JPS62119946A - ヒ−トシンクの製造方法 - Google Patents

ヒ−トシンクの製造方法

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Publication number
JPS62119946A
JPS62119946A JP60260694A JP26069485A JPS62119946A JP S62119946 A JPS62119946 A JP S62119946A JP 60260694 A JP60260694 A JP 60260694A JP 26069485 A JP26069485 A JP 26069485A JP S62119946 A JPS62119946 A JP S62119946A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
heat sink
aluminum
conductive metal
coining
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60260694A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Shirai
秀明 白井
Hiroshi Ishibashi
博 石橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Cable Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Cable Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority to JP60260694A priority Critical patent/JPS62119946A/ja
Publication of JPS62119946A publication Critical patent/JPS62119946A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Forging (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、トランジスターなどの三端子モジュール用と
して好適に用いられるヒートシンクの製造方法に関する
従来の技術 従来、上記の三端子モジュールとして、鉄板をヒートシ
ンクとするものが用いられている。このヒートシンクは
、鉄板の片面に鍛造によりセラミック基板のアイランド
となる部分の周囲にコイニング溝を形成し1次いで所定
の寸法のチップに鉄板を細断したのち、各チップ表面に
銅、ニッケルなどの導電性金属層をメッキすることによ
り製造されている。コイニング溝形成時の力によりヒー
トシンク裏面に凹凸が生じることがない様にするために
、また鉄材は硬く、その加工に大きな外力を要すること
から、従来は、上記のコイニングを鍛造により行ってき
た。
解決を要すべき問題点 しかしながら、上記の鍛造加工は必ずしも能率的である
とは言い難い、更に、予め表面に導電性金属をメンキし
た鉄板を鍛造加工したのでは、鍛造時の大きな加工力に
より導電性金属メッキ層に亀裂が生じる問題もあるので
、止むなくコイニング溝の形成の後、先に鉄板を所定の
寸法のチップ状に裁断したのち、各チップに導電性金属
のメッキを施す方法が採用されている。このメッキも長
尺の金属板についての連続メッキと異なって。
メッキ過程でのチップの取り扱いに、移送に、あるいは
均一メッキのための制御などに高度の技術と高価な装置
とを要する問題もある。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、高度の技術や高価な装置を要することな〈実
施可能なヒートシンクの製造方法を提案する。すなわち
2本発明は、アルミニウム・ヒートシンク層の上に導電
性の金属層を有する複合材料をプレス成形して、アルミ
ニウム・ヒートシンク層の裏面には実質的凹凸を生ぜし
めるこなく導電性金属層の側にコイニング溝を形成する
ことを特徴とする。
作用 本発明においては、ヒートシンク製造のための原材料と
してアルミニウム・ヒートシンク層を有する上記の複合
材料を用いることが特徴である。
アルミニウムは、鉄材と比較して軟らかく、このためか
なり小さい加工力により加工することができるので、鍛
造によらなくてもプレス加工によりヒートシンク表面に
実用上問題となるような凹凸を生ぜしめることなくコイ
ニング溝を形成することが可能である。従って、一度の
プレスで多数の深いコイニング溝の形成が可能であり、
また望むならば回転プレス機にて長尺複合材につき連続
的にコイニング溝を形成することも可能である。
また、更にコイニング溝を形成するに必要とする加工力
が小さいために、あるいは、ヒートシンク層を構成する
アルミニウムの易変形性のためにヒートシンク層の上に
予め導電性金属のメッキ層が施されてあっても、該メッ
キ層に亀裂が生じない。
実施例 本発明において用いる複合材としては、純アルミニウム
、アルミニウム合金、再生アルミニウムなどのアルミニ
ウム材から構成された厚さ3例えば0.5〜51■のヒ
ートシンク層の片面又は両面に銅、ニッケル、銀、金な
どの導電性の金属の一種をメッキあるいはその他の方法
で施したもの。
或いは更にその上に他の導電性金属の層を施したものな
どが用いられる。特に好ましくは、厚さが0.8〜4鰭
の純アルミニウムのヒートシンク層の上に銅メッキ層又
はニッケルメッキ層を有するもの、厚さ0.8〜4鶴の
純アルミニウムのヒートシンク層の上に銅メッキ層と更
にその上にニッケルメッキ層とを有するものなどである
。メッキ層の一層又は多数層の合計の厚さは5〜50μ
m程度が適当である。上記の純アルミニウムとしては、
純度が99.5%以上、更には99.9%以上の高純度
のものが特に好ましい。
本発明においては、上記複合材料のチップ状への細断は
、コイニング溝形成と同時に行ってもよく、コイニング
溝形成後の別工程にて行ってもよい、又更に、複合材料
を所望のチップ形に裁断するための裁断用溝を形成して
おき1次いでコイニは、プレス工程におけるプレス機部
の断面図であ層11及び層11の上に施された導電性金
属のメッキ層12とからなる複合材料1がプレス機2の
受盤21の上に置かれ1次いでコイニング溝を形成する
ための多数の月形22を有する作動盤23を所定位置ま
で降下させて、複合材料上にコイジュールヒートシンク
の1例の斜視図であって。
ヒートシンク層11の上の導電性金属メッキ層12が存
在する側にコイニング溝13が、更に該溝に囲繞されて
セラミック基板用のアイランド14が形成されている。
本発明においてコイニング溝13の深さはアルミニウム
ヒートシンク層11の厚みの115〜273程度が適当
である。
効果 本発明によれば、予め導電性金属を施した複合材料を用
いることができる。この種の複合材料は。
長尺のアルミニウムシートの片面又は両面を導電性金属
のメッキ液を用いて化学的に又は電気的に簡単でしかも
均一にメッキすることができるので。
従来のようにコイニング溝形成後に各チップにメッキを
施す場合と比較してヒートシンクの年産能率の点でも、
また得られた製品の性能並びに均一性においても頗る有
利である。又更に、前記した通り鉄と比較した場合のア
ルミニウムの易加工性のために通常のプレス加工機を用
いて簡単にコイニング溝を形成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明の製造方法を説明するためのものであ
って、プレス工程におけるプレス機の断面図を示す、第
2図は本発明の方法で製造される三端子モジュールヒー
トシンクの1例の斜視図である。 l: 複合材料 11: アルミニウム・ヒートシンク層12: 導電性
金属のメッキ層 13: コイニング溝 14: アイランド 2: プレス機 21: 受盤 22: 月形 23: 作動盤

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、アルミニウム・ヒートシンク層の上に導電性の金属
    層を有する複合材料をプレス成 形して、アルミニウム・ヒートシンク層の 裏面には実質的凹凸を生ぜしめることなく 導電性金属層の側にコイニング溝を形成す ることを特徴とするヒートシンクの製造方 法。 2、アルミニウム・ヒートシンク層が純アルミニウムで
    構成されてなる特許請求の範囲 第1項に記載の製造方法。 3、アルミニウム・ヒートシンク層が、アルミニウム合
    金で構成されてなる特許請求の 範囲第1項に記載の製造方法。 4、導電性金属層が銅及び/又はニッケルのメッキ層で
    ある特許請求の範囲第1項乃至 第3項に記載の製造方法。 5、コイニング溝の深さがアルミニウム・ ヒートシンク層の厚さの1/5〜2/3で ある特許請求の範囲第1項乃至第4項に記 載の製造方法。
JP60260694A 1985-11-19 1985-11-19 ヒ−トシンクの製造方法 Pending JPS62119946A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03500007U (ja) * 1988-06-24 1991-12-05
JPH06159326A (ja) * 1992-11-20 1994-06-07 Ckd Corp ロッドレスシリンダにおけるシールベルト

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5623763A (en) * 1979-08-04 1981-03-06 Aichi Steel Works Ltd Aluminum heat sink and manufacture of semiconductor device

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