JPS62121461A - 電子写真感光体 - Google Patents
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- JPS62121461A JPS62121461A JP26171985A JP26171985A JPS62121461A JP S62121461 A JPS62121461 A JP S62121461A JP 26171985 A JP26171985 A JP 26171985A JP 26171985 A JP26171985 A JP 26171985A JP S62121461 A JPS62121461 A JP S62121461A
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
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- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、電子写真感光体に係り、特に、電子写真感光
体等の感光体ドラムに使用される電子写真感光体の＠迄
に関する。
体等の感光体ドラムに使用される電子写真感光体の＠迄
に関する。
近年、セレン系感光体に代わるものとして、耐熱性、耐
摩耗性、無公害性、光感度特性に優れていることから、
アモルファスシリコン層あるいは、水素等をドーピング
したアモルファスシリコン層を光導電層に使用したアモ
ルファスシリコン系の電子写真感光体が注目されてきて
いる。
摩耗性、無公害性、光感度特性に優れていることから、
アモルファスシリコン層あるいは、水素等をドーピング
したアモルファスシリコン層を光導電層に使用したアモ
ルファスシリコン系の電子写真感光体が注目されてきて
いる。
従来、アモルファスシリコン系の電子写真感光体として
は、支持体として、アルミニウムを使用し、この表面に
光導電層としてアモルファスシリコン層を形成したもの
が広く用いられている。このときアモルファスシリコン
はアルミニウムに対する付着力が充分でないことから、
通常、アルミニウムの表面に予め、アルマイト処理（１
Ｓ！化処理）と、該アルマイト処理によって形成される
アルマイト層表面の微孔を高圧水蒸気等にさらすことに
よって封孔する封孔処理ど、を施すことにより、安定で
アモルファスシリコンとの付着性の良好な表面状態をつ
くり出すようにしている。
は、支持体として、アルミニウムを使用し、この表面に
光導電層としてアモルファスシリコン層を形成したもの
が広く用いられている。このときアモルファスシリコン
はアルミニウムに対する付着力が充分でないことから、
通常、アルミニウムの表面に予め、アルマイト処理（１
Ｓ！化処理）と、該アルマイト処理によって形成される
アルマイト層表面の微孔を高圧水蒸気等にさらすことに
よって封孔する封孔処理ど、を施すことにより、安定で
アモルファスシリコンとの付着性の良好な表面状態をつ
くり出すようにしている。
ところで前記アルマイト処理は、アルミニウムの支持体
を′ＰｊＪ穫とし、電解液として硫酸あるいはシュウ酸
を用いた陽極酸化処理によって実施され、生成される陽
極酸化被膜は通常電解液による溶解作用を受は無定形の
酸化アルミニウムとなった多孔質部分（多孔層）と溶解
されずに残り結晶性の酸化アルミニウムとなった緻密な
部分（バリア層）との二重＠造を有するアルマイト層と
なる。そして更に、後処理として封孔処理を施すことに
より、このアルマイト層のうち特に多孔質層は、結晶水
の加水された（ずなわち化学構造的に水を含む）ものと
なり全体的に体積膨張すると共に微細孔の封孔された安
定な表面となっている。
を′ＰｊＪ穫とし、電解液として硫酸あるいはシュウ酸
を用いた陽極酸化処理によって実施され、生成される陽
極酸化被膜は通常電解液による溶解作用を受は無定形の
酸化アルミニウムとなった多孔質部分（多孔層）と溶解
されずに残り結晶性の酸化アルミニウムとなった緻密な
部分（バリア層）との二重＠造を有するアルマイト層と
なる。そして更に、後処理として封孔処理を施すことに
より、このアルマイト層のうち特に多孔質層は、結晶水
の加水された（ずなわち化学構造的に水を含む）ものと
なり全体的に体積膨張すると共に微細孔の封孔された安
定な表面となっている。
しかしながらこのようにして形成されたアルマイト層の
表面にアモルファスシリコン層からなる光導電層を堆積
した場合、このアモルファスシリコン層のアルミニウム
支持体に対する付着力も充分ではなく、電子写真感光体
としての光電特性はこれによって劣化する傾向にある。
表面にアモルファスシリコン層からなる光導電層を堆積
した場合、このアモルファスシリコン層のアルミニウム
支持体に対する付着力も充分ではなく、電子写真感光体
としての光電特性はこれによって劣化する傾向にある。
更に、このようにして形成された支持体の表面に、光４
電層が形成されるわけであるが、帯電特性の向上のため
に通常、支持体と光導電層との間に電荷注入阻止層（あ
るいはｗ５壁層）を介在させる必要があるとされている
。そこで通常、例えば水素化アモルファスシリコン層（
ａ−８ｉ：１１）にホウ素（Ｂ）をドープすることによ
って形成される水素化アモルファスシリコ２１層（特公
昭６０−３５０５９号公報参照）、あるいは、金属酸化
物（特開昭５７−６７９３６号公報参照、特開昭５７−
１０４９３８号公報参照）等が介在せしめられている。
電層が形成されるわけであるが、帯電特性の向上のため
に通常、支持体と光導電層との間に電荷注入阻止層（あ
るいはｗ５壁層）を介在させる必要があるとされている
。そこで通常、例えば水素化アモルファスシリコン層（
ａ−８ｉ：１１）にホウ素（Ｂ）をドープすることによ
って形成される水素化アモルファスシリコ２１層（特公
昭６０−３５０５９号公報参照）、あるいは、金属酸化
物（特開昭５７−６７９３６号公報参照、特開昭５７−
１０４９３８号公報参照）等が介在せしめられている。
また、光４電層としては、水素含有量が１０〜４０原子
パーセント（ａｔ％）のアモルファスシリコン層が暗抵
抗あるいは光感度の而で良好であるとされている。（特
公昭６Ｏ−３５０５９ｆ３公報） しかしながら、このようなアモルファスシリコン系の感
光体は、いずれも帯電電位、暗減衰特性。
パーセント（ａｔ％）のアモルファスシリコン層が暗抵
抗あるいは光感度の而で良好であるとされている。（特
公昭６Ｏ−３５０５９ｆ３公報） しかしながら、このようなアモルファスシリコン系の感
光体は、いずれも帯電電位、暗減衰特性。
光感度の貞で十分とはいえず、また、環境変化に対する
画像特性の安定性も十分でないという不都合があった。
画像特性の安定性も十分でないという不都合があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、光電特性お
よび耐久性に優れた電子写真感光体を提供することを目
的とする。
よび耐久性に優れた電子写真感光体を提供することを目
的とする。
（問題点を解決するための手段）
そこで、本発明では、光導電層として、アモルファスシ
リコンを使用した電子写真用感光体の支持体として、化
学構造的に結晶水を含まない無水の酸化アルミニウム層
（ＡΩ２０３）からなるいわゆる多孔質層を有するアル
マイト層を形成してなる純アルミニウムを使用するよう
にしている。
リコンを使用した電子写真用感光体の支持体として、化
学構造的に結晶水を含まない無水の酸化アルミニウム層
（ＡΩ２０３）からなるいわゆる多孔質層を有するアル
マイト層を形成してなる純アルミニウムを使用するよう
にしている。
更に、本発明では、電子写真用の感光体において、種々
の実験の結果、光導電層としての水素化アモルファスシ
リコン層の水素含有量が従来は１０〜４Ｑａｔ％の範囲
が最適とされていたのに対し、２０ａｔ％以下、特に望
ましくは５〜１３％としたとき帯電特性が大幅に向上す
ることを〉で見し、光４電層の水素含有量を上記範囲に
とるようにしている。
の実験の結果、光導電層としての水素化アモルファスシ
リコン層の水素含有量が従来は１０〜４Ｑａｔ％の範囲
が最適とされていたのに対し、２０ａｔ％以下、特に望
ましくは５〜１３％としたとき帯電特性が大幅に向上す
ることを〉で見し、光４電層の水素含有量を上記範囲に
とるようにしている。
また、該水素化アモルファスシリコン層の上層には表面
層としてアモルファスポロンナイトライド層を形成する
のが望ましい。
層としてアモルファスポロンナイトライド層を形成する
のが望ましい。
〔作用］
上述の如く、支持体表面を、無水の酸化アルミニウム層
からなるいわゆる多孔質層とすることにより、光電特性
を低下させることなく光導電体層としての水素化アモル
ファスシリコン層との密着性を高めることができる。
からなるいわゆる多孔質層とすることにより、光電特性
を低下させることなく光導電体層としての水素化アモル
ファスシリコン層との密着性を高めることができる。
また、水素含有ｆｆ１２０ａｔ％以下の水素化アモルフ
ァスシリコンを光導電層として使用することにより帯電
特性が大幅に向上する。
ァスシリコンを光導電層として使用することにより帯電
特性が大幅に向上する。
更に、表面層としてのアモルファスボロンナイトライド
層は、電荷注入阻止１表面保護１反射防止の３つの機能
を発揮する。
層は、電荷注入阻止１表面保護１反射防止の３つの機能
を発揮する。
以下、本光明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
この電子写真感光体は第１図に断面図を示す如く、支持
体として円筒状の適宜な形状に加工され、表面に結晶水
を含まないアルマイト図２の形成された純度９９．５％
以上のアルミニウム１を用い、該アルマイト層の表面に
光導電層として水素含有率９．３ａｔｍ％の水素化アモ
ルファスシリコン層３ （ａ−８ｉ ：Ｈ）、表面層と
して水素を含むアモルファスボロンナイトライド４ （
ａ−ＢＮ）を順次積ＩＰｉせしめてなるものである。
体として円筒状の適宜な形状に加工され、表面に結晶水
を含まないアルマイト図２の形成された純度９９．５％
以上のアルミニウム１を用い、該アルマイト層の表面に
光導電層として水素含有率９．３ａｔｍ％の水素化アモ
ルファスシリコン層３ （ａ−８ｉ ：Ｈ）、表面層と
して水素を含むアモルファスボロンナイトライド４ （
ａ−ＢＮ）を順次積ＩＰｉせしめてなるものである。
なお、（＋ｊｓ記アシアルマイ＋−ｒ４は膜厚１００Ａ
のバリア層と膜厚１μｍの多孔質層の二車構造となって
いる。
のバリア層と膜厚１μｍの多孔質層の二車構造となって
いる。
次に、この電子写真感光体の製造方法について説明する
。
。
まず、支持体として円筒状等の適宜の形状に加工された
純アルミニウムを陽極とし、硫酸あるいはシュウ酸を電
解液として用いた電解処理を行なうことにより、第２図
（ａ）に示す如く、膜厚１００Ａのバリア層２ａと膜厚
１μｍの多孔質層２ｂとからなるアルマイト層２を形成
する。このときの電解電圧は１０〜２０Ｖ、電解時間は
２分〜３０分、電解液の温度は１０〜２５℃、濃度は１
０〜２０％、電流密度は１〜２ Ａ ／ ｄ ｍとした
。
純アルミニウムを陽極とし、硫酸あるいはシュウ酸を電
解液として用いた電解処理を行なうことにより、第２図
（ａ）に示す如く、膜厚１００Ａのバリア層２ａと膜厚
１μｍの多孔質層２ｂとからなるアルマイト層２を形成
する。このときの電解電圧は１０〜２０Ｖ、電解時間は
２分〜３０分、電解液の温度は１０〜２５℃、濃度は１
０〜２０％、電流密度は１〜２ Ａ ／ ｄ ｍとした
。
続いて、第２図（ｂ）に示で如くこのアルマイト層２に
何ら封孔処理を施すことなくそのまま、上記多孔質層２
ｂの表面に光導電層としてプラズマＣＶＤ法により、映
厚２ｏμｍ、水木含有吊９．３ａｔｍ％のボロンドープ
の水素化アモルファスシリコン層３を着膜する。このと
きの着膜条件は、基板（支持体）温度：２５０〜４５０
℃。
何ら封孔処理を施すことなくそのまま、上記多孔質層２
ｂの表面に光導電層としてプラズマＣＶＤ法により、映
厚２ｏμｍ、水木含有吊９．３ａｔｍ％のボロンドープ
の水素化アモルファスシリコン層３を着膜する。このと
きの着膜条件は、基板（支持体）温度：２５０〜４５０
℃。
反応ガス：シラン（Ｓ＋Ｈ４）とジボラン（Ｂ２１」６
）の混合ガス、ガス圧：０．１〜２ｔｏｒｒ。
）の混合ガス、ガス圧：０．１〜２ｔｏｒｒ。
ガス流ｆｆｉ： １０〜５００ｓｃｃｍ、高周波周波枚
：１３．５６ＭＨｚ、高周波電力＝１０〜１０００Ｗと
する。
：１３．５６ＭＨｚ、高周波電力＝１０〜１０００Ｗと
する。
更に、この上層に、表面層として、プラズマＣＶＤ法に
より、アモルファスボロンナイトライド（ａ−ＢＮ）層
を形成する（第１図）。このときの着膜条件は、反応ガ
スどしてアンモニア（ＮＨ３）とジボラン（Ｂ２１」６
）の混合ガスを用いる他は、上記光４電層の着膜条件と
同様にする。
より、アモルファスボロンナイトライド（ａ−ＢＮ）層
を形成する（第１図）。このときの着膜条件は、反応ガ
スどしてアンモニア（ＮＨ３）とジボラン（Ｂ２１」６
）の混合ガスを用いる他は、上記光４電層の着膜条件と
同様にする。
このようにして形成された感光体は、光導電層３と支持
体１（厳密には多孔ｆ１．層２ｂ）との付着強度も十分
でありかつ、光電特性も極めて良好であった。
体１（厳密には多孔ｆ１．層２ｂ）との付着強度も十分
でありかつ、光電特性も極めて良好であった。
ここで、比較のために支持体（正確には支持体の表面の
層）のみを変化させた場合の光導電層との密着性につい
て表１に示“リ−０ここで″イヒ学＠造的な水を含むア
ルマイト”とは、“″封孔処理″後の状態とする。この
表１からも明らかなように、純アルミニウム、ステンレ
ス、封孔処１！Ｊ’ （？のアルマイト層よりも、木光
明の“′化学＠造的な水を含まないアルマイトｘ”ｔな
わち、１・１孔処理を行なわないで形成したアルマイト
層が密着性が良好であった。
′表 Ｉ 表中、ｒＯＪは「優れている」ことを示し、「×」は「
劣っている」ことを示し、「Δ」は「優れてはいないが
実用上は特に支障を来たさない」ことを示すものとする
。
層）のみを変化させた場合の光導電層との密着性につい
て表１に示“リ−０ここで″イヒ学＠造的な水を含むア
ルマイト”とは、“″封孔処理″後の状態とする。この
表１からも明らかなように、純アルミニウム、ステンレ
ス、封孔処１！Ｊ’ （？のアルマイト層よりも、木光
明の“′化学＠造的な水を含まないアルマイトｘ”ｔな
わち、１・１孔処理を行なわないで形成したアルマイト
層が密着性が良好であった。
′表 Ｉ 表中、ｒＯＪは「優れている」ことを示し、「×」は「
劣っている」ことを示し、「Δ」は「優れてはいないが
実用上は特に支障を来たさない」ことを示すものとする
。
／″
／−′
、−
７−′
また、陽極酸化によるアルマイト層の形成条件を変化さ
Ｕ、バリア層２ａのｖｉ！厚αと、多孔質層２ｂの膜厚
βとイ・１着力ａ３よび光電特性の関係を測定したもの
を表■に示す。表■にＪ３いて、ｒＯＪは「Ｖ！Ｉれて
いる」ことを示し、ｒＸＪは「劣っている」ことを示し
、「Δ」は「侵れてはいないが実用上は特に支障を来た
さない」ことを示すものとする。
Ｕ、バリア層２ａのｖｉ！厚αと、多孔質層２ｂの膜厚
βとイ・１着力ａ３よび光電特性の関係を測定したもの
を表■に示す。表■にＪ３いて、ｒＯＪは「Ｖ！Ｉれて
いる」ことを示し、ｒＸＪは「劣っている」ことを示し
、「Δ」は「侵れてはいないが実用上は特に支障を来た
さない」ことを示すものとする。
表 ■
この表■から、多孔質や１は厚い方が付着力の面からは
有効であるが、光電特性をも考慮すると、せい「い５μ
ｍ程度までにおさえるのが好ましいことがわかる。また
バリア層は薄いほど良いが、１０Ａ〜５００Ａの範囲で
あれば光雷特性的に支障はない。
有効であるが、光電特性をも考慮すると、せい「い５μ
ｍ程度までにおさえるのが好ましいことがわかる。また
バリア層は薄いほど良いが、１０Ａ〜５００Ａの範囲で
あれば光雷特性的に支障はない。
更にまた、支持体と光′ｆＩ雷層との間に介在せしめら
れる電荷注入Ｎ１止層の有無による表面電位の変化と、
光導電層の膜厚との関係を測定した結果を第３図に示す
。ここで実線ａは電狗注入■止Ｉ台として水素化アモル
ファスシリコンＰ層を介在せしめた場合の光導電層と表
面電位との関係曲線、点Ｆｌｌｂはアルマイト層２の上
に直接光導電層を形成した場合の関係曲線であり、この
図から、電荷注入阻止層の有無によってはと／υど表面
電位の変化はないことがわかった。
れる電荷注入Ｎ１止層の有無による表面電位の変化と、
光導電層の膜厚との関係を測定した結果を第３図に示す
。ここで実線ａは電狗注入■止Ｉ台として水素化アモル
ファスシリコンＰ層を介在せしめた場合の光導電層と表
面電位との関係曲線、点Ｆｌｌｂはアルマイト層２の上
に直接光導電層を形成した場合の関係曲線であり、この
図から、電荷注入阻止層の有無によってはと／υど表面
電位の変化はないことがわかった。
また、光導電層の形成に際して、反応ガスの組成を変化
させていくことにより、水素化アモルファスシリコン層
中の水素ｆｎ（ａｔ％）を変化させて感光体を形成し、
これらについて水素量と帯電能＜Ｖ／μ）との関係を測
定した。この結果を第４図に示す。縦軸は帯電能、横軸
は水素ａとした。この図からも明らかなように、水素含
有ａは２０ａ ｔ％以下、更に望ましくは５〜１３ａし
％、特に望ましくは７〜１Ｑａｔ％の範囲にあるとき、
特に良好な結果を呈するということがわかる。
させていくことにより、水素化アモルファスシリコン層
中の水素ｆｎ（ａｔ％）を変化させて感光体を形成し、
これらについて水素量と帯電能＜Ｖ／μ）との関係を測
定した。この結果を第４図に示す。縦軸は帯電能、横軸
は水素ａとした。この図からも明らかなように、水素含
有ａは２０ａ ｔ％以下、更に望ましくは５〜１３ａし
％、特に望ましくは７〜１Ｑａｔ％の範囲にあるとき、
特に良好な結果を呈するということがわかる。
加えて、表面層に夫々、アモルファスボロンナイトライ
ド、アモルファスシリコンカーバイト（ａ−３ｉＣ＞、
水素化アモルフ１スシリコン（ａ−８ｉ：Ｉ」）を用い
±６．５ＫＶのコロナ電圧を印加した場合の表面電位は
表■に示す如く、夫々７００Ｖ、５００Ｖ、３００Ｖと
なッテおり、アモルファスボロンナイトライドを用いた
場合が極めて良好であることがわかる。
ド、アモルファスシリコンカーバイト（ａ−３ｉＣ＞、
水素化アモルフ１スシリコン（ａ−８ｉ：Ｉ」）を用い
±６．５ＫＶのコロナ電圧を印加した場合の表面電位は
表■に示す如く、夫々７００Ｖ、５００Ｖ、３００Ｖと
なッテおり、アモルファスボロンナイトライドを用いた
場合が極めて良好であることがわかる。
表 ■ ゛
このように、支持体として、表面に結晶水を含まないア
ルマイト層を形成せしめた純アルミニウム製の円筒を使
用し、これに光導電層としての水素含有率１〜２０ａｔ
％の水素化アモルファスシリコン層、および表面層とし
てのアモルファスボロンナイトライド層を順次積層せし
めた感光体が付着力すなわち機械的強度、光電特性バに
極めて優れている。
ルマイト層を形成せしめた純アルミニウム製の円筒を使
用し、これに光導電層としての水素含有率１〜２０ａｔ
％の水素化アモルファスシリコン層、および表面層とし
てのアモルファスボロンナイトライド層を順次積層せし
めた感光体が付着力すなわち機械的強度、光電特性バに
極めて優れている。
なお、実施例では、支持体表面のアルマイト層におＧプ
るバリア層の厚さαを１００Ａ、多孔質層の厚さβを１
μｍとしたが、バリア層はなくてもよく、又できるだ【
プ薄い方が光電特性が改善されるが、アルマイト処理に
おいて必ず形成されてしまうものであるため１０Ａ≦α
≦５００Ａ。
るバリア層の厚さαを１００Ａ、多孔質層の厚さβを１
μｍとしたが、バリア層はなくてもよく、又できるだ【
プ薄い方が光電特性が改善されるが、アルマイト処理に
おいて必ず形成されてしまうものであるため１０Ａ≦α
≦５００Ａ。
０く０５５μｍの範囲内となるように処理条件を選択す
れば良い。
れば良い。
また、光導電層の水素含有量ＣＩＩはＣ１１≦２０ａｔ
％、望ましくは５ａｔ％≦ＣＩ＋≦１３ａｔ％、特に望
ましくは７ａｔ％≦Ｃ（１≦１０ａｔ％の範囲で適宜選
択すればよい。
％、望ましくは５ａｔ％≦ＣＩ＋≦１３ａｔ％、特に望
ましくは７ａｔ％≦Ｃ（１≦１０ａｔ％の範囲で適宜選
択すればよい。
更に、光４電層の膜厚しについても、５μｍ≦ｔ≦８０
μｍの範囲内で適宜選択すればよい。
μｍの範囲内で適宜選択すればよい。
更にまた、光導電層中のボロンのドーピング昂について
も、１０ ａｔ％〜ｌＱ’ａｔ％の範囲内で適宜選択
すればよい。
も、１０ ａｔ％〜ｌＱ’ａｔ％の範囲内で適宜選択
すればよい。
加えて、表面層のアモルファスボロンナイトライドのボ
ロンと窒素との組成比はほぼ１対１となるようにするの
が望ましく、ＢＮ としたと １−ｘ き０．２≦Ｘ≦０．８の範囲にとるようにする。
ロンと窒素との組成比はほぼ１対１となるようにするの
が望ましく、ＢＮ としたと １−ｘ き０．２≦Ｘ≦０．８の範囲にとるようにする。
そして膜厚ｄについてし０．０１μｍ≦ｄ≦１０μｍ、
望ましくは０．０５μｍ≦ｄ≦５μ仇とするとよい。
望ましくは０．０５μｍ≦ｄ≦５μ仇とするとよい。
〔発明の効果］
以上説明してきたように、本発明によれば、支持体とし
て、表面に結晶水を含まないアル−マイト層を形成せし
めた純アルミニウムを使用し、これに光導電層としての
水素化アモルファスシリコン層を形成することによって
感光体を構成しているため、支持体と光導電層の密着性
が極めて良好である上、優れた光電特性をｊｎることが
可能である。
て、表面に結晶水を含まないアル−マイト層を形成せし
めた純アルミニウムを使用し、これに光導電層としての
水素化アモルファスシリコン層を形成することによって
感光体を構成しているため、支持体と光導電層の密着性
が極めて良好である上、優れた光電特性をｊｎることが
可能である。
第１図は、本発明実施例の感光体の断面＠造を示す説明
図、第２図（ａ ） Ｊｊよび（ｂ）は、同感光体の製
造工程図、第３図は、光導電層の膜厚と表面電位との関
係を示す図、第４図は、光導電層中の水素量と帯電能と
の画先を示す図である。 １・・・純アルミニウム、２ａ・・・バリア層、２ｂ・
・・多孔質層、２・・・アルマイト層、３・・・水素化
アモルファスシリコン層、４・・・アモルファスボロン
ナイトライド層。 第１図 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第３図
図、第２図（ａ ） Ｊｊよび（ｂ）は、同感光体の製
造工程図、第３図は、光導電層の膜厚と表面電位との関
係を示す図、第４図は、光導電層中の水素量と帯電能と
の画先を示す図である。 １・・・純アルミニウム、２ａ・・・バリア層、２ｂ・
・・多孔質層、２・・・アルマイト層、３・・・水素化
アモルファスシリコン層、４・・・アモルファスボロン
ナイトライド層。 第１図 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第３図
Claims (3)
- （１）表面に無定形の無水酸化アルミニウムからなる多
孔質層を形成してなる純アルミニウムから構成された支
持体と、 該支持体表面に積層せしめられた光導電層とを具えたこ
とを特徴とする電子写真感光体。 - （２）前記光導電層は、水素含有量２０原子パーセント
（ａｔ％）以下の水素化アモルファスシリコン層から構
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項記載の電子写真感光体。 - （３）前記光導電層は、水素含有量５〜１３原子パーセ
ント（ａｔ％）の水素化アモルファスシリコン層から構
成されていることを特徴とする特許（４）表面に無定形
の無水酸化アルミニウムからなる多孔質層を形成してな
る純アルミニウムから構成された支持体と、 該支持体表面に積層せしめられた水素化アモルファスシ
リコン層からなる光導電層と、 該光導電層上に積層せしめられた水素含有アモルファス
ボロンナイトライド層からなる表面層とを具えたことを
特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26171985A JPS62121461A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26171985A JPS62121461A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121461A true JPS62121461A (ja) | 1987-06-02 |
Family
ID=17365755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26171985A Pending JPS62121461A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62121461A (ja) |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP26171985A patent/JPS62121461A/ja active Pending
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