JPS62122216A - Ｘ線マスク - Google Patents

Ｘ線マスク

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Publication number
JPS62122216A
JPS62122216A JP60261111A JP26111185A JPS62122216A JP S62122216 A JPS62122216 A JP S62122216A JP 60261111 A JP60261111 A JP 60261111A JP 26111185 A JP26111185 A JP 26111185A JP S62122216 A JPS62122216 A JP S62122216A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
membrane
ray
supporting frame
distortion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60261111A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Kimura
剛 木村
Shinji Kuniyoshi
伸治 国吉
Akihiko Kishimoto
岸本　晃彦
Taro Ogawa
太郎 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60261111A priority Critical patent/JPS62122216A/ja
Publication of JPS62122216A publication Critical patent/JPS62122216A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はＸ線照射によりパターン転写を行うＸ線リング
ラフィに係り、これに用いるＸＭ下マスク歪を低減し、
高精度でマスクアライメントを行い得るｘｉマスクに関
する。
〔発明の背景〕
Ｘ線リソグラフィはディープサブミクロン領域の超微細
パターンが転写できる骸術である。しかし、その最大の
欠点はＸ線マスクのマスクパターンを数μｍ程度の薄い
膜で保持するため外力により歪を生じやすく、その結果
ＬＳＩを作製する際のマスク間パターン合せ精度に問題
があることである（和田他、ジエー・ヴアキューム・サ
イエンス・エフノロジー、第１９巻、　１９８１年、第
１２０８頁（Ｔ　、Ｗａｄａ　ａｔ　ａ　Ｑ　、、　Ｊ
　、　Ｖａｃ、　Ｓ　ｃｉ、　Ｔｅｃｈｎｏｌ、。
Ｖｏｌ、　１９．１９８１．　ｐ　、１２０８）　　お
よびメイダン他、ジエー・ヴアキューム・サイエンス・
エフノロジー、第１６巻、　１９７９年、第１９５９頁
（Ｄ　、　Ｍａｙｄａｎａｔ　ａ　Ｑ　、ｅ　Ｊ　、Ｖ
ａｃ、　Ｓｃｉ、Ｔａｃｈｎｏｌ、、　Ｖｏｌ、　１６
　。
１９７り、　ｐ　、１９５９　）参照。
〔発明の目的〕
本発明の目的、外力によって生じたＸ線マスクの歪が、
外力に応じて補正されるようにしたＸ線マスクを提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
本発明の要旨は前記支持枠あるいはメンブレン上に外部
信号により機械力を発生する素子を配置することにより
、前記Ｘ線マスクの所定部分の歪を補正するごとく、外
力を加えることができるようにすることにある。
第１図に示すごとき従来のマスク製作工程でマスクの前
記パターン位置精度を劣化させる主たる原因は基＠１の
中央部をエツチング除去する際に。
メンブレン薄膜２の残留応力が緩和するために。
吸収パターン３の位置がずれることにある。このときの
パターン位置ずれは、マスクの円盤構造からして回転対
称的であるのが通常である。また、このマスクはマスク
製作後も周囲の温度変化によって熱歪を生じ、やはり回
転対称的あるいは場合によってはこれに支持枠１０の非
等方的熱歪が重畳されることもある。
このようなマスクの歪は支持枠周囲に複数個の外力ベク
トルを前記歪の方向に見合った量にして加えることによ
り近似的に補正することが可能である。
〔発明の実施例〕
以下１本発明の詳細を実施例により説明する。
実施例 第２図は本発明の一実施例を示すものである。
同図中、２１は支持枠、２２はメンブレン薄膜、２３は
マスクパターンである。このマスクを保持リング２４に
はめ込んだのち、該支持枠２１と保持リング２４間を電
歪素子２５を介して一体化した。なお、該電歪素子２５
と支持枠２１．保持リング２４との接着はエポシキ系樹
脂により行った。
第３図は前記電歪素子２５の電極２６．２６’にＸ線マ
スクの歪に応じた直流電圧を印加してＸ線マスクの歪を
補正した例で、理想パターン配置格子に対して３σ値で
０．１５μｍ以下の位置精度に補正できている。
なお、上記実施例の電歪素子に代えて磁界発生コイルを
付加した磁歪素子を用いても同様の効果が得られた。
〔発明の効果〕
本発明によれば、マスク製作工程で生ずる主たる歪が補
正できると共に、Ｘ線露光時の環境温度変化に伴なうマ
スク歪も電歪素子を使用することによって短時間に補正
できるため、位置精度よくＳｉウェハにパターン転写で
き、　ｘ４ｇリソグラフィを用いた半導体装置製造の歩
留を向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はＸ線マスクの製作工程＊＠図、第２図は本発明
に係るＸ線マスクの構造例を示す図、第３図は本発明実
施に基づくＸ線マスクの歪測定例を示す図である。 １・・・基板、２および２２・・・メンブレン薄膜、３
および２３・・・吸収パターン、１０および２１・・・
支持枠、２４・・・保持リング、２５・・・電歪素子、
２６および２６′・・・電極。 ７．ｔ　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線透過性材料から成るメンブレンと該メンブレン
    上に形成されたＸ線吸収性材料から成るパターンと前記
    メンブレンを機械的に支持する支持枠とから成るＸ線マ
    スクに於て、前記メンブレンまたは、前記支持枠上ある
    いは該支持枠外周部に接するごとくに外部信号により変
    形する素子を配置したことを特徴とするＸ線マスク。 ２、特許請求範囲第１項記載のＸ線マスクにおいて、上
    記素子が電歪素子であることを特徴とするＸ線マスク。 ３、特許請求範囲第１項記載のＸ線マスクにおいて上記
    素子が磁歪素子であることを特徴とするＸ線マスク。
JP60261111A 1985-11-22 1985-11-22 Ｘ線マスク Pending JPS62122216A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4887283A (en) * 1988-09-27 1989-12-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha X-ray mask and exposure method employing the same
EP0410106A2 (en) * 1989-07-24 1991-01-30 International Business Machines Corporation System for magnification correction of conductive x-ray lithography mask substrates
JPH0473766A (ja) * 1990-07-16 1992-03-09 Toshiba Corp プロキシミティ露光装置
JPH0567562A (ja) * 1991-03-28 1993-03-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 倍率可変型マスク
KR100294561B1 (ko) * 1997-02-28 2001-10-25 미다라이 후지오 마스크유지장치,노광장치,디바이스제조장치및마스크구조체

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