JPS62120111A - 高周波増幅装置 - Google Patents
高周波増幅装置Info
- Publication number
- JPS62120111A JPS62120111A JP26012885A JP26012885A JPS62120111A JP S62120111 A JPS62120111 A JP S62120111A JP 26012885 A JP26012885 A JP 26012885A JP 26012885 A JP26012885 A JP 26012885A JP S62120111 A JPS62120111 A JP S62120111A
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- Japan
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- tuning
- gate
- terminal
- capacitance
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
近年、ＣＣＡＴＶ等の発達に伴い、テレビジョンを中心
とした高周波増幅装置が用いられている。
とした高周波増幅装置が用いられている。
装置の一例について説明する。
第２図は従来例の高周波増幅装置を示すものである。第
２図において、端子２Ａは入力端子であシ、２１は入カ
ドランスである。２２は同調用共振線路である。２３−
可変容量ダイオードで、２４はバイパス容量である。２
６は端子２Ｂより同調電圧を伝えるバイアス抵抗である
。２６は結合容量であり、２７はＦｌｉ：Ｔトランジス
タである。２８゜２９．２１０は、トランジスタ２７の
バイアス抵抗であり、２１１はバイパス容量である。２
１２は端子２Ｃよ１）ＡＧＣ電位を伝えるバイアス抵抗
であり、２１３は帰還抵抗、２１４は帰還容量である。
２図において、端子２Ａは入力端子であシ、２１は入カ
ドランスである。２２は同調用共振線路である。２３−
可変容量ダイオードで、２４はバイパス容量である。２
６は端子２Ｂより同調電圧を伝えるバイアス抵抗である
。２６は結合容量であり、２７はＦｌｉ：Ｔトランジス
タである。２８゜２９．２１０は、トランジスタ２７の
バイアス抵抗であり、２１１はバイパス容量である。２
１２は端子２Ｃよ１）ＡＧＣ電位を伝えるバイアス抵抗
であり、２１３は帰還抵抗、２１４は帰還容量である。
２１５は端子２Ｄより電源をトランジスタ２７に与える
チョークコイルであり、端子２Ｅは出力端子である。
チョークコイルであり、端子２Ｅは出力端子である。
以上のように構成された高周波増幅装置について、以下
その動作について説明する。
その動作について説明する。
まず、入力信号は端子２Ａより平衡入力にて入力され、
これが共振線路２２との間で平衡不平衡変換されて、共
振線路にあられれる。共振線路２２とバリキャップダイ
オード２３とバイパス容量２４で構成される単同調回路
は端子２Ｂより与えられる同調電圧により、同調周波数
で可変できる。この信号はインピーダンスの高い点より
結合容量２６を介してＦＥＴトランジスタ２７の第１ゲ
ートに供給される。トランジスタ２７は抵抗２８．２９
，２１０により自己バイアスが与えられ、第１ゲート電
位はソースと抵抗２１０を流れる電流工ｓとの積の電位
外だけ低い電位になり、ソースと第１ゲート間の電圧（
ｖＧＩＳ）は電流の大小により変化する。トランジスタ
２７の第２ゲートより抵抗２１２を介して端子２Ｃより
ＡＧＣ１位が与えられている。トランジスタ２７のドレ
インにはチョークコイル２１５を介して端子２Ｄよりを
源が与えられている。一方ドレインと第１ゲート間は帰
還抵抗２１３と帰還容量２１４による帰還回路が設定さ
れており、これによって、ドレインよりの出力が非同調
負荷でも利得が上るようになっている（例えば特開昭５
９−１４６２２９号発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、ＡＧＣ電位の大
小によりソースに流れる電流が増減し、これにより、第
１ゲートとソース間の電位■Ｇ工ｓの値が変動する。す
なわち、ＡＧＣ電位が大きくなれば、ｖＧＩＳは大きく
な虱ＡＧＣ電位が下がればｖＧＩＳは小さくなる。ここ
でトランジスタがＭＥＳ（メタルショットキー）ＦＥＴ
の場合はゲートにＭＯＳのような絶縁膜がないので、電
流がゼロ（ピンチオフ時）に比べてｖＧ２ に高い電位
がかかっているときには空乏層の量が減少し、ゲート容
量が大きく減少し、ゲートの入力容量の変化として２ｐ
Ｆもの変化がある場合があった。
これが共振線路２２との間で平衡不平衡変換されて、共
振線路にあられれる。共振線路２２とバリキャップダイ
オード２３とバイパス容量２４で構成される単同調回路
は端子２Ｂより与えられる同調電圧により、同調周波数
で可変できる。この信号はインピーダンスの高い点より
結合容量２６を介してＦＥＴトランジスタ２７の第１ゲ
ートに供給される。トランジスタ２７は抵抗２８．２９
，２１０により自己バイアスが与えられ、第１ゲート電
位はソースと抵抗２１０を流れる電流工ｓとの積の電位
外だけ低い電位になり、ソースと第１ゲート間の電圧（
ｖＧＩＳ）は電流の大小により変化する。トランジスタ
２７の第２ゲートより抵抗２１２を介して端子２Ｃより
ＡＧＣ１位が与えられている。トランジスタ２７のドレ
インにはチョークコイル２１５を介して端子２Ｄよりを
源が与えられている。一方ドレインと第１ゲート間は帰
還抵抗２１３と帰還容量２１４による帰還回路が設定さ
れており、これによって、ドレインよりの出力が非同調
負荷でも利得が上るようになっている（例えば特開昭５
９−１４６２２９号発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、ＡＧＣ電位の大
小によりソースに流れる電流が増減し、これにより、第
１ゲートとソース間の電位■Ｇ工ｓの値が変動する。す
なわち、ＡＧＣ電位が大きくなれば、ｖＧＩＳは大きく
な虱ＡＧＣ電位が下がればｖＧＩＳは小さくなる。ここ
でトランジスタがＭＥＳ（メタルショットキー）ＦＥＴ
の場合はゲートにＭＯＳのような絶縁膜がないので、電
流がゼロ（ピンチオフ時）に比べてｖＧ２ に高い電位
がかかっているときには空乏層の量が減少し、ゲート容
量が大きく減少し、ゲートの入力容量の変化として２ｐ
Ｆもの変化がある場合があった。
この入力容量の変化は前述の同調回路の同調周波数を大
きく変化させ、特に可変容量ダイオードの逆バイアスが
大きくて逆バイアス容量の小さな場合に同調変化ずれが
大きくなるという欠点があった。
きく変化させ、特に可変容量ダイオードの逆バイアスが
大きくて逆バイアス容量の小さな場合に同調変化ずれが
大きくなるという欠点があった。
本発明は上記問題点に鑑み、ＡＧＣ電位の変化の大小に
よる入力同調ずれを小さくできる手段を有する高周波増
幅装置を提供するものである。
よる入力同調ずれを小さくできる手段を有する高周波増
幅装置を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために、本発明の高周波増幅装置
は、入力同調回路の共振線路の一端をバイパス容量にて
交流的に接地し、その近傍からバイアス電圧を与えると
ともに、他端に２つの可変容量ダイオードの一端を接続
し、一方の可変容量ダイオードの他端を接地し、他方の
可変容量ダイオードの他端を直流的にのみ接地し、ここ
から結合容量を介して増幅用トランジスタの＠１ゲート
に信号供給するようにしたものである。
は、入力同調回路の共振線路の一端をバイパス容量にて
交流的に接地し、その近傍からバイアス電圧を与えると
ともに、他端に２つの可変容量ダイオードの一端を接続
し、一方の可変容量ダイオードの他端を接地し、他方の
可変容量ダイオードの他端を直流的にのみ接地し、ここ
から結合容量を介して増幅用トランジスタの＠１ゲート
に信号供給するようにしたものである。
作 用
このようにすれば、可変容量ダイオードの逆バイアス容
量が小さくなるに従って同調回路とトランジスタとの結
合容量も小さくなるので、増幅用トランジスタの入力容
量の変化もうけにくくなり、入力同調点ずれを小さくで
きる。
量が小さくなるに従って同調回路とトランジスタとの結
合容量も小さくなるので、増幅用トランジスタの入力容
量の変化もうけにくくなり、入力同調点ずれを小さくで
きる。
実施例
以下、本発明の一実施例の高周波増幅装置にっいて、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すものである。
５Ｎ１図において、１Ａは平衡入力端子、１１は入カド
ランス、１２は共振線路、１３はバイパス容量、１４は
バイアス抵抗、１５は同調用可変容量ダイオード、１６
は結合用可変容量ダイオード、１７はバイアス抵抗、１
８は結合容量、１９ばＦＥＴトランジスタ、１１０，１
１１．１１２はバイアス抵抗、１１３はバイパス容量、
１１４は端子１ＣよりＡＧＣ’１位を与えるバイアス抵
抗、１１５．１１１３はドレインと第１ゲート間に挿入
される帰還抵抗と帰還容量、１１７は端子１Ｄより型温
をドレインに与えるチョークコイルで、出力を端子１Ｅ
より得るという構成を備えたものである。
ランス、１２は共振線路、１３はバイパス容量、１４は
バイアス抵抗、１５は同調用可変容量ダイオード、１６
は結合用可変容量ダイオード、１７はバイアス抵抗、１
８は結合容量、１９ばＦＥＴトランジスタ、１１０，１
１１．１１２はバイアス抵抗、１１３はバイパス容量、
１１４は端子１ＣよりＡＧＣ’１位を与えるバイアス抵
抗、１１５．１１１３はドレインと第１ゲート間に挿入
される帰還抵抗と帰還容量、１１７は端子１Ｄより型温
をドレインに与えるチョークコイルで、出力を端子１Ｅ
より得るという構成を備えたものである。
以上のように構成された高岡増幅装置について、以下第
１図を用いてその動作を説明する。
１図を用いてその動作を説明する。
入力信号は端子１Ａより平衡入力として与えられ、入カ
ドランス１１と共振線路１２間で平衡不平衡変換される
。共振線路１２はバイパス容量１３、可変容量ダイオー
ド１５の逆バイアス容量１５（共振線路側にカソード、
アース側にアノード）とによシ同調回路を構成する。可
変容量ダイオード１５には端子１Ｂよりバイアス抵抗を
介して同調電位が与えられている。この電位は共振線路
を介して可変容量ダイオード１５の逆バイアスとして与
えられ、逆バイアス容量は後記するトランジスタの入力
容量等とともに同調周波数を決める。バイアス抵抗がバ
イパス容量の近傍に接続されるのは信号のロスを防ぐた
めである。
ドランス１１と共振線路１２間で平衡不平衡変換される
。共振線路１２はバイパス容量１３、可変容量ダイオー
ド１５の逆バイアス容量１５（共振線路側にカソード、
アース側にアノード）とによシ同調回路を構成する。可
変容量ダイオード１５には端子１Ｂよりバイアス抵抗を
介して同調電位が与えられている。この電位は共振線路
を介して可変容量ダイオード１５の逆バイアスとして与
えられ、逆バイアス容量は後記するトランジスタの入力
容量等とともに同調周波数を決める。バイアス抵抗がバ
イパス容量の近傍に接続されるのは信号のロスを防ぐた
めである。
共振線路１２と可変容量ダイオード１５のカソードの交
点には、結合用可変容量ダイオード１６のカソードが接
続され、アノードは高抵抗１７により直流的に接地され
ている。可変容量ダイオード１６には可変容量ダイオー
ド１５と同じ逆バイアス電位が与えられるため、その結
合容量は逆バイアス容量が小さくなるに従って小さくな
る。従って、従来例で述べたＦＥＴトランジスタのＡＧ
Ｃ電位の変化による第１ゲートの入力容量の変化を受け
にくくなる。また副次的効果として、入力側から見たマ
ツチングも良くなる。
点には、結合用可変容量ダイオード１６のカソードが接
続され、アノードは高抵抗１７により直流的に接地され
ている。可変容量ダイオード１６には可変容量ダイオー
ド１５と同じ逆バイアス電位が与えられるため、その結
合容量は逆バイアス容量が小さくなるに従って小さくな
る。従って、従来例で述べたＦＥＴトランジスタのＡＧ
Ｃ電位の変化による第１ゲートの入力容量の変化を受け
にくくなる。また副次的効果として、入力側から見たマ
ツチングも良くなる。
結合用可変容量ダイオード１６を通った信号は、結合容
量１８を介してトランジスタ１９の第１ゲートに供給さ
れる。このトランジスタ１９は、抵抗１１Ｑ、１１１．
１１２により自己バイアスがかけられている。トランジ
スタのソースはバイパス容量１１３により接地されてい
る。第２ゲートは、端子１Ｃよシ抵抗１１４を介してＡ
ＧＣ電位が与えられている。また、ドレイン−第１ゲー
ト間には抵抗１１５と容量１１６による帰還回路が挿入
されていて、ドレインから負荷をとったとき、広帯域性
を維持できるようになっている。ドレインは端子１Ｄよ
りチョークコイル１１７も介して電源が与えられている
。このトランジスタの動作については、従来例で述べた
ものと同様である。
量１８を介してトランジスタ１９の第１ゲートに供給さ
れる。このトランジスタ１９は、抵抗１１Ｑ、１１１．
１１２により自己バイアスがかけられている。トランジ
スタのソースはバイパス容量１１３により接地されてい
る。第２ゲートは、端子１Ｃよシ抵抗１１４を介してＡ
ＧＣ電位が与えられている。また、ドレイン−第１ゲー
ト間には抵抗１１５と容量１１６による帰還回路が挿入
されていて、ドレインから負荷をとったとき、広帯域性
を維持できるようになっている。ドレインは端子１Ｄよ
りチョークコイル１１７も介して電源が与えられている
。このトランジスタの動作については、従来例で述べた
ものと同様である。
出力信号は、ドレインより端子１Ｆを通して次段に与え
られる。
られる。
以上のように、本実施例によれば、ＡＧＣ電圧の変動に
伴う第１ゲートの容量変動の影響で受けやすい可変容量
ダイオードの逆バイアス容量の小さな領域においては結
合用の可変容量の容量も小さくできるので、同調点の変
化の割合いを小さくすることができる。実験によれば、
７７０ ＭＨｚを中心周波数として選定した場合に、従
来例では２０ＭＨｚ 以上の変動があった同調すれか
、５ＭＨｚ以下におさえられ、実用化できるものとなっ
た。
伴う第１ゲートの容量変動の影響で受けやすい可変容量
ダイオードの逆バイアス容量の小さな領域においては結
合用の可変容量の容量も小さくできるので、同調点の変
化の割合いを小さくすることができる。実験によれば、
７７０ ＭＨｚを中心周波数として選定した場合に、従
来例では２０ＭＨｚ 以上の変動があった同調すれか
、５ＭＨｚ以下におさえられ、実用化できるものとなっ
た。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、入力同調回路と増幅用
ＦＥＴトランジスタとの間に、同調電位の変化に連動し
て逆バイアス容量が変化する結合用可変容量ダイオード
を設けたことにより、増幅用ＦＥＴトランジスタのＡＧ
Ｃ電位の変化に対応した第１ゲートの入力容量の変化の
同調回路への影響を軽減でき、実用上問題のないレベル
にすることができる。
ＦＥＴトランジスタとの間に、同調電位の変化に連動し
て逆バイアス容量が変化する結合用可変容量ダイオード
を設けたことにより、増幅用ＦＥＴトランジスタのＡＧ
Ｃ電位の変化に対応した第１ゲートの入力容量の変化の
同調回路への影響を軽減でき、実用上問題のないレベル
にすることができる。
第１面は本発明の一実施例の高周波増幅装置を示す回路
図、第２図は従来例の高周波増幅装置を示す回路図であ
る。 １１・・・・・・入カドランス、１２・・山・共振線路
、１３・・・、・・バイパス容量、１４・川・・同調電
位供給のためのバイアス抵抗、１５・・・・り同調用可
変容量ダイオード、１６・・・・・・結合用可変容量ダ
イオード、１７・・・・・・バイアス抵抗、１８・・・
・・結合容量、１９・中・・増幅用トランジスタ、１１
６・・・・・帰還容量、１１５・・−・・帰還抵抗、１
１７・・・・・・チョークコイル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １Ｄ 第２図 ？Ｄ ｆＬＺｆ−゛−人カトランス ＪＺ、 ＺＺ−−−へ用炙か孔路 ／３．２＋、／／３．２ｆ／−−へｆノζス容１とｔ／
３．Ｚ６−−−諸・企容量 Ｈ６，Ｚ／４ − ）ｉ’！ＬｉＪ。 ｎ’ｔ、 ｚｔｓ〜−−デョークコイルｌ計−人力過子 ２１３−−゛同稠近氏叩叩喘子 ＩＣ−、ＺＣ−−−Ａｔ３こ、涛姑ヨト１０、２Ｏ−４
ｔ’、瀝、端子 ／Ｅ、 ＺＥ−一出カ甫子
図、第２図は従来例の高周波増幅装置を示す回路図であ
る。 １１・・・・・・入カドランス、１２・・山・共振線路
、１３・・・、・・バイパス容量、１４・川・・同調電
位供給のためのバイアス抵抗、１５・・・・り同調用可
変容量ダイオード、１６・・・・・・結合用可変容量ダ
イオード、１７・・・・・・バイアス抵抗、１８・・・
・・結合容量、１９・中・・増幅用トランジスタ、１１
６・・・・・帰還容量、１１５・・−・・帰還抵抗、１
１７・・・・・・チョークコイル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １Ｄ 第２図 ？Ｄ ｆＬＺｆ−゛−人カトランス ＪＺ、 ＺＺ−−−へ用炙か孔路 ／３．２＋、／／３．２ｆ／−−へｆノζス容１とｔ／
３．Ｚ６−−−諸・企容量 Ｈ６，Ｚ／４ − ）ｉ’！ＬｉＪ。 ｎ’ｔ、 ｚｔｓ〜−−デョークコイルｌ計−人力過子 ２１３−−゛同稠近氏叩叩喘子 ＩＣ−、ＺＣ−−−Ａｔ３こ、涛姑ヨト１０、２Ｏ−４
ｔ’、瀝、端子 ／Ｅ、 ＺＥ−一出カ甫子
Claims (2)
- （１）入力信号を同調用共振線路に供給し、その同調用
共振線路の一端をバイパス容量によって接地して同調用
電圧を加え、上記同調用共振線路の他端を２個の可変容
量ダイオードの一端にそれぞれ接続し、そのうちの１個
の可変容量ダイオードの他端を接地し他方の可変容量ダ
イオードの他端を直流的にのみ接地しかつ結合容量を介
して増幅用ＦＥＴトランジスタの入力側に接続するよう
にしたことを特徴とする高周波増幅装置。 - （２）同調用電圧をバイパス容量の近傍に加えるように
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高周
波増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26012885A JPS62120111A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 高周波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26012885A JPS62120111A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 高周波増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120111A true JPS62120111A (ja) | 1987-06-01 |
| JPH0573085B2 JPH0573085B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=17343682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26012885A Granted JPS62120111A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 高周波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62120111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0338908A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-20 | Nagano Japan Radio Co | 電子同調回路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146812A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS54846A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Hitachi Ltd | High frequency amplifier circuit |
| JPS5723008U (ja) * | 1980-07-17 | 1982-02-05 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723008B2 (ja) * | 1972-11-08 | 1982-05-17 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP26012885A patent/JPS62120111A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146812A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS54846A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Hitachi Ltd | High frequency amplifier circuit |
| JPS5723008U (ja) * | 1980-07-17 | 1982-02-05 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0338908A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-20 | Nagano Japan Radio Co | 電子同調回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573085B2 (ja) | 1993-10-13 |
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