつその分離幅を可変することができ
るので、種々の半導体つ■ハに最適な分離幅を選ぶこと
ができ、したがって従来のものに比して大面積の結晶成
長を実現することができる。
ビーム分離機構を追加するだけでレーザ“ビームを分離
することかでき、かつその分離幅を可変することができ
るので、種々の半導体つ■ハに最適な分離幅を選ぶこと
ができ、したがって従来のものに比して大面積の結晶成
長を実現することができる。
第１図１１本発明によるレーザアニーリング装置の一実
施例を示すブロック図、第２図は本発明の特徴をなすビ
ーム分離機構を示す線図、第３図は従来のもののレーザ
ビームの強電分布図、第４図は本発明によるもののレー
ザビームの強匪分布図、第５図は従来のもののレーザビ
ームのパターン図、第６図は本発明によるもののシー１
１ビームのパターン図、第７図は従来のレーザアニーリ
ング装置の一般的構成例を示すブロック図である。 土要部分の符号の説明 １・・・・・・レーザ発振器 ２・・・・・・ビーム整形光学系 ３・・・・・・走査光学系 ５・・・・・・試料 ２１・・・・・・ビーｌい分離機椛 ２２・・・・・・固定プリズム ２３・・・・・・可動プリズム ３１・・・・・・対物レンズ
施例を示すブロック図、第２図は本発明の特徴をなすビ
ーム分離機構を示す線図、第３図は従来のもののレーザ
ビームの強電分布図、第４図は本発明によるもののレー
ザビームの強匪分布図、第５図は従来のもののレーザビ
ームのパターン図、第６図は本発明によるもののシー１
１ビームのパターン図、第７図は従来のレーザアニーリ
ング装置の一般的構成例を示すブロック図である。 土要部分の符号の説明 １・・・・・・レーザ発振器 ２・・・・・・ビーム整形光学系 ３・・・・・・走査光学系 ５・・・・・・試料 ２１・・・・・・ビーｌい分離機椛 ２２・・・・・・固定プリズム ２３・・・・・・可動プリズム ３１・・・・・・対物レンズ
Claims (1)
- レーザビームを出射するレーザ発振手段と、前記レーザ
ビームの光束を整形するビーム整形手段と、前記整形さ
れたレーザビームを分離して分離幅を調整するビーム分
離手段と、レーザビームを集光して試料上を走査する光
学手段とを具備することを特徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267005A JPS62126630A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | レ−ザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267005A JPS62126630A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | レ−ザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126630A true JPS62126630A (ja) | 1987-06-08 |
Family
ID=17438732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267005A Pending JPS62126630A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | レ−ザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62126630A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07124764A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-16 | Nec Corp | レーザ加工装置 |
| JP2011204911A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Japan Steel Works Ltd:The | アニール処理体の製造方法およびレーザアニール装置 |
| US20150096856A1 (en) * | 2012-04-07 | 2015-04-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Friction brake device |
| CN104762665A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-07-08 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 激光加工装置及系统、晶圆加工系统 |
| US9534649B2 (en) | 2012-04-07 | 2017-01-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Friction brake device |
| WO2022053005A1 (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 华中科技大学 | 兼顾成形效率和成形精度的双光束slm成形装置及方法 |
| WO2022091253A1 (ja) * | 2020-10-28 | 2022-05-05 | 株式会社ニコン | 光加工装置 |
-
1985
- 1985-11-27 JP JP60267005A patent/JPS62126630A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07124764A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-16 | Nec Corp | レーザ加工装置 |
| JP2011204911A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Japan Steel Works Ltd:The | アニール処理体の製造方法およびレーザアニール装置 |
| US20150096856A1 (en) * | 2012-04-07 | 2015-04-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Friction brake device |
| US9534649B2 (en) | 2012-04-07 | 2017-01-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Friction brake device |
| US9605720B2 (en) * | 2012-04-07 | 2017-03-28 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Friction brake device |
| CN104762665A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-07-08 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 激光加工装置及系统、晶圆加工系统 |
| WO2022053005A1 (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 华中科技大学 | 兼顾成形效率和成形精度的双光束slm成形装置及方法 |
| WO2022091253A1 (ja) * | 2020-10-28 | 2022-05-05 | 株式会社ニコン | 光加工装置 |
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