JPS6212157A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6212157A JPS6212157A JP60150522A JP15052285A JPS6212157A JP S6212157 A JPS6212157 A JP S6212157A JP 60150522 A JP60150522 A JP 60150522A JP 15052285 A JP15052285 A JP 15052285A JP S6212157 A JPS6212157 A JP S6212157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- lower electrode
- film
- chromium oxide
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電変換特性のばらつきに起因するクロストー
クを除去できるようにしたイメージセンサに関する。
クを除去できるようにしたイメージセンサに関する。
従来のイメージセンサとして、例えば、第３図に示す特
開昭５７−１１５６８号があり、複数の受光素子６が隣
接配置された受光素子群１−１〜１−４と、該受光素子
群の同一配列順にある受光素子の各々の一端を共通に接
続する共通配！！１２−１〜２−３と、１つの受光素子
群内の受光素子の他端を共通接続したラインに電源また
は接地を選択して接続するスイッチ３７１〜３−４と、
共通配線２−１〜２−３を出力端子へ選択して接続する
読取スイッチ４−１〜４−３と、共通配線２−１〜２−
３の各々と接地間に形成される配線容量５−１〜５−３
と、出力端子と接地間に接続される抵抗７と、スイッチ
３−１〜３−４の各々の一方の切換電極（他方の切換電
極の各々は接地に接続）に接続される電源８より構成さ
れる。
開昭５７−１１５６８号があり、複数の受光素子６が隣
接配置された受光素子群１−１〜１−４と、該受光素子
群の同一配列順にある受光素子の各々の一端を共通に接
続する共通配！！１２−１〜２−３と、１つの受光素子
群内の受光素子の他端を共通接続したラインに電源また
は接地を選択して接続するスイッチ３７１〜３−４と、
共通配線２−１〜２−３を出力端子へ選択して接続する
読取スイッチ４−１〜４−３と、共通配線２−１〜２−
３の各々と接地間に形成される配線容量５−１〜５−３
と、出力端子と接地間に接続される抵抗７と、スイッチ
３−１〜３−４の各々の一方の切換電極（他方の切換電
極の各々は接地に接続）に接続される電源８より構成さ
れる。
受光素子群１−１〜１−４は、非晶質または多結晶の光
導電半導体薄膜により形成した受光素子６−１〜６−１
２とこれら受光素子６−１〜Ｇ−１２と並列接続したコ
ンデンサＣとよりなり、各受光素−１−１１〜６−１２
のカソード側は電圧印が電極１−１〜１−４に、またア
ノード側は３本の共通配線２−１〜２−３に夫々接続さ
れた例えば４群より構成されている。
導電半導体薄膜により形成した受光素子６−１〜６−１
２とこれら受光素子６−１〜Ｇ−１２と並列接続したコ
ンデンサＣとよりなり、各受光素−１−１１〜６−１２
のカソード側は電圧印が電極１−１〜１−４に、またア
ノード側は３本の共通配線２−１〜２−３に夫々接続さ
れた例えば４群より構成されている。
以上の構成において、いま受光素子６−１〜６−３群に
より光情報を読取るべく電圧印加スイッチ３−１を電源
８に接続して正バイアスを印加するとともに、他の群は
アース側へ接続し、また各読取スイッチ４−１〜４−３
は開成しておくと、入力光により各受光素子６−１〜６
−３に生じた電荷は配線容量５−１〜５−３に夫々蓄積
される。
より光情報を読取るべく電圧印加スイッチ３−１を電源
８に接続して正バイアスを印加するとともに、他の群は
アース側へ接続し、また各読取スイッチ４−１〜４−３
は開成しておくと、入力光により各受光素子６−１〜６
−３に生じた電荷は配線容量５−１〜５−３に夫々蓄積
される。
次に、配線容量５−１〜５−３に十分な量の電荷が蓄積
されたら電圧印加スイッチ３−１をアース側に接続して
その後に余分な電荷が発生ずるのを防止すると共に、配
線容量５−１〜５−３に蓄積された電荷を保持する。そ
の後読取りスイッチ４−１〜４−３を順次開成すること
によって、配線容量５−１〜５−３に蓄積されていた電
荷を負荷抵抗７を通して放電させ、このとき負荷抵抗７
両端の電圧を検出することにより各受光素子６−１〜６
−４が検出した光情報を電気信号として読取ることがで
きるようになる。
されたら電圧印加スイッチ３−１をアース側に接続して
その後に余分な電荷が発生ずるのを防止すると共に、配
線容量５−１〜５−３に蓄積された電荷を保持する。そ
の後読取りスイッチ４−１〜４−３を順次開成すること
によって、配線容量５−１〜５−３に蓄積されていた電
荷を負荷抵抗７を通して放電させ、このとき負荷抵抗７
両端の電圧を検出することにより各受光素子６−１〜６
−４が検出した光情報を電気信号として読取ることがで
きるようになる。
以下、同様な動作を受光素子６−４〜６−１２群につい
ても順次行うことにより全受光素子６−１〜６−１２に
入光した情報を読取ることができる。
ても順次行うことにより全受光素子６−１〜６−１２に
入光した情報を読取ることができる。
ところで、受光素子６の断面構造は第４図の如くであり
、ガラス基板９と、該基板９の表面の所定部分に形成さ
れるクロム等による下部電極１０と、該電極１０の一部
及びガラス基板９の部に股がって形成されるアモルファ
ス・シリコン等による光ｉ電膜１１と、該光導電膜１１
の一部及びガラス基板９の一部に股がって形成される透
明電極（ＩＴＯ）１２より形成される。
、ガラス基板９と、該基板９の表面の所定部分に形成さ
れるクロム等による下部電極１０と、該電極１０の一部
及びガラス基板９の部に股がって形成されるアモルファ
ス・シリコン等による光ｉ電膜１１と、該光導電膜１１
の一部及びガラス基板９の一部に股がって形成される透
明電極（ＩＴＯ）１２より形成される。
以上の構成において、読取面で反射した光は透明電極１
２を介して光導電膜１１に達し、光電変換された電気信
号は、下部電極１１と透明電極１２へ出力される。
２を介して光導電膜１１に達し、光電変換された電気信
号は、下部電極１１と透明電極１２へ出力される。
しかし、従来のイメージセンサにあっては、多数の受光
素子の光−電変換特性に少しでもばらつきがあると、非
選択状態（バイアス印加スイッチ３がアース側に接続さ
れた状ａ）にある群の受光素子から発生するリーク電流
が選択状態（スイッチ３が電源８側へ切換えられている
状態）にある群の出力信号に混ざるため、クロストーク
を生じる不都合がある。
素子の光−電変換特性に少しでもばらつきがあると、非
選択状態（バイアス印加スイッチ３がアース側に接続さ
れた状ａ）にある群の受光素子から発生するリーク電流
が選択状態（スイッチ３が電源８側へ切換えられている
状態）にある群の出力信号に混ざるため、クロストーク
を生じる不都合がある。
従来、このような不都合を無くすべく、第５図（断面図
）及び第６図（等価回路図）のように、各受光素子６に
接続されるブロッキングダイオード１４ （ガラス基板
９上に順次、下部電極１０、光導電膜１１、透明電極１
２及び光シールド１３を設けて構成）を形成し、各受光
素子にリーク電流を阻止する構成が提案されている。
）及び第６図（等価回路図）のように、各受光素子６に
接続されるブロッキングダイオード１４ （ガラス基板
９上に順次、下部電極１０、光導電膜１１、透明電極１
２及び光シールド１３を設けて構成）を形成し、各受光
素子にリーク電流を阻止する構成が提案されている。
しかし、かかる構成にあっては、受光素子の他に各ビッ
トにダイオードを形成する必要があり、製造プロセスが
複雑になるのみならず、歩留りが悪くなるという不具合
がある。
トにダイオードを形成する必要があり、製造プロセスが
複雑になるのみならず、歩留りが悪くなるという不具合
がある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は上記
に鑑みてなされたものであり、光電変換特性のばらつき
に起因するクロストークを除去するため、下部電極の表
面に絶縁性の酸化金属膜を設けるようにしたイメージセ
ンサを提供するものである。
に鑑みてなされたものであり、光電変換特性のばらつき
に起因するクロストークを除去するため、下部電極の表
面に絶縁性の酸化金属膜を設けるようにしたイメージセ
ンサを提供するものである。
以下、本発明によるイメージセンサを詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示し、第４図と同一の部分
は同一の引用数字で示したので重複する説明は省略する
が、下部電極ｌＯの表面に絶縁性の金属酸化物、例えば
、酸化クロム膜１５を形成し、この酸化クロム膜１５の
表面に光導電膜１１を形成するようにしたものである。
は同一の引用数字で示したので重複する説明は省略する
が、下部電極ｌＯの表面に絶縁性の金属酸化物、例えば
、酸化クロム膜１５を形成し、この酸化クロム膜１５の
表面に光導電膜１１を形成するようにしたものである。
酸化クロム膜１５の厚みとしては、バイアス印加電極が
接地に接がれている状態のときにセンサのリーク電流を
阻止し、電源８に接がれた状態のときに光電流を流すこ
とができるように、５０〜５００人が選ばれる。この酸
化クロム膜１５は、下部電極１０を形成の後、ガラス基
板９を２００℃〜６００℃の大気中または酸素雰囲気中
に置くのみで形成できるため、極めて容易かつ簡単に作
ることができる。
接地に接がれている状態のときにセンサのリーク電流を
阻止し、電源８に接がれた状態のときに光電流を流すこ
とができるように、５０〜５００人が選ばれる。この酸
化クロム膜１５は、下部電極１０を形成の後、ガラス基
板９を２００℃〜６００℃の大気中または酸素雰囲気中
に置くのみで形成できるため、極めて容易かつ簡単に作
ることができる。
第２図（ａ）、（ｂ）は、第４図に示す従来構成と第１
図に示す本発明の構成による電圧−電流特性を示したも
のである。従来においては、（ａ）図に示す如＜電圧が
Ｏボルトの場、合でもリーク電流が流れ、しかも個々の
受光素子間でリーク電流にばらつきがある。そして、こ
のばらつきは補正が困難である。
図に示す本発明の構成による電圧−電流特性を示したも
のである。従来においては、（ａ）図に示す如＜電圧が
Ｏボルトの場、合でもリーク電流が流れ、しかも個々の
受光素子間でリーク電流にばらつきがある。そして、こ
のばらつきは補正が困難である。
これに対しくｂ１図に示す本発明は、図より明らかなよ
うにＯボルト付近においては殆ど電流が流れず、リーク
電流は発生しない。従って、バイアス印加電極を接地し
た状態下でもクロストークを発生することが無い（尚、
図中の破線は複数の素子間のばらつきを示す）。
うにＯボルト付近においては殆ど電流が流れず、リーク
電流は発生しない。従って、バイアス印加電極を接地し
た状態下でもクロストークを発生することが無い（尚、
図中の破線は複数の素子間のばらつきを示す）。
尚、以上の説明では、下部電極１０としてクロムを用い
る例を示したが、このほかアルミニウム、ニッケル、タ
ンタル等の如く、表面に絶縁性の酸化膜を形成しうる金
属の使用が可能である。また、かかる金属の表面への酸
化膜の形成手段としては、陽極酸化、硫酸及び硝酸等に
よる化学的な表面酸化法を用いることもできる。
る例を示したが、このほかアルミニウム、ニッケル、タ
ンタル等の如く、表面に絶縁性の酸化膜を形成しうる金
属の使用が可能である。また、かかる金属の表面への酸
化膜の形成手段としては、陽極酸化、硫酸及び硝酸等に
よる化学的な表面酸化法を用いることもできる。
以上説明した通り本発明のイメージセンサによれば、下
部電極の表面に金属酸化膜を形成したため、非選択状態
にある受光素子のリーク電流発生を抑制し、クロストー
クの発生を防止することができる。しかも、金属酸化膜
の形成のために特別の工程を設ける必要が無いため、ブ
ロッキングダイオードを設ける構成に比べて製造が容易
になると共にコストダウンを図ることができる。
部電極の表面に金属酸化膜を形成したため、非選択状態
にある受光素子のリーク電流発生を抑制し、クロストー
クの発生を防止することができる。しかも、金属酸化膜
の形成のために特別の工程を設ける必要が無いため、ブ
ロッキングダイオードを設ける構成に比べて製造が容易
になると共にコストダウンを図ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）
、 （ｂ）は従来構成と本発明構成の受光素子の電圧−
電流特性図、第３図は多数の受光素子を用いた１次元イ
メージセンサのマトリクス駆動回路図、第４図は従来の
受光素子の構成の一例を示す断面図、第５図は従来の他
の受光素子の構成の一例を示す断面図、第６図は第５図
の受光素子の等価回路図。 符号の説明 ９−・・−・・・ガラス基板、 １０・・−・−・
・下部電極、１１−・・−・光導電膜、 １２−
・−・−透明電極、１５−−−−−−−・・酸化クロム
膜。 特 許 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代理人
弁理士 松 原 伸 ２ 同 同 村木清司 同 同 平田忠雄 同 同 上島淳− 第１図 第２図
、 （ｂ）は従来構成と本発明構成の受光素子の電圧−
電流特性図、第３図は多数の受光素子を用いた１次元イ
メージセンサのマトリクス駆動回路図、第４図は従来の
受光素子の構成の一例を示す断面図、第５図は従来の他
の受光素子の構成の一例を示す断面図、第６図は第５図
の受光素子の等価回路図。 符号の説明 ９−・・−・・・ガラス基板、 １０・・−・−・
・下部電極、１１−・・−・光導電膜、 １２−
・−・−透明電極、１５−−−−−−−・・酸化クロム
膜。 特 許 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代理人
弁理士 松 原 伸 ２ 同 同 村木清司 同 同 平田忠雄 同 同 上島淳− 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）基板上の所定部位に下部電極を形成すると共に、
該下部電極の表面に光導電膜を形成し、更に該光導電膜
の表面に透明電極を形成して構成した受光素子の多数を
１次元に配列したイメージセンサにおいて、 前記下部電極の表面に絶縁性の金属酸化膜を形成するこ
とを特徴とするイメージセンサ。 - （２）前記金属酸化膜が５０〜５００Åの酸化クロム膜
である構成の特許請求の範囲第１項記載のイメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150522A JPS6212157A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150522A JPS6212157A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212157A true JPS6212157A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15498703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60150522A Pending JPS6212157A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212157A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350915A (en) * | 1992-06-18 | 1994-09-27 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image sensor using organic photoconductor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863164A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光読取り素子 |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60150522A patent/JPS6212157A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863164A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光読取り素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350915A (en) * | 1992-06-18 | 1994-09-27 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image sensor using organic photoconductor |
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