JPS6212605A - 炭化珪素粉末の製造方法 - Google Patents
炭化珪素粉末の製造方法Info
- Publication number
- JPS6212605A JPS6212605A JP60148400A JP14840085A JPS6212605A JP S6212605 A JPS6212605 A JP S6212605A JP 60148400 A JP60148400 A JP 60148400A JP 14840085 A JP14840085 A JP 14840085A JP S6212605 A JPS6212605 A JP S6212605A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amount
- silicon carbide
- carbide powder
- reaction
- free carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は炭化珪素焼結体等の原料となる炭化珪素粉末の
製造法に関するものである。詳しくは気相高温下にて炭
化珪素粉末を合成する際に反応副生成物であるアセチレ
ン量を制御して、得られる炭化珪素粉末の遊離炭素量を
制御することを特徴とする炭化珪素粉末の製造方法であ
る。
製造法に関するものである。詳しくは気相高温下にて炭
化珪素粉末を合成する際に反応副生成物であるアセチレ
ン量を制御して、得られる炭化珪素粉末の遊離炭素量を
制御することを特徴とする炭化珪素粉末の製造方法であ
る。
従来の技術
炭化珪素は優れた高温構造材料でありガスタービン等の
材料として注目されているが、３．２１ｇ ７０層３と
いう理論密度に近い密度までには容易に焼結されない、
そのため炭化珪素を高密度に焼結するための方法がいく
つか提案されており、例えば炭化珪素粉末に焼結助剤と
して少量の硼素含有化合物と元素状炭素を均質に分散さ
せ、これを予成形した後加熱し、高密度の炭化珪素焼結
体を得る方法がある（特公昭５７−３２０３５号公報）
。
材料として注目されているが、３．２１ｇ ７０層３と
いう理論密度に近い密度までには容易に焼結されない、
そのため炭化珪素を高密度に焼結するための方法がいく
つか提案されており、例えば炭化珪素粉末に焼結助剤と
して少量の硼素含有化合物と元素状炭素を均質に分散さ
せ、これを予成形した後加熱し、高密度の炭化珪素焼結
体を得る方法がある（特公昭５７−３２０３５号公報）
。
又、高純度の優れた炭化珪素粉末を得る方法の１つに気
相高温下で珪素化合物と炭素化合物を反応させ炭化珪素
粉末を合成する方法がある。この場合、炭化珪素を生成
するに必要な化学量論比の炭素化合物よりも、わずかに
多めの炭素化合物を反応させることにより、遊離炭素を
生成させることができる。この遊離炭素は前述した焼結
助剤として作用し、一般に外部から元素状炭素を添加し
た場合よりも良好な結果を与える。つまり焼結助剤とし
て硼素含有化合物と元素状炭素を選んだ場合、元素状炭
素としては炭化珪素粉末に外部から添加したものよりも
炭化珪素粉末合成時に同時に生成したものの方が好まし
い。
相高温下で珪素化合物と炭素化合物を反応させ炭化珪素
粉末を合成する方法がある。この場合、炭化珪素を生成
するに必要な化学量論比の炭素化合物よりも、わずかに
多めの炭素化合物を反応させることにより、遊離炭素を
生成させることができる。この遊離炭素は前述した焼結
助剤として作用し、一般に外部から元素状炭素を添加し
た場合よりも良好な結果を与える。つまり焼結助剤とし
て硼素含有化合物と元素状炭素を選んだ場合、元素状炭
素としては炭化珪素粉末に外部から添加したものよりも
炭化珪素粉末合成時に同時に生成したものの方が好まし
い。
ところで焼結助剤の量はセラミックス焼結体の特性に非
常に大きな影響を与える。もし焼結助剤の量が適切量で
なければ、焼結体特性は極めて悪いものとなってしまう
、そこで気相合成の炭化珪素粉末において、同時に生成
したＴＬ離炭素を焼結助剤として利用する場合、遊離炭
素の生成量の制御が極めて重要となる。
常に大きな影響を与える。もし焼結助剤の量が適切量で
なければ、焼結体特性は極めて悪いものとなってしまう
、そこで気相合成の炭化珪素粉末において、同時に生成
したＴＬ離炭素を焼結助剤として利用する場合、遊離炭
素の生成量の制御が極めて重要となる。
しかし気相で炭化珪素粉末を合成している最中に、その
時の遊離炭素生成量を定量的に測定することは不可能で
あり、ある程度の炭化珪素粉末を合成してからしかる後
に、遊離炭素量が焼結助剤として適切量かどうかを分析
することとなる。このため目的とする量だけの遊離炭素
を生成させるためには、予めいろいろな反応条件で炭化
珪素粉末を合成し、どのような反応条件の時にどれだけ
のＴＬ離炭素が生成するかを調べておく必要がある。こ
のためにはかなりの数の実験が必要である。尚ここで反
応条件とは、温度、圧力、原料気体供給量、反応容器形
状等を指す。
時の遊離炭素生成量を定量的に測定することは不可能で
あり、ある程度の炭化珪素粉末を合成してからしかる後
に、遊離炭素量が焼結助剤として適切量かどうかを分析
することとなる。このため目的とする量だけの遊離炭素
を生成させるためには、予めいろいろな反応条件で炭化
珪素粉末を合成し、どのような反応条件の時にどれだけ
のＴＬ離炭素が生成するかを調べておく必要がある。こ
のためにはかなりの数の実験が必要である。尚ここで反
応条件とは、温度、圧力、原料気体供給量、反応容器形
状等を指す。
さらに同一の反応条件であっても時間が経つに従って、
反応容器内部に炭化珪素粉末等が付着し、その結果原料
気体の反応容器内の滞在時間等が異なり、′Ｍ遊離炭素
生成量が次第に変化してくることがある。このため目的
とする量だけの遊離炭素を生成させることが困難となる
。もしも炭化珪素粉末合成時にその時の遊離炭素生成量
が分かり、かつその量を制御できるならば、１回の操業
で目的とする量の遊離炭素を含む均一な炭化珪素粉末を
、長時間にわたり合成でき、極めて利点が大きい。
反応容器内部に炭化珪素粉末等が付着し、その結果原料
気体の反応容器内の滞在時間等が異なり、′Ｍ遊離炭素
生成量が次第に変化してくることがある。このため目的
とする量だけの遊離炭素を生成させることが困難となる
。もしも炭化珪素粉末合成時にその時の遊離炭素生成量
が分かり、かつその量を制御できるならば、１回の操業
で目的とする量の遊離炭素を含む均一な炭化珪素粉末を
、長時間にわたり合成でき、極めて利点が大きい。
発明が解決しようとする問題点
本発明は気相高温下で炭化珪素粉末を合成している最中
にその時の遊離炭素生成量を即座に求め、かつ遊離炭素
生成量を任意の量に制御し、長時間にわたり希望する量
の遊離炭素を含む均一な炭化珪素粉末を合成することを
目的としている。
にその時の遊離炭素生成量を即座に求め、かつ遊離炭素
生成量を任意の量に制御し、長時間にわたり希望する量
の遊離炭素を含む均一な炭化珪素粉末を合成することを
目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は気相高温下で珪素化合物と炭化水素より炭化珪
素粉末を合成する反応において、副生成物であるアセチ
レン（Ｃ２Ｈ２）生成量と遊離炭素生成量の間に相関関
係があるごとを見出し本発明を完成したものである。
素粉末を合成する反応において、副生成物であるアセチ
レン（Ｃ２Ｈ２）生成量と遊離炭素生成量の間に相関関
係があるごとを見出し本発明を完成したものである。
すなわち本発明は気相高温下にて珪素化合物と炭化水素
より炭化珪素粉末を合成する反応において、反応ガス中
における副生成物であるアセチレン量を検出し、アセチ
レン生成量が特定の値になるように反応を制御すること
により、遊＃ｌｋ炭素生成量を制御することを特徴とす
る炭化珪素粉末の製造方法である。
より炭化珪素粉末を合成する反応において、反応ガス中
における副生成物であるアセチレン量を検出し、アセチ
レン生成量が特定の値になるように反応を制御すること
により、遊＃ｌｋ炭素生成量を制御することを特徴とす
る炭化珪素粉末の製造方法である。
作用
気相高温下に珪素化合物と炭化珪素を生成するに必要な
化学量論比よりも少し過剰の炭化水素を導入した場合、
珪素化合物と、炭化珪素を生成するに必要な化学量論比
の炭化水素が反応し炭化珪素粉末が生成する。そして過
剰の炭化水素は、一部が遊離炭素を生成し、残りは気体
として反応系を離脱する。
化学量論比よりも少し過剰の炭化水素を導入した場合、
珪素化合物と、炭化珪素を生成するに必要な化学量論比
の炭化水素が反応し炭化珪素粉末が生成する。そして過
剰の炭化水素は、一部が遊離炭素を生成し、残りは気体
として反応系を離脱する。
この気体の成分としては原料の炭化水素そのもの、又は
高温のために化学変化した炭化水素例えばアセチレン等
がある。
高温のために化学変化した炭化水素例えばアセチレン等
がある。
本発明ではこのアセチレン生成量と″Ｍｆａ炭素生成量
の間に極めて緊密な相関関係があることを見出した。
の間に極めて緊密な相関関係があることを見出した。
つまりアセチレン生成量が多ければそれに対応して遊離
炭素生成量も多く、両者の間には極めて再現性の良い関
係が認められる。
炭素生成量も多く、両者の間には極めて再現性の良い関
係が認められる。
そこで質量分析器やガスクロマトグラフのように極めて
短時間で気体の分析が可能な装置を用いれば、その時の
アセチレン生成量が分かり、ひいては′Ｍ遊離炭素生成
量分かるのである。
短時間で気体の分析が可能な装置を用いれば、その時の
アセチレン生成量が分かり、ひいては′Ｍ遊離炭素生成
量分かるのである。
さてこのような方法で、反応途中でのその時の遊離炭素
生成量が分かれば生成量を常に適切値に保つことが可能
となる。つまり１度反応中のアセチレン生成量と遊離炭
素生成量の関係を調べておくと、ある特定量のＴＬ離炭
素を生成させたい時にはそれに対応するアセチレン生成
量となるように反応を制御すれば良いわけである。この
ためには通常原料の炭化水素導入量を変化させるが、温
度や圧力を変化させてもある程度の制御は可能である。
生成量が分かれば生成量を常に適切値に保つことが可能
となる。つまり１度反応中のアセチレン生成量と遊離炭
素生成量の関係を調べておくと、ある特定量のＴＬ離炭
素を生成させたい時にはそれに対応するアセチレン生成
量となるように反応を制御すれば良いわけである。この
ためには通常原料の炭化水素導入量を変化させるが、温
度や圧力を変化させてもある程度の制御は可能である。
このように遊離炭素生成量とアセチレン生成量の間に緊
密な相関関係がある理由であるが、炭化水素から高温で
アセチレンが生成する反応と遊離炭素が生成する反応が
極めて類似点を持つか、又はアセチレンが遊離炭素生成
の反応中間体であるためと考えられる。しかしながら現
状では遊離炭素生成機構は明確には解明されていない、
尚１本発明においては原料ガスは限定されるわけではな
いが、アセチレン生成量の変化に対し遊離炭素生成量が
鋭敏に追随するためには、原料炭化水素としては、炭素
原子数が４以下の脂肪族炭化水素が望ましい。
密な相関関係がある理由であるが、炭化水素から高温で
アセチレンが生成する反応と遊離炭素が生成する反応が
極めて類似点を持つか、又はアセチレンが遊離炭素生成
の反応中間体であるためと考えられる。しかしながら現
状では遊離炭素生成機構は明確には解明されていない、
尚１本発明においては原料ガスは限定されるわけではな
いが、アセチレン生成量の変化に対し遊離炭素生成量が
鋭敏に追随するためには、原料炭化水素としては、炭素
原子数が４以下の脂肪族炭化水素が望ましい。
本発明の内容については、気相高温下で炭化珪素粉末を
合成する反応において、若干の添加物がある場合にも適
用可能である０例えば特願昭８０−７０１０１の発明で
は、気相高温下でシラン（Ｓｉ＆）に若干のジポラン（
Ｂ２ Ｈ６）を混ぜ、これとメタン（ＣＨ４）を反応さ
せ炭化珪素粒子の中に焼結助剤としての硼素を均一に分
散させた例が記載されている。
合成する反応において、若干の添加物がある場合にも適
用可能である０例えば特願昭８０−７０１０１の発明で
は、気相高温下でシラン（Ｓｉ＆）に若干のジポラン（
Ｂ２ Ｈ６）を混ぜ、これとメタン（ＣＨ４）を反応さ
せ炭化珪素粒子の中に焼結助剤としての硼素を均一に分
散させた例が記載されている。
このような場合原料の炭化水素たるメタンの反応機構は
、ジポランが存在しない場合とほとんど又は全く変わら
ず、本発明の内容がそのまま適用可能である。すなわち
、まず遊離炭素生成量とアセチレン生成量の関係を予め
調べておく、これはいろいろな反応条件下での遊離炭素
生成量を調べるよりもずっと少ない実験回数で済む、そ
して希望する遊離炭素生成量に対応するアセチレン量に
、反応中のアセチレン生成量が一致するように反応を制
御すれば良いのである。つまりアセチレン生成量が少な
ければメタン導入量を増やし、アセチレン生成量が多け
ればメタン導入量を減らし、アセチレン生成量を適切値
とする。この操作により、希望する量の遊離炭素を含み
、かつ硼素が均一に分散した炭化珪素粉末が長時間にわ
たり合成可能となる。
、ジポランが存在しない場合とほとんど又は全く変わら
ず、本発明の内容がそのまま適用可能である。すなわち
、まず遊離炭素生成量とアセチレン生成量の関係を予め
調べておく、これはいろいろな反応条件下での遊離炭素
生成量を調べるよりもずっと少ない実験回数で済む、そ
して希望する遊離炭素生成量に対応するアセチレン量に
、反応中のアセチレン生成量が一致するように反応を制
御すれば良いのである。つまりアセチレン生成量が少な
ければメタン導入量を増やし、アセチレン生成量が多け
ればメタン導入量を減らし、アセチレン生成量を適切値
とする。この操作により、希望する量の遊離炭素を含み
、かつ硼素が均一に分散した炭化珪素粉末が長時間にわ
たり合成可能となる。
最後に本発明に従えば遊離炭素を全く含まない炭化珪素
粉末の合成も可能となる。この場合、対応するアセチレ
ン生成量はかなり小さい値となる。
粉末の合成も可能となる。この場合、対応するアセチレ
ン生成量はかなり小さい値となる。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１
第１図の装置を使って、プラズマ用ガス導入管３からア
ルゴンガスを２０ｆＬ１層ｉｎ導入し、陰極ｌと陽極２
の間で３０Ｖ、７００Ａの条件で放電させ、プラズマを
発生させた０次に珪素化合物導入管５よりシランを１見
／層ｉｎ導入し、炭化水素導入管６よりメタンを１〜１
．３１７層ｉｎ導入して、反応域４において炭化珪素粉
末を合成した。なお、この反応域４の直径は４０ｍｍで
温度は約２０００”０である。
ルゴンガスを２０ｆＬ１層ｉｎ導入し、陰極ｌと陽極２
の間で３０Ｖ、７００Ａの条件で放電させ、プラズマを
発生させた０次に珪素化合物導入管５よりシランを１見
／層ｉｎ導入し、炭化水素導入管６よりメタンを１〜１
．３１７層ｉｎ導入して、反応域４において炭化珪素粉
末を合成した。なお、この反応域４の直径は４０ｍｍで
温度は約２０００”０である。
合成した炭化珪素粉末は粉末取出ロアより回収した。又
、粉末取出ロアより出てくる排ガスを四重極質量分析器
により分析した。
、粉末取出ロアより出てくる排ガスを四重極質量分析器
により分析した。
アセチレン生成量は、純粋のメタン１１７層ｉｎを１０
０とし、四重極質量分析器のピーク強度で比較した。こ
の際再現性を持たせるために、導入アルゴンにより規格
化した。
０とし、四重極質量分析器のピーク強度で比較した。こ
の際再現性を持たせるために、導入アルゴンにより規格
化した。
炭化珪素粉末合成条件としては、アセチレン生成量を前
記ピーク強度で０．２５から６まで０．２５間隔で合計
２４の条件で行った０合成時間は各々の条件毎に約３時
間であるが、反応中のアセチレン生成量を一定に保つよ
うにメタン導入量を調節すると、得られた炭化珪素粉末
の遊離炭素生成量は常に一定であった。
記ピーク強度で０．２５から６まで０．２５間隔で合計
２４の条件で行った０合成時間は各々の条件毎に約３時
間であるが、反応中のアセチレン生成量を一定に保つよ
うにメタン導入量を調節すると、得られた炭化珪素粉末
の遊離炭素生成量は常に一定であった。
生成した粉末はＸ線回折ではβ−炭化珪素であった。又
、燃焼赤外吸収法及び水素気流中加熱抽出法により遊離
炭素の含有量を分析した。さらに化学分析等によると炭
化珪素と遊離炭素以外には何も検出されなかった。この
際反応の初期、中期、後期の３つに分けて分析したが、
３つとも遊離炭素の含有量は同一であった。
、燃焼赤外吸収法及び水素気流中加熱抽出法により遊離
炭素の含有量を分析した。さらに化学分析等によると炭
化珪素と遊離炭素以外には何も検出されなかった。この
際反応の初期、中期、後期の３つに分けて分析したが、
３つとも遊離炭素の含有量は同一であった。
アセチレン生成量と遊離炭素生成量の関係を第２図に示
すが、両者の間にはほぼ一定の関係があることがわかる
。
すが、両者の間にはほぼ一定の関係があることがわかる
。
実施例２
第３図の装置を使って、プラズマ用ガス導入管３からア
ルゴンを２ＱＪｌ／＋ｗｉｎ導入し、陰極ｌと陽極２の
間で３０Ｖ、７００Ａの条件で放電させ、プラズマを発
生させた。
ルゴンを２ＱＪｌ／＋ｗｉｎ導入し、陰極ｌと陽極２の
間で３０Ｖ、７００Ａの条件で放電させ、プラズマを発
生させた。
次に珪素化合物導入管５よりシランを１１／ｌｌ１ｎ
、ジポランをアルゴンをキャリアーガスとして０．０１
５見／ｗｉｎ導入し、第１反応域８に硼素を均一に含む
融体珪素粒子を生成させた。尚、この第１反応域の直径
は７０＋ｕ＋で、温度は約２０００”０であった。
、ジポランをアルゴンをキャリアーガスとして０．０１
５見／ｗｉｎ導入し、第１反応域８に硼素を均一に含む
融体珪素粒子を生成させた。尚、この第１反応域の直径
は７０＋ｕ＋で、温度は約２０００”０であった。
この融体珪素粒子を第２反応域９に送り、炭化水素導入
管６よりメタンを１−１．３９．７ｓｉｎ導入し、約１
７００〜１８００℃の第２反応域９にて前記融体珪素粒
子を炭化し、硼素を均一に含む炭化珪素粉末を合成した
。
管６よりメタンを１−１．３９．７ｓｉｎ導入し、約１
７００〜１８００℃の第２反応域９にて前記融体珪素粒
子を炭化し、硼素を均一に含む炭化珪素粉末を合成した
。
得られた粉末は粉末取出ロアより回収した。
又、粉末取出ロアより出てくる排ガスを四重様質量分析
器により分析した。
器により分析した。
合成条件、遊離炭素含有量の分析方法等は実施例１と同
様である。又、アセチレン生成量と遊離炭素量の関係は
実施例１と同様で第２図と同じであった。
様である。又、アセチレン生成量と遊離炭素量の関係は
実施例１と同様で第２図と同じであった。
得られた粉末は、Ｘ線回折ではβ−炭化珪素が観測され
た。化学分析等によると炭化珪素、遊離炭素の他に約０
．８重量％の硼素が検出された。更にＸ線光電子分光法
によると硼素の形態は単体硼素であった。
た。化学分析等によると炭化珪素、遊離炭素の他に約０
．８重量％の硼素が検出された。更にＸ線光電子分光法
によると硼素の形態は単体硼素であった。
発明の効果
本発明により、気相高温下で珪素化合物と炭化水素から
炭化珪素粉末を合成する際に、アセチレン生成量を検出
することにより、合成反応中にその時の遊離炭素生成量
を直ちに知ることができる。さらに、原料の炭化水素導
入量を調節し、アセチレン生成量を適切な値に制御する
ことにより、長時間にわたり希望する遊離炭素生成量を
保持できる。又、アセチレン生成量とｉ１Ｍ炭素生成量
の関係は、反応条件が少々異なっても不変であり、さら
に原料ガスに若干の添加物がある場合も不変である。
炭化珪素粉末を合成する際に、アセチレン生成量を検出
することにより、合成反応中にその時の遊離炭素生成量
を直ちに知ることができる。さらに、原料の炭化水素導
入量を調節し、アセチレン生成量を適切な値に制御する
ことにより、長時間にわたり希望する遊離炭素生成量を
保持できる。又、アセチレン生成量とｉ１Ｍ炭素生成量
の関係は、反応条件が少々異なっても不変であり、さら
に原料ガスに若干の添加物がある場合も不変である。
このため本発明は炭化珪素焼結体の原料となる炭化珪素
粉末の遊離炭素量を任意に制御することができるように
なり、炭化珪素焼結体の特性向上１品質の安定性改善な
どの効果がある。
粉末の遊離炭素量を任意に制御することができるように
なり、炭化珪素焼結体の特性向上１品質の安定性改善な
どの効果がある。
第１図は炭化珪素粉末を合成するための装置の断面図の
１例である。 第２図はアセチレン生成量と遊離炭素生成量の関係を示
すグラフである。 第３図は硼素含有炭化珪素粉末を合成するための装置の
断面図の１例である。 １・・・陰極、２・・・陽極、３・φ・プラズマ用ガス
導入管、４惨Φ・反応域、５・・拳珪素化合物導入管、
６・・・炭化水素導入管、７・・・粉末取出口、８・・
・第１反応域、９・・・第２反応域。
１例である。 第２図はアセチレン生成量と遊離炭素生成量の関係を示
すグラフである。 第３図は硼素含有炭化珪素粉末を合成するための装置の
断面図の１例である。 １・・・陰極、２・・・陽極、３・φ・プラズマ用ガス
導入管、４惨Φ・反応域、５・・拳珪素化合物導入管、
６・・・炭化水素導入管、７・・・粉末取出口、８・・
・第１反応域、９・・・第２反応域。
Claims (1)
- 気相高温下にて珪素化合物と炭化水素より炭化珪素粉末
を合成する反応において、反応ガス中における副生成物
であるアセチレン量を検出し、アセチレン生成量が特定
の値になるように反応を制御することにより、遊離炭素
生成量を制御することを特徴とする炭化珪素粉末の製造
方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148400A JPS6212605A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素粉末の製造方法 |
| EP91101778A EP0434667B1 (en) | 1985-04-04 | 1986-04-04 | Processes for producing silicon carbide particles and sinter |
| DE3650539T DE3650539T2 (de) | 1985-04-04 | 1986-04-04 | Verfahren zum Erzeugen von Siliciumkarbid-Teilchen und von einem Siliciumkarbid-Sinterkörper |
| EP86302511A EP0199482B1 (en) | 1985-04-04 | 1986-04-04 | Processes for producing silicon carbide particles and sinter |
| DE8686302511T DE3687472T2 (de) | 1985-04-04 | 1986-04-04 | Verfahren zum erzeugen von siliciumkarbidteilchen und eines siliciumkarbidsinterkoerpers. |
| US07/006,688 US4832929A (en) | 1985-04-04 | 1987-01-23 | Process for producing a silicon carbide powder |
| US07/007,271 US4847060A (en) | 1985-04-04 | 1987-01-27 | Process for producing a boron-containing silicon carbide powder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148400A JPS6212605A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212605A true JPS6212605A (ja) | 1987-01-21 |
| JPS6351967B2 JPS6351967B2 (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=15451935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60148400A Granted JPS6212605A (ja) | 1985-04-04 | 1985-07-08 | 炭化珪素粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212605A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016508940A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-24 | コミッサリア ア レネルジ アトミック エ オー エネルジス アルテルナティヴスＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ Ａ Ｌ‘Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | 加圧シリンダ中に含まれる、少なくともアセチレンから所定の直径のナノ粉末の製造を制御するための方法 |
| CN112978731A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-06-18 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60148400A patent/JPS6212605A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016508940A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-24 | コミッサリア ア レネルジ アトミック エ オー エネルジス アルテルナティヴスＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ Ａ Ｌ‘Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | 加圧シリンダ中に含まれる、少なくともアセチレンから所定の直径のナノ粉末の製造を制御するための方法 |
| CN112978731A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-06-18 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6351967B2 (ja) | 1988-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tsang et al. | Examination of the effects of nitrogen on the CVD diamond growth mechanism using in situ molecular beam mass spectrometry | |
| JPH01230409A (ja) | セラミック粉末の連続的製造法とその製造装置 | |
| JPS58110494A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS6112844B2 (ja) | ||
| Saito et al. | Diamond synthesis from CO-H 2 mixed gas plasma | |
| Lee et al. | Ignition phenomena and reaction mechanisms of the self-propagating high-temperature synthesis reaction in the Ti+ C system | |
| US4869886A (en) | Processes for producing a high density silicon carbide sinter | |
| US4832929A (en) | Process for producing a silicon carbide powder | |
| JPS6212605A (ja) | 炭化珪素粉末の製造方法 | |
| Guo et al. | Effects of process parameters on ultrafine SiC synthesis using induction plasmas | |
| US5178847A (en) | Process for producing ceramic raw materials | |
| Bogdanov | Titanium carbide synthesis in the presence of iodine | |
| JPS616109A (ja) | ｓｉｃの製造法 | |
| Li et al. | Study on the mechanism of aluminum nitride synthesis by chemical vapor deposition | |
| Anshakov et al. | Synthesis of silicon carbide nanopowders in a two-jet plasma-chemical reactor | |
| JPS6042164B2 (ja) | 粉末の製造方法 | |
| Keil et al. | Flame synthesis of high purity, nanosized crystalline silicon carbide powder | |
| Stringfellow et al. | Reactions in OMVPE Growth of InP | |
| JPH0346438B2 (ja) | ||
| JPS5916968A (ja) | 金属の炭化物若しくは炭窒化物の合成法 | |
| Tanaka et al. | Effect of Water Addition on Diamond Growth in Methane-Hydrogen Plasma | |
| JPH03193617A (ja) | 炭化けい素粉末の製造方法 | |
| JP2000143232A (ja) | ホウ炭化スカンジウム及びその製造方法 | |
| JPS6351966B2 (ja) | ||
| Caudill et al. | Conversion of enriched isotopes of sulfur from SF6 to a suitable compound for feed to the electromagnetic calutron separators |