JPS6212618Y2 - - Google Patents
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- JPS6212618Y2 JPS6212618Y2 JP16143281U JP16143281U JPS6212618Y2 JP S6212618 Y2 JPS6212618 Y2 JP S6212618Y2 JP 16143281 U JP16143281 U JP 16143281U JP 16143281 U JP16143281 U JP 16143281U JP S6212618 Y2 JPS6212618 Y2 JP S6212618Y2
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- Japan
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- mask
- heating resistor
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- common electrode
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はサーマルヘツドを製造する際に用いる
マスクパターンに関する。
マスクパターンに関する。
サーマルヘツドは、一例として第１図に発熱抵
抗体部の一部分の平面図を示すように、例えばミ
アンダ形状で互いに平行に、長手方向（図では縦
方向）に配列された多数の発熱抵抗体１を備えて
いる。各発熱抵抗体１は、一端が共通電極２に接
続され、他端がそれぞれ対応する電極３に接続さ
れている。この発熱抵抗体１の配列に沿つて感熱
記録紙を接触させ、所定の発熱抵抗体１に共通電
極２と電極３間で通電すると感熱記録紙のその位
置が発色する。次に、感熱記録紙を発熱抵抗体１
の配列方向（長手方向）と直角方向に移動させ、
同様に所定の発熱抵抗体１に通電する。この操作
を繰返すことにより、感熱記録紙上に文字、図形
などの情報を記録することができる。
抗体部の一部分の平面図を示すように、例えばミ
アンダ形状で互いに平行に、長手方向（図では縦
方向）に配列された多数の発熱抵抗体１を備えて
いる。各発熱抵抗体１は、一端が共通電極２に接
続され、他端がそれぞれ対応する電極３に接続さ
れている。この発熱抵抗体１の配列に沿つて感熱
記録紙を接触させ、所定の発熱抵抗体１に共通電
極２と電極３間で通電すると感熱記録紙のその位
置が発色する。次に、感熱記録紙を発熱抵抗体１
の配列方向（長手方向）と直角方向に移動させ、
同様に所定の発熱抵抗体１に通電する。この操作
を繰返すことにより、感熱記録紙上に文字、図形
などの情報を記録することができる。
発熱抵抗体１の数は分解能と記録幅とに依存す
るが、例えば８ドツト／mmの記録密度でA4判
（216mm）の記録幅を有するサーマルヘツドの場合
には1728個の同一パターンの発熱抵抗体が配列さ
れることになる。
るが、例えば８ドツト／mmの記録密度でA4判
（216mm）の記録幅を有するサーマルヘツドの場合
には1728個の同一パターンの発熱抵抗体が配列さ
れることになる。
第２図は第１図のＡ，A′線断面図で、セラミ
ツク基板４上に発熱抵抗体１が形成され、その上
に電極３及び共通電極２が形成されて発熱抵抗体
１と接続し、これらの上には発熱抵抗体１の耐酸
化保護層として二酸化珪素（SiO2）層５が被覆さ
れ、更にその上に耐磨耗層として五酸化タンタル
層６が被覆されている。
ツク基板４上に発熱抵抗体１が形成され、その上
に電極３及び共通電極２が形成されて発熱抵抗体
１と接続し、これらの上には発熱抵抗体１の耐酸
化保護層として二酸化珪素（SiO2）層５が被覆さ
れ、更にその上に耐磨耗層として五酸化タンタル
層６が被覆されている。
発熱抵抗体１、共通電極２、及び電極３のパタ
ーン形成は、よく知られた微細加工技術を用いて
行なうことができる。例えば、セラミツク基板４
上に発熱抵抗体層と導電体層との積層体を有する
試料表面にホトレジストを塗布し、電極パターン
用マスクを重ねて露光と現像を行なつてホトレジ
ストパターンを形成した後、このホトレジストパ
ターンをマスクとして導電体層をエツチングして
共通電極２及び電極３のパターンを形成する。次
にその上に再びホトレジストを塗布し、今度は発
熱抵抗体パターン用マスクを重ねて同様に露光、
現像及びエツチングを行なつて発熱抵抗体１のパ
ターンを形成する。
ーン形成は、よく知られた微細加工技術を用いて
行なうことができる。例えば、セラミツク基板４
上に発熱抵抗体層と導電体層との積層体を有する
試料表面にホトレジストを塗布し、電極パターン
用マスクを重ねて露光と現像を行なつてホトレジ
ストパターンを形成した後、このホトレジストパ
ターンをマスクとして導電体層をエツチングして
共通電極２及び電極３のパターンを形成する。次
にその上に再びホトレジストを塗布し、今度は発
熱抵抗体パターン用マスクを重ねて同様に露光、
現像及びエツチングを行なつて発熱抵抗体１のパ
ターンを形成する。
このパターン形成プロセスにおいて、発熱抵抗
体パターン用マスクは、先に形成された共通電極
パターン２及び電極パターン３の上に正しく位置
合せして重ねなければならない。そこで、従来、
位置合せのためのパターンを別途各マスクに設け
ることが行なわれている。
体パターン用マスクは、先に形成された共通電極
パターン２及び電極パターン３の上に正しく位置
合せして重ねなければならない。そこで、従来、
位置合せのためのパターンを別途各マスクに設け
ることが行なわれている。
従来の方法を、第１図に示したパターンを形成
するためのマスクについて示すと、その発熱抵抗
体パターン用マスクは、第３図に左側端部を示す
ように発熱抵抗体用のパターン７の他に斜線で示
した十字形の位置合せ用パターン８を備える。
尚、右側端部にも同様に位置合せ用パターン８を
備える。また、電極パターン用マスクは、第４図
に左側端部を示すように、共通電極用のパターン
９及び電極用のパターン１０の他に斜線で示した
四角形の位置合せ用パターン１１を、第３図の発
熱抵抗体パターン用マスクの位置合せ用パターン
８と対応する位置に備える。尚、右側端部にも位
置合せ用パターン１１を備える。これらのマスク
を用いてサーマルヘツドのパターンを形成するに
は、第５図に示すように、第４図の電極パターン
用マスクにより形成され導電体層からなる四角形
の位置合せ用パターン１１′に位置合せ用パター
ン８が合致するように第３図の発熱抵抗体パター
ン用マスクを重ねる。
するためのマスクについて示すと、その発熱抵抗
体パターン用マスクは、第３図に左側端部を示す
ように発熱抵抗体用のパターン７の他に斜線で示
した十字形の位置合せ用パターン８を備える。
尚、右側端部にも同様に位置合せ用パターン８を
備える。また、電極パターン用マスクは、第４図
に左側端部を示すように、共通電極用のパターン
９及び電極用のパターン１０の他に斜線で示した
四角形の位置合せ用パターン１１を、第３図の発
熱抵抗体パターン用マスクの位置合せ用パターン
８と対応する位置に備える。尚、右側端部にも位
置合せ用パターン１１を備える。これらのマスク
を用いてサーマルヘツドのパターンを形成するに
は、第５図に示すように、第４図の電極パターン
用マスクにより形成され導電体層からなる四角形
の位置合せ用パターン１１′に位置合せ用パター
ン８が合致するように第３図の発熱抵抗体パター
ン用マスクを重ねる。
しかしながら、第３図のような発熱抵抗体用の
多くの繰返しパターン７を有するマスクに、その
繰返し単位のパターンとは別異の形状の位置合せ
用パターン８を設けることにより以下の問題が発
生する。すなわち、発熱抵抗体用の繰返しパター
ン７部分はホトリピータにより同一パターンを繰
返し露光することにより作画するのが一般である
が、位置合せ用パターン８の部分ではホトリピー
タを使用することができない。その結果、パター
ンの作画精度が低下し、したがつてマスクの精度
が低下する。マスクの誤差は、長さが200mmにも
及ぶサーマルヘツドの歩留りに特に重大な影響を
及ぼすので、高度のマスク精度が要求される。ま
た、ホトリピータが完全に利用できないことによ
り、作画時間が長くかかり、マスクの価格を上昇
させる要因ともなる。
多くの繰返しパターン７を有するマスクに、その
繰返し単位のパターンとは別異の形状の位置合せ
用パターン８を設けることにより以下の問題が発
生する。すなわち、発熱抵抗体用の繰返しパター
ン７部分はホトリピータにより同一パターンを繰
返し露光することにより作画するのが一般である
が、位置合せ用パターン８の部分ではホトリピー
タを使用することができない。その結果、パター
ンの作画精度が低下し、したがつてマスクの精度
が低下する。マスクの誤差は、長さが200mmにも
及ぶサーマルヘツドの歩留りに特に重大な影響を
及ぼすので、高度のマスク精度が要求される。ま
た、ホトリピータが完全に利用できないことによ
り、作画時間が長くかかり、マスクの価格を上昇
させる要因ともなる。
本考案は上記問題に鑑みてなされたもので、同
一の繰返しパターンを多数有するマスクにおい
て、位置合せ精度が高く、かつ作画精度の高いマ
スクを安価に製造することのできるマスクパター
ンを提供することを目的とするものであつて、発
熱抵抗体パターン用マスクにおいては発熱抵抗体
用のパターンと同一形状のパターンを余分に並べ
て形成し、その余分に形成されたパターンの少な
くとも１個を位置合せ用パターンに利用すると共
に、電極パターン用マスクにおいては共通電極用
のパターンと位置合せ用パターンとがつながつて
一体化しないように共通電極用のパターンの一部
を切欠くことにより、上記目的を達成せんとする
ものである。
一の繰返しパターンを多数有するマスクにおい
て、位置合せ精度が高く、かつ作画精度の高いマ
スクを安価に製造することのできるマスクパター
ンを提供することを目的とするものであつて、発
熱抵抗体パターン用マスクにおいては発熱抵抗体
用のパターンと同一形状のパターンを余分に並べ
て形成し、その余分に形成されたパターンの少な
くとも１個を位置合せ用パターンに利用すると共
に、電極パターン用マスクにおいては共通電極用
のパターンと位置合せ用パターンとがつながつて
一体化しないように共通電極用のパターンの一部
を切欠くことにより、上記目的を達成せんとする
ものである。
以下、一実施例により本考案を詳細に説明す
る。
る。
第６図は一実施例における発熱抵抗体パターン
用マスクの左側端部を示す図で、多数の発熱抵抗
体用のパターン７の外側に２個のパターン１２を
介してパターン１３が配置されている。このマス
クの右側端部には図示はされていないが、同様に
２個のパターン１２を介してパターン１３が配置
されている。これらのパターン７，１２，１３は
全て同一パターンからなり、かつ等間隔に配列さ
れている。斜線を施したパターン１３はマスクの
位置合せ用パターン、パターン１２はパターン７
とパターン１３との間隔を調整するためのダミー
パターンである。
用マスクの左側端部を示す図で、多数の発熱抵抗
体用のパターン７の外側に２個のパターン１２を
介してパターン１３が配置されている。このマス
クの右側端部には図示はされていないが、同様に
２個のパターン１２を介してパターン１３が配置
されている。これらのパターン７，１２，１３は
全て同一パターンからなり、かつ等間隔に配列さ
れている。斜線を施したパターン１３はマスクの
位置合せ用パターン、パターン１２はパターン７
とパターン１３との間隔を調整するためのダミー
パターンである。
第７図は第６図の発熱抵抗体パターン用マスク
に対応する電極パターン用マスクの左側端部を示
す図である。９は共通電極用のパターン、１０は
電極用のパターン、斜線を施したパターン１４は
本図の電極パターン用マスクと第６図の発熱抵抗
体パターン用マスクとを重ねたとき、パターン１
３に正確に重なり合うような大きさと位置に設計
されている。第７図においては、位置合せ用パタ
ーン１４と共通電極用パターン９とがつながらな
いように、共通電極用パターン９に切欠き１５が
設けられている。尚、第７図も第６図と同様に、
図示はされていないが右側端部にも位置合せ用パ
ターン１４と切欠き１５とが設けられている。
に対応する電極パターン用マスクの左側端部を示
す図である。９は共通電極用のパターン、１０は
電極用のパターン、斜線を施したパターン１４は
本図の電極パターン用マスクと第６図の発熱抵抗
体パターン用マスクとを重ねたとき、パターン１
３に正確に重なり合うような大きさと位置に設計
されている。第７図においては、位置合せ用パタ
ーン１４と共通電極用パターン９とがつながらな
いように、共通電極用パターン９に切欠き１５が
設けられている。尚、第７図も第６図と同様に、
図示はされていないが右側端部にも位置合せ用パ
ターン１４と切欠き１５とが設けられている。
これらのマスクを用いてサーマルヘツドのパタ
ーンを形成するプロセスは、従来例として第５図
で記述したところと全く同様である。すなわち、
第８図に示すように、第７図の電極パターン用マ
スクを用いてホトリソグラフイー技術により形成
された、導電体層からなるパターン２，３及び１
４′の上に、ポジ型ホトレジストを塗布した後、
第６図の発熱抵抗体パターン用マスクを重ねる。
この際、導電体層からなる長方形の位置合せパタ
ーン１４′に、位置合せパターン１３の矩形部分
が正確に重なり合うように位置合せを行なう。そ
の後、電極パターンを形成したのと同じホトリソ
グラフイー技術により発熱抵抗体パターンを形成
すれば、第１図に示したサーマルヘツドが得られ
る。
ーンを形成するプロセスは、従来例として第５図
で記述したところと全く同様である。すなわち、
第８図に示すように、第７図の電極パターン用マ
スクを用いてホトリソグラフイー技術により形成
された、導電体層からなるパターン２，３及び１
４′の上に、ポジ型ホトレジストを塗布した後、
第６図の発熱抵抗体パターン用マスクを重ねる。
この際、導電体層からなる長方形の位置合せパタ
ーン１４′に、位置合せパターン１３の矩形部分
が正確に重なり合うように位置合せを行なう。そ
の後、電極パターンを形成したのと同じホトリソ
グラフイー技術により発熱抵抗体パターンを形成
すれば、第１図に示したサーマルヘツドが得られ
る。
本実施例において、発熱抵抗体パターンとして
ミアンダ形状のものを例示したが、他の形状の発
熱抵抗体パターンであつても、それが繰返して設
けられる構造である以上、本実施例と全く同様に
扱いうることは明らかである。また、本実施例の
発熱抵抗体パターン用マスクで、両端にそれぞれ
２個のダミーパターンを設けたが、その数は適宜
定めることができ、あるいは設けなくてもよい。
ミアンダ形状のものを例示したが、他の形状の発
熱抵抗体パターンであつても、それが繰返して設
けられる構造である以上、本実施例と全く同様に
扱いうることは明らかである。また、本実施例の
発熱抵抗体パターン用マスクで、両端にそれぞれ
２個のダミーパターンを設けたが、その数は適宜
定めることができ、あるいは設けなくてもよい。
更に、本実施例はポジ型ホトレジストを使用す
るマスクについて示したが、ネガ型ホトレジスト
を使用するマスクについても、パターンが反転す
る点を除いて全く同様に適用することができる。
るマスクについて示したが、ネガ型ホトレジスト
を使用するマスクについても、パターンが反転す
る点を除いて全く同様に適用することができる。
以上詳述した如く、本考案は発熱抵抗体パター
ン用マスクにおいて、マスクの位置合せ用パター
ンとして繰返し形成される発熱抵抗体用のパター
ンと同一パターンを利用すると共に、電極パター
ン用マスクにおいて、位置合せ用パターンと共通
電極用パターンとがつながらないように共通電極
用パターンの一部を切欠いたので、発熱抵抗体パ
ターン用マスクの位置合せ用パターンもホトリピ
ータにより発熱抵抗体パターンと同時に形成でき
るようにして作画精度を高め、かつ作画時間を短
縮すると共に、位置合せ精度を高めたサーマルヘ
ツドのマスクパターンを提供することを可能にし
た。
ン用マスクにおいて、マスクの位置合せ用パター
ンとして繰返し形成される発熱抵抗体用のパター
ンと同一パターンを利用すると共に、電極パター
ン用マスクにおいて、位置合せ用パターンと共通
電極用パターンとがつながらないように共通電極
用パターンの一部を切欠いたので、発熱抵抗体パ
ターン用マスクの位置合せ用パターンもホトリピ
ータにより発熱抵抗体パターンと同時に形成でき
るようにして作画精度を高め、かつ作画時間を短
縮すると共に、位置合せ精度を高めたサーマルヘ
ツドのマスクパターンを提供することを可能にし
た。
第１図はサーマルヘツドの一例の発熱抵抗体部
を示す部分平面図、第２図は第１図のＡ，A′線
断面図、第３図は従来の位置合せ用パターンを有
する発熱抵抗体パターン用マスクを示す平面図、
第４図は同じく従来の位置合せ用パターンを有す
る電極パターン用マスクを示す平面図、第５図は
第３図に示した発熱抵抗体パターン用マスクの位
置合せ状態を示す平面図、第６図は本考案の一実
施例の位置合せ用パターンを有する発熱抵抗体パ
ターン用マスクを示す平面図、第７図は第６図に
示された位置合せ用パターンに対応する位置合せ
用パターンを有する電極パターン用マスクを示す
平面図、第８図は第６図に示した発熱抵抗体パタ
ーン用マスクの位置合せ状態を示す平面図であ
る。 １……発熱抵抗体、２……共通電極、３……電
極、４……セラミツク基板、５……二酸化珪素
層、６……五酸化タンタル層、７……発熱抵抗体
用パターン、８，１１，１３，１４……位置合せ
用パターン、９……共通電極用パターン、１０…
…電極用パターン、１５……切欠き。
を示す部分平面図、第２図は第１図のＡ，A′線
断面図、第３図は従来の位置合せ用パターンを有
する発熱抵抗体パターン用マスクを示す平面図、
第４図は同じく従来の位置合せ用パターンを有す
る電極パターン用マスクを示す平面図、第５図は
第３図に示した発熱抵抗体パターン用マスクの位
置合せ状態を示す平面図、第６図は本考案の一実
施例の位置合せ用パターンを有する発熱抵抗体パ
ターン用マスクを示す平面図、第７図は第６図に
示された位置合せ用パターンに対応する位置合せ
用パターンを有する電極パターン用マスクを示す
平面図、第８図は第６図に示した発熱抵抗体パタ
ーン用マスクの位置合せ状態を示す平面図であ
る。 １……発熱抵抗体、２……共通電極、３……電
極、４……セラミツク基板、５……二酸化珪素
層、６……五酸化タンタル層、７……発熱抵抗体
用パターン、８，１１，１３，１４……位置合せ
用パターン、９……共通電極用パターン、１０…
…電極用パターン、１５……切欠き。
Claims (1)
- ホトリソグラフイーによりサーマルヘツドのパ
ターンを形成するための発熱抵抗体パターン用マ
スク及び電極パターン用マスクにおいて、上記発
熱抵抗体パターン用マスクが発熱抵抗体用パター
ンとして多数の同一形状パターンを繰返して有す
ると共に、位置合せ用パターンとして上記発熱抵
抗体用パターンに並べて別設され、かつ発熱抵抗
体用パターンと同一形状を有するパターンを用
い、また上記電極パターン用マスクが共通電極用
パターン、電極用パターン及び位置合せ用パター
ンを有すると共に、該位置合せ用パターンと共通
電極用パターンとがつながつて一体化しないよう
に共通電極用パターンが切欠かれていることを特
徴とするサーマルヘツド用マスクパターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16143281U JPS5864453U (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | サ−マルヘツド用マスクパタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16143281U JPS5864453U (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | サ−マルヘツド用マスクパタ−ン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864453U JPS5864453U (ja) | 1983-04-30 |
| JPS6212618Y2 true JPS6212618Y2 (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=29953802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16143281U Granted JPS5864453U (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | サ−マルヘツド用マスクパタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864453U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0737173B2 (ja) * | 1985-06-19 | 1995-04-26 | 大日本印刷株式会社 | 部分金属薄膜層を有する転写シ−トの製造方法 |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP16143281U patent/JPS5864453U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5864453U (ja) | 1983-04-30 |
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